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6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
(没有基连接)
MOC8101
MOC8105
CNY17F-1
MOC8102
MOC8106
CNY17F-2
1
MOC8103
MOC8107
CNY17F-3
MOC8104
MOC8108
CNY17F-4
概要
NC
6
2
5
6
1
6
3
NC
4
1
PIN 1.阳极
2.阴极
3.未连接
4.发射器
5.集热器
6.无连接
6
1
特点
该MOC810X和CNY17F -X设备包括一个砷化镓发光二极管光耦合到一个硅光电晶体管在双IN-的
行包。
紧密匹配的电流传输比( CTR )最小化单位到单位变化
窄( CTR)窗口转换到一个狭窄的,可预期的开环增益窗口
随着无芯片超低电容耦合到引脚6基地连接的最小噪声敏感性
下令进行测试和每VDE 0884标要求的设备,该频谱使用费科幻X“ .300 ”必须包含在末尾
的部件号。例如MOC8101.300 VDE 0884是一个测试选项。
应用
开关式电源(反馈控制)
AC线/数字逻辑隔离
接口和不同的潜能和阻抗耦合系统
2004仙童半导体公司
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6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
(没有基连接)
MOC8101
MOC8105
CNY17F-1
MOC8102
MOC8106
CNY17F-2
MOC8103
MOC8107
CNY17F-3
MOC8104
MOC8108
CNY17F-4
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
输入LED
正向电流 - 连续
正向电流 - 峰值( PW = 1μs的时间, 300pps )
反向电压
LED功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
输出晶体管
集电极 - 发射极电压
MOC8106 / 7/8 , CNY17F -1/2 /3/4
MOC8101/2/3/4/5
发射极 - 集电极电压
探测器功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
设备总
输入输出隔离电压
中(f = 60Hz时, t为1分钟)。
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
工作温度范围
存储温度范围
引线焊接温度
( 1/16“的情况下, 10秒持续时间)
V
ISO
P
D
T
OPR
T
英镑
T
SOL
5300
250
3.3
-55到+100
-55到+150
260
VAC ( RMS)
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
°C
V
首席执行官
V
ECO
P
D
70
30
7
150
2.0
mW
毫瓦/°C的
I
F
I
F
( PK)
V
R
P
D
100
1
6
150
2.0
mA
A
mW
毫瓦/°C的
符号
价值
单位
2004仙童半导体公司
第12页2
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6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
(没有基连接)
MOC8101
MOC8105
CNY17F-1
MOC8102
MOC8106
CNY17F-2
MOC8103
MOC8107
CNY17F-3
MOC8104
MOC8108
CNY17F-4
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
(1)
特征
输入LED
正向电压
(I
F
= 60 mA)的
(I
F
= 10 mA)的
反向漏电流(V
R
= 5.0 V)
电容
输出晶体管
集电极 - 发射极暗电流
集电极 - 发射极击穿电压
MOC8101/2/3/4/5
MOC8106 / 7/8 , CNY17F -1/2 /3/4
发射极 - 集电极击穿电压
集电极 - 发射极电容
再加
MOC8101
MOC8102
MOC8103
输出集电极电流
(I
F
= 10 mA时, V
CE
= 10 V)
MOC8104
MOC8105
MOC8106
MOC8107
MOC8108
CNY17F-1
(I
F
= 10 mA时, V
CE
= 5 V)
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
集电极 - 发射极饱和电压
CNY17F-1/2/3/4
MOC8101/2/3/4/5/6/7/8
隔离电压
绝缘电阻
隔离电容
**所有标准结构在T
A
= 25°C
(I
C
= 2.5毫安,我
F
= 10 mA)的
(I
C
= 500 μA ,我
F
= 5.0 mA)的
( F = 60赫兹,T = 1.0分。 )
(4)
(V
我-O
= 500 V)
(4)
(V
我-O
= 0中,f = 1.0 MHz)的
(4)
V
CE ( SAT )
V
ISO
R
ISO
C
ISO
5300
10
11
0.5
0.4
V
VAC ( RMS)
pF
( CTR )
(2)
50
73
108
160
65
50
100
250
40
63
100
160
80
117
173
256
133
150
300
600
80
125
200
320
%
(I
C
= 1.0 mA)的
(I
C
