CNY17G
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
带底座的连接
B
6
C
5
E
4
特点
隔离测试电压5300 V
RMS
根据UL94 -VO绝缘材料
污染等级2 （ DIN / VDE 0110第1部分RESP 。
IEC 60664 ）
1
2
3
A（ + ）， C（ - ） NC
气候类别55/100/21 （ IEC 60068
第1部分）
D E
V
特种建筑：所以，特低
典型的0.3 pF的耦合能力，较高的共模
拒绝
CTR的低温度系数
=额定
冲动
V
IOTM
= 6千伏高峰
电压
（瞬态
过压）
18537
描述
该CNY17G由一个光电晶体管光耦合的
在一个6针塑料到一个砷化镓红外发光二极管
双列直插式封装。
的元件被安装在一个引线框架提供了一个
用于最高安全输入和输出之间的固定距离
要求。
隔离测试电压（局部放电试验电压）
V
pd
= 1.6千伏
=额定
隔离
电压
（ RMS
V
IOWM
= 600 V
RMS
（ 848 V峰值）
=额定
经常性
V
IORM
= 600 V
RMS
PEAK
包括
DC）
电压
（重复）
VDE标准
这些成色根据执行安全功能
以下设备标准：
DIN EN 60747-5-5
光电耦合器的电气安全要求
IEC EN 60950 / EN 60950
办公设备（适用于钢筋隔离电源
电压
≤
400 V
RMS
)
VDE 0804
电信设备和数据处理
IEC 60065
为了安全电源操作
家庭设备
电子
和
相关
通过绝缘厚度
≥
0.75 mm
符合VDE漏电当前阻力0303 /
IEC 60112漏电起痕指数： CTI
=
275
4组CTR提供
铅（Pb） -free组件
按照RoHS元器件2002/95 / EC和
WEEE 2002/96 / EC
应用
开关模式电源
线路接收器
计算机外设接口
微处理器系统接口
电路用于防止电气安全防护隔离
根据安全等级Ⅱ （增强型隔离）冲击：
- 对APPL 。一流的I - IV的电源电压
≤
300 V
- 对APPL 。 I类 - III在电源电压
≤
600 V
根据DIN EN 60747-5-5
机构认证
UL1577 ，文件号。 E76222系统代码A，双重保护
BSI ： BS EN 41003 ， BS EN 60065 （ BS 415 ） ， BS EN 60950
（ BS 7002 ） ，证书编号7081和7402
DIN EN 60747-5-5
FIMKO （ SETI ） ： EN 60950 ，证书编号12399
订购信息
部分
CNY17G-1
CNY17G-2
CNY17G-3
CNY17G-4
记
G = leadform 10.16毫米; G被标记在体内。
备注
点击率4080％ ， DIP-6
点击率63 125％ ， DIP-6
点击率100200％ ， DIP-6
CTR 160 320 ％ ， DIP - 6
文档编号： 83886
修订版1.4 ， 08- 08年5月
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229
CNY17G
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
带底座的连接
(1)
绝对最大额定值
参数
输入
反向电压
正向电流
正向浪涌电流
功耗
结温
产量
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
集电极电流峰值
功耗
结温
耦合器
隔离测试电压（有效值）
总功耗
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
(2)
测试条件
符号
V
R
I
F
价值
5
60
3
100
125
32
7
50
100
150
125
3750
250
- 55至+ 100
- 55至+ 125
260
单位
V
mA
A
mW
°C
V
V
mA
mA
mW
°C
V
RMS
mW
°C
°C
°C
t
p
≤
10 s
I
FSM
P
DISS
T
j
V
首席执行官
V
ECO
I
C
t
p
/T = 0.5, t
p
≤
10毫秒
I
CM
P
DISS
T
j
V
ISO
P
合计
T
AMB
T
英镑
2毫米的情况下，T
≤
10 s
T
SLD
笔记
(1)
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不
隐含在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。暴露在绝对最大
供的长时间的评分可不利地影响可靠性。
(2)
请参阅波资料为通孔器件焊接条件。
电气特性的影响
参数
输入
正向电压
结电容
产量
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极发射极截止电流
耦合器
交流隔离测试电压（有效值）
集电极 - 发射极饱和电压
截止频率
耦合电容
F = 50Hz时， t为1秒
I
F
= 10 mA时，我
C
= 1毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安，
R
L
= 100
Ω
F = 1 MHz的
V
ISO
V
CESAT
f
c
C
k
110
0.3
3750
0.3
V
RMS
V
千赫
pF
I
C
= 1毫安
I
E
= 100 A
V
CE
= 10 V，I
F
= 0
V
首席执行官
V
ECO
I
首席执行官
32
7
10
100
V
V
nA
I
F
= 50毫安
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
V
