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反射式光敏(光反射器)
CNZ2152
(ON2152)
反射型光电传感器
非接触式点SW ,对象感测
CNZ2152是光传感器检测反射光的变化
在其中一个高效率的GaAs红外发光二极管用于
作为发光元件,并且具有高灵敏度硅光电晶体管
被用作光检测元件。这两个元件都位于
传递时平行于同一方向,并在检测到的对象
在该装置的前面。
3.2
±0.2
单位:mm
大关
说明
LED侧
φ1.5
概观
8.0
±0.2
3.5
±0.2
1.0
-0.2
+0.1
16.0
±0.3
14.0
-0.2
+0.1
φ2.2
±0.2
1.0(typ.)
特点
快速响应
高灵敏度
高SN比
10.0
±0.2
φ0.9
-0.2
7.0分钟。
+0.1
应用
4-φ0.45
(10.0)
(2.54)
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
输入(淡反向电压
发光二极管)正向电流
功耗
*1
输出(照片集电极 - 发射极电压
晶体管)
(基地开)
发射极 - 集电极电压
(基地开)
集电极电流
温度
集电极耗散功率
工作环境温度
储存温度
*2
符号
V
R
I
F
P
D
V
首席执行官
V
ECO
I
C
P
C
T
OPR
T
英镑
等级
3
100
150
20
3
30
150
25
to
+85
30
to
+100
单位
V
mA
mW
V
V
mA
mW
°C
°C
注)* 1 :输入功率降额比例
2.0毫瓦/ ° 在T
a
25°C.
* 2 :输出功率降额比例
2.0毫瓦/ ° 在T
a
25°C.
电气,光学特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
输入
正向电压
特性反向电流
产量
集电极 - 发射极截止电流
特点(基本开)
转让
特征
集电极电流
*1
符号
条件
V
F
I
F
=
百毫安
I
R
V
R
=
5 V
I
首席执行官
I
C *2
*3
6.2
±0.2
检测纸张,胶片和布
光学标记阅读
检测硬币和纸币的
检测的位置和边缘
开始,结束标记检测磁带
1 :阴极
2 :阳极
3 :发射器
4
1
4 :收藏家
PRSTR104-001套餐
(注) ( )尺寸为参考
2
3
典型值
1.25
0.05
最大
1.50
10
2.00
单位
V
A
A
mA
V
CE
=
10 V
V
CC
=
5 V,I
F
=
20毫安,R
L
=
100
I
F
=
百毫安,我
C
=
1毫安
V
CC
=
10 V,I
C
=
1毫安,R
L
=
100
0.8
3.0
500
0.6
8
8
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
上升时间
t
r
下降时间
t
f
A
V
s
s
注) 1。输入和输出进行电处理。
2.本品不能承受的辐射
3. * 1 :输出电流测量电路(环境光被完全关闭)
I
F
I
C
V
CC
;;;
;
R
L
;;
;;
试卷
d
=
5 mm
* 2 :白纸(反射率90 % )
* 3 :描图纸(纸SM - 1的第二原纸)
注)括号中的部分数字表示以往的零件号。
出版日期: 2004年4月
SHG00052BED
1
CNZ2152
I
F
, I
C
T
a
120
120
I
F
I
F
V
F
T
a
=
25°C
1.6
V
F
T
a
正向电流I
F
,集电极电流I
C
(MA )
100
100
I
F
=
百毫安
正向电流I
F
(MA )
80
80
正向电压V
F
(V)
1.2
50毫安
60
60
0.8
40
I
C
20
40
0.4
20
0
25
0
20
40
60
80
100
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
0
40
0
40
80
环境温度T
a
(°C)
正向电压V
F
(V)
环境温度T
a
(°C)
I
C
I
F
10
2
V
CC
=
5 V R
L
=
100
T
a
=
25°C
( 1 )白皮书
(反射率90%)
( 2 )描图纸
(纸SM - 1的第2个
原创文章)
(1)
1
(2)
10
1
16
I
C
V
CE
I
F
=
百毫安
80毫安
160
T
a
=
25°C
I
C
T
a
V
CC
=
5 V
I
F
=
20毫安
R
L
=
100
120
集电极电流I
C
(MA )
10
集电极电流I
C
(MA )
12
60毫安
50毫安
40毫安
8
相对集电极电流
I
C
(%)
30毫安
20毫安
80
4
10毫安
40
10
2
10
1
1
10
10
2
0
0
4
8
12
16
20
24
0
40
0
40
80
正向电流I
F
(MA )
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
环境温度T
a
(°C)
I
