COP424C COP425C COP426C COP324C COP325C COP326C和COP444C COP445C
COP344C COP345C单芯片1K和2K CMOS微控制器
1992年4月
COP424C COP425C COP426C COP324C COP325C
COP326C和COP444C COP445C COP344C COP345C
单芯片1K和2K CMOS微控制器
概述
该COP424C COP425C COP426C COP444C和
COP445C完全静态的单芯片CMOS微控制器
是COPS成员
TM
使用dou-家庭制作
BLE -多晶硅栅microCMOS技术，这些CON-
控制器面向处理器是完整的微型计算机
包含所有系统定时内在逻辑的ROM和RAM
IO要落实在一个专用的控制功能
多种应用功能包括单电源能操作
ATION多种输出配置选项与IN-
梁支集的内部结构和IO DE-方案
签署方便键盘输入显示输出和BCD
数据操作的COP424C和COP444C是28针
芯片COP425C和COP445C 24引脚版本（ 4
输入删除）， COP426C是20引脚版本15 IO
线路标准测试程序和可靠的高密度
技术提供了中到大量客户
以在低的最终产品的成本定制的微控制器
这些微控制器是很多设适当的选择
尤其是朱古力控制环境那些人
接口
该COP424C是它取代了改进的产品
COP420C
COPS
TM
面包车
TM
和MICROWIRE
TM
是美国国家半导体公司的商标。
TRI- STATE是美国国家半导体公司的注册商标。
特点
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
最低的功耗（ 50
mW
典型）
完全静态的（可以关闭时钟）
省电IDLE状态和HALT模式
4
ms
教学时间加上软件可选的时钟
2K ×8 ROM 128 ×4的RAM （ COP444C COP445C ）
1K ×8 ROM 64 ×4的RAM （ COP424C COP425C
COP426C)
23 I O线（ COP444C和COP424C ）
真正的向量中断重启加
三级子程序堆栈
单电源供电（ 2 4V至5 5V ）
可编程读写8位定时器计数器
与MICROWIRE内置二进制计数器寄存器
TM
串行I O能力
通用和三态输出
LSTTL CMOS输出兼容
面包车
TM
兼容
软件硬件与COP400系列兼容
扩展级温度范围的设备COP324C
COP325C COP326C和COP344C COP345C （
b
40 C
to
a
85 C)
军用设备（
b
55 ℃
a
125℃ ）可用
框图
不适用于COP426C COP326C
TL DD 5259 - 1
图1
C
1995年全国半导体公司
TL DD 5259
RRD - B30M105印制在U S A
COP424C COP425C COP426C和COP444C COP445C
绝对最大额定值
电源电压（V
CC
)
电压的任何引脚
总可源出电流
总的允许灌电流
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
（焊接10秒）
6V
b
0 3V至V
CC
a
0 3V
25毫安
25毫安
0 ℃
a
70 C
b
65℃，以
a
150 C
300 C
记
绝对最大额定值指示超出限制
该设备损坏可能发生的直流和交流electri-
操作时， DE- CAL的规格没有保证
副在绝对最大额定值
DC电气特性
0 C
s
T
A
s
70℃除非另有规定
参数
工作电压
电源的纹波（注5 ）
电源电流
（注1 ）
条件
峰值到峰值
V
CC
e
2 4V TC
e
64
ms
V
CC
e
5 0V TC
e
16
ms
V
CC
e
5 0V TC
e
4
ms
（ TC的指令周期时间）
V
CC
e
5 0V F
IN
e
0千赫
V
CC
e
2 4V F
IN
e
0千赫
民
24
最大
55
0 1 V
CC
120
700
3000
40
12
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
停止模式电流
（注2 ）
输入电平
RESET CKI
0
（时钟输入）
逻辑高
逻辑低
所有其它输入
逻辑高
逻辑低
输入上拉电流
Hi-Z输入漏
输入电容（注4 ）
输出电压电平
LSTTL操作
逻辑高
逻辑低
CMOS操作
逻辑高
逻辑低
