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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第1160页 > CP1008
CP1000 THRU CP1008
单相硅桥
电压 - 50到800伏特电流 - P.C。 MTG 3A ,散热器MTG 10A
特点
l
l
l
l
l
浪涌过载额定值-200安培峰值
低正向压降和反向漏
体积小,安装简单
塑料包装已保险商实验室
可燃性分类94V -O
可靠的低造价,利用模压
CP-10
塑料技术
机械数据
案例:模压塑料带散热器整体
安装在桥封装
终端:信息每MIL -STD- 202 ,
方法208
重量为0.21盎司, 6.1克
MACXIMUM额定值及电气特性
在25 ℃除非另有说明;电阻性或电感性负载在60Hz 。
最大的经常峰值电压版本
最大桥输入电压有效值
最大平均整流输出在T
C
=50 *
SEE图。 2
在T
C
=100 *
在T
A
=50 **
峰值一个周期浪涌过载电流
每个元素的最大正向电压降
5.0A DC & 25 。参见图。 3
马克斯冯泄漏在额定DC阻断
每个单元的电压在25
参照图4
at100
每腿典型结电容(注4 ) CJ
CP1000 CP1001 CP1002 CP1004 CP1006 CP1008单位
50
100
200
400
600
800
V
35
70
140
280
420
560
V
A
10.0
A
3.0
3.0
200
A
1.1
V
A
m
A
P
F
A
2
S
/W
I
2
T级的融合( t<8.3ms )
典型热阻(注2 )R JA
典型热阻(注3 )R JC
工作温度范围
存储温度范围
注意事项:
*安装在金属机壳股。
**单元安装在交媾板。
10.0
1.0
200
164
25
5
-55到+125
-55到+150
1.推荐的安装位置是狼吞虎咽的散热片采用硅热复合
与# 6螺丝最大的热传递。
2.设备安装在自由的空气,没有散热片。 P.C.B在0.375“设计(9.5mm )导线长度0.5
×
0.5”
(12
×
12毫米)铜垫。
3.机组安装在3.0
×
3.0”
×
0.11 “厚( 7.5
×
7.5
×
0.3厘米) AL板散热器。
4.测得1.0MHz和应用4.0伏特的反向电压。
额定值和特性曲线
CP1000 THRU CP1008
图。 1 ,非经常性的浪涌额定值
图。 2 ,降额曲线输出
整流电流
图。 3 ,典型正向特性图。 4-典型的反向特性
CP1000 THRU CP1008
单相硅桥
电压 - 50到800伏特电流 - P.C。 MTG 3A ,散热器MTG 10A
特点
l
浪涌过载额定值-200安培峰值
l
低正向压降和反向漏
l
l
l
体积小,安装简单
塑料包装已保险商实验室
可燃性分类94V -O
可靠的低造价,利用模压
塑料技术
机械数据
案例:模压塑料带散热器整体
安装在桥封装
终端:信息每MIL -STD- 202 ,
方法208
重量为0.21盎司, 6.1克
MACXIMUM额定值及电气特性
在25
J
环境温度,除非另有说明;电阻性或电感性负载在60Hz 。
最大的经常峰值电压版本
最大桥输入电压有效值
最大平均整流输出在T
C
=50
J
*
SEE图。 2
在T
C
=100
J
*
在T
A
=50
J
**
峰值一个周期浪涌过载电流
每个元素的最大正向电压降
5.0A DC & 25
J
。参见图。 3
马克斯冯泄漏在额定DC阻断
每个单元的电压在25
J
参照图4
at100
J
每腿典型结电容(注4 ) CJ
CP-10
CP1000 CP1001 CP1002 CP1004 CP1006 CP1008单位
50
100
200
400
600
800
V
35
70
140
280
420
560
V
10.0
A
3.0
A
3.0
200
1.1
A
V
10.0
1.0
200
164
25
5
-55到+125
-55到+150
I T额定值融合( t<8.3ms )
典型热阻(注2 )R
英镑KJA
典型热阻(注3 )R
K
JC
工作温度范围
存储温度范围
2
g
A
m
A
P
F
2
AS
J
/W
J
J
注意事项:
*安装在金属机壳股。
**单元安装在交媾板。
1.推荐的安装位置是狼吞虎咽的散热片采用硅热复合
与# 6螺丝最大的热传递。
2.设备安装在自由的空气,没有散热片。 P.C.B在0.375“设计(9.5mm )导线长度0.5
0.5”
(12
12毫米)铜垫。
3.机组安装在3.0
3.0”
0.11 “厚( 7.5
7.5
0.3厘米) AL板散热器。
4.测得1.0MHz和应用4.0伏特的反向电压。
额定值和特性曲线
CP1000 THRU CP1008
正向浪涌电流,
安培PK (半正弦波)
200
160
120
80
T
A
= 105
J
40
0
1
2
6
10
20
40
60
100
输出电流安培
10
8
6
4
P.C。板
2
0
0
50
100
150