= 1.0 mA)的
(I
E
= 100 A)
( F = 1.0兆赫,V
CE
= 0)
V
( BR ) CEO
V
( BR ) ECO
C
CE
30
70
7.0
100
100
10
8
V
V
pF
(V
CE
= 10 V ,T
A
= 25°C)
(V
CE
= 10 V ,T
A
= 100°C)
I
CEO1
I
CEO2
1.0
1.0
50
nA
A
CNY17F-X
MOC810X
I
R
C
V
F
1.0
1.40
1.18
0.001
18
1.65
1.5
10
A
pF
V
符号
典型**
最大
单位
2004仙童半导体公司
第12页3
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6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
(没有基连接)
MOC8101
MOC8105
CNY17F-1
MOC8102
MOC8106
CNY17F-2
MOC8103
MOC8107
CNY17F-3
MOC8104
MOC8108
CNY17F-4
传输特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
AC特性
不饱和开关时间
开启时间CNY17F -1/2 /3/4只
关断时间CNY17F -1/2 /3/4只
开启时间
打开-O FF时间
上升时间
所有器件
下降时间
所有器件
饱和开关时间
开启时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
上升时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
打开-O FF时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
下降时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
**所有标准结构在T
A
= 25°C
(I
F
能力= 20 mA ,V
CE
= 0.4 V)
t
on
(I
F
= 10 mA时, V
CE
= 0.4 V)
(I
F
能力= 20 mA ,V
CE
= 0.4 V)
t
r
(I
F
能力= 20 mA ,V
CE
= 0.4 V)
(I
F
能力= 20 mA ,V
CE
= 0.4 V)
t
关闭
(I
F
= 10 mA时, V
CE
= 0.4 V)
(I
F
能力= 20 mA ,V
CE
= 0.4 V)
t
f
(I
F
= 10 mA时, V
CE
= 0.4 V)
24
39
34
s
8.0
5.5
s
(I
C
= 2.0毫安, V
CC
= 10 V ,R
L
= 100
)
(3)
(I
C
= 2.0毫安, V
CC
= 10 V ,R
L
= 100
)
(3)
MOC8101-5
MOC8106-8
MOC8101-5
MOC8106-8
(R
L
= 100
, I
C
= 2 mA)的
(V
CC
= 10 V)
(I
C
= 2.0毫安, V
CC
= 10 V ,R
L
= 100
)
(3)
(I
C
= 2.0毫安, V
CC
= 10 V ,R
L
= 100
)
(3)
t
on
t
关闭
t
on
t
关闭
t
r
t
f
2
3
2
3
1
2
10
10
20
20
s
s
s
测试条件符号
典型**
最大
单位
4.0
s
20
s
注意事项:
1.总是设计到特定网络版最小/最大电限(如适用) 。
2.电流传输比( CTR ) = I
C
/I
F
x 100%.
3.对于测试电路的设置和波形,参见图11 。
如图4所示,在本测试中,引脚1和2是常见的,并且引脚4 5是共同的。
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第12页4
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6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
(没有基连接)
MOC8101
MOC8105
CNY17F-1
MOC8102
MOC8106
CNY17F-2
MOC8103
MOC8107
CNY17F-3
MOC8104
MOC8108
CNY17F-4
典型性能曲线
图。 1 LED的正向电压与正向电流
1.8
1.4
图。 2归CTR与正向电流
T
A
= 25°C
V
CE
= 5.0 V
1.2
归一
I
F
= 10毫安
1.7
V
F
- 正向电压( V)
1.6
1.0
1.5
T
A
= -55°C
1.4
归一化CTR
100
0.8
0.6
1.3
1.2
T
A
= 25°C
1.1
T
A
= 100°C
1.0
1
10
0.4
0.2
0.0
0
5
10
15
20
I
F
- LED正向电流(mA )
I
F
- 正向电流(mA )
图。 3归CTR与环境温度
1.6
1.0
0.9
1.4
I
F
= 5毫安
0.8
图。 4 CTR与RBE (饱和)
归一化CTR
归一化CTR
1.2
I
F
= 10毫安
1.0
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
I
F
= 20毫安
I
F
= 10毫安
0.8
I
F
= 20毫安
0.6
归一
I
F
= 10毫安
T
A
= 25°C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
I
F
= 5毫安
0.2
0.1
0.0
10
100
1000
T
A
= 25°C
V
CE
= 0.3 V
标准化为CTR 1 R
BE
