CNY64 / CNY65 / CNY66
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，非常高隔离
电压
特点
额定隔离电压（有效值包括直流）
V
IOWM
= 1000
V
RMS
(1450
V
峰）
额定经常峰值电压（重复）
V
IORM
= 1000
V
RMS
通过绝缘厚度
≥
3 mm
根据漏电电流电阻
VDE
0303 / IEC 60112
相比漏电起痕指数：
CTI
≥
200
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
64
65
顶视图
A
C
66
V
D E
机构认证
UL1577 ，文件号E76222系统代码H ，J &K ，
双重保护
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
VDE
相关功能：
额定脉冲电压（瞬态过电压）
V
IOTM
= 8千伏高峰
隔离测试电压（局部放电试验电压
年龄）
V
pd
= 2.8千伏高峰
C
E
17187
e4
Pb
无铅
订购信息
部分
CNY64
CNY65
CNY66
CNY64A
CNY65A
CNY64B
CNY65B
备注
CTR 50 - 300 ％ ，高的隔离距离， 4 PIN
CTR 50 - 300 ％ ，高的隔离距离， 4 PIN
CTR 50 - 300 ％ ，高的隔离距离， 4 PIN
CTR 63 - 125 ％ ，高的隔离距离， 4 PIN
CTR 63 - 125 ％ ，高的隔离距离， 4 PIN
CTR 100 - 200 ％ ，高的隔离距离， 4 PIN
CTR 100 - 200 ％ ，高的隔离距离， 4 PIN
应用
电路，用于对electri-安全防护隔离
根据安全等级Ⅱ CAL冲击（增强异
LATION ） ：
对于APPL 。一流的I - IV的电源电压
≤
300
V
对于APPL 。一流的I - IV的电源电压
≤
600
V
对于APPL 。 I类 - III在电源电压
≤
1000
V
与符合
荷兰国际集团符合DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ） / DIN EN 60747-
5-5未决，表2，适用于：
开关模式电源供应器，线路接收器，电脑
外围接口，微处理器系统接口
脸上。
描述
该CNY64 / CNY65 / CNY66由一个phototrans-的
iStor的光耦合到一个砷化镓infrared-
发光二极管的4引脚塑料封装。
单个部件安装相对的
另外，提供了输入和之间的距离输出
放为> 3毫米最高安全要求。
VDE标准
这些成色剂根据以下执行安全功能
设备标准：
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ） / DIN EN 60747-5-5
PENDING
光电耦合器的电气安全要求
IEC 60950 / EN 60950
文档编号83540
修订版1.6 ， 10月26日04
www.vishay.com
1
CNY64 / CNY65 / CNY66
威世半导体
办公设备（适用于增强型隔离的电源电压
日前，Vishay
VDE 0700 / IEC 60335
家庭设备
≤
400
VRMS ）
VDE 0804
IEC 60065
VDE 0160
对于电力设备电子设备
电信设备和数据处理
VDE 0750 / IEC 60601
医疗设备
安全电源操作电子和相关家庭appa-
ratus
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
正向电流
正向浪涌电流
功耗
结温
t
p
≤
10
s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
T
j
价值
5
75
1.5
120
100
单位
V
mA
A
mW
°C
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
集电极电流峰值
功耗
结温
t
p
/T = 0.5, t
p
≤
10毫秒
测试条件
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
C
I
CM
P
DISS
T
j
价值
32
7
50
100
130
100
单位
V
V
mA
mA
mW
°C
耦合器
参数
交流隔离测试电压（有效值）
总功耗
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
2毫米的情况下，T
≤
10 s
T = 1分
测试条件
符号
V
ISO
P
合计
T
AMB
T
英镑
T
SLD
价值
8.2
250
- 55至+ 85
- 55至+ 100
260
单位
kV
mW
°C
°C
°C
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文档编号83540
修订版1.6 ， 10月26日04
日前，Vishay
电气特性
CNY64 / CNY65 / CNY66
威世半导体
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
结电容
测试条件
I
F
= 50毫安
V
R
= 0中，f = 1 MHz的
符号
V
F
C
j
民
典型值。
1.25
50
最大
1.6
单位
V
pF
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极 - 射极漏泄
当前
测试条件
I
C
= 1毫安
I
E
= 100
A
V
CE
= 20
V,
I
f
= 0
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
首席执行官
民
32
7
200
典型值。
最大
单位
V
V
nA
耦合器
参数
集电极发射极饱和
电压
截止频率
耦合电容
测试条件
I
F
= 10 mA时，我
C
= 1毫安
V
CE
= 5
V,
I
F
= 10毫安，
R
L
= 100
F = 1 MHz的
符号
V
CESAT
f
c
C
k
110
0.3
民
典型值。
最大
0.3
单位
V
千赫
pF
电流传输比
参数
I
C
/I
F
测试条件
V
CE
= 5
V,
I
F
