飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF6V4300N
第3版， 4/2010
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
信号输出和驱动器应用 - 主要用于CW大设计
频率高达600 MHz 。设备是无与伦比的，并适用于在使用中
工业，医疗和科学应用。
典型CW性能： V
DD
= 50伏，我
DQ
= 900毫安， P
OUT
= 300瓦，
F = 450 MHz的
功率增益 - 22分贝
漏极效率 - 60 ％
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 50伏直流电， 450兆赫， 300瓦CW
输出功率
特点
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
合格高达50伏的最大
DD
手术
集成ESD保护
更大的负栅 - 源电压范围为改良C级
手术
225℃有能力塑料包装
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R1后缀=每44毫米， 13英寸卷轴500单位。
MRF6V4300NR1
MRF6V4300NBR1
10-
-600兆赫， 300 W， 50 V
横向N-
声道
单
-ENDED
宽带
RF功率MOSFET
CASE 1486-
-03 ，风格1
TO -
WB- -270
-4
塑料
MRF6V4300NR1
CASE 1484-
-04 ，风格1
TO -
WB- -272
-4
塑料
MRF6V4300NBR1
部分单
-ENDED
RF
in
/V
GS
RF
OUT
/V
DS
RF
in
/V
GS
RF
OUT
/V
DS
（ TOP VIEW ）
注：包的背面裸露的是
源极端子的晶体管。
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
C
T
J
图1.引脚连接
价值
--0.5, +110
--6.0, +10
- 65 + 150
150
225
单位
VDC
VDC
°C
°C
°C
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问
MTTF计算器副产品。
飞思卡尔半导体公司， 2008--2010 。版权所有。
MRF6V4300NR1 MRF6V4300NBR1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度83 ° C， 300瓦CW
符号
R
θJC
价值
(1,2)
0.24
单位
° C / W
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
1C （最低）
A（最小）
IV （最低）
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
表5.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
漏极 - 源极击穿电压
(I
D
= 150毫安， V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 50伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 100伏，V
GS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 800
μAdc ）
门静态电压
(V
DD
= 50伏直流，我
D
= 900 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 2 ADC）
动态特性
反向传输电容
(V
DS
= 50伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输出电容
(V
DS
= 50伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输入电容
(V
DS
= 50伏，V
GS
= 0伏
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1兆赫）
功率增益
漏EF网络效率
输入回波损耗
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
—
—
—
2.8
105
304
—
—
—
pF
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
0.9
1.9
—
1.65
2.7
0.25
2.4
3.4
—
VDC
VDC
VDC
I
GSS
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
DSS
—
110
—
—
—
—
—
—
10
—
50
2.5
μAdc
VDC
μAdc
mA
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 900毫安， P
OUT
= 300 W， F = 450 MHz的CW
G
ps
η
D
IRL
20
58
—
22
60
--16
24
—
--9
dB
%
dB
1. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
2.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
