6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
（没有基连接）
MOC8101
MOC8105
CNY17F-1
特点
该MOC810X和CNY17F -X设备包括一个砷化镓发光二极管光耦合的
在一个双列直插式封装的硅光敏晶体管。
紧密匹配的电流传输比（ CTR ）最小化单位到单位变化
窄（ CTR）窗口转换到一个狭窄的，可预期的公开
环路增益窗口
与无芯片非常低的电容耦合到引脚6基地
连接的最小噪声敏感性
下令进行测试和每VDE 0884要求标明设备，
后缀“ 0.300 ”必须被包括在部分号的末尾。例如MOC8101.300
VDE 0884是一个测试选项。
MOC8102
MOC8106
CNY17F-2
MOC8103
MOC8107
CNY17F-3
MOC8104
MOC8108
CNY17F-4
6
1
6
1
6
1
应用
开关式电源（反馈控制）
AC线/数字逻辑隔离
接口和不同的潜能和阻抗耦合系统
绝对最大额定值
参数
输入LED
正向电流 - 连续
正向电流 - 峰值（ PW = 1μs的时间， 300pps ）
反向电压
LED功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
输出晶体管
集电极 - 发射极电压
MOC8106 / 7/8 ， CNY17F -1/2 /3/4
MOC8101/2/3/4/5
发射极 - 集电极电压
探测器功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
设备总
输入输出隔离电压
(1)
中（f = 60Hz时， t为1分钟）。
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
工作温度范围
存储温度范围
引线焊接温度
（ 1/16“的情况下， 10秒持续时间）
记
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
符号
I
F
I
F
（ PK）
V
R
P
D
价值
100
1
6
140
1.33
单位
1
概要
NC
6
mA
A
伏
mW
毫瓦/°C的
PIN 1.阳极
2.阴极
3.未连接
4.发射器
5.集热器
6.无连接
3
NC
4
2
5
V
首席执行官
70
30
7
200
2.67
伏
V
ECO
P
D
伏
mW
毫瓦/°C的
VAC （ RMS）
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
°C
V
ISO
P
D
T
OPR
T
英镑
T
SOL
5300
260
2.94
-55到+100
-55到+150
260
1，输入输出隔离电压， VISO ，是内部设备绝缘击穿的评价。
2001年仙童半导体公司
DS300266
9/18/01
1 10
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6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
（没有基连接）
MOC8101
MOC8105
CNY17F-1
MOC8102
MOC8106
CNY17F-2
MOC8103
MOC8107
CNY17F-3
MOC8104
MOC8108
CNY17F-4
电气特性
特征
输入LED
正向电压（I
F
= 60 mA）的
反向漏电流（V
R
= 5.0 V)
电容
输出晶体管
集电极 - 发射极暗电流
集电极 - 发射极击穿电压
MOC8101/2/3/4/5
MOC8106 / 7/8 ， CNY17F -1/2 /3/4
发射极 - 集电极击穿电压
集电极 - 发射极电容
再加
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
(1)
符号
V
F
I
R
C
民
1.0
—
—
—
—
30
70
V
（ BR ） ECO
C
CE
7.0
—
50
73
108
160
65
（ CTR ）
(2)
50
100
250
40
63
100
160
V
CE （ SAT ）
V
ISO
R
ISO
C
ISO
—
5300
10
11
—
典型**
1.4
0.001
18
1.0
1.0
100
100
10
8
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.5
最大
1.65
10
—
50
—
—
—
—
—
80
117
173
256
133
150
300
600
80
125
200
320
0.4
—
—
—
pF
V
VAC （ RMS）
%
V
pF
单位
V
A
pF
nA
A
V
(V
CE
= 10 V ，T
A
= 25°C)
(V
CE
= 10 V ，T
A
= 100°C)
(I
C
= 1.0 mA）的
(I
C
= 1.0 mA）的
(I
E
= 100 A)
（ F = 1.0兆赫，V
CE
= 0)
MOC8101
MOC8102
MOC8103
MOC8104
MOC8105
MOC8106
MOC8107
MOC8108
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
I
CEO1
I
CEO2
V
（ BR ） CEO
输出集电极电流
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 10 V)
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5 V)
集电极 - 发射极饱和电压
CNY17F-1/2/3/4
MOC8101/2/3/4/5/6/7/8
隔离电压
绝缘电阻
隔离电容
**所有标准结构在T
A
= 25°C
(I
C
= 2.5毫安，我
F
= 10 mA）的
(I
C
= 500 μA ，我
F
= 5.0 mA）的
（ F = 60赫兹，T = 1.0分。 ）
(4)
(V
我-O
= 500 V)
(4)
(V
我-O
= 0中，f = 1.0 MHz）的
(4)
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2 10
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6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
（没有基连接）
MOC8101
MOC8105
CNY17F-1
MOC8102
MOC8106
CNY17F-2
MOC8103
MOC8107
CNY17F-3
MOC8104
MOC8108
CNY17F-4
传输特性
AC特性
不饱和开关时间
开启时间
打开-O FF时间
开启时间
所有器件
打开-O FF时间
所有器件
上升时间
所有器件
下降时间
所有器件
