【COM140T COM340TCOM240T COM440T（ COTS ）商用现货供应采用TO- 】,IC型号COM140T,COM140T PDF资料,COM140T经销商,ic,电子元器件-51电子网

COM140T COM340T

COM240T COM440T

（ COTS ）商用现货供应

采用TO- 257AA PA C k的A G E电源的MOSFET

100V直通500V ，最高可达14安培， N沟道

M O对S F é TS在密封的金属包

特点

隔离密封金属封装

快速开关

低R

DS （ ON）

描述

该系列密封包装的产品采用了最新的先进MOSFET导

FET和封装技术。它们非常适用于军事需求

小尺寸，高性能和高可靠性的要求，并在应用程序

阳离子如开关电源，电机控制，逆变器，砍砸器，

音频放大器和高能量脉冲电路。

最大额定值

产品型号

COM140T

COM240T

COM340T

COM440T

@ 25°C

V

S

100V

200V

400V

500V

R

DS （ ON）

.12

.21

.59

.90

I

D（最大）

14A

10A

7A

3.1

S·C ^ h ê M ATIC

接线图

1.门

2.漏

3.源

1

2 3

8 09 R0

31 - 1

.

3.1

电气特性：

STATIC

分钟。典型值。马克斯。单位测试条件

100

20

.

40

.

100

-100

01

.

02

.

当前

1

14

1.40 1.73

.2

1

.2

2

0.25

10

.

V

nA

mA

A

V

的s

= 0

,

I = 250毫安

D

V

S

= V

的s

,

D

= 250毫安

I

V

的s

= 20 V

V

的s

= - 20 V

V

S

=最大。鼠。，V

的s

= 0

V

S

= 0.8最大。鼠。，V

的s

= 0

,

T

C

= 125° C

I

D（上）

导通状态漏极

电压

1

R

DS （ ON）

静态漏源导通状态

阻力

1

R

DS （ ON）

静态漏源导通状态

阻力

1

V

的s

= 1 V I

D

= 15 A,

0 ,

T

C

= 125 C

V

的s

= 1 V I

D

= 15 A

0 ,

V

S

2 V

DS （ ON）

,V

的s

= 10 V

I

D（上）

导通状态漏极

电压

1

R

DS （ ON）

静态漏源导通状态

阻力

1

R

DS （ ON）

静态漏源导通状态

阻力

1

0.41

V

的s

= 1 V I

D

= 10 A,

0 ,

T

C

= 125 C

0.21

V

的s

= 1 V I

D

= 10 A

0 ,

当前

1

14

18

.

21

.

A

V

DS （ ON）

静态漏源导通状态

V

的s

= 1 V I

D

= 15 A

0 ,

V

DS （ ON）

静态漏源导通状态

V

GS （ TH）

I

GSSF

I

SSR

G

I

SS

D

参数

B V

S S小

漏源击穿

电压

栅极阈值电压

门体漏进

门体反向漏

零栅压漏

当前

01

.

02

.

20

.

40

.

100

- 100

0.25

10

.

V

nA

mA

COM140T - COM440T

电气特性：

STATIC

参数

B V

S S小

漏源击穿

电压

V

GS （ TH）

I

GSSF

I

SSR

G

I

SS

D

栅极阈值电压

门体漏进

门体反向漏

零栅压漏

当前

T

C

= 25° ，除非另有说明

T

C

= 25° ，除非另有说明

P / N COM140T

P / N COM240T

分钟。典型值。马克斯。单位测试条件

200

V

的s

= 0

,

I = 250毫安

D

V

S

= V

的s ，

I = 250毫安

D

V

的s

= 20 V

V

的s

= - 20 V

V

S

=最大。鼠。，V

的s

= 0

V

S

= 0.8最大。鼠。，V

的s

= 0

,

T

C

= 125° C

V

S

2 V

DS （ ON）

,V

的s

= 10 V

V

的s

= 1 V I

D

= 10 A

0 ,

g

f

s

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

T

D（上）

t

r

T

D（关闭）

t

f

转发Transductance

1

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

10

1275

550

160

16

19

42

24

S(

)

V

S

W

pF

ns

2 V

DS （ ON）

,

D

= 15 A

I

g

f

s

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

T

D（上）

t

r

T

D（关闭）

t

f

转发Transductance

1

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

60

.