= 10毫安
CNY64A
CNY65A
CNY64B
CNY65B
部分
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
民
50
63
63
100
100
典型值。
最大
300
125
125
200
200
单位
%
%
%
%
%
最高安全评级
（根据DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ） / DIN EN 60747-5-5申请中）见图1
这个光电耦合器适用于仅在安全等级安全的电气隔离。
遵守安全评级，由适当的保护电路来保证。
输入
参数
正向电流
测试条件
符号
I
F
民
典型值。
最大
120
单位
mA
产量
参数
功耗
测试条件
符号
P
DISS
民
典型值。
最大
250
单位
mW
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威世半导体
耦合器
参数
额定脉冲电压
安全温度
测试条件
符号
V
IOTM
T
si
民
典型值。
最大
8
150
日前，Vishay
单位
kV
°C
绝缘额定参数
参数
局部放电试验电压 -
例行试验
局部放电试验电压 -
很多试验（样品测试）
绝缘电阻
测试条件
100 %, t
TEST
= 1 s
t
Tr
= 60 S，T
TEST
= 10 s,
（参见图2）
V
IO
= 500
V,
T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500
V,
T
AMB
= 100 °C
V
IO
= 500
V,
T
AMB
= 150 °C
（仅适用于建筑试验）
符号
V
pd
V
IOTM
V
pd
R
IO
R
IO
R
IO
民
2.8
8
2.2
10
12
10
11
10
9
典型值。
最大
单位
kV
kV
kV
V
IOTM
250
225
200
175
150
125
100
75
50
25
0
0
95 10922
P
si
（ mW）的
t
1
, t
2
= 1至10秒
t
3
, t
4
= 1 s
t
TEST
= 10 s
t
STRES
= 12 s
V
Pd
V
IOWM
V
IORM
I
si
（MA ）
0
13930
t
3
t
TEST
t
4
t
1
t
Tr
= 60 s
t
2
t
STRES
25
50
75
100 125 150 175 200
T
AMB
( °C )
t
图1.降额图
根据DIN EN图2.测试脉冲图的样品测试
60747-5-2 （ VDE0884 ） / DIN EN 60747- ; IEC60747
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威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，非常高隔离
电压
特点
额定隔离电压（有效值包括直流）
V
IOWM
= 1000
V
RMS
(1450
V
峰）
额定经常峰值电压（重复）
V
IORM
= 1000
V
RMS
通过绝缘厚度
≥
3 mm
根据漏电电流电阻
VDE
0303 / IEC 60112
相比漏电起痕指数：
CTI
≥
200
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
64
65
顶视图
A
C
66
V
D E
机构认证
UL1577 ，文件号E76222系统代码H ，J &K ，
双重保护
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
VDE
相关功能：
额定脉冲电压（瞬态过电压）
V
IOTM
= 8千伏高峰
隔离测试电压（局部放电试验电压
年龄）
V
pd
= 2.8千伏高峰
C
E
17187
e4
Pb
无铅
订购信息
部分
CNY64
CNY65
CNY66
CNY64A
CNY65A
CNY64B
CNY65B
备注
CTR 50 - 300 ％ ，高的隔离距离， 4 PIN
CTR 50 - 300 ％ ，高的隔离距离， 4 PIN
CTR 50 - 300 ％ ，高的隔离距离， 4 PIN
CTR 63 - 125 ％ ，高的隔离距离， 4 PIN
CTR 63 - 125 ％ ，高的隔离距离， 4 PIN
CTR 100 - 200 ％ ，高的隔离距离， 4 PIN
CTR 100 - 200 ％ ，高的隔离距离， 4 PIN
应用
电路，用于对electri-安全防护隔离
根据安全等级Ⅱ CAL冲击（增强异
LATION ） ：
对于APPL 。一流的I - IV的电源电压
≤
300
V
对于APPL 。一流的I - IV的电源电压
≤
600
V
对于APPL 。 I类 - III在电源电压
≤
1000
V
与符合
荷兰国际集团符合DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ） / DIN EN 60747-
5-5未决，表2，适用于：
开关模式电源供应器，线路接收器，电脑
外围接口，微处理器系统接口
脸上。
描述
该CNY64 / CNY65 / CNY66由一个phototrans-的
iStor的光耦合到一个砷化镓infrared-
发光二极管的4引脚塑料封装。
单个部件安装相对的
另外，提供了输入和之间的距离输出
放为> 3毫米最高安全要求。
VDE标准
这些成色剂根据以下执行安全功能
设备标准：
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ） / DIN EN 60747-5-5
PENDING
光电耦合器的电气安全要求
IEC 60950 / EN 60950
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CNY64 / CNY65 / CNY66
威世半导体
办公设备（适用于增强型隔离的电源电压
日前，Vishay
VDE 0700 / IEC 60335
家庭设备
≤
400
VRMS ）
VDE 0804
IEC 60065
VDE 0160
对于电力设备电子设备
电信设备和数据处理
VDE 0750 / IEC 60601
医疗设备
安全电源操作电子和相关家庭appa-
ratus
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
