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过程

小信号晶体管

NPN - 硅射频晶体管芯片

CP214

中央

半导体公司

流程细节

过程

模具尺寸

模具厚度

BASE焊盘区

发射极焊盘区

顶面金属化

背面金属化

几何

PER 4英寸晶圆DIE总值

44,460

主体装置类型

2N5109

外延平面

16 ×16 MILS

7.5 MILS

2.9× 3.4 MILS

艾尔 - 20,000A

金 - 16,000

BACKSIDE集热器

145亚当斯大街

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R2 （2002年1月）

中央

过程

CP214

半导体公司

典型电气特性

145亚当斯大街

Hauppauge的，纽约州11788美国

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R2 （2002年1月）

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