金属散热片
NO 。个周期为60Hz
环境温度下,
J
图。 1 ,非经常性的浪涌额定值
图。 2 ,降额曲线输出整流
当前
瞬时反向电流,
g
A
100
瞬时FWD电流,安培
5
4
3
2
1
.9
.8
.7
.5
.3
.2
.1
.07
.05
.03
.02
.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
典型
分配
10
25
J
1
MEDIAN
0
0
20
40
60
80
100
120
140
瞬时FWD电压,伏
百分比额定峰值反向电压
图。 3 ,典型正向特性( 25
J
)
图。 4 ,反向特性
bq24153A , bq24156A
bq24158 , bq24159
www.ti.com
SLUSAB0A
2010年10月
修订后的2012年2月
完全集成开关模式单节锂离子电池充电器
具有完全符合USB和USB- OTG支持
检查样品:
bq24153A , bq24156A , bq24158 , bq24159
1
特点
充电比线性充电器更快
高精度电压和电流调节
输入电流调节精度:
±5%
(100 mA和500毫安)
充电电压调节准确度:
±0.5%
(25°C),
±1%
( 0 ° C至125°C )
充电电流调节精度:
±5%
输入电压基于动态电源
管理( VIN DPM )
坏适配器检测和剔除
安全限位注册的最大充电
电压和电流限制
高效率的Mini- USB / AC电池充电器
用于单节锂离子和锂聚合物电池
20 -V绝对最大额定输入电压
9 -V最大工作输入
Voltage-bq24156A/9
6 -V最大工作输入
Voltage-bq24153A/8
内置的输入电流检测和限制
集成功率FET的高达1.5A的充电
率bq24156A / 9 , 1.25A - bq24153A / 8
通过可编程充电参数
I
2
C兼容接口(最高3.4 Mbps的) :
输入电流限制
VIN DPM阈值
快速充电/终止电流
充电调节电压( 3.5 V至4.44 V)
低充电电流模式使能/禁用
安全定时器与复位控制
终止启用/禁用
同步固定频率PWM
在3 MHz的控制器操作0%至
99.5 %占空比
低全自动高阻抗模式
耗电量
强大的保护
反向漏电保护防止
电池排水
热调节和保护
输入/输出过压保护
状态输出充电和故障
USB友好的启动顺序
自动充电
上电系统不带电池bq24158 / 9
升压模式工作实现USB OTG :
( bq24153A / 8只)
输入电压范围(从电池) : 2.5 V至
4.5 V
输出V
公共汽车
: 5.05 V / 200毫安
2.1毫米×2毫米20引脚WCSP封装
23
应用
手机和智能手机
MP3播放器
手持设备
图1.典型应用电路
V
公共汽车
C
IN
1 F
C
IN
VAUX
10 k
10 k
VBUS
U1
bq24153A/8
PMID
4.7
F
SCL
SDA
STAT
OTG
CD
SW
L
O
1 H
C
BOOT
10 nF的
V
SNS
C
O1
22 F
C
0.1 F
C
O2
V
BAT
BOOT
保护地
CSIN
33 F
PACK +
+
PACK-
SCL
SDA
STAT
OTG
10 k
主持人
10 k
CSOUT
C
VREF
1 F
C
SOUT
0.1 F
VREF
CD
10 k
1
2
3
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
NanoFree是德州仪器的商标。
I
2
C是恩智浦B.V.公司的商标。
版权
2010-2012年,德州仪器
除非另有说明这个文件包含
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
bq24153A , bq24156A
bq24158 , bq24159
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中,以防止对静电损坏MOS大门。
描述
该bq24153A / 6A / 8/9是一款紧凑,灵活,高效率, USB型开关模式充电管理
设备在各种便携式应用中使用单节锂离子和锂聚合物电池。充电
参数可以通过I进行编程
2
C接口。该IC集成了一个同步PWM控制器,
功率MOSFET ,输入电流传感,高精度电流和电压调节以及充电终止,
成小WCSP封装。
该IC为电池充电分为三个阶段:调节,恒定电流和恒定电压。输入
电流自动限制在主机设置的值。电荷是基于电池电压和终止
用户可选择的最小电流电平。带复位控制安全计时器提供了一个安全的备份,因为我
2
C
界面。在正常操作期间,该IC将自动重新启动充电循环,如果电池电压下降
内部阈值以下,并自动进入睡眠模式或高阻抗模式将输入电源时,
被除去。充电状态可以使用I被报告给主机
2
C接口。在充电过程中,
该IC监视其结温(T
J
) ,并降低T中的充电电流的一次
J
增加至约125 ℃。
支持USB OTG设备, bq24153A / 8可以通过提高电池电压VBUS提供( 5.05V ) 。该IC