正向电流
正向浪涌电流
功耗
结温
t
p
≤
10
s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
T
j
价值
5
75
1.5
120
100
单位
V
mA
A
mW
°C
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
集电极电流峰值
功耗
结温
t
p
/T = 0.5, t
p
≤
10毫秒
测试条件
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
C
I
CM
P
DISS
T
j
价值
32
7
50
100
130
100
单位
V
V
mA
mA
mW
°C
耦合器
参数
交流隔离测试电压（有效值）
总功耗
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
2毫米的情况下，T
≤
10 s
T = 1分
测试条件
符号
V
ISO
P
合计
T
AMB
T
英镑
T
SLD
价值
8.2
250
- 55至+ 85
- 55至+ 100
260
单位
kV
mW
°C
°C
°C
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日前，Vishay
电气特性
CNY64 / CNY65 / CNY66
威世半导体
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
结电容
测试条件
I
F
= 50毫安
V
R
= 0中，f = 1 MHz的
符号
V
F
C
j
民
典型值。
1.25
50
最大
1.6
单位
V
pF
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极 - 射极漏泄
当前
测试条件
I
C
= 1毫安
I
E
= 100
A
V
CE
= 20
V,
I
f
= 0
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
首席执行官
民
32
7
200
典型值。
最大
单位
V
V
nA
耦合器
参数
集电极发射极饱和
电压
截止频率
耦合电容
测试条件
I
F
= 10 mA时，我
C
= 1毫安
V
CE
= 5
V,
I
F
= 10毫安，
R
L
= 100
F = 1 MHz的
符号
V
CESAT
f
c
C
k
110
0.3
民
典型值。
最大
0.3
单位
V
千赫
pF
电流传输比
参数
I
C
/I
F
测试条件
V
CE
= 5
V,
I
F
= 10毫安
CNY64A
CNY65A
CNY64B
CNY65B
部分
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
民
50
63
63
100
100
典型值。
最大
300
125
125
200
200
单位
%
%
%
%
%
最高安全评级
（根据DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ） / DIN EN 60747-5-5申请中）见图1
这个光电耦合器适用于仅在安全等级安全的电气隔离。
遵守安全评级，由适当的保护电路来保证。
输入
参数
正向电流
测试条件
符号
I
F
民
典型值。
最大
120
单位
mA
产量
参数
功耗
测试条件
符号
P
DISS
民
典型值。
最大
250
单位
mW
文档编号83540
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CNY64 / CNY65 / CNY66
威世半导体
耦合器
参数
额定脉冲电压
安全温度
测试条件
符号
V
IOTM
T
si
民
典型值。
最大
8
150
日前，Vishay
单位
kV
°C
绝缘额定参数
参数
局部放电试验电压 -
例行试验
局部放电试验电压 -
很多试验（样品测试）
绝缘电阻
测试条件
100 %, t
TEST
= 1 s
t
Tr
= 60 S，T
TEST
= 10 s,
（参见图2）
V
IO
= 500
V,
T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500
V,
T
AMB
= 100 °C
V
IO
= 500
V,
T
AMB
= 150 °C
（仅适用于建筑试验）
符号
V
pd
V
IOTM
V
pd
R
IO
R
IO
R
IO
民
2.8
8
2.2
10
12
10
11
10
9
典型值。
最大
单位
kV
kV
kV
V
IOTM
250
225
200
175
150
125
100
75
50
25
0
0
95 10922
P
si
（ mW）的
t
1
, t
2
= 1至10秒
t
3
, t
4
= 1 s
t
TEST
= 10 s
t
STRES
= 12 s
V
Pd
V
IOWM
V
IORM
I
si
（MA ）
0
13930
t
3
t
TEST
t
4
t
1
t
Tr
= 60 s
t
2
t
STRES
25
50
75
100 125 150 175 200
T
AMB
( °C )
t
图1.降额图
根据DIN EN图2.测试脉冲图的样品测试
60747-5-2 （ VDE0884 ） / DIN EN 60747- ; IEC60747
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文档编号83540
修订版1.6 ， 10月26日04
CNY64 ， CNY65 ， CNY66
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
非常高隔离电压
特点
额定经常峰值电压（重复）
V
IORM
= 1000 V
RMS
64
65
通过绝缘厚度
≥
3 mm
根据漏电电流电阻
VDE 0303 / IEC 60112的比较跟踪
指数：
CTI
≥
200
铅（Pb） -free组件
4
顶部
意见
A
C
66
按照RoHS元器件2002/95 / EC和
WEEE 2002/96 / EC
V
D E
C
17187
E
应用
开关模式电源
线路接收器
计算机外设接口
微处理器系统接口
电路用于防止电气安全防护隔离
根据安全等级Ⅱ （增强型隔离）冲击：