注意： MRF6V4300N和MRF6V4300NB高功率器件和特殊注意事项
必须遵循的电路板设计和安装。不正确的安装可能导致内部温度，这
超过允许的最大工作结温。请参阅飞思卡尔应用笔记AN3263
（螺栓向下安装）或AN1907 （回流焊接安装）
启动前系统设计
to
确保这些设备的正确安装。
MRF6V4300NR1 MRF6V4300NBR1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
B3
V
供应
B1
V
BIAS
+
C1
C7
C4
C8
R1
L4
C13
RF
产量
L2
C9
C5
C2
C12
RF
输入
L1
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
C20 Z10
C21
C22 Z11
C25
C26 Z12
C15
Z13
Z1
C11
Z2
Z3
Z4
C19
C16
C17
C18
DUT
L5
C14
L3
C10
C6
B2
C23
C24
C27
C28
C3
V
供应
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
0.900 “× 0.082 ”微带
0.115 “× 0.170 ”微带
0.260 “× 0.170 ”微带
0.380 “× 0.170 ”微带
0.220 “× 0.220 ”微带
0.290 “× 0.630 ”微带
0.220 “× 0.630 ”微带
Z8
Z9
Z10
Z11
Z12
Z13
PCB
0.380 “× 0.220 ”微带
0.040 “× 0.170 ”微带
0.315 “× 0.170 ”微带
0.230 “× 0.170 ”微带
0.390 “× 0.170 ”微带
0.680 “× 0.082 ”微带
阿尔隆CuClad 250GX - 0300--55--22 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.55
图2. MRF6V4300NR1 （ NBR1 ）测试电路原理图
表6. MRF6V4300NR1 （ NBR1 ）测试电路元件牌号和值
部分
B1
B2, B3
C1
C2, C3
C4, C5, C6, C7
C8, C9, C10
C11, C12, C13, C14, C15
C16
C17
C18
C19, C20
C21, C22, C23, C24
C25, C26, C27, C28
L1
L2, L3
L4, L5
R1
短式铁氧体磁珠
龙铁氧体磁珠
47
μF,
25 V ，钽电容器
22
μF,
50 V ，贴片电容
1
μF,
100 V，贴片电容
15 NF， 100 V，贴片电容
240 pF的，贴片电容
9.1 pF的，贴片电容
15 pF的，贴片电容
51 pF的，贴片电容
5.6 pF的，贴片电容
4.3 pF的，贴片电容
4.7 pF的，贴片电容
27 nH的电感器
47 nH的电感器
5打开， ＃ 18 AWG电感，手上有伤口
10
,
1/4 W，贴片电阻
描述
产品型号
2743019447
2743021447
T491B476M025AT
C5750JF1H226ZT
C3225JB2A105KT
C3225CH2A153JT
ATC100B241JT500XT
ATC100B9R1JT500XT
ATC100B150JT500XT
ATC100B510JT500XT
ATC100B5R6JT500XT
ATC100B4R3JT500XT
ATC100B4R7JT500XT
1812SMS--27NJLC
1812SMS--47NJLC
铜线
CRCW120610R1FKEA
日前，Vishay
生产厂家
博览会 - 爱色丽
博览会 - 爱色丽
基美
TDK
TDK
TDK
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
Coilcraft公司
Coilcraft公司
MRF6V4300NR1 MRF6V4300NBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
C1
C7
B1
C4
C8
L2
R1
C12
C13
C20
L4
C17
切出区
C18
ATC
B3
C2
C9 C5
L1
C11
C16
L5
C21 C22 C25 C26
C15
C19
C14
L3
C23 C24 C27 C28
MRF6V4300N/NB
第1版
C10 C6
B2
C3
图3. MRF6V4300NR1 （ NBR1 ）测试电路元件布局
MRF6V4300NR1 MRF6V4300NBR1
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
典型特征
1000
C
国际空间站
C
OSS
测量
±30
MV（ RMS） AC @ 1兆赫
V
GS
= 0伏
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
C，电容（pF ）
100
100
10
10
C
RSS
1
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏 - 源极电压（伏）
1
1
T
C
= 25°C
10
V
DS
，漏 - 源极电压（伏）
100
图4.电容与漏极 -
- 源电压
10
9
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
20
40
60
80
100
2.25 V
120
18
10
2.5 V
2.63 V
2.75 V
G
ps
，功率增益（分贝）
V
GS
= 3 V
23
22
21
900毫安
20
19