提供20引脚WCSP封装。
设备旋转和COMPARISONS
产品型号
VOVP ( V)
D4引脚定义
I
CHARGE ( MAX)
上电复位时在15分钟的模式
R
(SNS)
= 68毫欧和OTG =高对bq24153A / 8
(MA )
I
CHARGE ( MAX)
在主机模式下使用R
(SNS)
= 68 m
安全限值寄存器的默认值上升
(A)
上电复位输出调节电压( V)
提升功能
在15分钟模式输入电流限制
电池检测上电时
I2C地址
PN1 ( 03H的第4位)
PNO( 03H的第3位)
安全定时器和WD定时器
bq24153A
6.5
OTG
325
bq24156A
9.8
SLRST
325
bq24158
6.5
OTG
325
bq24159
9.8
SLRST
325
1.25
1.55
1.25
1.55
3.54
是的
百毫安( OTG = LOW) ;
500毫安( OTG =高)
是的
6BH
1
0
启用
3.54
No
500mA
是的
6AH
0
0
启用
3.54
是的
百毫安( OTG = LOW) ;
500毫安( OTG =高)
No
6AH
1
0
启用
3.54
No
500mA
No
6AH
0
0
启用
2
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2010-2012年,德州仪器
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bq24153A bq24156A bq24158 bq24159
bq24153A , bq24156A
bq24158 , bq24159
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PIN LAYOUT ( 20焊球YFF封装)
bq24153A/8
( TOP VIEW )
bq24156A/9
( TOP VIEW )
A1
VBUS
A2
VBUS
A3
BOOT
A4
SCL
A1
VBUS
A2
VBUS
A3
BOOT
A4
SCL
B1
PMID
B2
PMID
B3
PMID
B4
SDA
B1
PMID
B2
PMID
B3
PMID
B4
SDA
C1
SW
C2
SW
C3
SW
C4
STAT
C1
SW
C2
SW
C3
SW
C4
STAT
D1
保护地
D2
保护地
D3
保护地
D4
OTG
D1
保护地
D2
保护地
D3
保护地
D4
SLRST
E1
CSIN
E2
CD
E3
VREF
E4
CSOUT
E1
CSIN
E2
CD
E3
VREF
E4
CSOUT
引脚功能
名字
CSOUT
VBUS
PMID
SW
BOOT
保护地
CSIN
SCL
SDA
STAT
E4
A1, A2
B1, B2, B3
C1, C2, C3
A3
D1, D2, D3
E1
A4
B4
C4
I
I
I / O
O
I / O
I
I / O
I / O
O
I / O
描述
电池电压和电流检测输入端。旁路它与陶瓷电容器(最小0.1
μF)
如果到PGND
有很长的感应导致电池。
充电器的输入电压。绕过它使用1 μF陶瓷电容VBUS至PGND 。它也提供电源
要在升压模式下,负载( bq24153A / 8只) 。
反向阻断FET和高侧开关FET之间的连接点。用最少的绕过它
3.3 μF的电容PMID到PGND 。
内部开关输出电感器的连接。
自举电容连接的高侧FET栅极驱动器。连接一个10 nF的陶瓷电容(电压
等级
10 V ) ,从BOOT引脚和SW引脚。
电源地
充电电流检测输入。电池的电流通过一个外部检测电阻器来检测。一个0.1 μF的陶瓷
电容到PGND是必需的。
I
2
C接口的时钟。连接一个10 kΩ的上拉电阻, 1.8V的电源轨(V
AUX
= V
CC_host
)
I
2
C接口的数据。连接一个10 kΩ的上拉电阻, 1.8V的电源轨(V
AUX
= V
CC_host
)
充电状态引脚。拉的时候进行充电低。漏极开路的其他条件。在故障期间,一个128微秒
脉冲被发送出去。 STAT引脚可通过控制寄存器中的EN_STAT位被禁用。 STAT可以用来
驱动LED或与主处理器进行通信。
内部偏置稳压器电压。从这个输出至地线连接一个1μF的陶瓷电容。对外部负载
VREF不推荐。
禁止充电控制引脚。 CD = 0 ,电荷被启用。 CD = 1 ,负责为残疾人和VBUS引脚为高电平
阻抗接地。在15分钟模式,设置CD = 1复位定时器15分钟;而在32S模式,设置CD = 1
将不会复位32秒定时器。
升压模式使能控制或输入电流限制选择引脚。当OTG处于激活状态, bq24153A / 8
被强制在升压模式下运行。它具有更高的优先级比我
2
C控制,并且可以使用被禁止
控制寄存器。在POR时,同时在15分钟模式下, OTG销是默认被用作输入电流限制
选择引脚。在我
2
C寄存器在启动时忽略。当OTG =高,我
IN_LIMIT
= 500毫安当OTG =低,
I
IN_LIMIT
=100mA.
