75元（ G）系列
日前，Vishay
半导体
光电耦合器与光电晶体管输出
描述
在75元（ G）系列由一个光电晶体管
光耦合到一个砷化镓infrared-
发光二极管采用6引脚塑料双列直插式封装。
的元件被安装在一个引线框架用
a
共面技术，
提供一个固定的距离
输入和输出，用于最高安全性之间
要求。
应用
电路，用于对安全防护隔离
根据安全等级Ⅱ电击
（增强型隔离） ：
14827
D
对于APPL 。一流的I - IV的电源电压
≤
300 V
D
对于APPL 。 I类 - III在电源电压
≤
600 V
根据VDE 0884 ，表2 ，适用于：
开关模式电源供应器，线路接收器，COM的
计算机外设接口，微处理器
系统接口。
B
6
C
5
E
4
VDE标准
这些耦合器根据安全功能进行
到以下设备标准：
1
2
A（ + ）， C（ - ）
3
北卡罗来纳州
95 10805
D
VDE 0884
光电耦合器的电气安全要求
D
950 IEC / EN 60950
D
VDE 0804
D
IEC 65
为了安全电源操作的电子及相关
家庭设备
办公设备（适用于增强型隔离
对于电源电压
≤
400 V
RMS
)
设备
和
数据
电信
处理
订购说明
订购代码
点击率排行
CNY75A / CNY75GA
1)
63至125％
1)
CNY75B / CNY75GB
100200％
CNY75C / CNY75GC
1)
160 320 ％
1)
G = Leadform 10.16毫米; G不是标明阀体上
备注
牧师A4 ， 11 -JAN- 99
1 (12)
75元（ G）系列
日前，Vishay
半导体
特点
认证：
D
额定经常峰值电压（重复）
V
IORM
= 600 V
RMS
D
根据漏电电流电阻
VDE 0303 / IEC 112
相比漏电起痕指数： CTI
= 275
D
通过保温层厚度
≥
0.75 mm
一般特征：
D
BSI ：
BS EN 41003 ， BS EN 60095 （ BS 415 ）
BS EN 60950 （ BS 7002 ）
证书编号7081和7402
D
FIMKO
（ SETI ） ： EN 60950 ，
证书编号12399
D
美国保险商实验室
（ UL ） 1577认可，
文件编号E- 76222
D
VDE
0884 ，证书编号94778
VDE 0884相关的功能：
D
根据UL94 -VO绝缘材料
D
污染等级2
（ DIN / VDE 0110第1部分RESP 。 IEC 664 ）
D
气候分类55/100/21 （ IEC 68部分1 ）
D
特殊的结构：
。因此，特低耦合电容
典型的0.3 pF的，高
共模抑制
D
CTR的低温度系数
D
CTR 3组提供
D
耦合系统A
D
额定脉冲电压（瞬态过电压）
V
IOTM
= 6千伏高峰
D
绝缘测试电压
（局部放电试验电压）V
pd
= 1.6千伏
D
额定隔离电压（有效值包括直流）
V
IOWM
= 600 V
RMS
（ 848 V峰值）
绝对最大额定值
INPUT （发射器）
参数
反向电压
正向电流
正向浪涌电流
功耗
结温
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
V
T
j
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
ECO
I
C
I
CM
P
V
T
j
符号
V
IO
P
合计
T
AMB
T
英镑
T
sd
价值
5
60
3
100
125
价值
90
90
7
50
100
150
125
价值
3.75
250
-55到+100
-55到+125
260
单位
V
mA
A
mW
°
C
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°
C
单位
kV
mW
°
C
°
C
°
C
t
p
≤
10
m
s
T
AMB
≤
25
°
C
输出（检测器）
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
集电极电流峰值
功耗
结温
测试条件
t
p
/T = 0.5, t
p
≤
10毫秒
T
AMB
≤
25
°
C
耦合器
参数
交流隔离测试电压（有效值）
总功耗
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
测试条件
T = 1分
T
AMB
≤
25
°
C
2毫米的情况下，T
≤
10 s
2 (12)
牧师A4 ， 11 -JAN- 99
CNY75A / B / C / GA / GB / GC
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，带底座的连接
特点
根据UL94 -VO绝缘材料
污染等级2 （ DIN / VDE 0110 / RESP 。 IEC
60664)
气候类别55/100/21
（IEC 60068第1部分）
特种建筑：因此，超低cou-
典型的0.2 pF的的耦容量，高
常见
模抑制
CTR的低温度系数
3组CTR提供
额定隔离电压（有效值包括直流）
V
IOWM
= 600 V
RMS
（ 848 V峰值）
额定经常峰值电压（重复）
V
IORM
= 600 V
RMS
根据VDE 漏电电流电阻
0303 / IEC 60112
相比漏电起痕指数： CTI
≥
275
通过绝缘厚度
≥
0.75 mm
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
B
6
C
5
E
4
1
2
3
A（ + ）， C（ - ） NC
V
D E
17186
e3
Pb
无铅
对于APPL 。 I类 - III在电源电压
≤
600 V与符合
荷兰国际集团符合DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ） / DIN EN 60747-
5-5未决，表2，适用于：
开关模式电源供应器，线路接收器，COM的
计算机外设接口，微处理器系
统接口。
描述
该CNY75A / B / C / GA / GB / GC由一个光子的