图5.直流安全工作区
I
DQ
= 1350毫安
1125毫安
450毫安
650毫安
V
DD
= 50伏直流
F = 450 MHz的
100
P
OUT
，输出功率（瓦） CW
600
漏极电压（伏）
图6.直流漏电流与漏极电压
0
--5
--10
--15
--20
--25
--30
--35
--40
--45
--50
--55
--60
10
60
V
DD
= 50伏直流电， F1 = 450兆赫， F2 = 450.1兆赫
两个 - 音频测量， 100 kHz音调间距
P
OUT
，输出功率（dBm ）
59
58
57
56
55
54
53
52
51
100
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
600
50
28
图7. CW功率增益与输出功率
理想
P3dB = 56.06 dBm的（ 403 W）
IMD ，三阶互调
失真（ DBC）
的P1dB = 55.15 dBm的（ 327 W）
实际
I
DQ
= 450毫安
650毫安
900毫安
1350毫安
1125毫安
V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 900毫安
F = 450 MHz的
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
P
in
输入功率（dBm ）
图8.三阶互调失真
与输出功率
图9. CW输出功率与输入功率
MRF6V4300NR1 MRF6V4300NBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF6VP2600H
修订版5.1 ， 7/2010
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向MOSFET
主要用于宽带应用与频率高达500 MHz的设计。
设备是无法比拟的，适合于广播应用。
典型的DVB - T的OFDM性能： V
DD
= 50伏，我
DQ
= 2600毫安，
P
OUT
= 125瓦的魅力。 ， F = 225 MHz的信道带宽= 7.61 MHz时，
输入信号PAR =上CCDF 9.3分贝@ 0.01 ％的概率。
功率增益 - 25分贝
漏极效率 - 28.5 ％
ACPR @ 4 MHz偏移 - --61 dBc的@ 4 kHz带宽
典型的脉冲性能： V
DD
= 50伏，我
DQ
= 2600毫安，
P
OUT
= 600瓦峰值， F = 225兆赫，脉冲宽度= 100
微秒，
税
周期= 20％
功率增益 - 25.3分贝
漏极效率 - 59 ％
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 50伏直流电， 225兆赫， 600瓦峰值
功率，脉冲宽度= 100
微秒，
占空比= 20 ％
特点
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
CW作战能力具有足够的冷却
合格高达50伏的最大
DD
手术
集成ESD保护
专为推 - 拉运
更大的负栅 - 源电压范围为改良C级
手术
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R6后缀=每56毫米， 13英寸卷筒150个单位。
MRF6VP2600HR6
2-
-500兆赫， 600 W， 50 V
横向N-
声道
宽带
RF功率MOSFET
CASE 375D-
-05 ，风格1
NI-
-1230
部分是推挽
-PULL
RF
INA
/V
GSA
3
1 RF
OUTA
/V
DSA
RF
INB
/V
GSB
4
2 RF
OUTB
/V
DSB
（ TOP VIEW ）
图1.引脚连接
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
C
T
J
价值
--0.5, +110
--6.0, +10
- 65 + 150
150
225
单位
VDC
VDC
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度99 ° C， 125瓦CW ， 225兆赫， 50伏直流电，我
DQ
= 2600毫安
外壳温度64 ° C， 610 W CW ， 352.2兆赫， 50伏直流电，我
DQ
= 150毫安
外壳温度81 ° C， 610 W CW ， 88--108兆赫， 50伏直流电，我
DQ
= 150毫安
符号
R
θJC
价值
(2,3)
0.20
0.14
0.16
单位
° C / W
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2008--2010 。版权所有。
MRF6VP2600HR6
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
2 （最小）
A（最小）
IV （最低）
表4.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
(1)
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
漏极 - 源极击穿电压
(I
D
= 150毫安， V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 50伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 100伏，V
GS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(1)