1000

250

100

17

52

36

30

S(

)

V

S

W

pF

ns

V

的s

= 0

V

S

= 25 V

F = 1 MHz的

V

D D

= 3 V I

D

@5 A

0 ,

R

g

= 5 W，V

的s

=10 V

管（MOSFET ）的开关时间是

基本上是独立的

工作温度。

体漏二极管额定值和特性

I

S

I

M

S

V

S.D。

t

r

连续源电流

（体二极管）

源出电流

1

（体二极管）

二极管的正向电压

1

反向恢复时间

200

- 20

.

V

ns

- 108

A

-2

7

A

修改MOSPOWER

符号表现

积分P -N

J·N T O服务R C I I河

ucin ETFE

G

D

体漏二极管额定值和特性

I

S

I

M

S

连续源电流

（体二极管）

源出电流

1

（体二极管）

二极管的正向电压

1

反向恢复时间

350

-1

8

-7

2

-.

15

T

C

= 25 C I

S

= -24 A，V

的s

= 0

,

T

J

= 150 C I

F

=I

S

,

d

F

/ DS = 100 A / MS

l

V

S.D。

t

r

1脉冲测试：脉冲宽度

300毫秒，占空比

2%.

1脉冲测试：脉冲宽度

300毫秒，占空比

2%.

( )

W

A

V

ns

( )

W

31 - 2

.

动态

2 V

DS （ ON）

,

D

= 10 A

I

V

的s

= 0

V

S

= 25 V

F = 1 MHz的

V

D D

= 5 V I

D

@ 18 A

7 ,

R

g

= W，V

的s

= 10 V

5

管（MOSFET ）的开关时间是

基本上是独立的

工作温度。

修改MOSPOWER

符号表现

积分P -N

J·N T O服务R C I I河

ucin ETFE

G

D

S

T

C

= 25 C I

S

= -18 A，V

的s

= 0

,

T

J

= 150 C I

F

=I

S

,

d

F

/ DS = 100 A / MS

l

电气特性：

STATIC

参数

B V

S S小

漏源击穿

电压

V

GS （ TH）

I

GSSF

I

SSR

G

I

SS

D

栅极阈值电压

门体漏进

门体反向漏

零栅压漏

当前

I

D（上）

通态漏电流

1

电压

1

R

DS （ ON）

静态漏源导通状态

阻力

1

R

DS （ ON）

静态漏源导通状态

阻力

1

10

25

.

01

.

02

.

20

.

T

C

= 25° ，除非另有说明

电气特性：

STATIC

P / N COM440T

参数

B V

S S小

漏源击穿

电压

V

GS （ TH）

I

GSSF

I

SSR

G

I

SS

D

栅极阈值电压

门体漏进

门体反向漏

零栅压漏

当前

I

D（上）

通态漏电流

1

电压

1

45

.

32

.

01

.

02

.

20

.

T

C

= 25° ，除非另有说明

P / N COM340T

分钟。典型值。马克斯。单位测试条件

400

40

.

100

-100

0.25

10

.

V

nA

mA

A

29

.

0.59

12

.

V

的s

= 0

,

I = 250毫安

D

V

S

= V

的s

,

D

= 250毫安

I

V

的s

= 20 V

V

的s

= - 20 V

V

S

=最大。鼠。，V

的s

= 0

V

S

= 0.8最大。鼠。，V

的s

= 0

,

T

C

= 125° C

V

S

2 V

DS （ ON）

,V

的s

= 10 V

分钟。典型值。马克斯。单位测试条件

500

40

.

100

- 100

0.25

10

.

V

nA

mA

A

3.52

0.90

18

.

V

的s

= 0

,

I = 250毫安

D

V

S

= V

的s ，

I = 250毫安

D

V

的s

= 20 V

V

的s

= - 20 V

V

S

=最大。鼠。，V

的s

= 0

V

S

= 0.8最大。鼠。，V

的s

= 0

,

T

C

= 125° C

V

S

2 V

DS （ ON）

,V

的s

= 10 V

V

DS （ ON）

静态漏源导通状态

V

的s

= 1 V I

D

= 5 A

0 ,

V

的s

= 1 V I

D

= 5 A

0 ,

V

的s

= 1 V I

D

= 5 A

0 ,

,

T

C

= 125 C

V

DS （ ON）

静态漏源导通状态

R

DS （ ON）

静态漏源导通状态

阻力

1

R

DS （ ON）

静态漏源导通状态

阻力

1

V

的s

= 1 V I

D

= 4 A

0 ,

V

的s

= 1 V I

D

= 4 A

0 ,

V

的s

= 1 V I

D

= 4 A

0 ,

,

T

C

= 125 C

g

f

s

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

T

D（上）

t

r

T

D（关闭）

t

f

前锋

Transductance

1

40

.