首席执行官
T
a
集电极 - 发射极截止电流(基地开)I
首席执行官
(A)
10
3
10
3
t
r
I
C
V
CC
=
10 V
T
a
=
25°C
16
I
C
d
V
CC
=
5 V
T
a
= 25°C
I
F
=
20毫安
R
L
=
100
10
2
集电极电流I
C
(MA )
10
2
12
d
10
上升时间t
r
(s)
R
L
=
1 k
8
10
1
V
CE
=
25 V
10 V
100
1
10
1
SIG 。在
V
CC
SIG 。 V
1
OUT
V
2
V
2
R
L
90%
10%
4
白皮书
(反射率90%)
V
1
50
10
2
40
0
40
80
10
1
10
2
10
1
t
r
1
t
d
t
f
10
0
0
2
4
6
8
10
12
环境温度T
a
(°C)
集电极电流I
C
(MA )
间距d(毫米)
2
SHG00052BED
安全事项
本产品含有砷化镓(GaAs ) 。
危险
砷化镓粉末和蒸气会危害人体健康,如果吸入或
摄入。不燃烧,破坏,剪,切割掉,或化学解散
解决该产品。按照相关法令进行处理。
本品应排除的形式一般工业废弃物或
生活垃圾。
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
( 1)出口许可证需要从日本政府(如果有)的主管当局获得的
下"Foreign交易所在这种材料中描述和控制的产品或技术信息
外贸Law"是要出口或带出日本。
( 2 )在本材料中描述的技术信息仅限于展示有代表性的特点和
该产品的应用电路的例子。它既不保证不侵犯知识产权
或拥有本公司或第三方,也没有授予任何许可的任何其他权利。
( 3 )我们不为权利所因使用该技术的第三方拥有的侵权责任
在本材料中描述的信息。
(4)在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或一般elec-
TRONIC设备(如办公设备,通讯设备,测量仪器及住户
持设备) 。
提前为下列应用程序的信息,请咨询我们的销售人员:
特殊应用(例如用于飞机,航天,汽车,交通控制设备, combus-
化设备,生命支持系统和安全装置),其中出色的质量和可靠性
必需的,或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或损害人类
体。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
( 5 )在本材料中描述的产品和产品规格如有变更,恕不另行通知
修改和/或改进。在您的设计,采购,或者使用的产品的最后阶段,
因此,要求最先进的最新产品标准提前,以确保最新的规范
系统蒸发散满足您的要求。
( 6 )在设计你的装备,顺应保证值,尤其是最大额定的
荷兰国际集团,工作电源电压,以及热辐射特性的范围内。否则,我们不会
对于可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用,考虑到发病的代价
分解和破坏模式,可能发生对半导体产品。在这样的制度措施
作为冗余设计,阻止火灾或防止毛刺的蔓延,建议为了防止
物理损伤,火灾,社会的损害,例如,通过使用产品。
(7 )在使用的量防潮包装是必需的产品,观察的条件(包括货架寿命
和时间量,让站在密封的物品)约定,当规格表被单独
交换。
( 8 )该材料可不能转载或复制全部或部分,未经事先书面
松下电器产业株式会社许可
2003年九月
反射式光敏(光反射器)
CNZ2152
反射型光电传感器
概观
CNZ2152是光传感器检测反射光的变化
在其中一个高效率的GaAs红外发光二极管用于
作为发光元件,并且具有高灵敏度硅光电晶体管
被用作光检测元件。这两个元件都位于
传递时平行于同一方向,并在检测到的对象
在该装置的前面。
3.2±0.2
大关
说明
LED侧
1.5
单位:mm
8.0±0.2
3.5±0.2
1.0
+0.1
–0.2
14.0
+0.1
–0.2
16.0±0.3
2.2±0.2
1.0(typ.)
特点
快速响应
高SN比
高灵敏度
7.0分钟。
(10.0)
2
6.2±0.2
检测纸张,胶片和布
检测硬币和纸币的
光学标记阅读
检测的位置和边缘
1
开始,结束标记检测磁带
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
参数
反向电压(DC)的
输入(淡
正向工作电流(DC)的
发光二极管)
功耗
集电极到发射极电压
输出(照片发射极到集电极的电压
晶体管)
集电极电流
集电极耗散功率
温度
工作环境温度
储存温度
符号等级
V
R
I
F
P
D*1
V
首席执行官
V
ECO
I
C
P
C*2
T
OPR
3
100
150
20
3
30
150
-25至+85
单位
V
mA
mW
V
V
mA
mW
C
C
(注) ( )尺寸为参考
*1
T
英镑
-30到+100
输入功率降额比例
2.0毫瓦/ C在Ta
25C.
*2
输出功率降额比例
2.0毫瓦/ C在Ta
25C.