totransistor光耦合到一个砷化镓
在6引脚塑料双列直插式红外线发光二极管
封装。
的元件被安装在一个引线框架provid-
荷兰国际集团的输入和输出之间的固定距离为高
EST的安全要求。
VDE标准
这些成色剂根据以下执行安全功能
设备标准：
机构认证
UL1577 ，文件号E76222系统代码A，双
保护
BSI ： BS EN 41003 ， BS EN 60095 （ BS 415 ） ， BS EN
60950 （ BS 7002 ） ，证书编号7081和
7402
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
VDE相关的功能：
额定脉冲电压（瞬态过电压）
V
IOTM
= 6千伏高峰
隔离测试电压（局部放电试验电压
年龄）V
pd
= 1.6千伏
FIMKO （ SETI ） ： EN 60950 ，证书编号12399
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ） / DIN EN 60747-5-5
PENDING
光电耦合器的电气安全要求
IEC 60950 / EN 60950
办公设备（适用于增强型隔离的电源电压
≤
400 VRMS ）
VDE 0804
IEC 60065
电信设备和数据处理
应用
电路，用于对electri-安全防护隔离
根据安全等级Ⅱ CAL冲击（增强异
LATION ） ：
对于APPL 。一流的I - IV的电源电压
≤
300 V
文档编号83536
修订版1.7 ， 10月26日04
安全电源操作电子和相关日用品appa-
ratus
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1
CNY75A / B / C / GA / GB / GC
威世半导体
订购信息
部分
CNY75A
CNY75B
CNY75C
CNY75GA
CNY75GB
CNY75GC
备注
CTR 63 - 125 ％ ， DIP - 6
CTR 100 - 200 ％ ， DIP - 6
CTR 160 - 320 ％ ， DIP - 6
CTR 63 - 125 ％ ， DIP - 6
CTR 100 - 200 ％ ， DIP - 6
CTR 160 - 320 ％ ， DIP - 6
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
G = Leadform 10.16毫米; G不是标明阀体上
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
正向电流
正向浪涌电流
功耗
结温
t
p
≤
10
s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
T
j
价值
5
60
3
100
125
单位
V
mA
A
mW
°C
产量
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
集电极电流峰值
功耗
结温
t
p
/T = 0.5, t
p
≤
10毫秒
测试条件
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
ECO
I
C
I
CM
P
DISS
T
j
价值
90
90
7
50
100
150
125
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°C
耦合器
参数
交流隔离测试电压（有效值）
总功耗
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
2毫米的情况下，T
≤
10 s
T = 1分
测试条件
符号
V
ISO
P
合计
T
AMB
T
英镑
T
SLD
价值
3750
250
- 55至+ 100
- 55至+ 125
260
单位
V
RMS
mW
°C
°C
°C
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2
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CNY75A / B / C / GA / GB / GC
威世半导体
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
反向电流
结电容
V
R
= 6 V
V
R
= 0中，f = 1 MHz的
测试条件
I
F
= 50毫安
符号
V
F
I
R
C
j
50
民
典型值。
1.25
最大
1.6
10
单位
V
A
pF
产量
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极 - 射极漏泄
当前
测试条件
I
C
= 100
A
I
C
= 1毫安
I
E
= 100
A
V
CE
= 20 V，I
F
= 0
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
ECO
I
首席执行官
民
90
90
7
150
典型值。
最大
单位
V
V
V
nA
耦合器
参数
集电极发射极饱和
电压
截止频率
耦合电容
测试条件
I
F
= 10 mA时，我
C
= 1毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安，
R
L
= 100
F = 1 MHz的
符号
V
CESAT
f
c
C
k
110
0.3
民
典型值。
最大
0.3
单位
V
千赫
pF
电流传输比
参数
I
C
/I
F
测试条件
V
CE
= 5 V，I
F
= 1毫安
部分
CNY75GA
CNY75GB
CNY75GC
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安
CNY75GA
CNY75GB
CNY75GC
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
民
15
30
60
63
100
160
1.25