安全限制寄存器复位控制。当SLRST = 0 , bq24156A / 9复位所有的安全限制( 06H )为默认
值,而不管该写操作,以安全限值寄存器( 06H) 。当SLRST = 1, bq24156A / 9罐
编程安全限制寄存器,直到所有的写操作以其它寄存器锁定设定安全界限。
VREF
E3
O
CD
E2
I
OTG
( bq24153A / 8只)
D4
I
SLRST
( bq24156A / 9只)
D4
I
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2010-2012年,德州仪器
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bq24153A bq24156A bq24158 bq24159
bq24153A , bq24156A
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(1)
订购信息
产品型号
bq24153AYFFR
bq24153AYFFT
bq24156AYFFR
bq24156AYFFT
bq24158YFFR
bq24158YFFT
bq24159YFFR
bq24159YFFT
(1)
记号
bq24153A
bq24153A
bq24156A
bq24156A
bq24158
bq24158
bq24159
bq24159
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
QUANTITY
3000
250
3000
250
3000
250
3000
250
对于最新的封装和订购信息,请参阅封装选项附录本文档的末尾,或见TI
网站:
www.ti.com 。
绝对最大额定值
(1)
(2)
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
bq24153A/6A/8/9
电源电压范围内(相对于地线
(3)
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
A
°C
°C
°C
)
VBUS ; V
PMID
V
公共汽车
–0.3
V
SCL , SDA , OTG , SLRST , CSIN , CSOUT ,
CD
PMID , STAT
VREF
SW , BOOT
–2
20
–0.3
7到
–0.3
20
7
–0.7
20
±7
-0.3 7
-7 0.7
-0.7至20
10
1.55
(2)
输入电压范围(相对于地线
(3)
)
输出电压范围(相对于连接到PGND )
(3)
CSIN和CSOUT输入(V之间的电压差
( CSIN )
V
( CSOUT )
)
( BOOT和SW输入端之间的电压差V
(引导)
V
( SW)的
)
( VBUS和PMID输入端之间的电压差V
( VBUS )
V
(PMID )
)
PMID和SW输入(V之间的电压差
(PMID )
V
( SW)的
)
输出灌
输出电流(平均值)
T
A
T
J
T
英镑
(1)
工作自由空气的温度范围内
结温
储存温度
STAT
SW
–30
85
–40
到125
–45
150
(2)
(3)
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。所有的电压
值是相对于所述网络的接地端子,除非另有说明。
占空比输出电流应为10年寿命时间小于50%时的输出电流超过1.25A 。
所有的电压都是相对于地线,如果没有指定。电流是积极进入,负出指定的终端,如果没有指定。
请教封装的数据表热限制和包的考虑节。
热信息
热公制
(1)
θ
JA
θ
JCtop
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
θ
JCbot
(1)
结至环境热阻
结至外壳(顶部)热阻
结至电路板的热阻
结至顶部的特征参数
结至电路板的特征参数
结至外壳(底部)热阻
YFF
20针
85
25
55
4
50
不适用
° C / W
单位
有关传统和新的热度量的更多信息,请参阅
IC封装热度量
申请报告,
SPRA953.
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推荐工作条件
V
公共汽车
V
公共汽车
T
J
(1)
电源电压, bq24153A / 8
电源电压, bq24156A / 9
工作结温范围
4
4
–40
最大
6
(1)
单位
V
V
°C
9
(1)
125
固有的开关噪声尖峰电压不应超过绝对最大额定值在任升压或SW引脚。一
布局最大限度地降低开关噪声。
电气特性
电路
图2中,
VBUS = 5V , HZ_MODE = 0, OPA_MODE = 0 (CD = 0 )中,T
J
=
–40°C
至125℃ ,T
J
= 25 ℃,典型值
(除非另有说明)
参数
输入电流
VBUS
& GT ;
VBUS (分钟) , PWM开关
I
( VBUS )
VBUS电源电流控制
VBUS
& GT ;
VBUS (分钟) , PWM开关不
0°C
& LT ;
T
J
& LT ;
85 ℃下,CD = 1或HZ_MODE = 1
I
LGK
从电池的泄漏电流VBUS引脚
0°C
& LT ;
T
J
& LT ;
85°C ,V
( CSOUT )
= 4.2 V,高阻抗
模式, VBUS = 0 V
15
10
5
23
5
μA
μA
mA
测试条件
典型值