44

.

1150

165

70

17

12

45

30

S(

)

V

S

W

pF

ns

2 V

DS （ ON）

,

D

= 5 A

I

g

f

s

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

T

D（上）

t

r

T

D（关闭）

t

f

转发Transductance

1

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

40

.

48

.

1225

200

85

17

5

42

14

S(

)

V

S

W

pF

ns

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

V

的s

= 0

V

S

= 25 V

F = 1 MHz的

V

D D

1 = 5 V I

D

= 5 A

7 ,

R

g

= 5 W，V

S

=10V

体漏二极管额定值和特性

I

S

I

M

S

V

S.D。

t

r

连续源电流

（体二极管）

来源

当前

1

电压

1

530

-4

0

-2

A

V

ns

（体二极管）

二极管正向

反向恢复时间

-1

0

A

修改MOSPOWER

符号表现

积分P -N

J·N T O服务R C I I河

ucin ETFE

G

D

体漏二极管额定值和特性

I

S

I

M

S

连续源电流

（体二极管）

来源

当前

1

电压

1

700

-8

-3

2

-2

（体二极管）

V

S.D。

t

r

二极管正向

V

ns

反向恢复时间

T

C

= 25 C I

S

= -10 A，V

的s

= 0

,

T

J

= 150 C I

F

=I

S

,

d

F

/ DS = 100 A / MS

l

1脉冲测试：脉冲宽度

300毫秒，占空比

2%.

1脉冲测试：脉冲宽度

300毫秒，占空比

2%.

( )

W

A

( )

W

31 - 2

.

动态

2 V

DS （ ON）

,

D

= 4 A

I

V

的s

= 0

V

S

= 25 V

F = 1 MHz的

V

D D

2 = 0 V I

D

= 4 A

0 ,

R

g

= 5 W，V

S

=10 V

管（MOSFET ）的开关时间是

基本上是独立的

工作温度。

修改MOSPOWER

符号表现

积分P -N

J·N T O服务R C I I河

ucin ETFE

G

D

COM140T - COM440T

S

T

C

= 25 C I

S

= -18 A，V

的s

= 0

,

T

J

= 150 C I

F

=I

S

,

d

F

/ DS = 100 A / MS

l

2

3.1

COM140T - COM440T

绝对最大额定值（

C

= 25 ° C除非另有说明）

T

参数

V

S

V

摹

我@ T

C

= 25°C

D

我@ T

C

= 100°C

D

I

M

D

V

的s

P

D

@ T

C

= 25°C

P

D

@ T

C

= 100°C

结到外壳

漏源电压

漏，栅极电压（R

的s

= 1 M )

连续漏电流

漏电流脉冲

1

栅源电压

最大功率耗散

线性降额因子

2

COM140T

100

± 14

± 56

± 20

125

50

10

.

.015

COM240T COM340T COM440T

200

± 14

± 11

± 56

± 20

125

50

10

.

.015

400

± 10

±6

± 40

± 20

125

50

10

.

.015

500

±8

±5

± 32

± 20

125

50

10

.

.015

单位

V

A

V

W

W / ℃，

结到环境线性降额因子

T

J

T

英镑

焊接温度

操作和

存储温度范围

（1/ 16 QUOT ;从案例10秒）

2%.