输出电流水平（除CKO ）
下沉（注6 ）
源（标准选）
源（低电流选项）
CKO电流水平（时钟输出）
d
4
SINK
d
8
d
16
d
4
来源
d
8
d
16
每个引脚允许灌电流源
（注6 ）
在CKO允许加载（如暂停）
当前所需用于超越HALT
（注3）
继续
停运
TRI- STATE或漏极开路
漏电流
0 9 V
CC
0 1 V
CC
0 7 V
CC
0 2 V
CC
V
CC
e
4 5V V
IN
e
0
b
30
b
1
b
330
a
1
V
V
V
V
mA
mA
pF
7
标准输出
V
CC
e
5 0V
g
10%
I
OH
eb
100
mA
I
OL
e
400
mA
I
OH
eb
10
mA
I
OL
e
10
mA
V
CC
e
4 5V
V
CC
e
2 4V
V
CC
e
4 5V
V
CC
e
2 4V
V
CC
e
4 5V
V
CC
e
2 4V
V
OUT
e
V
CC
V
OUT
e
V
CC
V
OUT
e
0V
V
OUT
e
0V
V
OUT
e
0V
V
OUT
e
0V
27
04
V
CC
b
0 2
02
12
02
b
0 5
b
0 1
b
30
b
6
03
06
12
b
0 3
b
0 6
b
1 2
5
100
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
pF
b
330
b
80
(
(
V
CC
e
4 5V CKI
e
V
CC
V
OUT
e
V
CC
V
CC
e
4 5V CKI
e
0V V
OUT
e
0V
V
CC
e
4 5V V
IN
e
0 2V
CC
V
CC
e
4 5V V
IN
e
0 7V
CC
b
2 5
07
16
a
2 5
mA
mA
mA
2
COP324C COP325C COP326C和COP344C COP345C
绝对最大额定值
电源电压
电压的任何引脚
总可源出电流
总的允许灌电流
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
（焊接10秒）
6V
b
0 3V至V
CC
a
0 3V
25毫安
25毫安
b
40℃
a
85 C
b
65℃，以
a
150 C
300 C
记
绝对最大额定值指示超出限制
该设备损坏可能发生的直流和交流electri-
操作时， DE- CAL的规格没有保证
副在绝对最大额定值
DC电气特性
b
40 C
s
T
A
s
a
85 C除非另有说明
参数
工作电压
电源的纹波（注5 ）
电源电流
（注1 ）
条件
峰值到峰值
V
CC
e
3 0V TC
e
64
ms
V
CC
e
5 0V TC
e
16
ms
V
CC
e
5 0V TC
e
4
ms
（ TC的指令周期时间）
V
CC
e
5 0V F
IN
e
0千赫
V
CC
e
3 0V F
IN
e
0千赫
民
30
最大
55
0 1 V
CC
180
800
3600
60
30
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
停止模式电流
（注2 ）
输入电平
RESET CKI
O
（时钟输入）
逻辑高
逻辑低
所有其它输入
逻辑高
逻辑低
输入上拉电流
Hi-Z输入漏
输入电容（注4 ）
输出电压电平
LSTTL操作
逻辑高
逻辑低
CMOS操作
逻辑高
逻辑低
输出电流水平（除CKO ）
下沉（注6 ）
源（标准选）
源（低电流选项）
CKO电流水平（时钟输出）
d
4
SINK
d
8
d
16
d
4
来源
d
8
d
16
许灌源电流每
引脚（注6 ）
在CKO允许加载（如暂停）
当前所需用于超越HALT
（注3）
继续
停运
TRI- STATE或漏极开路
漏电流
0 9 V
CC
0 1 V
CC
0 7 V
CC
0 2 V
CC
V
CC
e
4 5V V
IN
e
0
b
30
b
2
b
440
a
2
V
V
V
V
mA
mA
pF
7
标准输出
V
CC
e
5 0V
g
10%
I
OH
eb
100
mA
I
OL
e
400
mA
I
OH
eb
10
mA
I
OL
e
10
mA
V
CC
e
4 5V
V
CC
e
3 0V
V
CC
e
4 5V
V
CC
e
3 0V
V
CC
e
4 5V
V
CC
e
3 0V
V
OUT
e
V
CC
V
OUT
e
V
CC
V
OUT
e
0V
V
OUT
e
0V
V
OUT
e
0V
V
OUT
e
0V