- 对APPL 。一流的I - IV的电源电压
≤
300 V
- 对APPL 。一流的I - IV的电源电压
≤
600 V
- 对APPL 。 I类 - III在电源电压
≤
1000 V
根据DIN EN 60747-5-5 （ VDE 0884 ）
描述
该CNY64 / CNY65 / CNY66由一个光电晶体管
光耦合到一个砷化镓红外发光
二极管采用4引脚塑料封装。
单个部件安装相对彼此
提供输入和输出之间的距离为最
的> 3毫米安全要求。
VDE标准
这些成色根据执行安全功能
以下设备标准：
DIN EN 60747-5-5 （ VDE 0884 ）
光电耦合器的电气安全要求
IEC 60950 / EN 60950
办公设备（适用于钢筋隔离电源
电压
≤
400 V
RMS
)
VDE 0804
电信设备和数据处理
IEC 60065
为了安全电源操作的电子及相关
家庭设备
VDE 0700 / IEC 60335
家庭设备
VDE 0160
对于电力设备电子设备
VDE 0750 / IEC 60601
医疗设备
机构认证
UL1577 ，文件号。 E76222系统代码H，J和K ，双
保护
DIN EN 60747-5-5 （ VDE 0884 ）
VDE相关的功能：
- 额定脉冲电压（瞬态过压） ，
V
IOTM
= 8千伏高峰
- 隔离测试电压（局部放电试验电压） ，
V
pd
= 2.8千伏高峰
订购信息
部分
CNY64
CNY65
CNY66
CNY64A
CNY65A
CNY64B
CNY65B
备注
点击率50 300 ％ ，高的隔离距离， 4针
点击率50 300 ％ ，高的隔离距离， 4针
点击率50 300 ％ ，高的隔离距离， 4针
点击率63 125 ％ ，高的隔离距离， 4针
点击率63 125 ％ ，高的隔离距离， 4针
点击率100200％ ，高隔离度的距离， 4针
点击率100200％ ，高隔离度的距离， 4针
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CNY64 ， CNY65 ， CNY66
光电耦合器，光电晶体管输出，
威世半导体
非常高隔离电压
绝对最大额定值
参数
输入
反向电压
正向电流
正向浪涌电流
功耗
结温
产量
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
集电极电流峰值
功耗
结温
耦合器
交流隔离测试电压（有效值）
总功耗
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
2毫米的情况下，
≤
10 s
T = 1分
V
ISO
P
合计
T
AMB
T
英镑
T
SLD
8.2
250
- 55至+ 85
- 55至+ 100
260
kV
mW
°C
°C
°C
t
P
/T = 0.5, t
P
≤
10毫秒
V
首席执行官
V
ECO
I
C
I
CM
P
DISS
T
j
32
7
50
100
130
100
V
V
mA
mA
mW
°C
t
P
≤
10 s
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
T
j
5
75
1.5
120
100
V
mA
A
mW
°C
测试条件
符号
价值
单位
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不暗示
在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。置身于绝对最大额定值
的长时间可不利地影响可靠性。
电气特性
参数
输入
正向电压
结电容
产量
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极 - 发射极漏电流
耦合器
集电极 - 发射极饱和电压
截止频率
耦合电容
I
F
= 10 mA时，我
C
= 1毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安，
R
L
= 100
Ω
F = 1 MHz的
V
CESAT
f
c
C
k
110
0.3
0.3
V
千赫
pF
I
C
= 1毫安
I
E
= 100 A
V
CE
= 20 V，I
f
= 0 A
V
首席执行官
V
ECO
I
首席执行官
32
7
200
V
V
nA
I
F
= 50毫安
V
R
= 0中，f = 1 MHz的
V
F
C
j
1.25
50
1.6
V
pF
测试条件
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
记
T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定。最小值和最大值的测试要求。典型值是特征
设备，并且工程评价的结果。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
电流传输比
参数
测试条件
部分
CNY64A
I
C
/I
F
V
CE
= 5 V，I
F
= 5毫安
CNY65A
CNY64B
CNY65B
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
分钟。
50
63
63
100
100
典型值。
马克斯。
300
125
125
200
200
单位
%
%
%
%
%
文档编号： 83540
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CNY64 ， CNY65 ， CNY66
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
非常高隔离电压
最高安全评级
参数
输入
正向电流
产量
功耗
耦合器
额定脉冲电压
安全温度
V
IOTM
T
si
10
150
kV
°C
P
DISS
250
mW
I
F
120
mA
测试条件
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
记
根据DIN EN 60747-5-5 （见图1 ） 。这个光电耦合器适用于仅在安全等级安全的电气隔离。合规
与安全评级，由适当的保护电路装置来保证。
绝缘额定参数
参数
局部放电试验电压 -
例行试验
局部放电试验电压 -
很多试验（样品测试）