开启时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
上升时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
打开-O FF时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
下降时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
**所有标准结构在T
A
= 25°C
CNY17F -1/2 /3/4只
CNY17F -1/2 /3/4只
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
测试条件
(R
L
= 100
, I
C
= 2 mA）的
(V
CC
= 10 V)
)
(3)
)
(3)
)
(3)
)
(3)
符号
t
on
t
关闭
t
on
t
关闭
t
r
t
f
民
—
—
—
—
—
—
典型**
2
3
2
3
1
2
最大
10
10
—
s
—
—
s
—
单位
s
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
饱和开关时间
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
t
on
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V)
—
—
8.0
—
—
5.5
s
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
t
r
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V)
—
—
4.0
s
—
—
6.0
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
t
关闭
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V)
—
—
34
s
—
—
39
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
t
f
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V)
—
—
20
s
—
—
24
注意事项：
1.总是设计到特定网络版最小/最大电限（如适用） 。
2.电流传输比（ CTR ） = I
C
/I
F
x 100%.
3.对于测试电路的设置和波形，请参阅图7 。
如图4所示，在本测试中，引脚1和2是常见的，并且引脚4 5是共同的。
DS300266
9/18/01
3 10
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CNY17F
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，无连接基地
特点
击穿电压， 5300 V
RMS
为改进的COM没有相应的终端连接
共模接口抗扰度
长期稳定性
行业标准的双列直插式封装
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
18216
A
C
NC
1
2
3
6 NC
5 C
4 E
e3
Pb
无铅
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码H或按J ，
双重保护
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
BSI IEC60950 IEC60065
FIMKO
订购信息
部分
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
CNY17F-1X006
CNY17F-1X007
CNY17F-1X009
CNY17F-2X006
CNY17F-2X007
CNY17F-2X009
CNY17F-3X006
CNY17F-3X007
CNY17F-3X009
CNY17F-4X006
CNY17F-4X007
CNY17F-4X009
备注
点击率40 ％ - 80％ ， DIP - 6
CTR 63 - 125 ％ ， DIP - 6
CTR 100 - 200 ％ ， DIP - 6
CTR 160 - 320 ％ ， DIP - 6
点击率40 ％ - 80％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
点击率40 ％ - 80％ ， SMD - 6 （选项7 ）
点击率40 ％ - 80％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR 63 - 125 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR 63 - 125 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR 63 - 125 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR 100 - 200 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR 100 - 200 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR 100 - 200 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR 160 - 320 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR 160 - 320 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR 160 - 320 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
描述
该CNY17F是光电耦合器由房颤GAL-
lium砷化镓红外发光二极管的光学cou-
PLED到一个硅平面光电晶体管检测器在一个
塑料插件DIP -6封装。
所述联接装置适合于信号传输
在两个电分离电路。该
要被连接的电路之间的电势差
不允许超过最大允许
参考电压。
与此相反的CNY17系列的基极端
该F型不conected ，产生了基本上
改进的共模干扰免疫。
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
文档编号83607
修订版1.5 ， 10月26日04
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1
CNY17F