F
C
j
1.25
50
1.6
V
pF
测试条件
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
最小和最大值被测试requierements 。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评估。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
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CNY17G
光电耦合器，光电晶体管输出，
带底座的连接
电流传输比
参数
测试条件
部分
CNY17G-1
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安
I
C
/I
F
V
CE
= 5 V，I
F
= 1毫安
CNY17G-2
CNY17G-3
CNY17G-4
CNY17G-1
CNY17G-2
CNY17G-3
CNY17G-2
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
分钟。
40
63
100
160
13
22
34
56
200
典型值。
马克斯。
80
125
200
320
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
威世半导体
最高安全评级
参数
输入
正向电流
产量
功耗
耦合器
额定脉冲电压
安全温度
记
根据DIN EN 60747-5-5 （见图1 ） 。这个光电耦合器适用于仅在安全等级安全的电气隔离。合规
与安全评级，由适当的保护电路装置来保证。
V
IOTM
T
si
6
150
kV
°C
P
DISS
265
mW
I
F
130
mA
测试条件
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
绝缘额定参数
参数
局部放电试验电压 -
例行试验
局部放电试验电压 -
很多试验（样品测试）
测试条件
100 %, t
TEST
= 1 s
t
Tr
= 60 S，T
TEST
= 10 s,
（参见图2）
V
IO
= 500 V
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
=
150 °C
（仅适用于建筑试验）
符号
V
pd
V
IOTM
V
pd
R
IO
R
IO
R
IO
分钟。
1.6
6
1.3
10
12
10
11
10
9
典型值。
马克斯。
单位
kV
kV
kV
Ω
Ω
Ω
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
300
250
200
PHOTOTRANSISTOR
P
si
（ mW）的
V
IOTM
t
1
, t
2
t
3
, t
4
t
TEST
t
STRES
V
Pd
= 1至10秒
=1s
= 10 s
= 12 s
150
100
50
0
0
25
50
75
100
125
红外二极管
I
si
（MA ）
150
V
IOWM
V
IORM
0
13930
t
3
t
TEST
t
4
t
1
t
Tr
= 60 s
t
2
t
STRES
t
94 9182
T
si
- 安全温度（℃ ）
图。 1 - 降额图
图。 2 - 测试脉冲图的样品测试，根据
DIN EN 60747-5-5 / DIN EN 60747- ; IEC60747
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CNY17G
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
带底座的连接
开关特性
参数
延迟时间
上升时间
下降时间
贮存时间
开启时间
打开-O FF时间
开启时间
打开-O FF时间
测试条件
V
S
= 5 V，I
C
= 5毫安，R
L
= 100
Ω,
（参见图3）
V
S
= 5 V，I
C
= 5毫安，R
L
= 100
Ω,
（参见图3）
V
S
= 5 V，I
C
= 5毫安，R
L
= 100
Ω,
（参见图3）
V
S
= 5 V，I
C
= 5毫安，R
L
= 100
Ω,
（参见图3）
V
S
= 5 V，I
C
= 5毫安，R
L
= 100
Ω,
（参见图3）
V
S
= 5 V，I
C
= 5毫安，R
L
= 100
Ω,
（参见图3）
V
S
= 5 V，I
F
= 10毫安，R
L
= 1 kΩ,
（见图4）
V
S
= 5 V，I
F
= 10毫安，R
L
= 1 kΩ,
（见图4）
符号
t
d
t
r
t
f
t
s
t
on
t
关闭
t
on
t
关闭
分钟。
典型值。
4.0
7.0
6.7
0.3
11.0
7.0
25
42.5
马克斯。
单位
s
s
s
s
s
s
s
s
I
F
0
I
F
I
F
+5
V
I
C
= 5毫安;通过调整
输入幅度
0
I
C
100
%
90
%
t
p
t
R
G
= 50
t
p
= 0.01
T
t
p
= 50
s
10
%
0
通道I
道II
50
100
示波器
R
L
1 M
C
L
20 pF的
t
p
t
d
t
r
t
on
(= t
d
+ t
r
)
96 11698
t
r
t
d
t
on
脉冲持续时间
延迟时间
上升时间
开启时间
t
s
t
f
t
关闭
t
贮存时间
下降时间
打开-O FF时间
t
s
t
f
t
关闭
(= t
s
+ t
f
)
95 10900
图。 3 - 测试电路，非饱和运算
图。 5 - 开关时间
I
F
0
I
F
= 10毫安
+5
V
I
C
R
G
= 50
Ω
t
p
= 0.01
T
t
p
= 50