测试条件
100 %, t
TEST
= 1 s
t
Tr
= 60 S，T
TEST
= 10 s,
（参见图2）
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 150 °C
（仅适用于建筑试验）
符号
V
pd
V
pd
R
IO
R
IO
R
IO
分钟。
2.8
2.2
10
12
10
11
10
9
典型值。
马克斯。
单位
kV
kV
Ω
Ω
Ω
V
IOTM
250
225
200
175
150
125
100
75
50
25
0
0
95 10922
P
si
（ mW）的
t
1
, t
2
t
3
, t
4
t
TEST
t
STRES
V
Pd
V
IOWM
V
IORM
= 1至10秒
=1s
= 10 s
= 12 s
I
si
（MA ）
0
t
3
t
TEST
t
4
t
1
t
Tr
= 60 s
t
2
t
STRES
t
25
50
75 100 125 150 175 200
T
AMB
(°C)
图。 1 - 降额图
13930
图。 2 - 测试脉冲图的样品测试，根据
DIN EN 60747-5-5 / DIN EN 60747- ; IEC 60747
开关特性
参数
延迟时间
上升时间
下降时间
贮存时间
开启时间
打开-O FF时间
开启时间
打开-O FF时间
测试条件
V
S
= 5 V，I
C
= 5毫安，R
L
= 100
Ω,
（参见图3）
V
S
= 5 V，I
C
= 5毫安，R
L
= 100
Ω,
（参见图3）
V
S
= 5 V，I
C
= 5毫安，R
L
= 100
Ω,
（参见图3）
V
S
= 5 V，I
C
= 5毫安，R
L
= 100
Ω,
（参见图3）
V
S
= 5 V，I
C
= 5毫安，R
L
= 100
Ω,
（参见图3）
V
S
= 5 V，I
C
= 5毫安，R
L
= 100
Ω,
（参见图3）
V
S
= 5 V，I
F
= 10毫安，R
L
= 1千欧， （参见图4）
V
S
= 5 V，I
F
= 10毫安，R
L
= 1千欧， （参见图4）
符号
t
d
t
r
t
f
t
s
t
on
t
关闭
t
on
t
关闭
分钟。
典型值。
2.6
2.4
2.7
0.3
5.0
3.0
25.0
42.5
马克斯。
单位
s
s
s
s
s
s
s
s
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CNY64 ， CNY65 ， CNY66
光电耦合器，光电晶体管输出，
威世半导体
非常高隔离电压
I
F
0
t
p
t
0
I
F
I
F
+5
V
I
C
= 5毫安;通过调整
输入幅度
I
C
100
%
90
%
R
G
= 50
t
p
= 0.01
T
t
p
= 50
s
通道I
道II
50
100
示波器
R
L
1 M
C
L
20 pF的
10
%
0
t
r
t
d
t
on
t
p
t
d
t
r
t
on
(= t
d
+ t
r
)
脉冲持续时间
延迟时间
上升时间
开启时间
t
s
t
f
t
关闭
t
s
t
f
t
关闭
(= t
s
+ t
f
)
贮存时间
下降时间
打开-O FF时间
96 11698
t
95 10900
图。 3 - 测试电路，非饱和运算
图。 5 - 开关时间
I
F
0
I
F
= 10毫安
+5
V
I
C
R
G
= 50
Ω
t
p
= 0.01
T
t
p
= 50
s
通道I
道II
50
Ω
1 kΩ
示波器
R
L
≥
1 MΩ
C
L
≤
20 pF的
95 10843
图。 4 - 测试电路，饱和运算
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
200
160
120
电荷耦合器件
80
40
0
0
25
50
75
100
PHOTOTRANSISTOR
红外二极管
1000
I
F
- 正向电流（mA ）
100
10
1
0.1
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
96 11862
95 11003
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
V
F
- 前进
电压
(V)
图。 6 - 总功率耗散与环境温度
图。 7 - 正向电流与正向电压
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CNY64 ， CNY65 ， CNY66
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
非常高隔离电压
CTR
REL
- 相对电流传输比
1.5
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
- 30 - 20 - 10 0 10 20 30 40 50 60 70
80
100
I
C
- 集电极电流（毫安）
1.4
V
CE
= 5
V
I
F
= 10毫安
I
F
= 50毫安
10毫安
10
5毫安
2毫安
1
1毫安
0.1
0.1
95 11013
1
10
100
96 11911
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
V
CE
- 集电极发射极
电压
(V)
图。 8 - 相对电流传输比主场迎战
环境温度
图。 11 - 集电极电流与集电极发射极电压
1000
1.0
I
首席执行官
- 集电极暗电流，
同
开基（ NA）
V
CESAT
- 集电极发射极
饱和
电压
(V)
V
CE
= 20
V
I
F
= 0
100
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
1
96 11912
CTR = 50
%
10
20
%
10
%
10
100
1
0 10 20 30 40 50 60 70
80
90 100
96 12000
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
I
C
- 集电极电流（毫安）
图。 9 - 集电极暗电流与环境温度
图。 12 - 集电极发射极饱和电压与
集电极电流
V
CE
= 5
V
10
CTR - 电流传输比（ ％ ）
100
1000
V
CE
= 5