200
320
典型值。
最大
单位
%
%
%
%
%
%
开关特性
参数
TEST
条件
符号
单位
CNY75GA
CNY75GB
CNY75GC
I
F
mA
10
10
10
t
D
s
2.0
2.5
2.8
t
r
s
2.5
3.0
4.2
当前
延迟
上升时间
存储
下降时间
开启
时间
打开-O FF
时间
开启
时间
打开-O FF
时间
V
CC
= 5 V ，R
L
= 100
（参见图3）
t
S
s
0.3
0.3
0.3
t
f
s
2.7
3.7
4.7
t
on
s
4.5
5.5
7.0
t
关闭
s
3.0
4.0
5.0
V
CC
= 5 V ，R
L
= 1.0 k
（见图4）
t
on
s
10.0
16.5
11.0
t
关闭
s
25.0
20.0
37.5
文档编号83536
修订版1.7 ， 10月26日04
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3
CNY75A / B / C / GA / GB / GC
威世半导体
最高安全评级
（根据DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ） / DIN EN 60747-5-5申请中）见图1
这个光电耦合器适用于仅在安全等级安全的电气隔离。
遵守安全评级，由适当的保护电路来保证。
输入
参数
正向电流
测试条件
符号
I
F
民
典型值。
最大
130
单位
mA
产量
参数
功耗
测试条件
符号
P
DISS
民
典型值。
最大
265
单位
mW
耦合器
参数
额定脉冲电压
安全温度
测试条件
符号
V
IOTM
T
si
民
典型值。
最大
6
150
单位
kV
°C
绝缘额定参数
参数
局部放电试验电压 -
例行试验
局部放电试验电压 -
很多试验（样品测试）
绝缘电阻
测试条件
100 %, t
TEST
= 1 s
t
Tr
= 60 S，T
TEST
= 10 s,
（参见图2）
V
IO
= 500 V
V
IO
= 500 V ，T
AMB
≤
100 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
≤
150 °C
（仅适用于建筑试验）
符号
V
pd
V
IOTM
V
pd
R
IO
R
IO
R
IO
民
1.6
6
1.3
10
12
10
11
10
9
典型值。
最大
单位
kV
kV
kV
V
IOTM
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
275
250
225
200
175
150
125
100
75
50
25
0
0
25
50
75
100
125
150
175
13930
P
si
（ mW）的
t
1
, t
2
= 1至10秒
t
3
, t
4
= 1 s
t
TEST
= 10 s
t
STRES
= 12 s
V
Pd
V
IOWM
V
IORM
I
si
（MA ）
0
t
1
t
Tr
= 60 s
t
2
t
3
t
TEST
t
4
t
STRES
t
95 10923
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
图1.降额图
根据DIN EN图2.测试脉冲图的样品测试
60747-5-2 （ VDE0884 ） / DIN EN 60747- ; IEC60747
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CNY75A / B / C / GA / GB / GC
威世半导体
典型特性（环境温度Tamb = 25
°C
除非另有规定编）
10000
I
首席执行官
- 集电极暗电流，
与开基（ NA）
300
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
电荷耦合器件
250
200
PHOTOTRANSISTOR
V
CE
=30V
I
F
=0
1000
150
红外二极管
100
50
0
0
40
80
120
100
10
1
0
95 11038
25
50
75
100
96 1
1700
T
AMB
- 环境牛逼
emperature （ ° C）
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图3.总功耗与环境温度
图6.集电极暗电流与环境温度
1000
I
F
- 正向电流（mA ）
I
CB
- 集电极基极电流（毫安）
1
V
CB
=5V
0.1
100
10
0.01
1
0.1
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
96 11862
0.001
1
95 11039
10
I
F
- 正向电流（mA ）
100
V
F
- 正向电压（ V）
图4.正向电流与正向电压
图7.集电极基极电流与正向电流
CTR
REL
- 相对电流传输比
100
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
–30 –20 –10 0 10 20 30 40 50 60 70 80
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
V
CE
=5V
I
F
=10mA
I
C
- 集电极电流（mA ）
1.5
V
CE
=5V
10
1
0.1
0.01
0.1
95 11040
1
10
100
96 11918
I
F
- 正向电流（mA ）
图5.相对电流传输比与环境
温度
图8.集电极电流与正向电流
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5
CNY75A/B/C/GA/GB/GC
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
带底座的连接
特点
B
6
C
5
E
4
根据UL94 -VO绝缘材料
污染等级
IEC 60664 ）
2
（ DIN / VDE
0110/resp.