27
04
V
CC
b
0 2
02
12
02
b
0 5
b
0 1
b
30
b
8
03
06
12
b
0 3
b
0 6
b
1 2
5
100
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
pF
b
440
b
200
(
(
V
CC
e
4 5V CKI
e
V
CC
V
OUT
e
V
CC
V
CC
e
4 5V CKI
e
0V V
OUT
e
0V
V
CC
e
4 5V V
IN
e
0 2V
CC
V
CC
e
4 5V V
IN
e
0 7V
CC
b
5
09
21
a
5
mA
mA
mA
3
COP424C COP425C COP426C和COP444C COP445C
AC电气特性
0 C
s
T
A
s
70℃除非另有规定
参数
指令周期时间（ TC ）
长江基建工作
频率
d
4模式
d
8模式
d
16模式
d
4模式
d
8模式
d
16模式
条件
V
CC
t
4 5V
4 5V
l
V
CC
t
2 4V
民
4
16
DC
DC
DC
DC
DC
DC
40
最大
DC
DC
10
20
40
250
500
10
60
60
40
单位
ms
ms
兆赫
兆赫
兆赫
千赫
千赫
兆赫
%
ns
ns
ms
占空比（注4 ）
上升时间（注4 ）
下降时间（注4 ）
指令周期时间
RC振荡器（注4 ）
输入（见
科幻gure 3
)
t
格局
(
(
V
CC
t
4 5V
4 5V
l
V
CC
t
2 4V
f
1
e
4兆赫
f
1
e
4MHz的外部时钟
f
1
e
4MHz的外部时钟
R
e
30k
g
5% V
CC
e
5V
C
e
82 pF的
g
5% (
d
4模式）
摹输入
SI输入
V
CC
t
4 5V
所有其他
V
CC
t
4 5V
4 5V
l
V
CC
t
2 4V
5
11
t
HOLD
输出传输延迟
t
PD1
t
PD0
t
PD1
t
PD0
面包车时序
读操作（图
4
)
芯片选择RD之前稳定
b
t
企业社会责任
芯片选择保持时间RD
b
t
RCS
RD脉冲宽度
b
t
RR
从RD数据延迟
b
t
RD
RD数据浮动
b
t
DF
（注4 ）
写操作（图
5
)
芯片选择WR前稳定
b
t
CSW
芯片选择保持时间WR
b
t
WCS
WR脉冲宽度
b
t
WW
数据建立时间WR
b
t
DW
数据保持时间WR
b
t
WD
从WR INTR过渡时间
b
t
WI
(
TC 4
a
7
03
17
0 25
10
10
40
ms
ms
ms
ms
ms
ms
ms
V
OUT
e
1 5V
L
e
100 pF的
L
e
5k
V
CC
t
4 5V
4 5V
l
V
CC
t
2 4V
CL
e
50 pF的V
CC
e
5V
g
5%
65
20
400
375
250
65
20
400
320
100
700
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注1
电源电流2000年周期与CKI CKO方波时钟打开，其它引脚拉至V运行后测量
CC
有5K
电阻请参阅第17页上的漏电流方程
注2
HALT模式将停止从长江基建振荡的RC和晶体结构试验条件的所有输入连接到V
CC
在三态模式L行和
依赖于地面所有输出低，连接到地
注3
当强迫HALT电流只需要很短的时间（约200纳秒）翻转暂停触发器
注4
该参数仅采样，而不是100 ％测试的变化，由于包括设备
注5
电压变化必须小于0 5伏在一个1毫秒周期
注6
SO输出灌电流必须加以限制，以保持V
OL
小于0 2V
CC
当部分是为了防止在进入测试模式下运行
4
COP324C COP325C COP326C和COP344C COP345C
AC电气特性
b
40 C
s
T
A
s
a
85 C除非另有说明
参数
指令周期时间（ TC ）
长江基建工作
频率
d
4模式
d
8模式
d
16模式
d
4模式
d
8模式
d
16模式
条件
V
CC
t
4 5V
4 5V
l
V
CC
t
3 0V
民
4
16
DC
DC
DC
DC
DC
DC
40
最大
DC
DC
10
20
40
250
500
10
60
60
40
单位
ms
ms
兆赫
兆赫
兆赫
千赫
千赫
兆赫
%
ns
ns
ms
占空比（注4 ）
上升时间（注4 ）
下降时间（注4 ）
指令周期时间
RC振荡器（注4 ）
输入（见
科幻gure 3
)
t