V
100
I
C
- 集电极电流（毫安）
1
10
0.1
0.01
0.1
95 11012
1
0.1
1
10
100
1
10
100
I
F
- 正向电流（mA ）
95 11015
I
F
- 正向电流（mA ）
图。 10 - 集电极电流与正向电流
图。 13 - 电流传输比与正向电流
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CNY64 / CNY65 / CNY66
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，非常高隔离
电压
特点
额定隔离电压（有效值包括直流）
V
IOWM
= 1000
V
RMS
(1450
V
峰）
额定经常峰值电压（重复）
V
IORM
= 1000
V
RMS
通过绝缘厚度
≥
3 mm
根据漏电电流电阻
VDE
0303 / IEC 60112
相比漏电起痕指数：
CTI
≥
200
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
64
65
顶视图
A
C
66
V
D E
机构认证
UL1577 ，文件号E76222系统代码H ，J &K ，
双重保护
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
VDE
相关功能：
额定脉冲电压（瞬态过电压）
V
IOTM
= 8千伏高峰
隔离测试电压（局部放电试验电压
年龄）
V
pd
= 2.8千伏高峰
C
E
17187
e4
Pb
无铅
订购信息
部分
CNY64
CNY65
CNY66
CNY64A
CNY65A
CNY64B
CNY65B
备注
CTR 50 - 300 ％ ，高的隔离距离， 4 PIN
CTR 50 - 300 ％ ，高的隔离距离， 4 PIN
CTR 50 - 300 ％ ，高的隔离距离， 4 PIN
CTR 63 - 125 ％ ，高的隔离距离， 4 PIN
CTR 63 - 125 ％ ，高的隔离距离， 4 PIN
CTR 100 - 200 ％ ，高的隔离距离， 4 PIN
CTR 100 - 200 ％ ，高的隔离距离， 4 PIN
应用
电路，用于对electri-安全防护隔离
根据安全等级Ⅱ CAL冲击（增强异
LATION ） ：
对于APPL 。一流的I - IV的电源电压
≤
300
V
对于APPL 。一流的I - IV的电源电压
≤
600
V
对于APPL 。 I类 - III在电源电压
≤
1000
V
与符合
荷兰国际集团符合DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ） / DIN EN 60747-
5-5未决，表2，适用于：
开关模式电源供应器，线路接收器，电脑
外围接口，微处理器系统接口
脸上。
描述
该CNY64 / CNY65 / CNY66由一个phototrans-的
iStor的光耦合到一个砷化镓infrared-
发光二极管的4引脚塑料封装。
单个部件安装相对的
另外，提供了输入和之间的距离输出
放为> 3毫米最高安全要求。
VDE标准
这些成色剂根据以下执行安全功能
设备标准：
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ） / DIN EN 60747-5-5
PENDING
光电耦合器的电气安全要求
IEC 60950 / EN 60950
文档编号83540
修订版1.6 ， 10月26日04
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1
CNY64 / CNY65 / CNY66
威世半导体
办公设备（适用于增强型隔离的电源电压
日前，Vishay
VDE 0700 / IEC 60335
家庭设备
≤
400
VRMS ）
VDE 0804
IEC 60065
VDE 0160
对于电力设备电子设备
电信设备和数据处理
VDE 0750 / IEC 60601
医疗设备
安全电源操作电子和相关家庭appa-
ratus
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
正向电流
正向浪涌电流
功耗
结温
t
p
≤
10
s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
T
j
价值
5
75
1.5
120
100
单位
V
mA
A
mW
°C
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
集电极电流峰值
功耗
结温
t
p
/T = 0.5, t
p
≤
10毫秒
测试条件
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
C
I
CM
P
DISS
T
j
价值
32
7
50
100
130
100
单位
V
V
mA
mA
mW
°C
耦合器
参数
交流隔离测试电压（有效值）
总功耗
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
2毫米的情况下，T
≤
10 s
T = 1分
测试条件
符号
V
ISO
P
合计
T
AMB
T
英镑
T
SLD
价值
8.2
250
- 55至+ 85
- 55至+ 100
260
单位
kV
mW
°C
°C
°C
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2
文档编号83540
修订版1.6 ， 10月26日04
日前，Vishay
电气特性
CNY64 / CNY65 / CNY66
威世半导体
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
结电容
测试条件
I
F
= 50毫安
V
R
= 0中，f = 1 MHz的
符号
V
F
C
j
民
典型值。
1.25
50
最大
1.6
单位
V
pF
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极 - 射极漏泄
当前
测试条件
I
C
= 1毫安
I
E
= 100
A
V
CE
= 20
V,
I
f
= 0
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