气候类别55/100/21 （ IEC 60068
第1部分）
1
2
3
A（ + ）， C（ - ）
NC
特种建筑：所以，特低
典型的0.2 pF的耦合能力，较高的共
模抑制
CTR的低温度系数
3组CTR提供
=额定
隔离
电压
（ RMS
V
IOWM
= 600 V
RMS
（ 848 V峰值）
=额定
经常性
V
IORM
= 600 V
RMS
PEAK
电压
包括
DC）
V
D E
17186
电压
（瞬态
（重复）
过压）
描述
该CNY75A / B / C / GA / GB / GC由一个光电晶体管的
光耦合到一个砷化镓红外发光
二极管在一个6引脚塑料双列直插式封装。
的元件被安装在一个引线框架提供了一个
用于最高安全输入和输出之间的固定距离
要求。
=额定
冲动
V
IOTM
= 6千伏
PEAK
隔离测试电压（局部放电试验电压）
V
pd
= 1.6千伏
符合VDE漏电当前阻力0303 /
IEC 60112漏电起痕指数：
CTI
≥
275
通过绝缘厚度
≥
0.75 mm
铅（Pb） -free组件
按照RoHS元器件2002/95 / EC和
WEEE 2002/96 / EC
VDE标准
这些成色根据执行安全功能
以下设备标准：
DIN EN 60747-5-5
光电耦合器的电气安全要求
IEC 60950 / EN 60950
办公设备（适用于钢筋隔离电源
电压
≤
400 V
RMS
)
VDE 0804
电信设备和数据处理
IEC 60065
为了安全电源操作
家庭设备
电子
和
相关
应用
开关模式电源
线路接收器
计算机外设接口
微处理器系统接口
电路用于防止电气安全防护隔离
根据安全等级Ⅱ （增强型隔离）冲击：
- 对APPL 。一流的I - IV的电源电压
≤
300 V
- 对APPL 。 I类 - III在电源电压
≤
600 V
根据DIN EN 60747-5-5 。
机构认证
UL1577 ，文件号。 E76222系统代码A，双重保护
BSI ： BS EN 41003 ， BS EN 60095 （ BS 415 ） ， BS EN 60950
（ BS 7002 ） ，证书编号7081和7402
DIN EN 60747-5-5
FIMKO （ SETI ） ： EN 60950 ，证书编号12399
www.vishay.com
254
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
文档编号： 83536
修订版1.7 ， 08 08年5月
CNY75A/B/C/GA/GB/GC
光电耦合器，光电晶体管输出，
带底座的连接
订购信息
部分
CNY75A
CNY75B
CNY75C
CNY75GA
CNY75GB
CNY75GC
记
G = leadform 10.16毫米; G不是标明阀体上。
备注
点击率63 125％ ， DIP-6
点击率100200％ ， DIP-6
CTR 160 320 ％ ， DIP - 6
点击率63 125％ ， DIP-6
点击率100200％ ， DIP-6
CTR 160 320 ％ ， DIP - 6
威世半导体
绝对最大额定值
参数
输入
反向电压
正向电流
正向浪涌电流
功耗
结温
产量
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
集电极电流峰值
功耗
结温
耦合器
交流隔离测试电压（有效值）
总功耗
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
(2)
(1)
测试条件
符号
V
R
I
F
价值
5.0
60
3.0
100
125
90
90
7.0
50
100
150
125
3750
250
- 55至+ 100
- 55至+ 125
260
单位
V
mA
A
mW
°C
V
V
V
mA
mA
mW
°C
V
RMS
mW
°C
°C
°C
t
p
≤
10 s
I
FSM
P
DISS
T
j
V
CBO
V
首席执行官
V
ECO
I
C
t
p
/T = 0.5, t
p
≤
10毫秒
I
CM
P
DISS
T
j
T = 1分
V
ISO
P
合计
T
AMB
T
英镑
2毫米的情况下，T
≤
10 s
T
SLD
记
(1)
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不
隐含在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。暴露在绝对最大
供的长时间的评分可不利地影响可靠性。
(2)
请参阅波资料为通孔器件焊接条件。
电气特性的影响
参数
输入
正向电压
反向电流
结电容
I
F
= 50毫安
V
R
= 6 V
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
V
F
I
R
C
j
50
1.25
1.6
10
V
A
pF
测试条件
部分
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
文档编号： 83536
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CNY75A/B/C/GA/GB/GC
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
带底座的连接
电气特性的影响
参数
产量
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极 - 发射极漏电流
耦合器
集电极 - 发射极饱和电压
截止频率
耦合电容
I
F
= 10 mA时，我
C
= 1毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安，
R
L
= 100
Ω
F = 1 MHz的
V
CESAT
f
c
C
k
110
0.3
0.3
V
千赫
pF
I
C
= 100 A
I
C
= 1毫安
I
E
= 100 A
V
CE
= 20 V，I
F
= 0 A
V
CBO
V
首席执行官
V
ECO
I
首席执行官
90
90
7
150
V
V
V
nA
测试条件
部分
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