-55到150

300

-55 150 -55 150 -55 150

300

°C

1脉冲测试：脉冲宽度300微秒。占空比

2封装引脚限制= 10安培

热RESISTA 权证

R

thJC

R

thJA

结到外壳

结到环境

1.00

65

° C / W

自由空气操作

功率降额

机械概要

TO-257

.420

.410

.200

.190

.045

.035

.665

.645

.537

.527

.430

.410

0.038 MAX 。

3.1

.150

.140

.750

.500

.005

.035

.025

.100 TYP 。

0.120 TYP 。

205克劳福德街，莱明斯特，MA 01453 USA （ 978 ） 534-5776传真（ 978 ） 537-4246

COM140T COM340T

COM240T COM440T

（ COTS ）商用现货供应

采用TO- 257AA PA C k的A G E电源的MOSFET

100V直通500V ，最高可达14安培， N沟道

M O对S F é TS在密封的金属包

特点

隔离密封金属封装

快速开关

低R

DS （ ON）

描述

该系列密封包装的产品采用了最新的先进MOSFET导

FET和封装技术。它们非常适用于军事需求

小尺寸，高性能和高可靠性的要求，并在应用程序

阳离子如开关电源，电机控制，逆变器，砍砸器，

音频放大器和高能量脉冲电路。

最大额定值

产品型号

COM140T

COM240T

COM340T

COM440T

@ 25°C

V

S

100V

200V

400V

500V

R

DS （ ON）

.12

.21

.59

.90

I

D（最大）

14A

10A

7A

3.1

S·C ^ h ê M ATIC

接线图

1.门

2.漏

3.源

1

2 3

8 09 R0

31 - 1

.

3.1

电气特性：

STATIC

分钟。典型值。马克斯。单位测试条件

100

20

.

40

.

100

-100

01

.

02

.

当前

1

14

1.40 1.73

.2

1

.2

2

0.25

10

.

V

nA

mA

A

V

的s

= 0

,

I = 250毫安

D

V

S

= V

的s

,

D

= 250毫安

I

V

的s

= 20 V

V

的s

= - 20 V

V

S

=最大。鼠。，V

的s

= 0

V

S

= 0.8最大。鼠。，V

的s

= 0

,

T

C

= 125° C

I

D（上）

导通状态漏极

电压

1

R

DS （ ON）

静态漏源导通状态

阻力

1

R

DS （ ON）

静态漏源导通状态

阻力

1

V

的s

= 1 V I

D

= 15 A,

0 ,

T

C

= 125 C

V

的s

= 1 V I

D

= 15 A

0 ,

V

S

2 V

DS （ ON）

,V

的s

= 10 V

I

D（上）

导通状态漏极

电压

1

R

DS （ ON）

静态漏源导通状态

阻力

1

R

DS （ ON）

静态漏源导通状态

阻力

1

0.41

V

的s

= 1 V I

D

= 10 A,

0 ,

T

C

= 125 C

0.21

V

的s

= 1 V I

D

= 10 A

0 ,

当前

1

14

18

.

21

.

A

V

DS （ ON）

静态漏源导通状态

V

的s

= 1 V I

D

= 15 A

0 ,

V

DS （ ON）

静态漏源导通状态

V

GS （ TH）

I

GSSF

I

SSR

G

I

SS

D

参数

B V

S S小

漏源击穿

电压

栅极阈值电压

门体漏进

门体反向漏

零栅压漏

当前

01

.

02

.

20

.

40

.

100

- 100

0.25

10

.

V

nA

mA

COM140T - COM440T

电气特性：

STATIC

参数

B V

S S小

漏源击穿

电压

V

GS （ TH）

I

GSSF

I

SSR

G

I

SS

D

栅极阈值电压

门体漏进

门体反向漏

零栅压漏

当前

T

C

= 25° ，除非另有说明

T

C

= 25° ，除非另有说明

P / N COM140T

P / N COM240T

分钟。典型值。马克斯。单位测试条件

200

V

的s

= 0

,

I = 250毫安

D

V

S

= V

的s ，

I = 250毫安

D

V

的s

= 20 V

V

的s

= - 20 V

V

S

=最大。鼠。，V

的s

= 0

V

S

= 0.8最大。鼠。，V

的s

= 0

,

T

C

= 125° C

V

S

2 V

DS （ ON）

,V

的s

= 10 V

V

的s

= 1 V I

D

= 10 A

0 ,

g

f

s

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

T

D（上）

t

r

T

D（关闭）

t

f

转发Transductance

1

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

10

1275

550

160

16

19

42

24

S(

)

V

S

W

pF

ns

2 V

DS （ ON）

,

D

= 15 A

I

g

f

s

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

T

D（上）

t

r

T

D（关闭）

t

f

转发Transductance

1

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

60

.

