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过程

小信号晶体管

CP225

中央

TM

NPN - 放大器/开关晶体管芯片

半导体公司

流程细节

过程

模具尺寸

模具厚度

BASE焊盘区

发射极焊盘区

顶面金属化

背面金属化

几何

PER 4英寸晶圆DIE总值

28,960

主体装置类型

2N2218A

2N2221A

外延平面

19.8 X 19.8 MILS

9.5 MILS

4.3× 4.3 MILS

4.3× 4.3 MILS

艾尔 - 30,000

金 - 12,000

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R1 （2002年1月）

中央

TM

过程

CP225

半导体公司

典型电气特性

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R1 （2002年1月）

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