=打开
0.4
-75
T
A
- 环境温度( ° C)
R
BE
- 基极电阻值(kΩ )
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6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
(没有基连接)
MOC8101
MOC8105
CNY17F-1
MOC8102
MOC8106
CNY17F-2
1
MOC8103
MOC8107
CNY17F-3
MOC8104
MOC8108
CNY17F-4
概要
NC
6
2
5
6
1
6
3
NC
4
1
PIN 1.阳极
2.阴极
3.未连接
4.发射器
5.集热器
6.无连接
6
1
特点
该MOC810X和CNY17F -X设备包括一个砷化镓发光二极管光耦合到一个硅光电晶体管在双IN-的
行包。
紧密匹配的电流传输比( CTR )最小化单位到单位变化
窄( CTR)窗口转换到一个狭窄的,可预期的开环增益窗口
随着无芯片超低电容耦合到引脚6基地连接的最小噪声敏感性
下令进行测试和每VDE 0884标要求的设备,该频谱使用费科幻X“ .300 ”必须包含在末尾
的部件号。例如MOC8101.300 VDE 0884是一个测试选项。
应用
开关式电源(反馈控制)
AC线/数字逻辑隔离
接口和不同的潜能和阻抗耦合系统
2004仙童半导体公司
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6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
(没有基连接)
MOC8101
MOC8105
CNY17F-1
MOC8102
MOC8106
CNY17F-2
MOC8103
MOC8107
CNY17F-3
MOC8104
MOC8108
CNY17F-4
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
输入LED
正向电流 - 连续
正向电流 - 峰值( PW = 1μs的时间, 300pps )
反向电压
LED功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
输出晶体管
集电极 - 发射极电压
MOC8106 / 7/8 , CNY17F -1/2 /3/4
MOC8101/2/3/4/5
发射极 - 集电极电压
探测器功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
设备总
输入输出隔离电压
中(f = 60Hz时, t为1分钟)。
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
工作温度范围
存储温度范围
引线焊接温度
( 1/16“的情况下, 10秒持续时间)
V
ISO
P
D
T
OPR
T
英镑
T
SOL
5300
250
3.3
-55到+100
-55到+150
260
VAC ( RMS)
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
°C
V
首席执行官
V
ECO
P
D
70
30
7
150
2.0
mW
毫瓦/°C的
I
F
I
F
( PK)
V
R
P
D
100
1
6
150
2.0
mA
A
mW
毫瓦/°C的
符号
价值
单位
2004仙童半导体公司
第12页2
1/21/04
6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
(没有基连接)
MOC8101
MOC8105
CNY17F-1
MOC8102
MOC8106
CNY17F-2
MOC8103
MOC8107
CNY17F-3
MOC8104
MOC8108
CNY17F-4
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
(1)
特征
输入LED
正向电压
(I
F
= 60 mA)的
(I
F
= 10 mA)的
反向漏电流(V
R
= 5.0 V)
电容
输出晶体管
集电极 - 发射极暗电流
集电极 - 发射极击穿电压
MOC8101/2/3/4/5
MOC8106 / 7/8 , CNY17F -1/2 /3/4
发射极 - 集电极击穿电压
集电极 - 发射极电容
再加
MOC8101
MOC8102
MOC8103
输出集电极电流
(I
F
= 10 mA时, V
CE
= 10 V)
MOC8104
MOC8105
MOC8106
MOC8107
MOC8108
CNY17F-1
(I
F
= 10 mA时, V
CE
= 5 V)
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
集电极 - 发射极饱和电压
CNY17F-1/2/3/4
MOC8101/2/3/4/5/6/7/8
隔离电压
绝缘电阻
隔离电容
**所有标准结构在T
A
= 25°C
(I
C
= 2.5毫安,我
F
= 10 mA)的
(I
C
= 500 μA ,我
F
= 5.0 mA)的
( F = 60赫兹,T = 1.0分。 )
(4)
(V
我-O
= 500 V)
(4)
(V
我-O
= 0中,f = 1.0 MHz)的
(4)
V
CE ( SAT )
V
ISO
R
ISO
C
ISO
5300
10
11
0.5
0.4
V
VAC ( RMS)
pF
( CTR )
(2)
50
73
108
160
65
50
100
250
40
63
100
160
80
117
173
256
133
150
300
600
80
125
200
320
%
(I
C
= 1.0 mA)的
(I
C
