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过程

功率晶体管

CP219

中央

NPN - 高电流晶体管芯片

半导体公司

流程细节

过程

模具尺寸

模具厚度

BASE焊盘区

发射极焊盘区

顶面金属化

背面金属化

几何

PER 4英寸晶圆DIE总值

1,670

主体装置类型

2N5336

2N5337

2N5338

2N5339

2N5427

2N5428

2N5429

2N5430

D44H11

CJD44H11

BACKSIDE集热器

145亚当斯大街

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外延平面

82 X 82 MILS

11密耳

13.2 X 19.7 MILS

13.2 X 21.2 MILS

艾尔 - 30,000

金 - 12,000

R2 （ 2003年21月）

中央

过程

CP219

半导体公司

典型电气特性

145亚当斯大街

Hauppauge的，纽约州11788美国

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R2 （ 2003年21月）

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