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透射式光敏(光遮断器)
部分数字符号
Noten的下面几页的号码是一个传统的零件编号。
新的松下全球数为:
CNZ1110
4
透射式光敏(光遮断器)
ON1110
光遮断器
对于接触SW ,目标检测
概要
ON1110是一个光电耦合器,其中一个高效率的GaAs
红外发光二极管作为发光元件,
和一个高灵敏度光电晶体管用作光检测
元素。这两个元件被布置为彼此面对,
并在它们之间传递对象被检测到。
1.6
单位:mm
马克指示
LED侧
2.0
1.2
3.0±0.3
2.0±0.2
13.8±0.3
2.8±0.2
A
0.4±0.1
8.8±0.2
0.5
特点
高精度位置检测: 0.3毫米
响应速度快:吨
r
, t
f
= 6
s
(典型值)。
对温度变化较小的输出电流变化
用于节省安装空间的小型封装
设备
中心
A'
3.0
*10.0±0.4
3
2
4
1
0.5
1.8±0.2
8.0分钟。
2
0.8
6.0±0.2
4.0
1.6
,,
,,
0.7
*2.54
美国证券交易委员会。 A-A'
3
4
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
参数
反向电压(DC)的
输入(淡
正向工作电流(DC)的
发光二极管)
功耗
集电极电流
符号等级
V
R
I
F
P
D*1
I
C
3
50
75
20
30
5
100
单位
V
mA
mW
mA
V
V
mW
C
C
*1
1
引脚连接
(注)*是在引线的根维
输出(照片集电极到发射极电压V
首席执行官
晶体管)
发射极到集电极电压V
ECO
集电极耗散功率
温度
工作环境温度
储存温度
P
C*2
T
OPR
-25至+85
T
英镑
-30到+100
输入功率降额比例
1.0毫瓦/ C在Ta
25C.
*2
输出功率降额比例
1.33毫瓦/ C在Ta
25C.
电气特性
( TA = 25°C )
参数
正向电压( DC)的
输入
反向电流( DC )
特征
终端之间的电容
收藏家Cuto FF电流
产量
特征集电极到发射极电容
符号
V
F
I
R
C
t
I
首席执行官
C
C
V
R
= 3V
V
R
= 0V , F = 1MHz的
V
CE
= 10V
V
CE
= 10V , F = 1MHz的
0.3
6
0.3
5
50
200
条件
I
F
= 50毫安
典型值
1.2
最大
1.5
10
单位
V
A
pF
nA
pF
mA
s
V
集电极电流
I
C*2
V
CE
= 10V ,我
F
= 20mA下
转让
响应时间
t
r
, t
f*1
V
CC
= 10V ,我
C
= 1毫安,R
L
= 100
特征
集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
I
F
= 50mA时我
C
= 0.1毫安
*
开关时间测量电路
Sig.IN
V
CC
(输入脉冲)
Sig.OUT (输出脉冲)
90%
10%
t
d
t
r
t
f
t
d
:延迟时间
t
r
:上升时间(所需要的时间的集电极电流增加
从10%到90%的其最终值的)
t
f
:下降时间(所需的集电极电流的时间减少
从90%到其初始值的10%)
*2
I
C
分类
I
C
(MA )
,,
Q
,,
50
R
L
R
0.75 2.15
S
> 1.85
0.3 0.85
1
透射式光敏(光遮断器)
ON1110
I
F
, I
C
- TA
60
60
I
F
— V
F
10
2
TA = 25°C
I
C
— I
F
V
CE
= 10V
TA = 25°C
I
F
, I
C
(MA )
50
I
F
50
I
F
(MA )
I
C
(MA )
集电极电流
10
正向电流,集电极电流
40
40
正向电流
30
I
C
30
1
20
20
10
–1
10
10
0
– 25
0
20
40
60
80
100
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
10
–2
1
10
10
2
10
3
周围温度Ta ( ℃)
正向电压V
F
(V)
正向电流I
F
(MA )
V
F
- TA
1.6
10
2
I
C
— V
CE
160
TA = 25°C
I
C
- TA
V
CE
= 10V
I
F
= 20mA下
I
C
(MA )
V
F
(V)
1.2
I
F
= 50毫安
10
I
C
(%)
I
F
= 30毫安
20mA
10mA
120
10mA
0.8
1
相对于输出电流
