【COM150A COM350ACOM250A COM450A（ COTS ）商用现货供应功率MOSF】,IC型号COM150A,COM150A PDF资料,COM150A经销商,ic,电子元器件-51电子网

COM150A COM350A

COM250A COM450A

（ COTS ）商用现货供应

功率MOSFET采用TO - 254AA PA C k的A G ê

100V直通500V ，最高达25安培， N沟道

MOSFET在密封的金属包

特点

隔离密封金属封装

快速开关

低R

DS （ ON）

标准关闭现有的

描述

该系列密封包装的产品采用了最新的先进MOSFET

和封装技术。它们非常适用于军事需求在哪里

小尺寸，高性能和高可靠性的要求，以及在应用中

如开关电源，电机控制，逆变器，砍砸器，音频

放大器和高能量脉冲电路。

最大额定值

产品型号

COM150A

COM250A

COM350A

COM450A

100 V

200 V

400 V

500 V

DS （ ON）

.070

.100

.32

.42

25 A

20 A

12 A

10 A

S·C ^ h ê M ATIC

P 2 O宽E R R阿婷

8 09 R0

31 - 1

COM150A - COM450A

电气特性：

STATIC

参数

B V

GS （ TH）

GSSF

SSR

漏源击穿

电压

栅极阈值电压

门体漏进

门体反向漏

零栅压漏

当前

D（上）

DS （ ON）

导通状态漏极

电压

静态漏源导通状态

阻力

静态漏源导通状态

阻力

当前

(

= 25 ° C除非另有说明）

电气特性：

STATIC

P / N COM250A

参数

B V

S S小

GS （ TH）

GSSF

SSR

漏源击穿

电压

栅极阈值电压

门体漏进

门体反向漏

零栅压漏

当前

D（上）

DS （ ON）

导通状态漏极

电压

静态漏源导通状态

阻力

静态漏源导通状态

阻力

当前

(

= 25 ° C除非另有说明）

P / N COM150A

分钟。典型值。马克斯。单位测试条件

100

-10

0.25

的s

= 0

I = 250毫安

= V

的s

= 250毫安

的s

= +20 V

的s

= -20 V

=最大。鼠。，V

的s

= 0

= 0.8最大。鼠。，V

的s

= 0

= 125° C

2 V

DS （ ON）

的s

= 10 V

分钟。典型值。马克斯。单位测试条件

200

100

-100

0.25

1.36 1.60

.085 .100

0.15 0.18

的s

= 0

I = 250毫安

= V

的s

= 250毫安

的s

= + 20 V

的s

= - 2 V

=最大。鼠。，V

的s

= 0

= 0.8最大。鼠。，V

的s

= 0

= 125° C

2 V

DS （ ON）

的s

= 10 V

静态漏源导通状态

的s

= 1 V I

= 20 A

0 ,

的s

= 1 V I

= 20 A

0 ,

的s

= 1 V I

= 20 A,

0 ,

= 125 C

静态漏源导通状态

的s

= 1 V I

= 16 A

0 ,

的s

= 1 V I

= 16 A

0 ,

的s

= 1 V I

= 16 A,

0 ,

= 125 C

0.55 0.07

0.12

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

（关闭）

转发Transductance

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

2700

1300

470

100

)

2 V

DS （ ON）

= 20 A

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

（关闭）

转发Transductance

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

10.0

2400

600

250

)

的s

= 0

= 25 V

F = 1 MHz的

D D

= 3 V I

@ 20 A

0 ,

= 5 0 W，V

= 10V

（ MOSFET开关时间

基本上是独立的

操作温度）。

体漏二极管额定值和特性

S.D。

连续源电流

（体二极管）

源出电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

400

修改MOSPOWER

体漏二极管额定值和特性

-4

-10

- 25

符号表现

teitga PN

NERL -

连续源电流

（体二极管）

源出电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

350

-3

-10

-2

J·N T O服务R C I I河

ucin ETFE

= 25 C I

= -40 A，V

的s

= 0

= 150 C I

/ DS = 100 A / MS

S.D。

1脉冲测试：脉冲宽度

300毫秒，占空比

2%.

1脉冲测试：脉冲宽度

300毫秒，占空比

2%.