1000

250

100

17

52

36

30

S(

)

V

S

W

pF

ns

V

的s

= 0

V

S

= 25 V

F = 1 MHz的

V

D D

= 3 V I

D

@5 A

0 ,

R

g

= 5 W，V

的s

=10 V

管（MOSFET ）的开关时间是

基本上是独立的

工作温度。

体漏二极管额定值和特性

I

S

I

M

S

V

S.D。

t

r

连续源电流

（体二极管）

源出电流

1

（体二极管）

二极管的正向电压

1

反向恢复时间

200

- 20

.

V

ns

- 108

A

-2

7

A

修改MOSPOWER

符号表现

积分P -N

J·N T O服务R C I I河

ucin ETFE

G

D

体漏二极管额定值和特性

I

S

I

M

S

连续源电流

（体二极管）

源出电流

1

（体二极管）

二极管的正向电压

1

反向恢复时间

350

-1

8

-7

2

-.

15

T

C

= 25 C I

S

= -24 A，V

的s

= 0

,

T

J

= 150 C I

F

=I

S

,

d

F

/ DS = 100 A / MS

l

V

S.D。

t

r

1脉冲测试：脉冲宽度

300毫秒，占空比

2%.

1脉冲测试：脉冲宽度

300毫秒，占空比

2%.

( )

W

A

V

ns

( )

W

31 - 2

.

动态

2 V

DS （ ON）

,

D

= 10 A

I

V

的s

= 0

V

S

= 25 V

F = 1 MHz的

V

D D

= 5 V I

D

@ 18 A

7 ,

R

g

= W，V

的s

= 10 V

5

管（MOSFET ）的开关时间是

基本上是独立的

工作温度。

修改MOSPOWER

符号表现

积分P -N

J·N T O服务R C I I河

ucin ETFE

G

D

S

T

C

= 25 C I

S

= -18 A，V

的s

= 0

,

T

J

= 150 C I

F

=I

S

,

d

F

/ DS = 100 A / MS

l

电气特性：

STATIC

参数

B V

S S小

漏源击穿

电压

V

GS （ TH）

I

GSSF

I

SSR

G

I

SS

D

栅极阈值电压

门体漏进

门体反向漏

零栅压漏

当前

I

D（上）

通态漏电流

1

电压

1

R

DS （ ON）

静态漏源导通状态

阻力

1

R

DS （ ON）

静态漏源导通状态

阻力

1

10

25

.

01

.

02

.

20

.

T

C

= 25° ，除非另有说明

电气特性：

STATIC

P / N COM440T

参数

B V

S S小

漏源击穿

电压

V

GS （ TH）

I

GSSF

I

SSR

G

I

SS

D

栅极阈值电压

门体漏进

门体反向漏

零栅压漏

当前

I

D（上）

通态漏电流

1

电压

1

45

.

32

.

01

.

02

.

20

.

T

C

= 25° ，除非另有说明

P / N COM340T

分钟。典型值。马克斯。单位测试条件

400

40

.

100

-100

0.25

10

.

V

nA

mA

A

29

.

0.59

12

.

V

的s

= 0

,

I = 250毫安

D

V

S

= V

的s

,

D

= 250毫安

I

V

的s

= 20 V

V

的s

= - 20 V

V

S

=最大。鼠。，V

的s

= 0

V

S

= 0.8最大。鼠。，V

的s

= 0

,

T

C

= 125° C

V

S

2 V

DS （ ON）

,V

的s

= 10 V

分钟。典型值。马克斯。单位测试条件

500

40

.

100

- 100

0.25

10

.

V

nA

mA

A

3.52

0.90

18

.

V

的s

= 0

,

I = 250毫安

D

V

S

= V

的s ，

I = 250毫安

D

V

的s

= 20 V

V

的s

= - 20 V

V

S

=最大。鼠。，V

的s

= 0

V

S

= 0.8最大。鼠。，V

的s

= 0

,

T

C

= 125° C

V

S

2 V

DS （ ON）

,V

的s

= 10 V

V

DS （ ON）

静态漏源导通状态

V

的s

= 1 V I

D

= 5 A

0 ,

V

的s

= 1 V I

D

= 5 A

0 ,

V

的s

= 1 V I

D

= 5 A

0 ,

,

T

C

= 125 C

V

DS （ ON）

静态漏源导通状态

R

DS （ ON）

静态漏源导通状态

阻力

1

R

DS （ ON）

静态漏源导通状态

阻力

1

V

的s

= 1 V I

D

= 4 A

0 ,

V

的s

= 1 V I

D

= 4 A

0 ,

V

的s

= 1 V I

D

= 4 A

0 ,

,

T

C

= 125 C

g

f

s

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

T

D（上）

t

r

T

D（关闭）

t

f

前锋

Transductance

1

40

.

