CNY17F
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威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，无连接基地
特点
绝缘测试电压， 5000 V
RMS
用于改进没有相应的终端连接
共模接口免疫
A
C
NC
1
2
3
6 NC
5 C
4 E
长期稳定性
行业标准的双列直插式封装
材料分类：对于定义
符合请参阅
www.vishay.com/doc?99912
机构认证
UL文件编号。 E52744
cUL认证测试， CSA 22.2 5A公告
i179004-14
DIN EN 60747-5-5 （ VDE 0884-5 ） ，可以使用选项1
BSI ： EN 60065 ， EN 60950-1
FIMKO
CQC
描述
该CNY17F是光耦组成的镓
砷化镓红外发光二极管的光耦合到
在一个塑料插件硅平面光电晶体管探测器
DIP - 6封装。
所述联接装置适合于信号传输
在两个电分离电路。潜力
不允许被连接的电路之间的区别
超过允许的最大参考电压。
与此相反的CNY17系列，所述的基极端
F型不conected ，产生了显着改善
共模干扰免疫。
订购信息
DIP-6
选6
C
N
Y
1
7
F
-
#
CTR
箱子
X
0
#
#
T
TAPE
和
REEL
7.62 mm
选7
10.16 mm
选择9
产品型号
封装选项
> 8毫米
8毫米典型。
代理认证/ PACKAGE
UL ， CUL， BSI ， FIMKO
DIP-6
DIP - 6 ， 400万，选择6
SMD - 6 ，选7
SMD - 6 ，选择9
VDE ， UL ， CUL， BSI ， FIMKO
DIP-6
DIP - 6 ， 400万，选择6
SMD - 6 ，选7
SMD - 6 ，选择9
40至80
CNY17F-1
CNY17F-1X006
CNY17F-1X007
40至80
CNY17F-1X001
CNY17F-1X016
CNY17F-1X017
(1)
(1)
CTR （ ％ ）
63至125
CNY17F-2
CNY17F-2X006
CNY17F-2X007T
63至125
CNY17F-2X001
CNY17F-2X016
CNY17F-2X017
(1)
(1)
100至200
CNY17F-3
CNY17F-3X006
CNY17F-3X007T
100至200
CNY17F-3X001
CNY17F-3X016
CNY17F-3X017
(1)
(1)
160到320
CNY17F-4
CNY17F-4X006
CNY17F-4X007T
(1)
CNY17F-4X009T
(1)
160到320
CNY17F-4X001
CNY17F-4X016
CNY17F-4X017
(1)
-
CNY17F-1X009T
(1)
CNY17F-2X009T
(1)
CNY17F-3X009T
(1)
CNY17F-1X019
CNY17F-2X019
(1)
CNY17F-3X019
(1)
笔记
其他选项是可能的，请联系销售办事处。
(1)
也可在管;不要把T于结束。
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威世半导体
测试条件
符号
V
R
I
F
t
10 μs
I
FSM
P
DISS
BV
首席执行官
I
C
t
p
/T = 0.5, t
p
10毫秒
I
CM
P
DISS
T = 1分
V
ISO
价值
6
60
2.5
70
70
50
100
150
单位
V
mA
A
mW
V
mA
mA
mW
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
输入
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
功耗
产量
集电极发射极击穿电压
集电极电流
集电极电流峰值
输出功率耗散
耦合器
发射极之间的隔离测试电压
探测器
爬电距离
间隙距离
发射器与检测器之间的隔离厚度
相比漏电起痕index
符合DIN IEC 112 / VDE 0303 ，第1部分
绝缘电阻
存储温度范围
环境温度范围
结温
焊接温度
(1)
总功耗
2毫米的情况下，
10 s
V
IO
= 500 V
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
P
DISS
5000
7
7
0.4
175
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 110
100
260
220
°C
°C
°C
°C
mW
V
RMS
mm
mm
mm
笔记
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不
隐含在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。暴露在绝对
对于长时间处于最大额定值可能产生不利影响的可靠性。
(1)
请参阅回流焊温度曲线的表面安装部件（ SMD）焊接条件。请参阅波曲线为通过焊接条件
孔部分（ DIP ） 。
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
输入
正向电压
击穿电压
反向电流
电容
产量
集电极 - 发射极电容
基地集电极电容
发射基地电容
耦合器
集电极 - 发射极，饱和电压
耦合电容
CNY17F-1
集电极 - 发射极漏电流
V
CE
= 10 V
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
I
F
= 10 mA时，我
C
= 2.5毫安
V
CESAT
C
C
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
0.25
0.6
2
2
5
5
50
50
100
100
0.4
V
pF
nA
nA
nA
nA
V
CE
= 5 V ， F = 1兆赫
V
CE
= 5 V ， F = 1兆赫
V
CE
= 5 V ， F = 1兆赫
C
CE
C
BC
C
EB
5.2
6.5
7.5
pF
pF
pF
I
F
= 60毫安
I
R
= 10 μA
V
R
= 6 V
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
V
F
V
BR
I
R
C
O
6
0.01
25
10
1.39
1.65
V
V
μA
pF
测试条件
部分
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
记
最小和最大值进行了测试requierements 。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评估。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
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CNY17F
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威世半导体
部分
CNY17F-1
I
F
= 10毫安
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
CNY17F-1
I
F
= 1毫安
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
分钟。
40
63
100
160
13
22
34
56
30
45
70
90
典型值。
马克斯。
80
125
200
320
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
