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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第450页 > CNY34
CNY30X , CNY34X
CNY30 , CNY34
光子耦合型隔离器嘎如
光敏可控硅
认证
l
UL认证,文件号E91231
“X”规格认证
l
VDE 0884 2可用铅形式: -
- STD
-
摹形
2.54
7.0
6.0
7.62
马克斯。
1
2
3
尺寸(mm)
6
5
4
8.3 MAX 。
描述
该CNY30 , CNY34光学耦合
隔离器包括红外光发射的
二极管和光活化的硅控
整流器在标准6PIN双列直插式塑料
封装。
特点
l
选项: -
10毫米铅蔓延 - 部分后加G无。
表面贴装 - 部分后添加SM没有。
Tape&reel - 部分后添加SMT&R没有。
l
高隔离电压( 5.3kV
RMS
,7.5kV
PK
)
l
高浪涌电流阳极( 5.0 )
l
高阻断电压( 200V *
1
, 400V*
1
)
l
在当前的低转( 5毫安典型值)
l
所有电气参数100%测试
l
定制电可用的选项
应用
l
10A ,T
2
L兼容,固态继电器
l
25W逻辑指示灯驱动器
l
400V对称晶体管耦合器
0.5
分钟。
0.48
5.1
马克斯。
3.9
3.1
0.25
15°
最大
绝对最大额定值
( 25°C除非另有说明)
储存温度
-55 ° C至+ 150°C
工作温度
-55 ° C至+ 100°C
引线焊接温度
( 1/16英寸( 1.6毫米)从案例10秒) 260℃
输入二极管
正向电流
正向电流(峰值)
(1
的脉搏, 300pps )
反向电压
功耗
探测器
峰值正向电压
CNY30
CNY34
峰值反向栅极电压
RMS通态电流
峰值通态电流
(100
S, 1 %占空比)
浪涌电流( 10毫秒)
功耗
200V*
1
400V*
1
6V
300mA
10A
5A
300mW
60mA
3A
6V
100mW
OPTION SM
表面贴装
选项G
8.3 MAX
1.2
0.6
10.2
9.5
1.4
0.9
0.26
10.16
* 1重要提示:电阻必须连接
栅极和阴极之间(引脚4 & 6)防止假
射击(R
GK
< 56K
)
ISOCOM有限公司
1024 S.格林维尔大道,套房240 ,
艾伦, TX 75002 USA
联系电话: ( 214 ) 495-0755传真: ( 214 ) 495-0901
电子邮件info@isocom.com
http://www.isocom.com
DB91039-AAS/A3
ISOCOM COMPONENTS LTD
单元25B ,公园景观西路,
公园景工业村,布伦达路
哈特尔浦,克利夫兰, TS25 1YD
联系电话: ( 01429 ) 863609传真: ( 01429 ) 863581
13/11/97
电气特性(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
输入
正向电压(V
F
)
反向电压(V
R
)
峰值断态电压(V
DM
)
CNY30
CNY34
峰值反向电压(V
RM
)
CNY30
CNY34
最小典型最大单位
1.2
3
1.5
V
V
测试条件
I
F
= 10毫安
I
R
= 10
A
R
GK
=10k
,
I
D
=
50
A,
T
A
= 100°C
R
GK
=10k
,
I
D
=
150
A,
T
A
=100°C
R
GK
=10k
,
I
D
=
50
A,
T
A
=100°C
R
GK
=10k
,
I
D
=
150
A,
T
A
=100°C
I
TM
= 300毫安
R
GK
=10k
,
I
F
=
0
,
V
DM
= 200V ,T
A
=100°C
R
GK
=10k
,
I
F
=
0
,
V
DM
= 400V ,T
A
=100°C
R
GK
=10k
,
I
F
=
0
,
V
DM
= 200V ,T
A
=100°C
R
GK
=10k
,
I
F
=
0
,
V
DM
= 400V ,T
A
=100°C
V
AK
= 50V ,R
GK
=10k
V
AK
= 100V ,R
GK
=27k
见注1
见注1
V
IO
= 500V (注1 )
V = 0 , F = 1MHz的
产量
(注2 )
200
400
200
400
V
V
V
V
通态电压(V
TM
)
断态电流(I
DM
)
CNY30
CNY34
反向电流(I
R
)
CNY30
CNY34
1.1
1.3
50
150
50
150
V
A
A
A
A
再加
输入电流触发(I
FT
) (注2 )
20
11
mA
mA
V/
s
V
RMS
V
PK
pF
再加上的dv / dt ,输入至输出( dv / dt的)
输入到输出隔离电压V
ISO
输入输出隔离阻抗R
ISO
输入输出电容
Cf
500
5300
7500
10
11
2
注1
注2
测量输入导线短接和输出引线短接在一起。
特殊的选择可根据要求提供。请咨询厂家。
5/12/00
DB91039-AAS/A3
输入电流触发与
阳极到阴极的电压
FT
100
归一化的输入电流来触发我
40
20
10
4
2
1.0
0.4
0.2
0.1