s
通道I
道II
50
Ω
1 kΩ
示波器
R
L
≥
1 MΩ
C
L
≤
20 pF的
95 10843
图。 4 - 测试电路，饱和运算
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CNY17G
光电耦合器，光电晶体管输出，
带底座的连接
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
威世半导体
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
300
电荷耦合器件
250
200
PHOTOTRANSISTOR
150
100
50
0
0
40
80
120
红外二极管
10000
I
首席执行官
- 集电极暗电流，
同
开基（ NA）
1000
V
CE
= 20
V
I
F
= 0
100
10
1
0
95 11026
25
50
75
100
96 11700
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 6 - 总功率耗散与环境温度
图。 9 - 集电极暗电流与环境温度
I
CB
- 集电极基极电流（毫安）
1000
1
I
F
- 正向电流（mA ）
V
S
= 5
V
0.1
100
10
0.01
1
0.1
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
96 11862
0.001
1
10
100
V
F
- 前进
电压
(V)
95 11052
I
F
- 正向电流（mA ）
图。 7 - 正向电流与正向电压
图。 10 - 集电极基极电流与正向电流
CTR
REL
- 相对电流传输比
1.5
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
- 30 - 20 - 10 0 10 20 30 40 50 60 70
80
100
I
C
- 集电极电流（毫安）
1.4
V
CE
= 5
V
I
F
= 10毫安
V
CE
= 5
V
10
1
0.1
0.01
0.1
95 11053
1
10
100
96 11920
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
I
F
- 正向电流（mA ）
图。 8 - 相对电流传输比与环境温度
图。 11 - 集电极电流与正向电流
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CNY17
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，带底座的连接
特点
隔离测试电压5300 V
RMS
长期稳定性
行业标准的双列直插式封装
e3
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
A
C
NC
1
2
3
6 B
5 C
4 E
机构认证
美国保险商实验室文件＃ E52744
系统代码H或按J
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
BSI IEC60950 IEC60065
FIMKO
i179004
订购信息
部分
CNY17-1
CNY17-2
CNY17-3
CNY17-4
CNY17-1X006
CNY17-1X007
CNY17-1X009
CNY17-2X006
CNY17-2X007
CNY17-2X009
CNY17-3X006
CNY17-3X007
CNY17-3X009
CNY17-4X006
CNY17-4X007
CNY17-4X009
备注
点击率40 ％ - 80％ ， DIP - 6
CTR 63 - 125 ％ ， DIP - 6
CTR 100 - 200 ％ ， DIP - 6
CTR 160 - 320 ％ ， DIP - 6
点击率40 ％ - 80％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
点击率40 ％ - 80％ ， SMD - 6 （选项7 ）
点击率40 ％ - 80％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR 63 - 125 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR 63 - 125 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR 63 - 125 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR 100 - 200 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR 100 - 200 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR 100 - 200 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR 160 - 320 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR 160 - 320 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR 160 - 320 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
描述
该CNY17是一个光学耦合一对组成的
一个砷化镓红外发光二极管光
耦合到一个硅NPN晶体管。