最小和最大值被测试requierements 。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评估。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
电流传输比
参数
测试条件
V
CE
= 5 V，I
F
= 1毫安
I
C
/I
F
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安
部分
CNY75GA
CNY75GB
CNY75GC
CNY75GA
CNY75GB
CNY75GC
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
分钟。
15
30
60
63
100
160
125
200
320
典型值。
马克斯。
单位
%
%
%
%
%
%
开关特性
参数
当前时间
测试条件
V
CC
= 5 V ，R
L
= 100
Ω
（参见图3）
V
CC
= 5 V ，R
L
= 100
Ω
（参见图3）
V
CC
= 5 V ，R
L
= 100
Ω
（参见图3）
V
CC
= 5 V ，R
L
= 100
Ω
（参见图3）
V
CC
= 5 V ，R
L
= 100
Ω
（参见图3）
V
CC
= 5 V ，R
L
= 100
Ω
（参见图3）
V
CC
= 5 V ，R
L
= 100
Ω
（参见图3）
部分
CNY75GA
CNY75GB
CNY75GC
CNY75GA
CNY75GB
CNY75GC
CNY75GA
CNY75GB
CNY75GC
CNY75GA
CNY75GB
CNY75GC
CNY75GA
CNY75GB
CNY75GC
CNY75GA
CNY75GB
CNY75GC
CNY75GA
CNY75GB
CNY75GC
打开-O FF时间
开启时间
贮存时间
下降时间
上升时间
延迟时间
符号
I
F
I
F
I
F
t
d
t
d
t
d
t
r
t
r
t
r
t
f
t
f
t
f
t
s
t
s
t
s
t
on
t
on
t
on
t
关闭
t
关闭
t
关闭
民
典型值。
10
10
10
2
2.5
2.8
2.5
3
4.2
2.7
3.7
4.7
0.3
0.3
0.3
4.5
5.5
7
3
4
5
最大
单位
mA
mA
mA
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
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CNY75A/B/C/GA/GB/GC
光电耦合器，光电晶体管输出，
带底座的连接
开关特性
参数
开启时间
测试条件
V
CC
= 5 V ，R
L
= 1 kΩ
（见图4）
部分
CNY75GA
CNY75GB
CNY75GC
CNY75GA
打开-O FF时间
V
CC
= 5 V ，R
L
= 1 kΩ
（见图4）
CNY75GB
CNY75GC
符号
t
on
t
on
t
on
t
关闭
t
关闭
t
关闭
民
典型值。
10
16.5
11
25
20
37.5
最大
单位
s
s
s
s
s
s
威世半导体
最高安全评级
参数
输入
正向电流
产量
功耗
耦合器
额定脉冲电压
安全温度
V
IOTM
T
si
6
150
kV
°C
P
DISS
265
mW
I
F
130
mA
测试条件
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
记
根据DIN EN 60747-5-5 （见图1 ） 。这个光电耦合器适用于仅在安全等级安全的电气隔离。合规
与安全评级，由适当的保护电路装置来保证。
绝缘额定参数
参数
局部放电试验电压 -
例行试验
局部放电试验电压 -
很多试验（样品测试）
测试条件
100 %, t
TEST
= 1 s
t
Tr
= 60 S，T
TEST
= 10 s,
（参见图2）
V
IO
= 500 V
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
≤
100 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
≤
150 °C
（仅适用于建筑试验）
符号
V
pd
V
IOTM
V
pd
R
IO
R
IO
R
IO
分钟。
1.6
6.0
1.3
10
12
10
11
10
9
典型值。
马克斯。
单位
kV
kV
kV
Ω
Ω
Ω
P - 总功率耗散（ mW）的
合计
275
250
225
200
175
150
125
100
75
50
25
0
0
25
50
75
100
125
150
175
I
si
（MA ）
P
si
（ mW）的
V
IOTM
t
1
, t
2
t
3
, t
4
t
TEST
t
STRES
V
Pd
V
IOWM
V
IORM
= 1至10秒
=1s
= 10 s
= 12 s
0
t
3
t
TEST
t
4
t
1
t
Tr
= 60 s
t
2
t
STRES
t
95 10923
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 1 - 降额图
13930
图。 2 - 测试脉冲图的样品测试，根据
DIN EN 60747-5-5 / DIN EN 60747- ; IEC60747
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CNY75A/B/C/GA/GB/GC
威世半导体
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
光电耦合器，光电晶体管输出，
带底座的连接
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
300
电荷耦合器件
250
200
PHOTOTRANSISTOR
150
100
50
0
0
40
80
120
红外二极管
10000
I
首席执行官
- 集电极暗电流，
同
开基（ NA）
V
CE
= 30
V
I
F
= 0
1000
100
10
1
0
95 11038
25
50
75
100
96 11700
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 3 - 总功率耗散与环境温度
图。 6 - 集电极暗电流与环境温度
1000
I
CB
- 集电极基极电流（毫安）
1
V
CB
= 5
V
0.1
I
F
- 正向电流（mA ）
100
10