最大
单位
0°C
& LT ;
T
J
& LT ;
85°C ,V
( CSOUT )
= 4.2 V,高阻抗
在高电池放电电流
模式下,V = 0 V , SCL , SDA , OTG = 0 V
阻抗模式, ( CSIN , CSOUT , SW引脚)
或1.8 V
电压调节
V
( OREG )
输出调节电压可编程
范围
电压调节准确度
电流调节(快速充电)
bq24153A / 8 ,V
( LOWV )
V
( CSOUT )
& LT ;
V
( OREG )
,
VBUS
& GT ;
V
(SLP)
, R
(SNS)
= 68毫欧, LOW_CHG = 0 ,
可编程
bq24156A / 9 ,V
( LOWV )
V
( CSOUT )
& LT ;
V
( OREG )
,
VBUS
& GT ;
V
(SLP)
, R
(SNS)
= 68毫欧, LOW_CHG = 0 ,
可编程
V
LOWV
V
CSOUT
& LT ;
V
OREG
, VBUS
& GT ; V
SLP
, R
SNS
= 68
毫欧, LOW_CHG = 1 , OTG =高的bq24153A / 8
37.4毫伏
V
( IREG )
& LT ;
44.2mV
44.2毫伏
V
( IREG )
–3.5%
-3%
550
工作电压调节,可编程
T
A
= 25°C
3.5
–0.5%
–1%
23
μA
4.44
0.5%
1%
V
1250
550
1550
325
mA
I
O( CHARGE )
输出充电电流可编程范围
mA
低充电电流( POR后,默认情况下, 15
分模式),用于bq24153A / 6A / 8/9
电压调节精度跨越
R
(SNS)
(充电电流调节)
V
( IREG )
= I
O( CHARGE )
×
R
(SNS)
弱电池检测
V
( LOWV )
弱电池电压阈值
可编程范围
2 (1)
弱电池电压精度
滞后V
( LOWV )
抗尖峰脉冲时间,电池电量不足的阈值
CD , OTG和SLRST引脚的逻辑电平
V
IL
V
IH
I
(偏置)
输入低门限电平
输入高阈值电平
输入偏置电流
350
3.5%
3%
mA
我使用可调
2
空调控制
3.4
–5%
3.7
5%
100
30
V
电池电压下降
上升的电压, 2毫伏以上的车程,T
上升
= 100纳秒
mV
ms
0.4
1.3
在控制引脚电压为5 V
1.0
V
V
A
充电终止检测
I
( TERM )
终止充电电流可编程
范围
抗尖峰脉冲时间充电终止
V
( CSOUT )
& GT ;
V
( OREG )
V
(右声道)
,
VBUS
& GT ;
V
(SLP)
, R
(SNS)
= 68毫欧,可编程
上升和下降, 2 mV的过载,
t
上升
, t
秋天
= 100纳秒
3.4毫伏
V
( IREG_TERM )
6.8毫伏
6.8毫伏
& LT ;
V
( IREG_TERM )
17毫伏
17毫伏
& LT ;
V
( IREG_TERM )
27.2毫伏
–15%
–10%
–5.5%
50
30
15%
10%
5.5%
400
mA
ms
调节精度为终止电流
R两端
(SNS)
V
( IREG_TERM )
= I
O( TERM )
×
R
(SNS)
(1)
而在15分钟的方式,如果被插入该被充电到电压比该电压高的电池,充电器进入高阻模式和
我等待
2
C命令。
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5
版权
2010-2012年,德州仪器
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bq24153A bq24156A bq24158 bq24159
bq24152
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SLUS847 - 2008年6月
完全集成开关模式单节锂离子电池充电器与USB完全遵守和
USB -OTG支持
1
充电比线性充电器更快
高精度电压和电流调节
- 输入电流调节精度: ± 5 %
(100 mA和500毫安)
- 充电电压调节准确度:
±0.5% (25°C), ±1% (0°C-125°C)
- 充电电流调节精度: ± 5 %
高效率的Mini- USB / AC电池充电器
用于单节锂离子和锂聚合物电池
20 -V绝对最大额定输入电压
6 - V最大工作输入电压
内置的输入电流检测和限制
集成功率FET的高达1.25 -A
充电速率
通过可编程充电参数
I
2
C接口(最高3.4 Mbps的) :
输入电流
- 快速充电/终止电流
- 充电电压( 3.5 V至4.44 V)
- 安全定时器
- 终止启用
同步固定频率PWM
在3 MHz的控制器操作0%至
99.5 %占空比
低全自动高阻抗模式
耗电量
安全定时器与复位控制
反向漏电保护可防止电池
引流
热调节和保护
输入/输出过压保护
状态输出充电和故障
USB友好的启动顺序
自动充电
不带电池的功率高达系统
升压模式工作实现USB OTG :
- 输入电压范围(从电池) : 2.5 V至
4.5 V
2
1
特点
- 输出电压VBUS : 5.05 V
1.976 X 1.924毫米20引脚WCSP封装
应用
手机和智能手机
MP3播放器
手持设备
描述
该bq24152是一款紧凑,灵活,高效率,
USB型开关模式充电管理
设备的单节锂离子和锂聚合物电池
在广泛的便携式应用中使用。该
充电参数可通过编程
I
2