格局
(
(
V
CC
t
4 5V
4 5V
l
V
CC
t
3 0V
f
1
e
4兆赫
f
1
e
4MHz的外部时钟
f
1
e
4MHz的外部时钟
R
e
30k
g
5% V
CC
e
5V
C
e
82 pF的
g
5% (
d
4模式）
摹输入
SI输入
V
CC
t
4 5V
所有其他
V
CC
t
4 5V
4 5V
l
V
CC
t
3 0V
5
11
t
HOLD
输出传输延迟
t
PD1
t
PD0
t
PD1
t
PD0
面包车时序
读操作（图
4
)
芯片选择RD之前稳定
b
t
企业社会责任
芯片选择保持时间RD
b
t
RCS
RD脉冲宽度
b
t
RR
从RD数据延迟
b
t
RD
RD数据浮动
b
t
DF
（注4 ）
写操作（图
5
)
芯片选择WR前稳定
b
t
CSW
芯片选择保持时间WR
b
t
WCS
WR脉冲宽度
b
t
WW
数据建立时间WR
b
t
DW
数据保持时间WR
b
t
WD
从WR INTR过渡时间
b
t
WI
(
TC 4
a
7
03
17
0 25
10
10
40
ms
ms
ms
ms
ms
ms
ms
V
OUT
e
1 5V
L
e
100 pF的
L
e
5k
V
CC
t
4 5V
4 5V
l
V
CC
t
3 0V
C
L
e
50 pF的V
CC
e
5V
g
5%
65
20
400
375
250
65
20
400
320
100
700
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注1
电源电流2000年周期与CKI CKO方波时钟打开，其它引脚拉至V运行后测量
CC
有5K
电阻请参阅第17页上的漏电流方程
注2
HALT模式将停止从长江基建振荡的RC和晶体结构试验条件的所有输入连接到V
CC
在三态模式L行和
依赖于地面所有输出低，连接到地
注3
当强迫HALT电流只需要很短的时间（约200纳秒）翻转暂停触发器
注4
该参数仅采样，而不是100 ％测试的变化，由于包括设备
注5
电压变化必须小于0 5伏在一个1毫秒周期
注6
SO输出灌电流必须加以限制，以保持V
OL
小于0 2V
CC
当部分是为了防止在进入测试模式下运行
5
COP424C COP425C COP426C COP324C COP325C COP326C和COP444C COP445C
COP344C COP345C单芯片1K和2K CMOS微控制器
1992年4月
COP424C COP425C COP426C COP324C COP325C
COP326C和COP444C COP445C COP344C COP345C
单芯片1K和2K CMOS微控制器
概述
该COP424C COP425C COP426C COP444C和
COP445C完全静态的单芯片CMOS微控制器
是COPS成员
TM
使用dou-家庭制作
BLE -多晶硅栅microCMOS技术，这些CON-
控制器面向处理器是完整的微型计算机
包含所有系统定时内在逻辑的ROM和RAM
IO要落实在一个专用的控制功能
多种应用功能包括单电源能操作
ATION多种输出配置选项与IN-
梁支集的内部结构和IO DE-方案
签署方便键盘输入显示输出和BCD
数据操作的COP424C和COP444C是28针
芯片COP425C和COP445C 24引脚版本（ 4
输入删除）， COP426C是20引脚版本15 IO
线路标准测试程序和可靠的高密度
技术提供了中到大量客户
以在低的最终产品的成本定制的微控制器
这些微控制器是很多设适当的选择
尤其是朱古力控制环境那些人
接口
该COP424C是它取代了改进的产品
COP420C
COPS
TM
面包车
TM
和MICROWIRE
TM
是美国国家半导体公司的商标。
TRI- STATE是美国国家半导体公司的注册商标。
特点
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
最低的功耗（ 50
mW
典型）
完全静态的（可以关闭时钟）
省电IDLE状态和HALT模式
4
ms
教学时间加上软件可选的时钟
2K ×8 ROM 128 ×4的RAM （ COP444C COP445C ）
1K ×8 ROM 64 ×4的RAM （ COP424C COP425C
COP426C)
23 I O线（ COP444C和COP424C ）
真正的向量中断重启加
三级子程序堆栈
单电源供电（ 2 4V至5 5V ）
可编程读写8位定时器计数器