1
1k
10k
27k
56k
5
10
50 100 200
R
GK
=300
归一
V
AK
= 50V
R
GK
=10k
T
A
= 25 °C
FT
输入电流触发与
环境温度
12
10
4
2
1.0
0.4
0.2
56k
0
归到V
AK
= 50V,
R
GK
=10k
,
T
A
= 25 °C
20 40 60
80 100 120
10k
27k
1k
R
GK
=300
归一化的输入电流来触发我
0.1
-60 -40 -20
阳极到阴极电压V
AK
( V )
输入电流触发分配
- 环境温度
FT
环境温度T
A
( °C )
输入电流触发与
脉冲宽度
FT
10
4
2
1
第10个百分
0.4
0.2
0.1
第90百分位
归一化的输入电流来触发我
归一化的输入电流来触发我
归一
V
AK
= 50V
R
GK
=10k
T
A
= 25 °C
100
40
20
10
4
2
1
0.4
0.2
0.1
1
2
56k
R
GK
=300
1k
10k
归一
V
AK
= 50V
R
GK
=10k
T
A
= 25 °C
27k
-40 -20 0 20 40 60 80 100
环境温度T
A
( °C )
开启时间与输入电流
24
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
输入电流I
F
(MA )
5/12/00
4 6 10 20 40 60 100 200 400 1000
脉冲宽度(
s )
输入特性我
F
与V
F
10k
R
GK
=1k
开启时间t
on
(
s)
V
AK
= 50V
t
on
= t
d
+ t
r
t
r
= 1
s
正向电流I
F
(MA )
100
40
20
10
4
2
1
0.4
0.2
0.1
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
正向电压V
F
( V )
DB91039-AAS/A3
25°C
100°C
-55°C
56k
持电流与环境
温度
瞬态热阻抗( ℃/瓦)
10000
4000
2000
1000
400
200
100
40
20
10
R
GK
=300
1k
归一
V
AK
= 50V
R
GK
=10k
T
A
= 25 °C
1000
最大瞬态热阻抗
在测得1引线温度
的可控硅阳极引线最宽的部分。
400
测量2.环境温度
200
从设备的一个点2"分之1
.
持电流I
H
(
A)
100
40
20
10
4
2
1
0.001
结到环境
n至LEA
d
27k
56k
-60 -40 -20
0
20 40 60
80 100 120
0.01
0.1
1 2 4 10
分线箱
10k
100
环境温度T
A
( °C )
关国正向电流与
环境温度
归一化的正向电流关断状态(我
D
)
最高允许温度(℃ )
10000
4000
2000
1000
400
200
100
40
20
10
4
2
1
0
25
50
75
100
环境温度T
A
( °C )
的dV / dt与环境温度
1000
400
100
40
10
4
1
0.4
0.1
25
50
75
100
0
环境温度T
A
( °C )
27k
56k
1k
10k
R
GK
=300
2
结温为100 ℃,
时间(秒)
在目前的状态与最大
允许温度
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
在目前的状态下(
Α
)
1.0
1.
2.
3.
4.
1.环境温度。半正弦波平均
2.环境温度。直流电流
3.阳极引线温度。半正弦波平均
4.阳极引线温度。直流电流
归一
V
AK
= 50V
T
A
= 25 °C
V
AK
= 400V
V
AK
= 200V
V
AK
= 50V
临界上升率施加正向电压的dV / dt (V /
s)
对国家特性
1
0.4
在目前的状态下我
T
(A)
0.2
0.1
0.04
0.02
0.01
结温= 25°C
增加转发
击穿电压
1
2
3
开态电压V
T
( V )
4
DB91039-AAS/A3
5/12/00
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
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电话:0755-82723761/82772189
联系人:夏先生 朱小姐
地址:深圳市福田区华强北街道赛格科技园3栋东座10楼A2(本公司为一般纳税人,可开增票)
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地址:广东省深圳市福田区华强北赛格科技园3栋东座10楼A2室(本公司为一般纳税人,可开增票)
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联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
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联系人:肖先生
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