威世半导体
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
功耗
t
≤
10
s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
6.0
60
2.5
100
单位
V
mA
A
mW
产量
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
集电极电流
t
≤
1.0毫秒
总功耗
测试条件
符号
BV
首席执行官
I
C
I
C
P
DISS
价值
70
50
100
150
单位
V
mA
mA
mW
耦合器
参数
隔离测试电压（间
发射器和检测器被称为
气候标准DIN 23/50
50014)
爬电距离
净空
间隔离厚度
发射器和检测器
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDE 0303 ，第1部分
绝缘电阻
存储温度范围
环境温度范围
结温
焊接温度
最大。 10秒，浸焊：
距离飞机座位
≥
1.5 mm
V
IO
= 500 V
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
测试条件
符号
V
ISO
价值
5300
单位
V
RMS
≥
7.0
≥
7.0
≥
0.4
175
≥
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
100
260
mm
mm
mm
°C
°C
°C
°C
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2
文档编号83607
修订版1.5 ， 10月26日04
CNY17F
威世半导体
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
击穿电压
目前储备
电容
热阻
测试条件
I
F
= 60毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 6.0 V
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
V
F
V
BR
I
R
C
O
R
th
6.0
0.01
25
750
10
民
典型值。
1.25
最大
1.65
单位
V
V
A
pF
K / W
产量
参数
集电极 - 发射极电容
基地 - 集电极电容
发射极 - 基极电容
热阻
测试条件
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
C
CE
C
BC
C
EB
R
th
民
典型值。
5.2
6.5
7.5
500
最大
单位
pF
pF
pF
K / W
耦合器
参数
饱和电压，集电极 -
辐射源
耦合电容
集电极 - 射极漏泄
当前
V
CE
= 10 V
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
测试条件
I
F
= 10 mA时，我
C
= 2.5毫安
部分
符号
V
CESAT
C
C
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
民
典型值。
0.25
0.6
2.0
2.0
5.0
5.0
50
50
100
100
最大
0.4
单位
V
pF
nA
nA
nA
nA
电流传输比
电流传输比我
C
/I
F
在V
CE
= 5.0 V ， 25 ° C和集电极 - 发射极漏电流短线数字
参数
电流传输比
测试条件
I
F
= 10毫安
部分
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
I
F
= 1.0毫安
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
民
40
63
100
160
13
22
34
56
30
45
70
90
典型值。
最大
80
125
200
320
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
文档编号83607
修订版1.5 ， 10月26日04
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3
CNY17F
威世半导体
（ TA = -25°C ， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ IF）的
（ TA = 50℃ ， VCE = 5.0 V）
1
2
3
4
1
2
3
4
icny17f_03
icny17f_06
A
图3.电流传输比主场迎战二极管电流
图6.电流传输比主场迎战二极管电流
（ TA = 0 ° C， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ IF）的
（ TA = 75℃ ， VCE = 5.0 V）
1
2
3
4
1
2
3
4
icny17f_04
icny17f_07
图4.电流传输比主场迎战二极管电流
图7.电流传输比主场迎战二极管电流
（ TA = 25℃ ， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ IF）的
（ IF = 10 mA时， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ T）的
4
3
1
2
3
4
2
1
icny17f_05
icny17f_08
A
图5.电流传输比主场迎战二极管电流
图8.电流传输比（ CTR ）与温度的关系
文档编号83607
修订版1.5 ， 10月26日04
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5
CNY17F
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
没有基连接
特点
隔离测试电压， 5300 V
RMS
A
C
NC
1
2
3
6
NC
5 C
4 E
用于改进没有相应的终端连接
共模接口免疫
长期稳定性
行业标准的双列直插式封装
铅（Pb） -free组件
按照RoHS元器件2002/95 / EC和
WEEE 2002/96 / EC
18216
机构认证
描述
该CNY17F是光耦组成的镓
砷化镓红外发光二极管光耦合到一个硅
在一个塑料插件DIP - 6的平面光电晶体管探测器
封装。
所述联接装置适合于信号传输
在两个电分离电路。潜力
不允许被连接的电路之间的区别
超过允许的最大参考电压。
与此相反的CNY17系列，所述的基极端
F型不conected ，产生了显着改善
共模干扰免疫。
UL1577 ，文件号。 E52744系统代号H或按J ，双
保护
DIN EN 60747-5-5可用的选项1
BSI IEC 60950 ; IEC 60065