C接口。该bq24152集成了一个同步
PWM控制器,功率MOSFET ,输入电流
传感,
高精确度
当前
电压
调节以及充电终止,变成小
WCSP封装。
该bq24152为电池充电分为三个阶段:
调节,恒定电流和恒定电压。
输入电流自动限制在该值
由主机设置。充电终止基于
用户可选择的最小电流电平。安全计时器
带复位控制提供了一个安全的备份,因为我
2
C
界面。在正常操作期间, bq24152
自动重新启动充电循环,如果电池
电压低于内部阈值和
自动进入睡眠模式或高阻
当输入电源被移除模式。充电
状态是使用我报告给主机
2
C接口。
典型应用电路
VBUS
下在
1
m
F
PMID
VAUX
10千瓦
SCL
SDA
STAT
OTG
主持人
10千瓦
10千瓦
下在
4.7
m
F
I2C总线
SCL
SDA
STAT
OTG
LO 1.0
m
H
VBUS
U1
bq24152
BOOT
保护地
CSIN
CSOUT
AUXPWR
VREF
VREF
1
mF
AUXPWR
1
mF
PACK -
SW
启动
10nF
0.1
mF
SNS
CO
1 0
mF
PACK +
+
10千瓦
2
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
I2C是飞利浦电子公司的商标。
2008 ,德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
bq24152
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中,以防止对静电损坏MOS大门。
说明继续
在充电过程中, bq24152监视其结温度(T
J
)并且使充电电流减小
一旦吨
J
增大到大约125 ℃。支持USB OTG设备, bq24152提供VBUS
(约5.05V )通过提高电池电压。该bq24152采用20引脚WCSP封装。
WCSP封装
( TOP VIEW )
A1
VBUS
A2
VBUS
A3
BOOT
A4
SCL
B1
PMID
B2
PMID
B3
PMID
B4
SDA
C1
SW
C2
SW
C3
SW
C4
STAT
D1
保护地
D2
保护地
D3
保护地
D4
OTG
E1
CSIN
E2
AUX
PWR
E3
VREF
E4
CSOUT
终端功能
终奌站
名字
CSOUT
VBUS
PMID
SW
BOOT
保护地
CSIN
SCL
SDA
STAT
E4
A1, A2
B1, B2, B3
C1, C2, C3
A3
D1, D2, D3
E1
A4
B4
C4
I
I
I / O
O
I / O
I
I
O
O
O
描述
电池电压和电流检测输入端。旁路它与陶瓷电容器(最小0.1
F)
to
保护接地是否存在长电感导到电池。
充电器的输入电压。绕过它使用1 μF陶瓷电容VBUS至PGND 。
反向阻断MOSFET和高边开关MOSFET之间的连接点。绕过它
从PMID最小3.3 μF的电容到PGND 。
内部开关输出电感器的连接。
引导紧张的电容为高边MOSFET栅极驱动器。连接一个10 nF的陶瓷电容
(额定电压高于10 V) ,从BOOT引脚到引脚SW 。
电源地
充电电流检测输入。电池的电流是通过一个外部检测的电压降检测到
电阻器。一个0.1 μF陶瓷电容到PGND是必需的。
I
2
C接口的时钟。开漏输出,连接一个10 kΩ的上拉电阻
I
2
C接口的数据。开漏输出,连接一个10 kΩ的上拉电阻
充电状态引脚。拉的时候进行充电低。漏极开路的其他条件。故障期间,一
128μS脉冲被发送出去。 STAT引脚可通过控制寄存器中的EN_STAT位被禁用。 STAT可以
可用于驱动一个LED或与主处理器进行通信。
内部偏置稳压器电压。从这个输出至地线连接一个1μF陶瓷电容。外
不允许负载VREF 。
辅助电源,连接到电池组中的高阻抗模式提供动力。
绕过它使用1 μF陶瓷电容此引脚与PGND 。
升压模式使能控制或输入电流限制选择引脚。当OTG处于激活状态,
bq24152被强制在升压模式下运行。它具有更高的优先级比我
2
空调控制,并且可以禁用
通过控制寄存器。在OTG活性状态的逻辑电压电平也可以被控制。上电复位时,
OTG的销是默认被用作输入电流限制选针。当OTG =高, Iin的 -
限额= 500 mA和OTG时=低, Iin的 - 极限= 100 mA时,看到控制寄存器的详细信息。
VREF
AUXPWR
E3
E2
O
I
OTG
D4
I
2
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2008 ,德州仪器
bq24152
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订购信息
(1)
产品型号
bq24152YFFR
bq24152YFFT
(1)
记号
bq24152
bq24152
磁带和卷轴
磁带和卷轴
QUANTITY
3000
250
对于最新的封装和订购信息,请参阅封装选项附录本文档的末尾,或见TI
网站: www.ti.com 。
耗散额定值
(1)
WSCP-20
(1)
(2)
(1)
R
θJA
185°C/W
(2)
R
θJC
1.57°C/W
T
A
25°C
额定功率
0.54 W
降额因子
T
A
> 25℃
0.0054 W / ℃,
最大功耗为T的函数
J
(最大) , Rθ
JA
和T
A
。在任何环境允许的最大允许功耗
温度为P
D
= [T
J
(最大) -t
A
] / Rθ
JA
.