= 1.0 mA)的
(I
E
= 100 A)
( F = 1.0兆赫,V
CE
= 0)
V
( BR ) CEO
V
( BR ) ECO
C
CE
30
70
7.0
100
100
10
8
V
V
pF
(V
CE
= 10 V ,T
A
= 25°C)
(V
CE
= 10 V ,T
A
= 100°C)
I
CEO1
I
CEO2
1.0
1.0
50
nA
A
CNY17F-X
MOC810X
I
R
C
V
F
1.0
1.40
1.18
0.001
18
1.65
1.5
10
A
pF
V
符号
典型**
最大
单位
2004仙童半导体公司
第12页3
1/21/04
6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
(没有基连接)
MOC8101
MOC8105
CNY17F-1
MOC8102
MOC8106
CNY17F-2
MOC8103
MOC8107
CNY17F-3
MOC8104
MOC8108
CNY17F-4
传输特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
AC特性
不饱和开关时间
开启时间CNY17F -1/2 /3/4只
关断时间CNY17F -1/2 /3/4只
开启时间
打开-O FF时间
上升时间
所有器件
下降时间
所有器件
饱和开关时间
开启时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
上升时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
打开-O FF时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
下降时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
**所有标准结构在T
A
= 25°C
(I
F
能力= 20 mA ,V
CE
= 0.4 V)
t
on
(I
F
= 10 mA时, V
CE
= 0.4 V)
(I
F
能力= 20 mA ,V
CE
= 0.4 V)
t
r
(I
F
能力= 20 mA ,V
CE
= 0.4 V)
(I
F
能力= 20 mA ,V
CE
= 0.4 V)
t
关闭
(I
F
= 10 mA时, V
CE
= 0.4 V)
(I
F
能力= 20 mA ,V
CE
= 0.4 V)
t
f
(I
F
= 10 mA时, V
CE
= 0.4 V)
24
39
34
s
8.0
5.5
s
(I
C
= 2.0毫安, V
CC
= 10 V ,R
L
= 100
)
(3)
(I
C
= 2.0毫安, V
CC
= 10 V ,R
L
= 100
)
(3)
MOC8101-5
MOC8106-8
MOC8101-5
MOC8106-8
(R
L
= 100
, I
C
= 2 mA)的
(V
CC
= 10 V)
(I
C
= 2.0毫安, V
CC
= 10 V ,R
L
= 100
)
(3)
(I
C
= 2.0毫安, V
CC
= 10 V ,R
L
= 100
)
(3)
t
on
t
关闭
t
on
t
关闭
t
r
t
f
2
3
2
3
1
2
10
10
20
20
s
s
s
测试条件符号
典型**
最大
单位
4.0
s
20
s
注意事项:
1.总是设计到特定网络版最小/最大电限(如适用) 。
2.电流传输比( CTR ) = I
C
/I
F
x 100%.
3.对于测试电路的设置和波形,参见图11 。
如图4所示,在本测试中,引脚1和2是常见的,并且引脚4 5是共同的。
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6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
(没有基连接)
MOC8101
MOC8105
CNY17F-1
MOC8102
MOC8106
CNY17F-2
MOC8103
MOC8107
CNY17F-3
MOC8104
MOC8108
CNY17F-4
典型性能曲线
图。 1 LED的正向电压与正向电流
1.8
1.4
图。 2归CTR与正向电流
T
A
= 25°C
V
CE
= 5.0 V
1.2
归一
I
F
= 10毫安
1.7
V
F
- 正向电压( V)
1.6
1.0
1.5
T
A
= -55°C
1.4
归一化CTR
100
0.8
0.6
1.3
1.2
T
A
= 25°C
1.1
T
A
= 100°C
1.0
1
10
0.4
0.2
0.0
0
5
10
15
20
I
F
- LED正向电流(mA )
I
F
- 正向电流(mA )
图。 3归CTR与环境温度
1.6
1.0
0.9
1.4
I
F
= 5毫安
0.8
图。 4 CTR与RBE (饱和)
归一化CTR
归一化CTR
1.2
I
F
= 10毫安
1.0
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
I
F
= 20毫安
I
F
= 10毫安
0.8
I
F
= 20毫安
0.6
归一
I
F
= 10毫安
T
A
= 25°C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
I
F
= 5毫安
0.2
0.1
0.0
10
100
1000
T
A
= 25°C
V
CE
= 0.3 V
标准化为CTR 1 R
BE
=打开
0.4
-75
T
A
- 环境温度( ° C)
R
BE
- 基极电阻值(kΩ )
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