FIMKO
订购信息
部分
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
CNY17F-1X006
CNY17F-1X007
CNY17F-1X009
CNY17F-2X006
CNY17F-2X007
CNY17F-2X009
CNY17F-3X006
CNY17F-3X007
CNY17F-3X009
CNY17F-4X006
CNY17F-4X007
CNY17F-4X009
记
有关可用选项的更多信息，请参阅选项的信息。
备注
点击率4080％ ， DIP-6
点击率63 125％ ， DIP-6
点击率100200％ ， DIP-6
CTR 160 320 ％ ， DIP - 6
点击率4080 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
点击率4080％ ，SMD -6（选项7 ）
点击率4080％ ，SMD -6（选项9 ）
点击率63 125 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
点击率63 125 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
点击率63 125 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR 100200 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
点击率100200％ ，SMD -6（选项7 ）
点击率100200％ ，SMD -6（选项9 ）
CTR 160 320 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR 160 320 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR 160 320 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
文档编号： 83607
修订版1.5 ， 07- 08年5月
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
www.vishay.com
221
CNY17F
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
没有基连接
绝对最大额定值
参数
输入
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
功耗
产量
集电极发射极击穿电压
集电极电流
总功耗
耦合器
绝缘测试电压
发射器和检测器之间的称为
标准的气候23/50 DIN 50014
爬电距离
净空
间隔离厚度
发射器和检测器
漏电起痕指数
符合DIN IEC 112 / VDE 0303 ，第1部分
绝缘电阻
存储温度范围
环境温度范围
结温
焊接温度
最大。 10秒，浸焊：距离
飞机座位
≥
1.5 mm
V
IO
= 500 V
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
V
ISO
5300
≥
7.0
≥
7.0
≥
0.4
175
≥
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
100
260
Ω
°C
°C
°C
°C
V
RMS
mm
mm
mm
t
≤
1.0毫秒
BV
首席执行官
I
C
I
C
P
DISS
70
50
100
150
V
mA
mA
mW
t
≤
10 s
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
6.0
60
2.5
100
V
mA
A
mW
测试条件
符号
价值
单位
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不暗示
在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。置身于绝对最大额定值
的长时间可不利地影响可靠性。
电气特性的影响
参数
输入
正向电压
击穿电压
反向电流
电容
热阻
产量
集电极 - 发射极电容
基地集电极电容
发射基地电容
热阻
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
C
CE
C
BC
C
EB
R
th
5.2
6.5
7.5
500
pF
pF
pF
K / W
I
F
= 60毫安
I
R
= 10 A
V
R
= 6.0 V
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
F
V
BR
I
R
C
O
R
th
6.0
0.01
25
750
10
1.25
1.65
V
V
A
pF
K / W
测试条件
部分
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
www.vishay.com
222
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
文档编号： 83607
修订版1.5 ， 07- 08年5月
CNY17F
光电耦合器，光电晶体管输出，
没有基连接
电气特性的影响
参数
耦合器
集电极 - 发射极，饱和电压
耦合电容
CNY17F-1
集电极 - 发射极漏电流
V
CE
= 10 V
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
I
F
= 10 mA时，我
C
= 2.5毫安
V
CESAT
C
C
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
0.25
0.6
2.0
2.0
5.0
5.0
50
50
100
100
0.4
V
pF
nA
nA
nA
nA
测试条件
部分
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
威世半导体
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
最小和最大值被测试requierements 。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评估。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
电流传输比
参数
测试条件
部分
CNY17F-1
I
F
= 10毫安
电流传输比
I
F
= 1.0毫安
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
分钟。
40
63
100
160
13
22
34
56
30
45