对于PCB板只有顶部曲线层。对于PCB板采用四层(顶部曲线层,地下埋层,埋信号层和
底层) , Rθ
JA
下降到75.96 ° C / W
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
价值
V
SS
V
I
电源电压范围(以
关于保护地)
输入电压范围(与
尊重和保护地)
输出电压范围(以
尊重和保护地)
VBUS
SCL , SDA , OTG , CSIN , CSOUT , AUXPWR
PMID , STAT
V
O
VREF
SW , BOOT
CSIN和CSOUT输入(V之间的电压差
( CSIN )
-V
( CSOUT )
)
输出灌
I
O
T
A
T
J
T
英镑
ESD
等级
(1)
输出电流(平均值)
结温
储存温度
人体模特在VBUS ,PMID , STAT
(2) (3)
STAT
SW
-0.3 20
-0.3 7
-0.3 20
6.5
-0.7至20
±7
10
1.25
-40到85
-40至150
-65到150
800
单位
V
V
V
V
V
V
mA
A
°C
°C
°C
V
工作自由空气的温度范围内
(2)
(3)
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。所有的电压
值是相对于所述网络的接地端子,除非另有说明。
人体模型是一个100 - pF电容通过一个1.5 kΩ电阻向每个引脚放电。
其它引脚通过2 kV的人体模型。
所有的电压都是相对于地线,如果没有指定。电流是积极进入,负出指定的终端。
2008 ,德州仪器
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3
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推荐工作条件
V
公共汽车
T
J
(1)
电源电压VBUS
工作结温范围
4
0
最大
6
(1)
+125
单位
V
°C
固有的开关噪声尖峰电压不应超过绝对最大额定值在任的引导或SW引脚。一件紧身
布局最大限度地降低开关噪声。
电气特性
图1的电路中, VBUS = 5V , HZ_MODE = 0, OPA_MODE = 0(充电器模式运行)中,T
J
= 0 ° C至125 ° C,T
J
= 25 ℃下进行
典型值(除非另有说明)
参数
输入电流
VBUS > VBUS (分钟) , PWM开关
VBUS > VBUS (分钟) , PWM开关不
I
( VBUS )
VBUS电源电流控制
0° ℃下牛逼
J
< 85°C , VBUS = 5 V , HZ_MODE = 1 ,
V
( AUXPWR )
& GT ; V
( LOWV )
, SCL , SDA , OTG = 0 V或
1.8 V
0° ℃下牛逼
J
< 85°C , VBUS = 5 V , HZ_MODE = 1 ,
V
( AUXPWR )
& LT ; V
( LOWV )
32 S模式, SCL , SDA , OTG
= 0 V或1.8 V
I
LKG
漏电流从电池到
VBUS引脚
在高电池放电电流
阻抗模式, ( CSIN ,
CSOUT , AUXPWR , SW引脚)
电压调节
V
( OREG )
输出充电电压
电压调节准确度
电流调节(快速充电)
I
O( CHARGE )
输出充电电流
调节精度充电
R两端的电流
(SNS)
V
( IREG )
= I
O( CHARGE )
× R
(SNS)
弱电池检测
V
( LOWV )
弱电池电压阈值
弱电池电压精度
滞后V
( LOWV )
抗尖峰脉冲时间,电池电量不足
门槛
OTG引脚的逻辑电平
V
IL
V
IH
输入低门限电平
输入高阈值电平
1.3
0.4
V
V
电池电压下降
上升的电压, 2 mV过,T
上升
= 100纳秒
可编程
3.4
–5%
100
30
3.7
5%
mV
ms
V
V
( LOWV )
V
( AUXPWR )
& LT ; V
( OREG )
, VBUS > V
(SLP)
,
R
(SNS)
= 68 mΩ可编程
20毫伏
V
( IREG )
40毫伏
40毫伏< V
( IREG )
550
–5%
–3%
1250
5%
3%
mA
工作电压调节,可编程
T
A
= 25°C
3.5
–0.5%
±1%
4.44
0.5%
V
0° ℃下牛逼
J
< 85°C ,V
( AUXPWR )
= 4.2 V,高
阻抗模式
0° ℃下牛逼
J
< 85°C ,V
( AUXPWR )
= 4.2 V,高
阻抗模式
SCL , SDA , OTG = 0 V或1.8 V
10
5
20
A
mA
测试条件
典型值
最大
单位
35
A
A
A
5
20
充电终止检测
I
( TERM )
终止充电电流
抗尖峰脉冲时间收费
终止
电压调节准确度
R两端终止电流
(SNS)
V
( IREG_TERM )
= I
O( TERM )
