CNY64AYST ， CNY64ABST ， CNY64AGRST ， CNY65AYST ， CNY65ABST ， CNY65AGRST
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威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，非常高隔离电压
顶视图
CNY64ST
特点
C
A
CNY65ST
C
E
V
D E
17187-6
17187-5
额定经常峰值电压（重复）
V
IORM
= 1450 V
PEAK
通过绝缘厚度
≥
3 mm
根据漏电电流电阻
VDE 0303 / IEC 60112的比较跟踪
指数：
CTI
≥
475
湿度敏感等级MSL4
- 按照规定存放和焊接
需求
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
记
**
请参阅文件“日前，Vishay材质分类政策” ：
www.vishay.com/doc?99902
描述
该CNY6XST ，高隔离电压SMD版
光电耦合器由一个光电晶体管光耦合的
在一个4针，以砷化镓红外发光二极管
塑料封装。
单个部件安装相对彼此
提供输入和输出之间的距离为最
的> 3毫米安全要求。
应用
太阳能和风能的诊断，监测和
通信设备
焊接设备
高压电机
开关模式电源
线路接收器
计算机外设接口
微处理器系统接口
电路用于防止电气安全防护隔离
根据安全等级Ⅱ （增强型隔离）冲击：
- 对APPL 。 I类至IV的电源电压
≤
300 V
- 对APPL 。 I类至IV的电源电压
≤
600 V
- 对APPL 。 I类至III的电源电压
≤
1000 V
根据DIN EN 60747-5-2 （ VDE 0884 ）
VDE标准
这些成色根据执行安全功能
以下设备标准：
DIN EN 60747-5-2 （ VDE 0884 ）
光电耦合器的电气安全要求
IEC 60065
为了安全电源操作
家庭设备
电子
和
相关
VDE 0160
对于电力设备电子设备
机构认证
DIN EN 60747-5-2 （ VDE 0884 ）（待定）
UL1577 ，文件号。 E76222系统代码H，J和K
（申请中）
VDE相关的功能：
- 额定脉冲电压（瞬态过压） ，
V
IOTM
= 12千伏
PEAK
- 隔离测试电压（局部放电试验电压） ，
V
pd
= 2.8千伏
PEAK
订购信息
CNY64ST
CNY65ST
C
N
Y
6
#
包
选项
X
X
X
CTR BIN
S
T
产品型号
10.16 mm
15.24 mm
代理认证/ PACKAGE
UL ， VDE
SMD - 4高压， 400万高隔离距离
SMD - 4高压， 600万高隔离距离
1.0版， 20月， 11
50至300
CNY64ST
CNY65ST
50至150
CNY64AYST
CNY65AYST
CTR （ ％ ）
5毫安
80 240
CNY64ABST
CNY65ABST
100至300
CNY64AGRST
CNY65AGRST
文档编号： 82387
1
如有技术问题，请联系：
optocoupleranswers@vishay.com
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
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CNY64AYST ， CNY64ABST ， CNY64AGRST ， CNY65AYST ， CNY65ABST ， CNY65AGRST
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威世半导体
测试条件
符号
V
R
I
F
t
p
≤
10 μs
I
FSM
P
DISS
T
j
V
首席执行官
V
ECO
I
C
t
p
/T = 0.5, t
p
≤
10毫秒
I
CM
P
DISS
T
j
T = 1分
t=1s
V
ISO
V
ISO
P
合计
T
AMB
T
英镑
2毫米的情况下，
≤
10 s
T
SLD
价值
5
75
1.5
120
100
32
7
50
100
130
100
8.2
13.9
250
- 55至+ 85
- 55至+ 100
260
单位
V
mA
A
mW
°C
V
V
mA
mA
mW
°C
kV
RMS
kV
mW
°C
°C
°C
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
输入
反向电压
正向电流
正向浪涌电流
功耗
结温
产量
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
集电极电流峰值
功耗
结温
耦合器
交流隔离测试电压CNY64AxxxST
DC隔离测试电压CNY65AxxxST
总功耗
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
记
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不
隐含在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。暴露在绝对
对于长时间处于最大额定值可能产生不利影响的可靠性。
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
输入
正向电压
结电容
产量
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极 - 发射极漏电流
耦合器
集电极 - 发射极饱和电压
截止频率
耦合电容
I
F
= 10 mA时，我
C
= 1毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安，R
L
= 100
Ω
F = 1 MHz的
V
CESAT
f
c
C
k
110
0.3
0.3
V
千赫
pF
I
C
= 1毫安
I
E
= 100 μA
V
CE
= 20 V，I
F
= 0毫安
V
首席执行官
V
ECO
I
首席执行官
32
7
200
V
V
nA
I
F
= 50毫安
V
R
= 0中，f = 1 MHz的
V
F
C
j
1.32
50
1.6
V
pF
测试条件
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
记
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
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威世半导体
测试条件
部分
CNY64ST
CNY65ST
CNY64AYST
CNY65AYST
CNY64ABST
CNY65ABST
CNY64AGRST
CNY65AGRST
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
分钟。
50
50
50
50
80
80
100
100
典型值。
马克斯。
300
300
150
150
240
240
300
300
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
电流传输比
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
I
C
/I
F
V
CE
= 5 V，I
F
= 5毫安
安全和绝缘参数
参数
局部放电试验电压 -
例行试验