电气特性
( TA = 25°C )
参数
正向电压( DC)的
输入
特征反向电流(DC)的
输出特性集电极截止电流
转让
特性响应时间
*1 *2
转让
符号
V
F
I
R
I
首席执行官
I
C*1
I
C*2
V
R
= 3V
V
CE
= 10V
条件
I
F
= 100毫安
集电极电流
V
CC
= 5V ,我
F
= 20mA下,R
L
= 100
0.8
t
r*3
, t
f*4
V
CC
= 10V ,我
C
= 1毫安,R
L
= 100
*3
集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
I
F
= 100mA时我
C
= 1毫安
特性测试电路
(环境光被完全关闭)
I
C
V
CC
D = 5毫米
*1
*2
I
F
*4
,,
,,
,, ,
,,
,,
,,
,
所需的集电极电流从增加时间
10 %至90%最终值的。
所需的集电极电流的时间从减少
90 %至10 %的初始值。
R
L
试卷
标准白皮书(反射率90 % )
描图纸(纸SM - 1的第二原纸)
,
,,
3
4
1
2 3
4
引脚连接
应用
1.25
0.05
3
500
8
,,,,
,,,
0.9
+0.1
–0.2
4-0.45
(2.54)
10.0±0.2
典型值
最大
1.5
10
2
单位
V
A
A
mA
A
s
0.6
V
1
CNZ2152
反射式光敏(光反射器)
I
F
, I
C
- TA
120
120
I
F
— V
F
1.6
TA = 25°C
V
F
- TA
I
F
, I
C
(MA )
100
I
F
100
I
F
= 100毫安
I
F
(MA )
正向电流,集电极电流
80
80
V
F
(V)
1.2
50mA
60
正向电流
60
正向电压
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
0.8
40
I
C
20
40
0.4
20
0
– 25
0
20
40
60
80
100
0
0
– 40 – 20
0
20
40
60
80
100
周围温度Ta ( ℃)
正向电压V
F
(V)
周围温度Ta ( ℃)
I
C
— I
F
10
2
I
C
— V
CE
16
I
F
= 100毫安
80mA
TA = 25°C
160
I
C
- TA
V
CC
= 5V
I
F
= 20mA下
R
L
= 100
120
I
C
(MA )
10
I
C
(MA )
V
CC
= 5V的Ta = 25℃
R
L
= 100
( 1 )白皮书
(反射率90%)
( 2 )描图纸
(纸SM - 1 2日
原创文章)
(1)
12
60mA
50mA
40mA
1
8
相对于输出电流
集电极电流
集电极电流
I
C
(%)
20mA
10mA
30mA
80
(2)
10
–1
4
40
10
–2
10
–1
1
10
10
2
0
0
4
8
12
16
20
24
0
– 40 – 20
0
20
40
60
80
100
正向电流I
F
(MA )
集电极到发射极电压V
CE
(V)
周围温度Ta ( ℃)
I
首席执行官
- TA
10
3
10
3
t
r
— I
C
V
CC
= 10V
TA = 25°C
16
I
C
— d
V
CC
= 5V
TA = 25°C
I
F
= 20mA下
R
L
= 100
12
I
首席执行官
(A)
10
2
t
r
(s)
10
集电极电流
暗电流
上升时间
10
100
8
1
V
CE
= 25V
10V
1
10
–1
Sig.IN
V
CC
SIG 。 V
1
OUT
V
2
V
2
R
L
90%
10%
4
白皮书(反射率90 % )
10
–2
,
,,
V
1
50
– 40 – 20
0
20
40
60
80
100
10
–1
t
r
t
d
t
f
10
0
0
2
4
6
8
10
12
10
–2
10
–1
1
周围温度Ta ( ℃)
集电极电流I
C
(MA )
2
,
,
d
R
L
= 1k
I
C
(MA )
10
2
间距d(毫米)
反射式光敏(光反射器)
CNZ2152
反射型光电传感器
概观
CNZ2152是光传感器检测反射光的变化
在其中一个高效率的GaAs红外发光二极管用于
作为发光元件,并且具有高灵敏度硅光电晶体管
被用作光检测元件。这两个元件都位于
传递时平行于同一方向,并在检测到的对象
在该装置的前面。
3.2±0.2
大关
说明
LED侧
1.5
单位:mm
8.0±0.2
3.5±0.2
1.0
+0.1
–0.2
14.0
+0.1
–0.2
16.0±0.3
2.2±0.2
1.0(typ.)