× R
(SNS)
输入电源检测
输入电压下限
V
IN
(分钟)
抗尖峰脉冲时间VBUS上升
上述V
IN
(分钟)
滞后V
IN
(分钟)
t
INT
检测时间间隔
输入电源检测
上升的电压, 2 mV过,T
上升
= 100纳秒
输入电压崛起
输入电源检测
100
2
3.6
3.8
30
200
4
V
ms
mV
S
V
( AUXPWR )
& GT ; V
( OREG )
– V
(右声道)
,
VBUS > V
(SLP)
, R
(SNS)
= 68 mΩ可编程
上升和下降, 2 mV过,T
上升
, t
秋天
= 100纳秒
3毫伏
V
( IREG_TERM )
< 20毫伏
20毫伏
V
( IREG_TERM )
40毫伏
–25%
–5%
50
30
25%
5%
400
mA
ms
4
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2008 ,德州仪器
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电气特性(续)
图1的电路中, VBUS = 5V , HZ_MODE = 0, OPA_MODE = 0(充电器模式运行)中,T
J
= 0 ° C至125 ° C,T
J
= 25 ℃下进行
典型值(除非另有说明)
参数
输入电流限制
I
IN
输入电流限制门限
USB充电模式
I
IN
= 100毫安
I
IN
= 500毫安
88
450
93
475
98
500
mA
测试条件
典型值
最大
单位
VREF偏置稳压器
V
REF
内部偏置电压稳压器
V
REF
输出短路电流限制
从BOOT引脚电压SW
电池再充电阈值
V
(右声道)
再充电阈值电压
抗尖峰脉冲时间
STAT产出
低电平输出饱和
电压, STAT
高层次的漏电流为
STAT
I
O
= 10 mA时,灌电流
STAT引脚上的电压为5 V
0.4
1
V
A
低于V
( OREG )
V
( AUXPWR )
降低阈值以下,
t
秋天
= 100ns内, 10 mV过
100
120
130
150
mV
ms
在充电或升压操作
VBUS >V
IN
(最小值)或V
( AUXPWR )
& GT ; V
( BAT )
我( VREF )= 1毫安, C( VREF ) = 1
F
2
30
6.5
6.5
V
mA
V
V
OL ( STAT )
I
2
C总线逻辑电平和时序特性
V
OL
V
IL
V
IH
I
(偏置)
f
( SCL )
输出低电平阈值电平
输入低门限电平
输入高阈值电平
输入偏置电流
SCL时钟频率
V
(上拉)
= 1.8 V , SDA和SCL
1.2
1
3.4
I
O
= 10 mA时,灌电流
0.4
0.4
V
V
V
A
兆赫
电池检测
I
(检测)
电池检测电流前
行收费(灌电流)
(1)
电池检测时间
睡眠状态比较
V
(SLP)
睡眠模式进入门槛,
V
公共汽车
- V
AUXPWR
睡眠模式退出滞后
V
( SLP_EXIT )
抗尖峰脉冲时间VBUS上升
上述V
(SLP)
+ V
( SLP_EXIT )
IC活跃的阈值电压
IC有源滞后
2.3 V
V
( AUXPWR )
V
( OREG )
, V
公共汽车
落下
2.3 V
V
( AUXPWR )
V
( OREG )
上升的电压, 2 - mV过,T
上升
= 100ns的
+0.0
40
+0.04
100
30
+0.1
160
V
mV
ms
开始检测结束后,
V
( AUXPWR )
V
( OREG )
–0.45
262
mA
ms
欠压锁定
UVLO
UVLO
( HYS )
PWM
国内顶尖反向阻断
MOSFET的导通电阻
内置顶级的N沟道开关
MOSFET的导通电阻
内底N沟道
MOSFET的导通电阻
f
( OSC)的
D
(最大)
D
(分钟)
振荡器频率
频率精度
最大占空比
最小占空比
同步模式,以
非同步模式转变
电流阈值
(2)
低边MOSFET的逐周期电流检测
0
100
mA
–10%
99.5%
I
IN( LIMIT)
= 500 mA时,从VBUS测量到
PMID
从PMID测到SW
测量从西南到PGND
180
120
150
3
10%
250
250
200
兆赫
m
VBUS上升
VBUS下降,从高于UVLO
3.05
120
3.3
150
3.55
V
mV
(1)
(2)
负充电电流是指从电池的充电电流流至充电器(放电电池) 。
底部的N沟道MOSFET始终导通的
≈60
NS ,然后熄灭,如果电流过低。
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    CP1008
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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