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过程

CP285

功率晶体管

NPN - 硅功率晶体管芯片

中央

TM

半导体公司

流程细节

模具尺寸

模具厚度

BASE焊盘区

发射极焊盘区

顶面金属化

背面金属化

105 ×105 MILS

9.5 MILS

32× 22 MILS

33 ×24 MILS

艾尔 - 45,000

钛/镍/银 - （ 3000埃， 10,000A ， 10,000A ）

几何

每5英寸晶圆DIE总值

1,486

主体装置类型

MJE13005

145亚当斯大街

Hauppauge的，纽约州11788美国

联系电话：（ 631 ） 435-1110

传真：（ 631 ） 435-1824

www.centralsemi.com

R0 （2006年20月）

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