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过程

小信号晶体管

NPN - 放大器/开关晶体管芯片

CP191

中央

TM

半导体公司

流程细节

过程

模具尺寸

模具厚度

BASE焊盘区

发射极焊盘区

顶面金属化

背面金属化

几何

PER 4英寸晶圆DIE总值

41,690

主体装置类型

2N2219A

2N2222A

CMPT2222A

CMST2222A

CXT2222A

CZT2222A

MD2219A

PN2222A

BACKSIDE集热器

外延平面

16.5 X 16.5 MILS

9.0 MILS

3.5× 4.3 MILS

3.5× 4.3 MILS

艾尔 - 30,000

金 - 18,000

145亚当斯大街

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R2 （ 2002年1 -8月）

中央

TM

过程

CP191

半导体公司

典型电气特性

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R2 （ 2002年1 -8月）

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