首席执行官
民
32
7
200
典型值。
最大
单位
V
V
nA
耦合器
参数
集电极发射极饱和
电压
截止频率
耦合电容
测试条件
I
F
= 10 mA时，我
C
= 1毫安
V
CE
= 5
V,
I
F
= 10毫安，
R
L
= 100
F = 1 MHz的
符号
V
CESAT
f
c
C
k
110
0.3
民
典型值。
最大
0.3
单位
V
千赫
pF
电流传输比
参数
I
C
/I
F
测试条件
V
CE
= 5
V,
I
F
= 10毫安
CNY64A
CNY65A
CNY64B
CNY65B
部分
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
民
50
63
63
100
100
典型值。
最大
300
125
125
200
200
单位
%
%
%
%
%
最高安全评级
（根据DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ） / DIN EN 60747-5-5申请中）见图1
这个光电耦合器适用于仅在安全等级安全的电气隔离。
遵守安全评级，由适当的保护电路来保证。
输入
参数
正向电流
测试条件
符号
I
F
民
典型值。
最大
120
单位
mA
产量
参数
功耗
测试条件
符号
P
DISS
民
典型值。
最大
250
单位
mW
文档编号83540
修订版1.6 ， 10月26日04
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3
CNY64 / CNY65 / CNY66
威世半导体
耦合器
参数
额定脉冲电压
安全温度
测试条件
符号
V
IOTM
T
si
民
典型值。
最大
8
150
日前，Vishay
单位
kV
°C
绝缘额定参数
参数
局部放电试验电压 -
例行试验
局部放电试验电压 -
很多试验（样品测试）
绝缘电阻
测试条件
100 %, t
TEST
= 1 s
t
Tr
= 60 S，T
TEST
= 10 s,
（参见图2）
V
IO
= 500
V,
T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500
V,
T
AMB
= 100 °C
V
IO
= 500
V,
T
AMB
= 150 °C
（仅适用于建筑试验）
符号
V
pd
V
IOTM
V
pd
R
IO
R
IO
R
IO
民
2.8
8
2.2
10
12
10
11
10
9
典型值。
最大
单位
kV
kV
kV
V
IOTM
250
225
200
175
150
125
100
75
50
25
0
0
95 10922
P
si
（ mW）的
t
1
, t
2
= 1至10秒
t
3
, t
4
= 1 s
t
TEST
= 10 s
t
STRES
= 12 s
V
Pd
V
IOWM
V
IORM
I
si
（MA ）
0
13930
t
3
t
TEST
t
4
t
1
t
Tr
= 60 s
t
2
t
STRES
25
50
75
100 125 150 175 200
T
AMB
( °C )
t
图1.降额图
根据DIN EN图2.测试脉冲图的样品测试
60747-5-2 （ VDE0884 ） / DIN EN 60747- ; IEC60747
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4
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CNY64 / CNY65 / CNY66
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，非常高隔离
电压
特点
额定隔离电压（有效值包括直流）
V
IOWM
= 1000
V
RMS
(1450
V
峰）
额定经常峰值电压（重复）
V
IORM
= 1000
V
RMS
通过绝缘厚度
≥
3 mm
根据漏电电流电阻
VDE
0303 / IEC 60112
相比漏电起痕指数：
CTI
≥
200
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
64
65
顶视图
A
C
66
V
D E
机构认证
UL1577 ，文件号E76222系统代码H ，J &K ，
双重保护
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
VDE
相关功能：
额定脉冲电压（瞬态过电压）
V
IOTM
= 8千伏高峰
隔离测试电压（局部放电试验电压
年龄）
V
pd
= 2.8千伏高峰
C
E
17187
e4
Pb
无铅
订购信息
部分
CNY64
CNY65
CNY66
CNY64A
CNY65A
CNY64B
CNY65B
备注
CTR 50 - 300 ％ ，高的隔离距离， 4 PIN
CTR 50 - 300 ％ ，高的隔离距离， 4 PIN
CTR 50 - 300 ％ ，高的隔离距离， 4 PIN
CTR 63 - 125 ％ ，高的隔离距离， 4 PIN
CTR 63 - 125 ％ ，高的隔离距离， 4 PIN
CTR 100 - 200 ％ ，高的隔离距离， 4 PIN
CTR 100 - 200 ％ ，高的隔离距离， 4 PIN
应用
电路，用于对electri-安全防护隔离
根据安全等级Ⅱ CAL冲击（增强异
LATION ） ：
对于APPL 。一流的I - IV的电源电压
≤
300
V
对于APPL 。一流的I - IV的电源电压
≤
600
V
对于APPL 。 I类 - III在电源电压
≤
1000
V
与符合
荷兰国际集团符合DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ） / DIN EN 60747-
5-5未决，表2，适用于：
开关模式电源供应器，线路接收器，电脑
外围接口，微处理器系统接口
脸上。
描述
该CNY64 / CNY65 / CNY66由一个phototrans-的
iStor的光耦合到一个砷化镓infrared-
发光二极管的4引脚塑料封装。
单个部件安装相对的
另外，提供了输入和之间的距离输出
放为> 3毫米最高安全要求。
VDE标准
这些成色剂根据以下执行安全功能
设备标准：