电流传输比
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
测试条件
I
C
/I
F
记
电流传输比我
C
/I
F
在V
CE
=受短线数字5 V ， 25 ° C和集电极 - 发射极漏电流。
开关特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
测试条件
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5 V,
R
L
= 75
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5 V,
R
L
= 75
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5 V,
R
L
= 75
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5 V,
R
L
= 75
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5 V,
R
L
= 75
I
F
= 20毫安
开启时间
I
F
= 10毫安
I
F
= 5毫安
I
F
= 20毫安
上升时间
I
F
= 10毫安
I
F
= 5毫安
I
F
= 20毫安
打开-O FF时间
I
F
= 10毫安
I
F
= 5毫安
I
F
= 20毫安
下降时间
I
F
= 10毫安
I
F
= 5毫安
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
部分
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
线性操作
（不饱和）
开启时间
上升时间
打开-O FF时间
下降时间
截止频率
t
on
t
r
t
关闭
t
f
f
CO
3
2
2.3
2
110
μs
μs
μs
μs
千赫
切换操作
（与饱和度）
t
on
t
on
t
on
t
on
t
r
t
r
t
r
t
r
t
关闭
t
关闭
t
关闭
t
关闭
t
f
t
f
t
f
t
f
3
4.2
4.2
6
2
3
3
4.6
18
23
23
25
11
14
14
15
μs
μs
μs
μs
μs
μs
μs
μs
μs
μs
μs
μs
μs
μs
μs
μs
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I
F
0
I
F
+5V
威世半导体
I
F
0
I
C
t
p
t
R
G
= 50
Ω
t
p
= 0.01
T
t
p
= 50 s
通道I
道II
50
Ω
95 10804-3
100 %
90 %
示波器
R
L
= 1 MΩ
C
L
= 20 pF的
10 %
0
t
r
t
d
t
on
t
p
t
d
t
r
t
on
(= t
d
+ t
r
)
脉冲持续时间
延迟时间
上升时间
开启时间
t
s
t
f
t
关闭
t
s
t
f
t
关闭
(= t
s
+ t
f
)
贮存时间
下降时间
打开-O FF时间
96 11698
R
L
t
图。 1 - 测试电路，非饱和运算
I
F
0
I
F
= 10毫安
+5V
I
C
图。 3 - 开关时间
R
G
= 50
Ω
t
p
= 0.01
T
t
p
= 50 s
通道I
道II
50
Ω
95 10843
示波器
R
L
≥
1 MΩ
C
L
≤
20 pF的
1 kΩ
图。 2 - 测试电路，饱和运算
典型特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
1.8
1.7
T
AMB
= 0 °C
1.6
T
AMB
= - 25 °C
1.5
1.4
T
AMB
= - 40 °C
1.3
T = - 55°C
AMB
1.2
1.1
T
AMB
= 25 °C
1.0
T
AMB
= 50 °C
0.9
T
AMB
= 75 °C
0.8
0.7
T
AMB
= 100 °C
0.6
0.1
1
10
100
I
F
- 正向电流（mA ）
60
I
C
- 集电极电流（毫安）
50
40
I
F
= 20毫安
I
F
= 30毫安
V
F
- 正向电压（ V）
30
I
F
= 15毫安
20
10
0
0
1
2
3
4
5
I
F
= 10毫安
I
F
= 5毫安
6
7
8
V
CE
- 集电极发射极电压（ NS ） （V ）
图。 4 - 正向电压与正向电流
图。 5 - 集电极电流与集电极发射极电压（ NS ）
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25
CTR
规范
- 归CTR （SAT）
I
F
= 25毫安
1.2
I
F
= 10毫安
V
CE
= 0.4 V
I
C
- 集电极电流（毫安）
20
15
I
F
= 10毫安
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
- 60 - 40 - 20
I
F
= 1毫安
I
F
= 5毫安
10
I
F
= 5毫安
5
I
F
= 1毫安
I
F
= 2毫安
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
V
CE
- 集电极发射极电压（SAT） （V ）
0
20
40
60
80 100
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 6 - 集电极电流与集电极发射极电压（SAT）
图。 9 - 归CTR （SAT）与环境温度
10 000
I
CE0
- 漏电流（ nA的）
1000
V
CE
= 40 V
1.2
CTR
规范
- 归CTR （ NS ）
I
F
= 0毫安
V
CE
= 5 V
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
T
AMB
= 25 °C
T
AMB
= 0 °C
T
AMB
= - 40 °C
T
AMB
= - 55 °C
100
10
1
0.1
0.01
0.001
- 60 - 40 - 20
V
CE
= 24 V
V
CE
= 12 V
T
AMB
= 50 °C
T
AMB
= 75 °C
T
AMB
= 100 °C
0
20
40
60
80 100
0
0.1
1
10
100
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
I
F
- 正向电流（mA ）
图。 7 - 漏电流与环境温度
图。 10 - 归CTR （ NS ）与正向电流
1.2
CTR
规范
- 归CTR （ NS ）
CTR
规范
- 归CTR （SAT）
I
F
= 10毫安
V
CE
= 5 V
1.2
V
CE
= 0.4 V
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
- 60 - 40 - 20
I
F
= 1毫安
I
F
= 5毫安
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.1
T
AMB
= 25 °C
T
AMB
= 0 °C
T
AMB
= - 40 °C
T
AMB
= - 55 °C
T
AMB
= 50 °C
T
AMB
= 75 °C
T
AMB
= 100 °C
0
20
40
60
80 100
1
10
100
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
I
F
- 正向电流（mA ）
图。 8 - 归CTR （ NS ）与环境温度
图。 11 - 归CTR （SAT）与正向电流
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