70
90
典型值。
马克斯。
80
125
200
320
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
记
电流传输比我
C
/I
F
在V
CE
=受短线数字5.0 V ， 25 ° C和集电极 - 发射极漏电流。
开关特性
参数
测试条件
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 75
Ω
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 75
Ω
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 75
Ω
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 75
Ω
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 75
Ω
部分
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
线性运算（不饱和）
开启时间
上升时间
打开-O FF时间
下降时间
截止频率
t
on
t
r
t
关闭
t
f
f
CO
3.0
2.0
2.3
2.0
250
s
s
s
s
千赫
文档编号： 83607
修订版1.5 ， 07- 08年5月
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CNY17F
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
没有基连接
开关特性
参数
测试条件
I
F
= 20毫安
开启时间
I
F
= 10毫安
I
F
= 5毫安
I
F
= 20毫安
上升时间
I
F
= 10毫安
I
F
= 5毫安
I
F
= 20毫安
打开-O FF时间
I
F
= 10毫安
I
F
= 5毫安
I
F
= 20毫安
下降时间
I
F
= 10毫安
I
F
= 5毫安
部分
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
符号
t
on
t
on
t
on
t
on
t
r
t
r
t
r
t
r
t
关闭
t
关闭
t
关闭
t
关闭
t
f
t
f
t
f
t
f
分钟。
典型值。
3.0
4.2
4.2
6.0
2.0
3.0
3.0
4.6
18
23
23
25
11
14
14
15
马克斯。
单位
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
开关操作（与饱和度）
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
I
F
R
L
= 75
Ω
I
C
V
CC
= 5
V
I
F
1 KΩ
V
CC
= 5
Ω
45
Ω
47
Ω
icny17f_01
icny17f_02
图。 1 - 线性操作（不饱和）
图。 2 - 开关运行（饱和度）
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CNY17F
光电耦合器，光电晶体管输出，
没有基连接
威世半导体
1000
(T
A
= - 25 C,
V
CE
= 5
V)
I
C
/I
F
= F（我
F
)
1000
(T
A
= 50 C,
V
CE
= 5
V)
I
C
/I
F
= F（我
F
)
I
C
(%)
I
F
I
C
(%)
I
F
100
1
2
3
4
100
1
2
3
4
10
10
1
0.1
icny17f_03
1
1
10
0.1
icny17f_06
1
10
I
F
（MA ）
I
F
（MA ）
图。 3 - 电流传输比主场迎战二极管电流
图。 6 - 电流传输比主场迎战二极管电流
1000
(T
A
= 0 C,
V
CE
= 5
V)
I
C
/I
F
= F（我
F
)
1000
(T
A
= 75 C,
V
CE
= 5
V)
I
C
/I
F
= F（我
F
)
I
C
(%)
I
F
10
1
2
3
4
I
C
(%)
I
F
100
100
10
1
2
3
4
1
0.1
icny17f_04
1
1
10
0.1
icny17f_07
1
10
I
F
（MA ）
I
F
（MA ）
图。 4 - 电流传输比主场迎战二极管电流
图。 7 - 电流传输比主场迎战二极管电流
1000
(T
A
= 25 C,
V
CE
= 5
V)
I
C
/I
F
= F（我
F
)
1000
(I
F
= 10毫安，
V
CE
= 5
V)
I
C
/I
F
= F （t）的
4
I
C
(%)
I
F
100
I
C
(%)
I
F
100
3
2
1
10
1
2
3
4
1
0.1
icny17f_05
1
10
10
- 25
icny17f_08
0
25
50
75
I
F
（MA ）
T
A
(°C)
图。 5 - 电流传输比主场迎战二极管电流
图。 8 - 电流传输比（ CTR ）与温度的关系
文档编号： 83607
修订版1.5 ， 07- 08年5月
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CNY17F
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，无连接基地
特点
击穿电压， 5300 V
RMS
为改进的COM没有相应的终端连接
共模接口抗扰度
长期稳定性
行业标准的双列直插式封装
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
18216
A
C
NC
1
2
3
6 NC
5 C
4 E
e3
Pb
无铅
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码H或按J ，
双重保护
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
BSI IEC60950 IEC60065
FIMKO
订购信息
部分
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
CNY17F-1X006
CNY17F-1X007
CNY17F-1X009
CNY17F-2X006
CNY17F-2X007
CNY17F-2X009
CNY17F-3X006
CNY17F-3X007
CNY17F-3X009
CNY17F-4X006
CNY17F-4X007
CNY17F-4X009
备注
点击率40 ％ - 80％ ， DIP - 6
CTR 63 - 125 ％ ， DIP - 6
CTR 100 - 200 ％ ， DIP - 6
CTR 160 - 320 ％ ， DIP - 6
点击率40 ％ - 80％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