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ） / DIN EN 60747-5-5
PENDING
光电耦合器的电气安全要求
IEC 60950 / EN 60950
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CNY64 / CNY65 / CNY66
威世半导体
办公设备（适用于增强型隔离的电源电压
日前，Vishay
VDE 0700 / IEC 60335
家庭设备
≤
400
VRMS ）
VDE 0804
IEC 60065
VDE 0160
对于电力设备电子设备
电信设备和数据处理
VDE 0750 / IEC 60601
医疗设备
安全电源操作电子和相关家庭appa-
ratus
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
正向电流
正向浪涌电流
功耗
结温
t
p
≤
10
s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
T
j
价值
5
75
1.5
120
100
单位
V
mA
A
mW
°C
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
集电极电流峰值
功耗
结温
t
p
/T = 0.5, t
p
≤
10毫秒
测试条件
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
C
I
CM
P
DISS
T
j
价值
32
7
50
100
130
100
单位
V
V
mA
mA
mW
°C
耦合器
参数
交流隔离测试电压（有效值）
总功耗
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
2毫米的情况下，T
≤
10 s
T = 1分
测试条件
符号
V
ISO
P
合计
T
AMB
T
英镑
T
SLD
价值
8.2
250
- 55至+ 85
- 55至+ 100
260
单位
kV
mW
°C
°C
°C
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日前，Vishay
电气特性
CNY64 / CNY65 / CNY66
威世半导体
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
结电容
测试条件
I
F
= 50毫安
V
R
= 0中，f = 1 MHz的
符号
V
F
C
j
民
典型值。
1.25
50
最大
1.6
单位
V
pF
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极 - 射极漏泄
当前
测试条件
I
C
= 1毫安
I
E
= 100
A
V
CE
= 20
V,
I
f
= 0
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
首席执行官
民
32
7
200
典型值。
最大
单位
V
V
nA
耦合器
参数
集电极发射极饱和
电压
截止频率
耦合电容
测试条件
I
F
= 10 mA时，我
C
= 1毫安
V
CE
= 5
V,
I
F
= 10毫安，
R
L
= 100
F = 1 MHz的
符号
V
CESAT
f
c
C
k
110
0.3
民
典型值。
最大
0.3
单位
V
千赫
pF
电流传输比
参数
I
C
/I
F
测试条件
V
CE
= 5
V,
I
F
= 10毫安
CNY64A
CNY65A
CNY64B
CNY65B
部分
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
民
50
63
63
100
100
典型值。
最大
300
125
125
200
200
单位
%
%
%
%
%
最高安全评级
（根据DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ） / DIN EN 60747-5-5申请中）见图1
这个光电耦合器适用于仅在安全等级安全的电气隔离。
遵守安全评级，由适当的保护电路来保证。
输入
参数
正向电流
测试条件
符号
I
F
民
典型值。
最大
120
单位
mA
产量
参数
功耗
测试条件
符号
P
DISS
民
典型值。
最大
250
单位
mW
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CNY64 / CNY65 / CNY66
威世半导体
耦合器
参数
额定脉冲电压
安全温度
测试条件
符号
V
IOTM
T
si
民
典型值。
最大
8
150
日前，Vishay
单位
kV
°C
绝缘额定参数
参数
局部放电试验电压 -
例行试验
局部放电试验电压 -
很多试验（样品测试）
绝缘电阻
测试条件
100 %, t
TEST
= 1 s
t
Tr
= 60 S，T
TEST
= 10 s,
（参见图2）
V
IO
= 500
V,
T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500
V,
T
AMB
= 100 °C
V
IO
= 500
V,
T
AMB
= 150 °C
（仅适用于建筑试验）
符号
V
pd
V
IOTM
V
pd
R
IO
R
IO
R
IO
民
2.8
8
2.2
10
12
10
11
10
9
典型值。
最大
单位
kV
kV
kV
V
IOTM
250
225
200
175
150
125
100
75
50
25
0
0
95 10922
P
si
（ mW）的
t
1
, t
2
= 1至10秒
t
3
, t
4
= 1 s
t
TEST
= 10 s
t
STRES
= 12 s
V
Pd
V
IOWM
V
IORM
I
si
（MA ）
0
13930
t
3
t
TEST
t
4
t
1
t
Tr
= 60 s
t
2
t
STRES
25
50
75
100 125 150 175 200
T
AMB
( °C )
t
图1.降额图
根据DIN EN图2.测试脉冲图的样品测试
60747-5-2 （ VDE0884 ） / DIN EN 60747- ; IEC60747
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