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过程

CP287

功率晶体管

8.0安培NPN硅功率晶体管芯片

中央

半导体公司

流程细节

模具尺寸

模具厚度

BASE焊盘区

发射极焊盘区

顶面金属化

背面金属化

130 X 130 MILS

9.5 MILS

37× 20密耳

38× 20密耳

艾尔 - 45,000

钛/镍/银 - （ 3000埃， 10,000A ， 10,000A ）

几何

PER 4英寸晶圆DIE总值

974

主体装置类型

MJE13007

145亚当斯大街

Hauppauge的，纽约州11788美国

联系电话：（ 631 ） 435-1110

传真：（ 631 ） 435-1824

www.centralsemi.com

R0 （ 2005年26月）

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