点击率40 ％ - 80％ ， SMD - 6 （选项7 ）
点击率40 ％ - 80％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR 63 - 125 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR 63 - 125 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR 63 - 125 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR 100 - 200 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR 100 - 200 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR 100 - 200 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR 160 - 320 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR 160 - 320 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR 160 - 320 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
描述
该CNY17F是光电耦合器由房颤GAL-
lium砷化镓红外发光二极管的光学cou-
PLED到一个硅平面光电晶体管检测器在一个
塑料插件DIP -6封装。
所述联接装置适合于信号传输
在两个电分离电路。该
要被连接的电路之间的电势差
不允许超过最大允许
参考电压。
与此相反的CNY17系列的基极端
该F型不conected ，产生了基本上
改进的共模干扰免疫。
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
文档编号83607
修订版1.5 ， 10月26日04
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1
CNY17F
威世半导体
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
功耗
t
≤
10
s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
6.0
60
2.5
100
单位
V
mA
A
mW
产量
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
集电极电流
t
≤
1.0毫秒
总功耗
测试条件
符号
BV
首席执行官
I
C
I
C
P
DISS
价值
70
50
100
150
单位
V
mA
mA
mW
耦合器
参数
隔离测试电压（间
发射器和检测器被称为
气候标准DIN 23/50
50014)
爬电距离
净空
间隔离厚度
发射器和检测器
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDE 0303 ，第1部分
绝缘电阻
存储温度范围
环境温度范围
结温
焊接温度
最大。 10秒，浸焊：
距离飞机座位
≥
1.5 mm
V
IO
= 500 V
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
测试条件
符号
V
ISO
价值
5300
单位
V
RMS
≥
7.0
≥
7.0
≥
0.4
175
≥
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
100
260
mm
mm
mm
°C
°C
°C
°C
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2
文档编号83607
修订版1.5 ， 10月26日04
CNY17F
威世半导体
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
击穿电压
目前储备
电容
热阻
测试条件
I
F
= 60毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 6.0 V
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
V
F
V
BR
I
R
C
O
R
th
6.0
0.01
25
750
10
民
典型值。
1.25
最大
1.65
单位
V
V
A
pF
K / W
产量
参数
集电极 - 发射极电容
基地 - 集电极电容
发射极 - 基极电容
热阻
测试条件
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
C
CE
C
BC
C
EB
R
th
民
典型值。
5.2
6.5
7.5
500
最大
单位
pF
pF
pF
K / W
耦合器
参数
饱和电压，集电极 -
辐射源
耦合电容
集电极 - 射极漏泄
当前
V
CE
= 10 V
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
测试条件
I
F
= 10 mA时，我
C
= 2.5毫安
部分
符号
V
CESAT
C
C
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
民
典型值。
0.25
0.6
2.0
2.0
5.0
5.0
50
50
100
100
最大
0.4
单位
V
pF
nA
nA
nA
nA
电流传输比
电流传输比我
C
/I
F
在V
CE
= 5.0 V ， 25 ° C和集电极 - 发射极漏电流短线数字
参数
电流传输比
测试条件
I
F
= 10毫安
部分
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
I
F
= 1.0毫安
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
民
40
63
100
160
13
22
34
56
30
45
70
90
典型值。
最大
80
125
200
320
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
文档编号83607
修订版1.5 ， 10月26日04
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3
CNY17F
威世半导体
（ TA = -25°C ， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ IF）的