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 800
μAdc ）
门静态电压
(2)
(V
DD
= 50伏直流，我
D
= 2600 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(1)
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 2 ADC）
动态特性
(1)
反向传输电容
(V
DS
= 50伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输出电容
(V
DS
= 50伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输入电容
(V
DS
= 50伏，V
GS
= 0伏
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1兆赫）
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
—
—
—
1.7
101
287
—
—
—
pF
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
1
1.5
—
1.65
2.7
0.25
3
3.5
—
VDC
VDC
VDC
I
GSS
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
DSS
—
110
—
—
—
—
—
—
10
—
50
2.5
μAdc
VDC
μAdc
mA
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
(2)
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 2600毫安，P
OUT
。 = 125瓦的魅力， F = 225兆赫， DVB - T的
OFDM单通道。 ACPR测量在7.61 MHz信道带宽@
±4
MHz偏移。
功率增益
漏EF网络效率
相邻通道功率比
输入回波损耗
功率增益
漏EF网络效率
输入回波损耗
G
ps
η
D
ACPR
IRL
G
ps
η
D
IRL
24
27
—
—
—
—
—
25
28.5
--61
--18
22
68
--15
27
—
--59
--9
—
—
—
dB
%
dBc的
dB
dB
%
dB
典型表现 - 352.2兆赫
（飞思卡尔352.2 MHz的测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 150毫安， P
OUT
= 600瓦CW
典型性能 - 88-
-108兆赫
（飞思卡尔88--108 MHz的测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 150毫安， P
OUT
= 600 W
CW
功率增益
漏EF网络效率
输入回波损耗
1.装置的每一侧分别测得。
2.测量取得与设备推 - 拉配置。
G
ps
η
D
IRL
—
—
—
24.5
74
--5
—
—
—
dB
%
dB
MRF6VP2600HR6
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
V
BIAS
+
C16
+
C15
+
B1
L3
L2
R1
L4
+
C20
C21
C22
C23
+
V
供应
+
C14
C13
C12
C11
C9
C8
C7
C10
C6
C19
C17
C18
C24 C25
Z9
Z5
RF
输入
Z1
Z2
L1
Z3
Z4
J1
C1
C2
T1
Z1
Z2*
Z3*
Z4
Z5, Z6
Z7, Z8
Z9, Z10
Z11, Z12
1.049 “× 0.080 ”微带
0.143 “× 0.080 ”微带
0.188 “× 0.080 ”微带
0.192 “× 0.133 ”微带
0.418 “× 0.193 ”微带
0.217 “× 0.518 ”微带
0.200 “× 0.518 ”微带
0.375 “× 0.214 ”微带
Z13, Z14
Z15*, Z16*
Z17, Z18
Z19
Z20
PCB
Z6
Z8
Z7
Z11 Z13
Z15
Z17
RF
产量
DUT
Z10 Z12 Z14
Z19
C3
Z16
C4
Z18
T2
J2
Z20
C5
0.224 “× 0.253 ”微带
0.095 “× 0.253 ”微带
0.052 “× 0.253 ”微带
0.053 “× 0.080 ”微带
1.062 “× 0.080 ”微带
阿尔隆CuClad 250GX - 0300--55--22 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.55
*线路长度包括微带弯曲
图2. MRF6VP2600HR6测试电路原理图
表5. MRF6VP2600HR6测试电路元件牌号和值
部分
B1
C1
C2, C4
C3
C5
C6, C9
C7, C13, C20
C8
C10, C17, C18
C11, C22
C12, C21
C14
C15
C16
C19
C23, C24, C25
J1, J2
L1
L2
L3
L4*
R1
T1
T2
描述
95
,
100 MHz的龙铁氧体磁珠
47 pF的贴片电容
43 pF的贴片电容
100 pF的电容芯片
10 pF的贴片电容
2.2
μF,
50 V贴片电容
10K pF的贴片电容
220 nF的， 50 V贴片电容
1000 pF的贴片电容
0.1
μF,
50 V贴片电容