( )

31 - 2

动态

2 V

DS （ ON）

= 16 A

的s

= 0

= 25 V

F = 1 MHz的

D D

= 7 V I

@ 16 A

5 ,

= 5 0 W ,

的s

= 10V

（ MOSFET开关时间

基本上是独立的

操作温度）。

修改MOSPOWER

符号表现

teitga PN

NERL -

J·N T O服务R C I I河

ucin ETFE

= 25 C I

= -30 A，V

的s

= 0

= 150 C I

/ DS = 100 A / MS

电气特性：

STATIC

参数

B V

S S小

GS （ TH）

GSSF

SSR

DSS

漏源击穿

电压

栅极阈值电压

门体漏进

门体反向漏

零栅压漏

当前

D（上）

DS （ ON）

导通状态漏极

电压

静态漏源导通状态

阻力

静态漏源导通状态

阻力

当前

0.25

(

= 25 ° C除非另有说明）

电气特性：

STATIC

P / N COM450A

参数

B V

S S小

GS （ TH）

GSSF

SSR

漏源击穿

电压

栅极阈值电压

门体漏进

门体反向漏

零栅压漏

当前

D（上）

DS （ ON）

导通状态漏极

电压

静态漏源导通状态

阻力

静态漏源导通状态

阻力

当前

(

= 25 ° C除非另有说明）

P / N COM350A

分钟。典型值。马克斯。单位测试条件

400

100

-10

0.25

2.64

的s

= 0

I = 250毫安

= V

的s

= 250毫安

的s

= +20 V

的s

= - 2 V

=最大。鼠。，V

的s

= 0

= 0.8最大。鼠。，V

的s

= 0

= 125° C

2 V

DS （ ON）

的s

= 10 V

分钟。典型值。马克斯。单位测试条件

500

100

-10

0.25

2.94

0.42

的s

= 0

I = 250毫安

= V

的s

= 250毫安

的s

= +20 V

的s

= - 2 V

=最大。鼠。，V

的s

= 0

= 0.8最大。鼠。，V

的s

= 0

= 125° C

2 V

DS （ ON）

的s

= 10 V

静态漏源导通状态

的s

= 1 V I

= 8.0 A

0 ,

的s

= 1 V I

= 8.0 A

0 ,

的s

= 1 V I

= 8 0 A

0 ,

. ,

= 125 C

静态漏源导通状态

的s

= 1 V I

= 7.0 A

0 ,

的s

= 1 V I

= 7.0 A

0 ,

的s

= 1 V I

= 7 0 A

0 ,

. ,

= 125 C

0.51 0.67

0.67 0.89

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

（关闭）

转发Transductance

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

2900

450

150

)

2 V

DS （ ON）

= 8.0 A

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

（关闭）

转发Transductance

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

2600

280

)

的s

= 0

= 25 V

F = 1 MHz的

D D

2 = 0 V I

@ 8.0 A

0 ,

= 。 W，V

的s

=10V

（ MOSFET开关时间

基本上是独立的

操作温度）。

体漏二极管额定值和特性

S.D。

连续源电流

（体二极管）

源出电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

600

修改MOSPOWER

体漏二极管额定值和特性

-1

-6

- 16

符号表现

teitga PN

NERL -

连续源电流

（体二极管）

源出电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

700

-1

-5

- 14

JNTO rciir

ucin ETFE 。

= 25 C I

= -15 A，V

的s

= 0

= 100 C I

/ DS = 100 A / MS

S.D。

1脉冲测试：脉冲宽度

300毫秒，占空比

2%.

1脉冲测试：脉冲宽度

300毫秒，占空比

2%.

( )

31-3

动态

2 V

DS （ ON）

= 7.0 A

的s

= 0

= 25 V

F = 1 MHz的

D D

2 = 0 V I

@ 7.0 A

1 ,

= 5 0 W，V

的s

= 10 V

（ MOSFET开关时间

基本上是独立的

操作温度）。

修改MOSPOWER

符号表现

teitga PN

NERL -

JNTO rciir

ucin ETFE 。

COM150A - COM450A

= 25 C I

= -13 A，V

的s

= 0

= 150 C I

/ DS = 100 A / MS

COM150A - COM450A

绝对最大额定值（

= 25 ° C除非另有说明）

参数

摹

我@ T

= 25°C

我@ T

= 100°C

的s

@ T

= 25°C

@ T

= 100°C

结到外壳

结到环境

英镑

焊接温度

漏源电压

漏，栅极电压（R

的s

= 1 M )

连续漏电流

漏电流脉冲

栅源电压

最大功率耗散

线性降额因子

操作和

存储温度范围

（1/ 16 QUOT ;从案例10秒）

2%.

-55到150

300

-55到150

300

-55到150

300

-55到150

300

°C

COM150A

100

±25

±16

±100

± 20

125

.020

COM250A COM350A COM450A

200

±25

±16

±80

± 20

125

.020

400

±13

±8

±54

±20

125

.020

500

±11

±7

±40

± 20

125

.020

单位

W / ℃，

1脉冲测试：脉冲宽度300微秒。占空比

2封装引脚限制= 15安培

热RESISTA 权证

thJC

thJA

结到外壳

结到环境

° C / W

° C / W自由空气操作

机械概要

0.144 DIA 。

.545

.535

.050

.040

.685

.665

.800

.790

.550

.530

.550

.510

.045

.035

.150典型。

.260

.249

.005

.150典型。

P N 1漏

i :

P N 2来源

i :

P N 3门

i :

205克劳福德街，莱明斯特，MA 01453 USA （ 978 ） 534-5776传真（ 978 ） 537-4246