局部放电试验电压 -
很多试验（样品测试）
测试条件
100 %, t
TEST
= 1 s
t
Tr
= 60 S，T
TEST
= 10 s,
（参见图2）
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 150 °C
（仅适用于建筑试验）
正向电流
功耗
额定脉冲电压
安全温度
防跟踪
（相比漏电起痕指数）
最少的外部跟踪
（爬电距离）
绝缘组IVA
从实测
输入引脚到输出引脚
CNY64ST
CNY65ST
部分
符号
V
pd
V
pd
R
IO
R
IO
R
IO
I
si
P
so
V
IOTM
T
si
CTI
475
≥
9.5
≥
14
mm
mm
分钟。
2.8
2.2
10
12
10
11
10
9
120
250
12
150
典型值。
马克斯。
单位
kV
kV
Ω
Ω
Ω
mA
mW
kV
°C
记
根据DIN EN 60747-5-2 （见图2 ） 。这个光电耦合器适用于仅在安全等级安全的电气隔离。
遵守安全评级，由适当的保护电路来保证。
250
225
200
175
150
125
100
75
50
25
0
0
22292
V
IOTM
P
so
（ mW）的
t
1
, t
2
t
3
, t
4
t
TEST
t
STRES
V
pd
V
IOWM
V
IORM
= 1秒至10秒
=1s
= 10 s
= 12 s
I
si
（MA ）
0
25
50
75 100 125 150 175 200
t
3
t
TEST
t
4
t
1
t
Tr
= 60 s
t
2
t
STRES
t
T
AMB
(°C)
图。 1 - 安全降额图
13930
图。 2 - 测试脉冲图的样品测试，根据
DIN EN 60747-5-2 （ VDE 0884 ） ; IEC60747-5-5
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威世半导体
测试条件
符号
t
d
t
r
t
f
t
s
t
on
t
关闭
t
on
t
关闭
分钟。
典型值。
2.6
2.4
2.7
0.3
5
3
25
42.5
马克斯。
单位
μs
μs
μs
μs
μs
μs
μs
μs
开关特性
参数
延迟时间
上升时间
下降时间
贮存时间
开启时间
打开-O FF时间
开启时间
打开-O FF时间
V
S
= 5 V，I
C
= 5毫安，R
L
= 100
Ω,
（参见图3）
V
S
= 5 V，I
C
= 5毫安，R
L
= 100
Ω,
（参见图3）
V
S
= 5 V，I
C
= 5毫安，R
L
= 100
Ω,
（参见图3）
V
S
= 5 V，I
C
= 5毫安，R
L
= 100
Ω,
（参见图3）
V
S
= 5 V，I
C
= 5毫安，R
L
= 100
Ω,
（参见图3）
V
S
= 5 V，I
C
= 5毫安，R
L
= 100
Ω,
（参见图3）
V
S
= 5 V，I
F
= 10毫安，R
L
= 1千欧， （参见图4）
V
S
= 5 V，I
F
= 10毫安，R
L
= 1千欧， （参见图4）
I
F
0
I
F
I
F
+5V
I
C
= 5毫安;通过调整
输入幅度
0
I
C
100 %
90 %
t
p
t
R
G
= 50
t
p
= 0.01
T
t
p
= 50 s
通道I
道II
50
100
示波器
R
L
1 M
C
L
20 pF的
10 %
0
t
r
t
d
t
on
t
p
t
d
t
r
t
on
(= t
d
+ t
r
)
脉冲持续时间
延迟时间
上升时间
开启时间
t
s
t
f
t
关闭
t
s
t
f
t
关闭
(= t
s
+ t
f
)
贮存时间
下降时间
打开-O FF时间
96 11698
t
95 10900
图。 3 - 测试电路，非饱和运算
图。 5 - 开关时间
I
F
0
I
F
= 10毫安
+5V
I
C
R
G
= 50
Ω
t
p
= 0.01
T
t
p
= 50 s
通道I
道II
50
Ω
95 10843
示波器
R
L
≥
1 MΩ
C
L
≤
20 pF的
1 kΩ
图。 4 - 测试电路，饱和运算
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4
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典型特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
威世半导体
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
280
240
电荷耦合器件
200
160
PHOTOTRANSISTOR
120
红外二极管
80
40
0
0
25
50
75
100
30
I
C
- 集电极电流（毫安）
I
F
= 25毫安
25
20
15
10
I
F
= 5毫安
I
F
= 10毫安
5
I
F
= 1毫安
I
F
= 2毫安
0
0
22509
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
22293
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
V
CE
- 集电极发射极电压（SAT） （V ）
图。 6 - 总功率耗散与环境温度
图。 9 - 集电极电流与集电极发射极电压
100
1000
I
F
- 正向电流（mA ）
I
首席执行官
- 漏电流（ nA的）
I
F
= 0
100
10
1
0.1
V
CE
= 40 V
0.01
- 55 - 35 - 15
5
25
10
T
AMB
= - 55 °C
T
AMB
= - 40 °C
T
AMB
= 0 °C
T
AMB
= 25 °C
1
T
AMB
= 50 °C
T
AMB
= 75 °C
T
AMB
= 85 °C
V
CE
= 12 V
V
CE
= 24 V
0.1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
45
65
85
V
F
- 正向电压（ V）
图。 7 - 正向电流与正向电压
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 10 - 漏电流与环境温度
45
1.2
I
F
= 30毫安
I
C
- 集电极电流（毫安）
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
2
N
CTR
- 归CTR （SAT）
V
CE
= 0.4 V
I
F
= 10毫安
1.0
I
F
= 5毫安
0.8
0.6
I
F
= 1毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 15毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 5毫安
0.4
0.2
0
- 55 - 40 - 20
4
6
8
10
12
0
20
40
60
85
22508
V
CE
- 集电极发射极电压（ NS ） （V ）
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 11 - 归CTR （SAT）与环境温度
图。 8 - 集电极电流与集电极发射极电压（ NS ）
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5
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