20K pF的贴片电容
10
μF,
35 V钽电容器
22
μF,
35 V钽电容器
47
μF,
50 V电解电容
2.2
μF,
贴片电容
470
μF
63V电解电容器
从PCB跳线T1 T2 &
17.5 NH， 6匝电感器，
8打开， ＃ 20 AWG ID = 0.125 “电感，手上有伤口
82 NH，电感器
9打开， ＃ 18 AWG电感，手上有伤口
20
,
3 W轴向引线电阻器
平衡不平衡转换器
平衡不平衡转换器
产品型号
2743021447
ATC100B470JT500XT
ATC100B430JT500XT
ATC100B101JT500XT
ATC100B7R5CT500XT
C1825C225J5RAC
ATC200B103KT50XT
C1812C224J5RAC
ATC100B102JT50XT
CDR33BX104AKYS
ATC200B203KT50XT
T491D106K035AT
T491X226K035AT
476KXM050M
2225X7R225KT3AB
MCGPR63V477M13X26--RH
铜箔
B06T
铜线
1812SMS--82NJ
铜线
5093NW20R00J
TUI--9
TUO--4
日前，Vishay
通讯概念
通讯概念
Coilcraft公司
Coilcraft公司
生产厂家
博览会 - 爱色丽
ATC
ATC
ATC
ATC
基美
ATC
基美
ATC
基美
ATC
基美
基美
伊利诺伊帽
ATC
MULTICOMP
* L4缠绕在R1中。
MRF6VP2600HR6
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
B1
C16
+
C13
C12
C11
C15
L3
L4，R1 *
C22
C21
C20
C14
C9
C8
C7
C6
J1
切出区
L2
C10
T1
C18
C17
T2
C4
J2
C19
C1
L1
C2
C3 （侧面）
MRF6VP2600H
225兆赫
第3版
*
L4缠绕在R1中。
图3. MRF6VP2600HR6测试电路元件布局
MRF6VP2600HR6
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
--
C23
C24
--
C25
--
C5
典型特征
1000
C
国际空间站
C，电容（pF ）
C
OSS
100
测量
±30
MV（ RMS） AC @ 1兆赫
V
GS
= 0伏
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
T
J
= 200_C
T
J
= 150_C
10
T
J
= 175_C
100
10
C
RSS
1
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏 - 源极电压（伏）
1
1
T
C
= 25_C
10
V
DS
，漏 - 源极电压（伏）
100
注意：
设备的每一侧分别测得。
图4.电容与漏极 -
- 源电压
26.5
26
G
ps
，功率增益（分贝）
25.5
25
24.5
24
23.5
23
22.5
10
100
P
OUT
，输出功率（瓦）脉冲
V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 2600毫安
F = 225 MHz的
脉冲宽度= 100
微秒
占空比= 20 ％
G
ps
80
70
η
D,
排水 FFI效率（ ％ ）
P
OUT
，输出功率（dBm ）
60
50
η
D
40
30
20
10
0
1000
64
注意：
设备的每一侧分别测得。
图5.直流安全工作区
P3dB = 59.7 dBm的（ 938 W）
62
P2DB = 59.1 dBm的（ 827 W）
60
58
56
54
52
27
的P1dB = 53.3 dBm的（ 670 W）
理想
实际
V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 2600毫安， F = 225 MHz的
脉冲宽度= 12
微秒，
占空比= 1 ％
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
P
in
输入功率（dBm ）
图6.脉冲功率增益和漏极效率
与输出功率
26
25
G
ps
，功率增益（分贝）
50 V
24
23
22
21
0
40 V
V
DD
= 50伏直流
I
DQ
= 2600毫安
F = 225 MHz的
脉冲宽度= 100
微秒
占空比= 20 ％
100
200
300
35 V
V
DD
= 30 V
400
500
600
700
45 V
G
ps
，功率增益（分贝）
28
27
26
25
24
23
22
21
10
图7.脉冲CW输出功率与
输入功率
80
T
C
= --30_C
25_C
85_C
V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 2600毫安
F = 225 MHz的
脉冲宽度= 100
微秒
占空比= 20 ％
η
D
G
ps
70
60
50
40
30
20
10
1000
η
D,
排水 FFI效率（ ％ ）
100
P
OUT
，输出功率（瓦）脉冲
P
OUT
，输出功率（瓦）脉冲
图8.脉冲功率增益与
输出功率
图9.脉冲功率增益和漏极效率
与输出功率
MRF6VP2600HR6
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
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