0.01
1
0.1
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
96 11862
0.001
1
95 11039
10
I
F
- 正向电流（mA ）
100
V
F
- 前进
电压
(V)
图。 7 - 集电极基极电流与正向电流
图。 4 - 正向电流与正向电压
CTR
REL
- 相对电流传输比
1.5
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
- 30 - 20 - 10 0 10 20 30 40 50 60 70
80
100
I
C
- 集电极电流（毫安）
1.4
V
CE
= 5
V
I
F
= 10毫安
V
CE
= 5
V
10
1
0.1
0.01
0.1
95 11040
1
10
100
96 11918
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
I
F
- 正向电流（mA ）
图。 5 - 相对电流传输比与环境温度
图。 8 - 集电极电流与正向电流
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CNY75A / B / C / GA / GB / GC
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，带底座的连接
特点
根据UL94 -VO绝缘材料
污染等级2 （ DIN / VDE 0110 / RESP 。 IEC
60664)
气候类别55/100/21
（IEC 60068第1部分）
特种建筑：因此，超低cou-
典型的0.2 pF的的耦容量，高
常见
模抑制
CTR的低温度系数
3组CTR提供
额定隔离电压（有效值包括直流）
V
IOWM
= 600 V
RMS
（ 848 V峰值）
额定经常峰值电压（重复）
V
IORM
= 600 V
RMS
根据VDE 漏电电流电阻
0303 / IEC 60112
相比漏电起痕指数： CTI
≥
275
通过绝缘厚度
≥
0.75 mm
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
B
6
C
5
E
4
1
2
3
A（ + ）， C（ - ） NC
V
D E
17186
e3
Pb
无铅
对于APPL 。 I类 - III在电源电压
≤
600 V与符合
荷兰国际集团符合DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ） / DIN EN 60747-
5-5未决，表2，适用于：
开关模式电源供应器，线路接收器，COM的
计算机外设接口，微处理器系
统接口。
描述
该CNY75A / B / C / GA / GB / GC由一个光子的
totransistor光耦合到一个砷化镓
在6引脚塑料双列直插式红外线发光二极管
封装。
的元件被安装在一个引线框架provid-
荷兰国际集团的输入和输出之间的固定距离为高
EST的安全要求。
VDE标准
这些成色剂根据以下执行安全功能
设备标准：
机构认证
UL1577 ，文件号E76222系统代码A，双
保护
BSI ： BS EN 41003 ， BS EN 60095 （ BS 415 ） ， BS EN
60950 （ BS 7002 ） ，证书编号7081和
7402
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
VDE相关的功能：
额定脉冲电压（瞬态过电压）
V
IOTM
= 6千伏高峰
隔离测试电压（局部放电试验电压
年龄）V
pd
= 1.6千伏
FIMKO （ SETI ） ： EN 60950 ，证书编号12399
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ） / DIN EN 60747-5-5
PENDING
光电耦合器的电气安全要求
IEC 60950 / EN 60950
办公设备（适用于增强型隔离的电源电压
≤
400 VRMS ）
VDE 0804
IEC 60065
电信设备和数据处理
应用
电路，用于对electri-安全防护隔离
根据安全等级Ⅱ CAL冲击（增强异
LATION ） ：
对于APPL 。一流的I - IV的电源电压
≤
300 V
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修订版1.7 ， 10月26日04
安全电源操作电子和相关日用品appa-
ratus
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CNY75A / B / C / GA / GB / GC
威世半导体
订购信息
部分
CNY75A
CNY75B
CNY75C
CNY75GA
CNY75GB
CNY75GC
备注
CTR 63 - 125 ％ ， DIP - 6
CTR 100 - 200 ％ ， DIP - 6
CTR 160 - 320 ％ ， DIP - 6
CTR 63 - 125 ％ ， DIP - 6
CTR 100 - 200 ％ ， DIP - 6
CTR 160 - 320 ％ ， DIP - 6
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
G = Leadform 10.16毫米; G不是标明阀体上
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
正向电流
正向浪涌电流
功耗
结温
t
p
≤
10
s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
T
j
价值
5
60
3
100
125
单位
V
mA
A
mW
°C
产量
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
集电极电流峰值
功耗
结温
t
p
/T = 0.5, t
p
≤
10毫秒
测试条件
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
ECO
I
C
I
CM
P
DISS
T
j
价值
90
90
7
50
100
150
125
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°C