（ TA = 50℃ ， VCE = 5.0 V）
1
2
3
4
1
2
3
4
icny17f_03
icny17f_06
A
图3.电流传输比主场迎战二极管电流
图6.电流传输比主场迎战二极管电流
（ TA = 0 ° C， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ IF）的
（ TA = 75℃ ， VCE = 5.0 V）
1
2
3
4
1
2
3
4
icny17f_04
icny17f_07
图4.电流传输比主场迎战二极管电流
图7.电流传输比主场迎战二极管电流
（ TA = 25℃ ， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ IF）的
（ IF = 10 mA时， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ T）的
4
3
1
2
3
4
2
1
icny17f_05
icny17f_08
A
图5.电流传输比主场迎战二极管电流
图8.电流传输比（ CTR ）与温度的关系
文档编号83607
修订版1.5 ， 10月26日04
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5
6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
（没有基连接）
MOC8101
MOC8105
CNY17F-1
MOC8102
MOC8106
CNY17F-2
包
1
MOC8103
MOC8107
CNY17F-3
MOC8104
MOC8108
CNY17F-4
概要
NC
6
2
5
6
1
6
3
NC
4
1
PIN 1.阳极
2.阴极
3.未连接
4.发射器
5.集热器
6.无连接
6
1
特点
该MOC810X和CNY17F -X设备包括一个砷化镓发光二极管光耦合到一个硅光电晶体管在双IN-的
行包。
紧密匹配的电流传输比（ CTR ）最小化单位到单位变化
窄（ CTR）窗口转换到一个狭窄的，可预期的开环增益窗口
随着无芯片超低电容耦合到引脚6基地连接的最小噪声敏感性
下令进行测试和每VDE 0884标要求的设备，该频谱使用费科幻X“ .300 ”必须包含在末尾
的部件号。例如MOC8101.300 VDE 0884是一个测试选项。
应用
开关式电源（反馈控制）
AC线/数字逻辑隔离
接口和不同的潜能和阻抗耦合系统
2004仙童半导体公司
第12页1
1/21/04
6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
（没有基连接）
MOC8101
MOC8105
CNY17F-1
MOC8102
MOC8106
CNY17F-2
MOC8103
MOC8107
CNY17F-3
MOC8104
MOC8108
CNY17F-4
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
输入LED
正向电流 - 连续
正向电流 - 峰值（ PW = 1μs的时间， 300pps ）
反向电压
LED功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
输出晶体管
集电极 - 发射极电压
MOC8106 / 7/8 ， CNY17F -1/2 /3/4
MOC8101/2/3/4/5
发射极 - 集电极电压
探测器功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
设备总
输入输出隔离电压
中（f = 60Hz时， t为1分钟）。
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
工作温度范围
存储温度范围
引线焊接温度
（ 1/16“的情况下， 10秒持续时间）
V
ISO
P
D
T
OPR
T
英镑
T
SOL
5300
250
3.3
-55到+100
-55到+150
260
VAC （ RMS）
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
°C
V
首席执行官
V
ECO
P
D
70
30
7
150
2.0
伏
伏
mW
毫瓦/°C的
I
F
I
F
（ PK）
V
R
P
D
100
1
6
150
2.0
mA
A
伏
mW
毫瓦/°C的
符号
价值
单位
2004仙童半导体公司
第12页2
1/21/04
6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
（没有基连接）
MOC8101
MOC8105
CNY17F-1
MOC8102
MOC8106
CNY17F-2
MOC8103
MOC8107
CNY17F-3
MOC8104
MOC8108
CNY17F-4
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
(1)
特征
输入LED
正向电压
(I
F
= 60 mA）的
(I
F
= 10 mA）的
反向漏电流（V
R
= 5.0 V)
电容
输出晶体管
集电极 - 发射极暗电流
集电极 - 发射极击穿电压
MOC8101/2/3/4/5
MOC8106 / 7/8 ， CNY17F -1/2 /3/4
发射极 - 集电极击穿电压
集电极 - 发射极电容
再加
MOC8101
MOC8102
MOC8103
输出集电极电流
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 10 V)
MOC8104
MOC8105
MOC8106
MOC8107
MOC8108
CNY17F-1
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5 V)
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
集电极 - 发射极饱和电压
CNY17F-1/2/3/4
MOC8101/2/3/4/5/6/7/8
隔离电压
绝缘电阻
隔离电容
**所有标准结构在T
A
= 25°C
(I
C
= 2.5毫安，我
F
= 10 mA）的
(I
C
= 500 μA ，我
F
= 5.0 mA）的
（ F = 60赫兹，T = 1.0分。 ）
(4)
(V
我-O
= 500 V)
(4)
(V
我-O
= 0中，f = 1.0 MHz）的
(4)
V
CE （ SAT ）
V
ISO
R
ISO
C
ISO
—
5300
10
11
—
—
—
—
0.5
0.4
—
—
—
V
VAC （ RMS）
pF
（ CTR ）
(2)
50
73
108
160
65
50
100
250
40
63
100
160
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
80
117
173
256
133
150
300