信号的信息，包括一个DC电平，可以是反式
通过该装置，同时保持较高程度mitted
的输入和输出之间的电隔离。
该CNY17可以用来代替继电器和反
剂在许多数字接口的应用程序，以及
作为模拟应用诸如CRT调制。
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
文档编号83606
修订版1.5 ， 10月26日04
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1
CNY17
威世半导体
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
正向电流
浪涌电流
功耗
t
≤
10 s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
6.0
60
2.5
100
单位
V
mA
A
mW
产量
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 基极击穿
电压
集电极电流
吨< 1.0毫秒
功耗
测试条件
符号
BV
首席执行官
BV
EBO
I
C
I
C
P
DISS
价值
70
7.0
50
100
150
单位
V
V
mA
mA
mW
耦合器
参数
隔离测试电压（间
发射极简称&探测器
气候DIN 50014 ，
第2部分11月74）
爬电距离
间隙距离
间隔离厚度
发射器和检测器
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDE0303 ，第1部分
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
储存温度
工作温度
焊接温度
最大。 10秒，浸焊：
距离飞机座位
≥
1.5 mm
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
SLD
吨= 1秒
测试条件
符号
V
ISO
价值
5300
单位
V
RMS
≥
7.0
≥
7.0
≥
0.4
175
≥
10
12
≥1
0
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
260
mm
mm
mm
Ω
Ω
°C
°C
°C
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2
文档编号83606
修订版1.5 ， 10月26日04
CNY17
威世半导体
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
击穿电压
目前储备
电容
热阻
测试条件
I
F
= 60毫安
I
R
= 10毫安
V
R
= 6.0 V
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
V
F
V
BR
I
R
C
O
R
th
6.0
0.01
25
750
10
民
典型值。
1.25
最大
1.65
单位
V
V
A
pF
K / W
产量
参数
集电极 - 发射极电容
集电极 - 基极电容
发射极 - 基极电容
热阻
测试条件
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
V
CB
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
V
EB
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
C
CE
C
CB
C
EB
R
th
民
典型值。
5.2
6.5
7.5
500
最大
单位
pF
pF
pF
K / W
耦合器
参数
集电极 - 发射极饱和
电压
耦合电容
集电极 - 射极漏泄
当前
V
CE
= 10 V，I
首席执行官
CNY17-1
CNY17-2
CNY17-3
CNY17-4
测试条件
V
F
= 10 mA时，我
C
= 2.5毫安
部分
符号
V
CESAT
C
C
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
民
典型值。
0.25
0.6
2.0
2.0
5.0
5.0
50
50
100
100
最大
0.4
单位
V
pF
nA
nA
nA
nA
电流传输比
受短线数字电流传输比和集电极 - 发射极漏电流（T
AMB
°C)
参数
I
C
/I
F
测试条件
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V
部分
CNY17-1
CNY17-2
CNY17-3
CNY17-4
I
F
= 1.0毫安， V
CE
= 5.0 V
CNY17-1
CNY17-2
CNY17-3
CNY17-4
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
民
40
63
100
160
13
22
34
56
30
45
70
90
典型值。
最大
80
125
200
320
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
文档编号83606
修订版1.5 ， 10月26日04
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3
CNY17
威世半导体
（ TA = -25°C ， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ IF）的
（ TA = 50℃ ， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ IF）的
1