耦合器
参数
交流隔离测试电压（有效值）
总功耗
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
2毫米的情况下，T
≤
10 s
T = 1分
测试条件
符号
V
ISO
P
合计
T
AMB
T
英镑
T
SLD
价值
3750
250
- 55至+ 100
- 55至+ 125
260
单位
V
RMS
mW
°C
°C
°C
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CNY75A / B / C / GA / GB / GC
威世半导体
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
反向电流
结电容
V
R
= 6 V
V
R
= 0中，f = 1 MHz的
测试条件
I
F
= 50毫安
符号
V
F
I
R
C
j
50
民
典型值。
1.25
最大
1.6
10
单位
V
A
pF
产量
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极 - 射极漏泄
当前
测试条件
I
C
= 100
A
I
C
= 1毫安
I
E
= 100
A
V
CE
= 20 V，I
F
= 0
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
ECO
I
首席执行官
民
90
90
7
150
典型值。
最大
单位
V
V
V
nA
耦合器
参数
集电极发射极饱和
电压
截止频率
耦合电容
测试条件
I
F
= 10 mA时，我
C
= 1毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安，
R
L
= 100
F = 1 MHz的
符号
V
CESAT
f
c
C
k
110
0.3
民
典型值。
最大
0.3
单位
V
千赫
pF
电流传输比
参数
I
C
/I
F
测试条件
V
CE
= 5 V，I
F
= 1毫安
部分
CNY75GA
CNY75GB
CNY75GC
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安
CNY75GA
CNY75GB
CNY75GC
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
民
15
30
60
63
100
160
1.25
200
320
典型值。
最大
单位
%
%
%
%
%
%
开关特性
参数
TEST
条件
符号
单位
CNY75GA
CNY75GB
CNY75GC
I
F
mA
10
10
10
t
D
s
2.0
2.5
2.8
t
r
s
2.5
3.0
4.2
当前
延迟
上升时间
存储
下降时间
开启
时间
打开-O FF
时间
开启
时间
打开-O FF
时间
V
CC
= 5 V ，R
L
= 100
（参见图3）
t
S
s
0.3
0.3
0.3
t
f
s
2.7
3.7
4.7
t
on
s
4.5
5.5
7.0
t
关闭
s
3.0
4.0
5.0
V
CC
= 5 V ，R
L
= 1.0 k
（见图4）
t
on
s
10.0
16.5
11.0
t
关闭
s
25.0
20.0
37.5
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CNY75A / B / C / GA / GB / GC
威世半导体
最高安全评级
（根据DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ） / DIN EN 60747-5-5申请中）见图1
这个光电耦合器适用于仅在安全等级安全的电气隔离。
遵守安全评级，由适当的保护电路来保证。
输入
参数
正向电流
测试条件
符号
I
F
民
典型值。
最大
130
单位
mA
产量
参数
功耗
测试条件
符号
P
DISS
民
典型值。
最大
265
单位
mW
耦合器
参数
额定脉冲电压
安全温度
测试条件
符号
V
IOTM
T
si
民
典型值。
最大
6
150
单位
kV
°C
绝缘额定参数
参数
局部放电试验电压 -
例行试验
局部放电试验电压 -
很多试验（样品测试）
绝缘电阻
测试条件
100 %, t
TEST
= 1 s
t
Tr
= 60 S，T
TEST
= 10 s,
（参见图2）
V
IO
= 500 V
V
IO
= 500 V ，T
AMB
≤
100 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
≤
150 °C
（仅适用于建筑试验）
符号
V
pd
V
IOTM
V
pd
R
IO
R
IO
R
IO
民
1.6
6
1.3
10
12
10
11
10
9
典型值。
最大
单位
kV
kV
kV
V
IOTM
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
275
250
225
200
175
150
125
100
75
50
25
0
0
25
50
75
100
125
150
175
13930
P
si
（ mW）的
t
1
, t
2
= 1至10秒
t
3
, t
4
= 1 s
t
TEST
= 10 s
t
STRES
= 12 s
V
Pd
V
IOWM
V
IORM
I
si
（MA ）
0
t
1
t
Tr
= 60 s
t
2
t
3
t
TEST
t
4
t
STRES
t
95 10923
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
图1.降额图
根据DIN EN图2.测试脉冲图的样品测试
60747-5-2 （ VDE0884 ） / DIN EN 60747- ; IEC60747
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4
文档编号83536
修订版1.7 ， 10月26日04
CNY75A / B / C / GA / GB / GC
威世半导体
典型特性（环境温度Tamb = 25
°C
除非另有规定编）
10000
I
首席执行官
- 集电极暗电流，
与开基（ NA）
300
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
电荷耦合器件
250
200
PHOTOTRANSISTOR