与MICROWIRE内置二进制计数器寄存器
TM
串行I O能力
通用和三态输出
LSTTL CMOS输出兼容
面包车
TM
兼容
软件硬件与COP400系列兼容
扩展级温度范围的设备COP324C
COP325C COP326C和COP344C COP345C （
b
40 C
to
a
85 C)
军用设备（
b
55 ℃
a
125℃ ）可用
框图
不适用于COP426C COP326C
TL DD 5259 - 1
图1
C
1995年全国半导体公司
TL DD 5259
RRD - B30M105印制在U S A
COP424C COP425C COP426C和COP444C COP445C
绝对最大额定值
电源电压（V
CC
)
电压的任何引脚
总可源出电流
总的允许灌电流
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
（焊接10秒）
6V
b
0 3V至V
CC
a
0 3V
25毫安
25毫安
0 ℃
a
70 C
b
65℃，以
a
150 C
300 C
记
绝对最大额定值指示超出限制
该设备损坏可能发生的直流和交流electri-
操作时， DE- CAL的规格没有保证
副在绝对最大额定值
DC电气特性
0 C
s
T
A
s
70℃除非另有规定
参数
工作电压
电源的纹波（注5 ）
电源电流
（注1 ）
条件
峰值到峰值
V
CC
e
2 4V TC
e
64
ms
V
CC
e
5 0V TC
e
16
ms
V
CC
e
5 0V TC
e
4
ms
（ TC的指令周期时间）
V
CC
e
5 0V F
IN
e
0千赫
V
CC
e
2 4V F
IN
e
0千赫
民
24
最大
55
0 1 V
CC
120
700
3000
40
12
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
停止模式电流
（注2 ）
输入电平
RESET CKI
0
（时钟输入）
逻辑高
逻辑低
所有其它输入
逻辑高
逻辑低
输入上拉电流
Hi-Z输入漏
输入电容（注4 ）
输出电压电平
LSTTL操作
逻辑高
逻辑低
CMOS操作
逻辑高
逻辑低
输出电流水平（除CKO ）
下沉（注6 ）
源（标准选）
源（低电流选项）
CKO电流水平（时钟输出）
d
4
SINK
d
8
d
16
d
4
来源
d
8
d
16
每个引脚允许灌电流源
（注6 ）
在CKO允许加载（如暂停）
当前所需用于超越HALT
（注3）
继续
停运
TRI- STATE或漏极开路
漏电流
0 9 V
CC
0 1 V
CC
0 7 V
CC
0 2 V
CC
V
CC
e
4 5V V
IN
e
0
b
30
b
1
b
330
a
1
V
V
V
V
mA
mA
pF
7
标准输出
V
CC
e
5 0V
g
10%
I
OH
eb
100
mA
I
OL
e
400
mA
I
OH
eb
10
mA
I
OL
e
10
mA
V
CC
e
4 5V
V
CC
e
2 4V
V
CC
e
4 5V
V
CC
e
2 4V
V
CC
e
4 5V
V
CC
e
2 4V
V
OUT
e
V
CC
V
OUT
e
V
CC
V
OUT
e
0V
V
OUT
e
0V
V
OUT
e
0V
V
OUT
e
0V
27
04
V
CC
b
0 2
02
12
02
b
0 5
b
0 1
b
30
b
6
03
06
12
b
0 3
b
0 6
b
1 2
5
100
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
pF
b
330
b
80
(
(
V
CC
e
4 5V CKI
e
V
CC
V
OUT
e
V
CC
V
CC
e
4 5V CKI
e
0V V
OUT
e
0V
V
CC
e
4 5V V
IN
e
0 2V
CC
V
CC
e
4 5V V
IN
e
0 7V
CC
b
2 5
07
16
a
2 5
mA
mA
mA
2
COP324C COP325C COP326C和COP344C COP345C
绝对最大额定值
电源电压
电压的任何引脚
总可源出电流
总的允许灌电流
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
（焊接10秒）
6V
b
0 3V至V
CC
a
0 3V
25毫安
25毫安
b
40℃
a
85 C
b
65℃，以
a
150 C
300 C