2
3
4
1
2
3
4
icny17_06
icny17_03
图3.电流传输比主场迎战二极管电流
图6.电流传输比主场迎战二极管电流
（ T A = 0 ° C，
V
CE = 5.0
V)
I C / I F = F （ I F ）
（ TA = 75℃ ， VCE = 5.0 V）
1
2
3
1
2
3
4
icny17_04
icny17_07
图4.电流传输比主场迎战二极管电流
图7.电流传输比主场迎战二极管电流
（ TA = 25℃ ， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ IF）的
（ IF = 10 mA时， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ T）的
4
3
1
2
3
4
2
1
icny17_05
icny17_08
TA
图5.电流传输比主场迎战二极管电流
图8.电流传输比（ CTR ）与温度的关系
文档编号83606
修订版1.5 ， 10月26日04
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5
CNY17系列
威世德律风根
光电耦合器与光电晶体管输出
描述
该CNY17系列由一个光电晶体管的opti-
美云耦合到一个砷化镓红外发光
二极管采用6引脚塑料双列直插式封装。
的元件被安装在一个引线框架用
a
共面技术，
提供一个固定的距离
输入和输出，用于最高安全性之间
要求。
应用
电路，用于对安全防护隔离
根据安全等级Ⅱ电击
（增强型隔离） ：
14827
D
对于APPL 。一流的I - IV的电源电压
≤
300 V
D
对于APPL 。 I类 - III在电源电压
≤
600 V
根据VDE 0884 ，表2 ，适用于：
开关模式电源供应器，线路接收器，
电脑外设接口， microproces-
感器系统的接口。
B
6
C
5
E
4
这些耦合器根据安全功能进行
到以下设备标准：
D
VDE 0884
光电耦合器的电气安全要求
1
2
A（ + ）， C（ - ）
3
北卡罗来纳州
D
950 IEC / EN 60950
办公设备（适用于增强型隔离
对于电源电压
≤
400 V
RMS
)
D
VDE 0804
电信
处理
设备
和
数据
D
IEC 65
为了安全电源操作电子
相关的家用电器
订购说明
订购代码
点击率排行
CNY17-1 / CNY17G - 1
1)
4080％
CNY17-2 / CNY17G - 2
1)
63至125％
1)
CNY17-3 / CNY17G - 3
100200％
CNY17-4 / CNY17G - 4
1)
160 320 ％
1)
G = Leadform 10.16毫米; G的未上市对身体
备注
108
牧师A3 ， 11 -JAN- 99
95 10805
VDE标准
CNY17系列
威世德律风根
特点
认证：
D
额定经常峰值电压（重复）
V
IORM
= 600 V
RMS
D
根据漏电电流电阻
VDE 0303 / IEC 112
相比漏电起痕指数： CTI
= 275
D
通过保温层厚度
≥
0.75 mm
一般特征：
D
BSI ：
BS EN 41003 ， BS EN 60095 （ BS 415 ）
BS EN 60950 （ BS 7002 ）
证书编号7081和7402
D
FIMKO
（ SETI ） ： EN 60950 ，
证书编号12399
D
美国保险商实验室
（ UL ） 1577认可，
文件编号E- 76222
D
VDE
0884 ，证书编号94778
VDE 0884相关的功能：
D
根据UL94 -VO绝缘材料
D
污染等级2
（ DIN / VDE 0110第1部分RESP 。 IEC 664 ）
D
气候分类55/100/21 （ IEC 68部分1 ）
D
特殊的结构：
。因此，特低耦合电容
典型的0.3 pF的，高
共模抑制
D
CTR 4组提供
D
CTR的低温度系数
D
耦合系统A
D
额定脉冲电压
（瞬态过电压）V
IOTM
= 6千伏高峰
D
绝缘测试电压
（局部放电试验电压）V
pd
= 1.6千伏
D
额定隔离电压（有效值包括直流）
V
IOWM
= 600 V
RMS
（ 848 V峰值）
INPUT （发射器）
参数
反向电压
正向电流
正向浪涌电流
功耗
结温
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
V
T
j
价值
5
60
3
100
125
单位
V
mA
A
mW
°
C
t
p
≤
10
m
s
T
AMB
≤
25
°
C
输出（检测器）
参数
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
集电极电流峰值
功耗
结温
测试条件
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
C
I
CM
P
V
T
j
价值
32
7
50
100
150
125
单位
V
V
mA
mA
mW
°
C
t
p
/T = 0.5, t
p
≤
10毫秒
T
AMB
≤
25
°
C
耦合器
参数
隔离测试电压（有效值）
总功耗
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
测试条件
T
AMB
≤
25
°
C
符号
V
IO
P
合计
T
AMB
T
英镑
T
sd
价值
3.75
250
-55到+100
-55到+125
260
单位
kV
mW
°
C
°
C
°
C
2毫米的情况下，T
≤
10 s
牧师A3 ， 11 -JAN- 99
109
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