44

.

1150

165

70

17

12

45

30

S(

)

V

S

W

pF

ns

2 V

DS （ ON）

,

D

= 5 A

I

g

f

s

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

T

D（上）

t

r

T

D（关闭）

t

f

转发Transductance

1

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

40

.

48

.

1225

200

85

17

5

42

14

S(

)

V

S

W

pF

ns

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

V

的s

= 0

V

S

= 25 V

F = 1 MHz的

V

D D

1 = 5 V I

D

= 5 A

7 ,

R

g

= 5 W，V

S

=10V

体漏二极管额定值和特性

I

S

I

M

S

V

S.D。

t

r

连续源电流

（体二极管）

来源

当前

1

电压

1

530

-4

0

-2

A

V

ns

（体二极管）

二极管正向

反向恢复时间

-1

0

A

修改MOSPOWER

符号表现

积分P -N

J·N T O服务R C I I河

ucin ETFE

G

D

体漏二极管额定值和特性

I

S

I

M

S

连续源电流

（体二极管）

来源

当前

1

电压

1

700

-8

-3

2

-2

（体二极管）

V

S.D。

t

r

二极管正向

V

ns

反向恢复时间

T

C

= 25 C I

S

= -10 A，V

的s

= 0

,

T

J

= 150 C I

F

=I

S

,

d

F

/ DS = 100 A / MS

l

1脉冲测试：脉冲宽度

300毫秒，占空比

2%.

1脉冲测试：脉冲宽度

300毫秒，占空比

2%.

( )

W

A

( )

W

31 - 2

.

动态

2 V

DS （ ON）

,

D

= 4 A

I

V

的s

= 0

V

S

= 25 V

F = 1 MHz的

V

D D

2 = 0 V I

D

= 4 A

0 ,

R

g

= 5 W，V

S

=10 V

管（MOSFET ）的开关时间是

基本上是独立的

工作温度。

修改MOSPOWER

符号表现

积分P -N

J·N T O服务R C I I河

ucin ETFE

G

D

COM140T - COM440T

S

T

C

= 25 C I

S

= -18 A，V

的s

= 0

,

T

J

= 150 C I

F

=I

S

,

d

F

/ DS = 100 A / MS

l

2

3.1

COM140T - COM440T

绝对最大额定值（

C

= 25 ° C除非另有说明）

T

参数

V

S

V

摹

我@ T

C

= 25°C

D

我@ T

C

= 100°C

D

I

M

D

V

的s

P

D

@ T

C

= 25°C

P

D

@ T

C

= 100°C

结到外壳

漏源电压

漏，栅极电压（R

的s

= 1 M )

连续漏电流

漏电流脉冲

1

栅源电压

最大功率耗散

线性降额因子

2

COM140T

100

± 14

± 56

± 20

125

50

10

.

.015

COM240T COM340T COM440T

200

± 14

± 11

± 56

± 20

125

50

10

.

.015

400

± 10

±6

± 40

± 20

125

50

10

.

.015

500

±8

±5

± 32

± 20

125

50

10

.

.015

单位

V

A

V

W

W / ℃，

结到环境线性降额因子

T

J

T

英镑

焊接温度

操作和

存储温度范围

（1/ 16 QUOT ;从案例10秒）

2%.

-55到150

300

-55 150 -55 150 -55 150

300

°C

1脉冲测试：脉冲宽度300微秒。占空比

2封装引脚限制= 10安培

热RESISTA 权证

R

thJC

R

thJA

结到外壳

结到环境

1.00

65

° C / W

自由空气操作

功率降额

机械概要

TO-257

.420

.410

.200

.190

.045

.035

.665

.645

.537

.527

.430

.410

0.038 MAX 。

3.1

.150

.140

.750

.500

.005

.035

.025

.100 TYP 。

0.120 TYP 。

205克劳福德街，莱明斯特，MA 01453 USA （ 978 ） 534-5776传真（ 978 ） 537-4246