记
绝对最大额定值指示超出限制
该设备损坏可能发生的直流和交流electri-
操作时， DE- CAL的规格没有保证
副在绝对最大额定值
DC电气特性
b
40 C
s
T
A
s
a
85 C除非另有说明
参数
工作电压
电源的纹波（注5 ）
电源电流
（注1 ）
条件
峰值到峰值
V
CC
e
3 0V TC
e
64
ms
V
CC
e
5 0V TC
e
16
ms
V
CC
e
5 0V TC
e
4
ms
（ TC的指令周期时间）
V
CC
e
5 0V F
IN
e
0千赫
V
CC
e
3 0V F
IN
e
0千赫
民
30
最大
55
0 1 V
CC
180
800
3600
60
30
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
停止模式电流
（注2 ）
输入电平
RESET CKI
O
（时钟输入）
逻辑高
逻辑低
所有其它输入
逻辑高
逻辑低
输入上拉电流
Hi-Z输入漏
输入电容（注4 ）
输出电压电平
LSTTL操作
逻辑高
逻辑低
CMOS操作
逻辑高
逻辑低
输出电流水平（除CKO ）
下沉（注6 ）
源（标准选）
源（低电流选项）
CKO电流水平（时钟输出）
d
4
SINK
d
8
d
16
d
4
来源
d
8
d
16
许灌源电流每
引脚（注6 ）
在CKO允许加载（如暂停）
当前所需用于超越HALT
（注3）
继续
停运
TRI- STATE或漏极开路
漏电流
0 9 V
CC
0 1 V
CC
0 7 V
CC
0 2 V
CC
V
CC
e
4 5V V
IN
e
0
b
30
b
2
b
440
a
2
V
V
V
V
mA
mA
pF
7
标准输出
V
CC
e
5 0V
g
10%
I
OH
eb
100
mA
I
OL
e
400
mA
I
OH
eb
10
mA
I
OL
e
10
mA
V
CC
e
4 5V
V
CC
e
3 0V
V
CC
e
4 5V
V
CC
e
3 0V
V
CC
e
4 5V
V
CC
e
3 0V
V
OUT
e
V
CC
V
OUT
e
V
CC
V
OUT
e
0V
V
OUT
e
0V
V
OUT
e
0V
V
OUT
e
0V
27
04
V
CC
b
0 2
02
12
02
b
0 5
b
0 1
b
30
b
8
03
06
12
b
0 3
b
0 6
b
1 2
5
100
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
pF
b
440
b
200
(
(
V
CC
e
4 5V CKI
e
V
CC
V
OUT
e
V
CC
V
CC
e
4 5V CKI
e
0V V
OUT
e
0V
V
CC
e
4 5V V
IN
e
0 2V
CC
V
CC
e
4 5V V
IN
e
0 7V
CC
b
5
09
21
a
5
mA
mA
mA
3
COP424C COP425C COP426C和COP444C COP445C
AC电气特性
0 C
s
T
A
s
70℃除非另有规定
参数
指令周期时间（ TC ）
长江基建工作
频率
d
4模式
d
8模式
d
16模式
d
4模式
d
8模式
d
16模式
条件
V
CC
t
4 5V
4 5V
l
V
CC
t
2 4V
民
4
16
DC
DC
DC
DC
DC
DC
40
最大
DC
DC
10
20
40
250
500
10
60
60
40
单位
ms
ms
兆赫
兆赫
兆赫
千赫
千赫
兆赫
%
ns
ns
ms
占空比（注4 ）
上升时间（注4 ）
下降时间（注4 ）
指令周期时间
RC振荡器（注4 ）
输入（见
科幻gure 3
)
t
格局
(
(
V
CC
t
4 5V
4 5V
l
V
CC
t
2 4V
f
1
e
4兆赫
f
1
e
4MHz的外部时钟
f
1
e
4MHz的外部时钟
R
e
30k
g
5% V
CC
e
5V
C
e
82 pF的
g
5% (
d
4模式）
摹输入
SI输入
V
CC
t
4 5V
所有其他
V
CC
t
4 5V
4 5V
l
V
CC
t
2 4V
5
11
t
HOLD
输出传输延迟
t
PD1
t
PD0
t
PD1
t
PD0
面包车时序
读操作（图
4
)
芯片选择RD之前稳定
b
t
企业社会责任
芯片选择保持时间RD
b
t
RCS
RD脉冲宽度
b
t
RR
从RD数据延迟
b
t
RD
RD数据浮动
b
t
DF
（注4 ）
写操作（图
5