特点
快速响应
高SN比
高灵敏度
7.0分钟。
(10.0)
2
6.2±0.2
检测纸张,胶片和布
检测硬币和纸币的
光学标记阅读
检测的位置和边缘
1
开始,结束标记检测磁带
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
参数
反向电压(DC)的
输入(淡
正向工作电流(DC)的
发光二极管)
功耗
集电极到发射极电压
输出(照片发射极到集电极的电压
晶体管)
集电极电流
集电极耗散功率
温度
工作环境温度
储存温度
符号等级
V
R
I
F
P
D*1
V
首席执行官
V
ECO
I
C
P
C*2
T
OPR
3
100
150
20
3
30
150
-25至+85
单位
V
mA
mW
V
V
mA
mW
C
C
(注) ( )尺寸为参考
*1
T
英镑
-30到+100
输入功率降额比例
2.0毫瓦/ C在Ta
25C.
*2
输出功率降额比例
2.0毫瓦/ C在Ta
25C.
电气特性
( TA = 25°C )
参数
正向电压( DC)的
输入
特征反向电流(DC)的
输出特性集电极截止电流
转让
特性响应时间
*1 *2
转让
符号
V
F
I
R
I
首席执行官
I
C*1
I
C*2
V
R
= 3V
V
CE
= 10V
条件
I
F
= 100毫安
集电极电流
V
CC
= 5V ,我
F
= 20mA下,R
L
= 100
0.8
t
r*3
, t
f*4
V
CC
= 10V ,我
C
= 1毫安,R
L
= 100
*3
集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
I
F
= 100mA时我
C
= 1毫安
特性测试电路
(环境光被完全关闭)
I
C
V
CC
D = 5毫米
*1
*2
I
F
*4
,,
,,
,, ,
,,
,,
,,
,
所需的集电极电流从增加时间
10 %至90%最终值的。
所需的集电极电流的时间从减少
90 %至10 %的初始值。
R
L
试卷
标准白皮书(反射率90 % )
描图纸(纸SM - 1的第二原纸)
,
,,
3
4
1
2 3
4
引脚连接
应用
1.25
0.05
3
500
8
,,,,
,,,
0.9
+0.1
–0.2
4-0.45
(2.54)
10.0±0.2
典型值
最大
1.5
10
2
单位
V
A
A
mA
A
s
0.6
V
1
CNZ2152
反射式光敏(光反射器)
I
F
, I
C
- TA
120
120
I
F
— V
F
1.6
TA = 25°C
V
F
- TA
I
F
, I
C
(MA )
100
I
F
100
I
F
= 100毫安
I
F
(MA )
正向电流,集电极电流
80
80
V
F
(V)
1.2
50mA
60
正向电流
60
正向电压
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
0.8
40
I
C
20
40
0.4
20
0
– 25
0
20
40
60
80
100
0
0
– 40 – 20
0
20
40
60
80
100
周围温度Ta ( ℃)
正向电压V
F
(V)
周围温度Ta ( ℃)
I
C
— I
F
10
2
I
C
— V
CE
16
I
F
= 100毫安
80mA
TA = 25°C
160
I
C
- TA
V
CC
= 5V
I
F
= 20mA下
R
L
= 100
120
I
C
(MA )
10
I
C
(MA )
V
CC
= 5V的Ta = 25℃
R
L
= 100
( 1 )白皮书
(反射率90%)
( 2 )描图纸
(纸SM - 1 2日
原创文章)
(1)
12
60mA
50mA
40mA
1
8
相对于输出电流
集电极电流
集电极电流
I
C
(%)
20mA
10mA
30mA
80
(2)
10
–1
4
40
10
–2
10
–1
1
10
10
2
0
0
4
8
12
16
20
24
0
– 40 – 20
0
20
40
60
80
100
正向电流I
F
(MA )
集电极到发射极电压V
CE
(V)
周围温度Ta ( ℃)
I
首席执行官
- TA
10
3
10
3
t
r
— I
C
V
CC
= 10V
TA = 25°C
16
I
C
— d
V
CC
= 5V
TA = 25°C
I
F
= 20mA下
R
L
= 100
12
I
首席执行官
(A)
10
2
t
r
(s)
10
集电极电流
暗电流
上升时间
10
100
8
1
V
CE
= 25V
10V
1
10
–1
Sig.IN
V
CC
SIG 。 V
1
OUT
V
2
V
2
R
L
90%
10%
4
白皮书(反射率90 % )
10
–2
,
,,
V
1
50
– 40 – 20
0
20
40
60
80
100
10
–1
t
r
t
d
t
f
10
0
0
2
4
6
8
10
12
10
–2
10
–1
1
周围温度Ta ( ℃)
集电极电流I
C
(MA )
2
,
,
d
R
L
= 1k
I
C
(MA )
10
2
间距d(毫米)
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