正向电压
集电极电流
80
0.4
10
–1
40
0
– 40 – 20
0
20
40
60
80
100
10
–2
10
–1
1
10
10
2
– 40 – 20
0
20
40
60
80
100
周围温度Ta ( ℃)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
周围温度Ta ( ℃)
I
首席执行官
- TA
10
10
3
t
r
— I
C
V
CC
= 10V
TA = 25°C
100
I
C
— d
V
CE
= 10V
TA = 25°C
I
F
= 20mA下
1
I
C
(%)
80
准则
0
d
60
I
首席执行官
(A)
10
2
V
CE
= 24V
10
–1
10V
t
r
(s)
R
L
= 1k
10
500
100
10
–2
相对于输出电流
暗电流
上升时间
40
1
10
–3
Sig.IN
V
CC
SIG 。 V
1
OUT
V
2
V
2
R
L
90%
10%
20
10
–4
– 40 – 20
,
,,
10
–1
10
–2
10
–1
1
V
1
50
t
r
t
d
t
f
10
0
0
1
2
3
4
5
6
0
20
40
60
80
100
周围温度Ta ( ℃)
集电极电流I
C
(MA )
间距d(毫米)
2
安全事项
砷化镓材料(砷化镓)用于
本产品。
危险
因此,不烧,破坏,剪切,挤压,或化学
美云分解的产物,因为砷化镓
材料以粉末或蒸气形式是对人体有害
健康。
可支配时遵守相关法律法规
荷兰国际集团的产品。不要用普通IN-混匀
处置时, dustrial废弃物或生活垃圾
砷化镓含产品。
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
( 1 )出口许可证需要从日本政府主管部门如果有任何要获得
在"Foreign外汇及外国在这种材料中描述和控制产品或技术
贸易Law"是要出口或带出日本。
( 2 )在本材料中描述的技术信息仅限于展示有代表性的特点和
该产品的应用电路的例子。它不构成工业产权的值得,给予
相对的权利,或给予任何许可。
(3)在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用或一般的电子
设备(如办公设备,通讯设备,测量仪器,家用电器AP-
pliances ) 。
提前为下列应用程序的信息,请咨询我们的销售人员:
特殊应用(例如用于飞机,航天,汽车,交通控制设备,燃烧
设备,生命支持系统和安全装置),其中出色的质量和可靠性要求,
或者,如果产品的失效或故障,可直接危及生命或危害人体。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
( 4 )在这种材料中描述的产品和产品规格如有变更,恕不另行通知
修改和/或改进的原因。在您的设计,采购,或者使用在本产品中的最后阶段
UCTS ,因此,要求的最先进的最新产品标准提前,以确保最新的specifi-
阳离子满足您的要求。
( 5 )在设计你的装备,顺应保证值,尤其是那些最大额定值时,
范围的操作电源电压和热辐射特性。否则,我们将不负责赔偿
可以在你的设备后出现的任何缺陷。
即使当产品在保证值范围内使用,采用冗余设计,建议,使
这些设备可能不违反有关法律,因为我们的产品的功能规范。
(6 )当使用的量干包装是必需的产品,观察的条件(包括货架寿命和离职后
拆包待机时间)约定,当规格表被单独更换。
( 7 )本材料的任何部分均不得未经书面许可,不得转载或复制以任何方式我们
公司。
使用数据表之前,请仔细阅读下面的注意事项
A.这些材料的目的是作为参考,以帮助客户松下的选择semiconduc-
器产品最适合他们的应用程序。
由于变形或其他原因,本资料中的任何信息,如可用的产品
类型,技术资料等,如有更改,恕不另行通知。
建议客户联系我们的半导体销售办事处和前获得最新信息
开始精确的技术研究和/或采购活动。
B.松下正在努力不断改进这些材料的质量和可靠性,但总是有
的可能性,进一步的纠正将需要在未来。因此,本公司将不承担任何
从可能出现在本资料的任何错误等而引起的任何损害赔偿责任。
C.这些材料仅适用于客户的个人使用。
因此,如果没有松下的事先书面同意,任何其他用途,如再现,出售,或
通过互联网或以任何其他方式这种材料分发到第三方,被禁止的。
2001年MAR
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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