)
芯片选择WR前稳定
b
t
CSW
芯片选择保持时间WR
b
t
WCS
WR脉冲宽度
b
t
WW
数据建立时间WR
b
t
DW
数据保持时间WR
b
t
WD
从WR INTR过渡时间
b
t
WI
(
TC 4
a
7
03
17
0 25
10
10
40
ms
ms
ms
ms
ms
ms
ms
V
OUT
e
1 5V
L
e
100 pF的
L
e
5k
V
CC
t
4 5V
4 5V
l
V
CC
t
2 4V
CL
e
50 pF的V
CC
e
5V
g
5%
65
20
400
375
250
65
20
400
320
100
700
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注1
电源电流2000年周期与CKI CKO方波时钟打开，其它引脚拉至V运行后测量
CC
有5K
电阻请参阅第17页上的漏电流方程
注2
HALT模式将停止从长江基建振荡的RC和晶体结构试验条件的所有输入连接到V
CC
在三态模式L行和
依赖于地面所有输出低，连接到地
注3
当强迫HALT电流只需要很短的时间（约200纳秒）翻转暂停触发器
注4
该参数仅采样，而不是100 ％测试的变化，由于包括设备
注5
电压变化必须小于0 5伏在一个1毫秒周期
注6
SO输出灌电流必须加以限制，以保持V
OL
小于0 2V
CC
当部分是为了防止在进入测试模式下运行
4
COP324C COP325C COP326C和COP344C COP345C
AC电气特性
b
40 C
s
T
A
s
a
85 C除非另有说明
参数
指令周期时间（ TC ）
长江基建工作
频率
d
4模式
d
8模式
d
16模式
d
4模式
d
8模式
d
16模式
条件
V
CC
t
4 5V
4 5V
l
V
CC
t
3 0V
民
4
16
DC
DC
DC
DC
DC
DC
40
最大
DC
DC
10
20
40
250
500
10
60
60
40
单位
ms
ms
兆赫
兆赫
兆赫
千赫
千赫
兆赫
%
ns
ns
ms
占空比（注4 ）
上升时间（注4 ）
下降时间（注4 ）
指令周期时间
RC振荡器（注4 ）
输入（见
科幻gure 3
)
t
格局
(
(
V
CC
t
4 5V
4 5V
l
V
CC
t
3 0V
f
1
e
4兆赫
f
1
e
4MHz的外部时钟
f
1
e
4MHz的外部时钟
R
e
30k
g
5% V
CC
e
5V
C
e
82 pF的
g
5% (
d
4模式）
摹输入
SI输入
V
CC
t
4 5V
所有其他
V
CC
t
4 5V
4 5V
l
V
CC
t
3 0V
5
11
t
HOLD
输出传输延迟
t
PD1
t
PD0
t
PD1
t
PD0
面包车时序
读操作（图
4
)
芯片选择RD之前稳定
b
t
企业社会责任
芯片选择保持时间RD
b
t
RCS
RD脉冲宽度
b
t
RR
从RD数据延迟
b
t
RD
RD数据浮动
b
t
DF
（注4 ）
写操作（图
5
)
芯片选择WR前稳定
b
t
CSW
芯片选择保持时间WR
b
t
WCS
WR脉冲宽度
b
t
WW
数据建立时间WR
b
t
DW
数据保持时间WR
b
t
WD
从WR INTR过渡时间
b
t
WI
(
TC 4
a
7
03
17
0 25
10
10
40
ms
ms
ms
ms
ms
ms
ms
V
OUT
e
1 5V
L
e
100 pF的
L
e
5k
V
CC
t
4 5V
4 5V
l
V
CC
t
3 0V
C
L
e
50 pF的V
CC
e
5V
g
5%
65
20
400
375
250
65
20
400
320
100
700
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注1
电源电流2000年周期与CKI CKO方波时钟打开，其它引脚拉至V运行后测量
CC
有5K
电阻请参阅第17页上的漏电流方程
注2
HALT模式将停止从长江基建振荡的RC和晶体结构试验条件的所有输入连接到V
CC
在三态模式L行和
依赖于地面所有输出低，连接到地
注3
当强迫HALT电流只需要很短的时间（约200纳秒）翻转暂停触发器
注4
该参数仅采样，而不是100 ％测试的变化，由于包括设备
注5
电压变化必须小于0 5伏在一个1毫秒周期
注6
SO输出灌电流必须加以限制，以保持V
OL
小于0 2V
CC
当部分是为了防止在进入测试模式下运行
5
QQ：2880707522 复制