V
CE
=30V
I
F
=0
1000
150
红外二极管
100
50
0
0
40
80
120
100
10
1
0
95 11038
25
50
75
100
96 1
1700
T
AMB
- 环境牛逼
emperature （ ° C）
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图3.总功耗与环境温度
图6.集电极暗电流与环境温度
1000
I
F
- 正向电流（mA ）
I
CB
- 集电极基极电流（毫安）
1
V
CB
=5V
0.1
100
10
0.01
1
0.1
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
96 11862
0.001
1
95 11039
10
I
F
- 正向电流（mA ）
100
V
F
- 正向电压（ V）
图4.正向电流与正向电压
图7.集电极基极电流与正向电流
CTR
REL
- 相对电流传输比
100
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
–30 –20 –10 0 10 20 30 40 50 60 70 80
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
V
CE
=5V
I
F
=10mA
I
C
- 集电极电流（mA ）
1.5
V
CE
=5V
10
1
0.1
0.01
0.1
95 11040
1
10
100
96 11918
I
F
- 正向电流（mA ）
图5.相对电流传输比与环境
温度
图8.集电极电流与正向电流
文档编号83536
修订版1.7 ， 10月26日04
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5
75元（ G）系列
日前，Vishay
半导体
光电耦合器与光电晶体管输出
描述
在75元（ G）系列由一个光电晶体管
光耦合到一个砷化镓infrared-
发光二极管采用6引脚塑料双列直插式封装。
的元件被安装在一个引线框架用
a
共面技术，
提供一个固定的距离
输入和输出，用于最高安全性之间
要求。
应用
电路，用于对安全防护隔离
根据安全等级Ⅱ电击
（增强型隔离） ：
14827
D
对于APPL 。一流的I - IV的电源电压
≤
300 V
D
对于APPL 。 I类 - III在电源电压
≤
600 V
根据VDE 0884 ，表2 ，适用于：
开关模式电源供应器，线路接收器，COM的
计算机外设接口，微处理器
系统接口。
B
6
C
5
E
4
VDE标准
这些耦合器根据安全功能进行
到以下设备标准：
1
2
A（ + ）， C（ - ）
3
北卡罗来纳州
95 10805
D
VDE 0884
光电耦合器的电气安全要求
D
950 IEC / EN 60950
D
VDE 0804
D
IEC 65
为了安全电源操作的电子及相关
家庭设备
办公设备（适用于增强型隔离
对于电源电压
≤
400 V
RMS
)
设备
和
数据
电信
处理
订购说明
订购代码
点击率排行
CNY75A / CNY75GA
1)
63至125％
1)
CNY75B / CNY75GB
100200％
CNY75C / CNY75GC
1)
160 320 ％
1)
G = Leadform 10.16毫米; G不是标明阀体上
备注
牧师A4 ， 11 -JAN- 99
1 (12)
75元（ G）系列
日前，Vishay
半导体
特点
认证：
D
额定经常峰值电压（重复）
V
IORM
= 600 V
RMS
D
根据漏电电流电阻
VDE 0303 / IEC 112
相比漏电起痕指数： CTI
= 275
D
通过保温层厚度
≥
0.75 mm
一般特征：
D
BSI ：
BS EN 41003 ， BS EN 60095 （ BS 415 ）
BS EN 60950 （ BS 7002 ）
证书编号7081和7402
D
FIMKO
（ SETI ） ： EN 60950 ，
证书编号12399
D
美国保险商实验室
（ UL ） 1577认可，
文件编号E- 76222
D
VDE
0884 ，证书编号94778
VDE 0884相关的功能：
D
根据UL94 -VO绝缘材料
D
污染等级2
（ DIN / VDE 0110第1部分RESP 。 IEC 664 ）
D
气候分类55/100/21 （ IEC 68部分1 ）
D
特殊的结构：
。因此，特低耦合电容
典型的0.3 pF的，高
共模抑制
D
CTR的低温度系数
D
CTR 3组提供
D
耦合系统A
D
额定脉冲电压（瞬态过电压）
V
IOTM
= 6千伏高峰
D
绝缘测试电压
（局部放电试验电压）V
pd
= 1.6千伏
D
额定隔离电压（有效值包括直流）
V
IOWM
= 600 V
RMS
（ 848 V峰值）
绝对最大额定值
INPUT （发射器）
参数
反向电压
正向电流
正向浪涌电流
功耗
结温
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
V
T
j
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
ECO
I
C
I
CM
P
V
T
j
符号
V
IO
P
合计
T
AMB
T
英镑
T
sd
价值
5
60
3
100
125
价值
90
90
7
50
100
150
125
价值
3.75
250
-55到+100
-55到+125
260
单位
V
mA
A
mW
°
C
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°
C
单位
kV
mW
°
C
°
C
°
C
t
p
≤
10
m
s
T
AMB
≤
25
°
C
输出（检测器）
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
集电极电流峰值
功耗
结温
测试条件
t
p
/T = 0.5, t
p
≤
10毫秒
T
AMB
≤
25
°
C
耦合器
参数
交流隔离测试电压（有效值）
总功耗
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
测试条件
T = 1分
T
AMB
≤
25
°
C
2毫米的情况下，T
≤
10 s
2 (12)
牧师A4 ， 11 -JAN- 99
QQ：2881677436 复制