600
80
125
200
320
%
(I
C
= 1.0 mA）的
(I
C
= 1.0 mA）的
(I
E
= 100 A)
（ F = 1.0兆赫，V
CE
= 0)
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） ECO
C
CE
30
70
7.0
—
100
100
10
8
—
—
—
—
V
V
pF
(V
CE
= 10 V ，T
A
= 25°C)
(V
CE
= 10 V ，T
A
= 100°C)
I
CEO1
I
CEO2
—
—
1.0
1.0
50
—
nA
A
CNY17F-X
MOC810X
I
R
C
V
F
—
1.0
—
—
1.40
1.18
0.001
18
1.65
1.5
10
—
A
pF
V
符号
民
典型**
最大
单位
2004仙童半导体公司
第12页3
1/21/04
6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
（没有基连接）
MOC8101
MOC8105
CNY17F-1
MOC8102
MOC8106
CNY17F-2
MOC8103
MOC8107
CNY17F-3
MOC8104
MOC8108
CNY17F-4
传输特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
AC特性
不饱和开关时间
开启时间CNY17F -1/2 /3/4只
关断时间CNY17F -1/2 /3/4只
开启时间
打开-O FF时间
上升时间
所有器件
下降时间
所有器件
饱和开关时间
开启时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
上升时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
打开-O FF时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
下降时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
**所有标准结构在T
A
= 25°C
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
t
on
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V)
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
t
r
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
t
关闭
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V)
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
t
f
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V)
—
—
24
—
—
39
—
—
34
s
—
—
8.0
—
—
5.5
s
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
)
(3)
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
)
(3)
MOC8101-5
MOC8106-8
MOC8101-5
MOC8106-8
(R
L
= 100
, I
C
= 2 mA）的
(V
CC
= 10 V)
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
)
(3)
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
)
(3)
t
on
t
关闭
t
on
t
关闭
t
r
t
f
—
—
—
—
—
—
2
3
2
3
1
2
10
10
20
—
20
—
—
s
—
s
s
测试条件符号
民
典型**
最大
单位
—
—
4.0
s
—
—
20
s
注意事项：
1.总是设计到特定网络版最小/最大电限（如适用） 。
2.电流传输比（ CTR ） = I
C
/I
F
x 100%.
3.对于测试电路的设置和波形，参见图11 。
如图4所示，在本测试中，引脚1和2是常见的，并且引脚4 5是共同的。
2004仙童半导体公司
第12页4
1/21/04
6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
（没有基连接）
MOC8101
MOC8105
CNY17F-1
特点
该MOC810X和CNY17F -X设备包括一个砷化镓发光二极管光耦合的
在一个双列直插式封装的硅光敏晶体管。
紧密匹配的电流传输比（ CTR ）最小化单位到单位变化
窄（ CTR）窗口转换到一个狭窄的，可预期的公开
环路增益窗口
与无芯片非常低的电容耦合到引脚6基地
连接的最小噪声敏感性
下令进行测试和每VDE 0884要求标明设备，
后缀“ 0.300 ”必须被包括在部分号的末尾。例如MOC8101.300
VDE 0884是一个测试选项。
MOC8102
MOC8106
CNY17F-2
MOC8103
MOC8107
CNY17F-3
MOC8104
MOC8108
CNY17F-4
6
1
6
1
6
1
应用
开关式电源（反馈控制）
AC线/数字逻辑隔离
接口和不同的潜能和阻抗耦合系统
绝对最大额定值
参数
输入LED
正向电流 - 连续
正向电流 - 峰值（ PW = 1μs的时间， 300pps ）
反向电压
LED功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
输出晶体管
集电极 - 发射极电压
MOC8106 / 7/8 ， CNY17F -1/2 /3/4
MOC8101/2/3/4/5
发射极 - 集电极电压
探测器功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
设备总
输入输出隔离电压
(1)
中（f = 60Hz时， t为1分钟）。
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
工作温度范围
存储温度范围
引线焊接温度
（ 1/16“的情况下， 10秒持续时间）
记
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
符号
I
F
I
F
（ PK）
V
R
P
D
价值
100
1
6
140
1.33
单位
1
概要
NC
6
mA
A
伏
mW
毫瓦/°C的
PIN 1.阳极
2.阴极
3.未连接
4.发射器
5.集热器
6.无连接
3
NC
4
2
5
V
首席执行官
70
30
7
200
2.67
伏
V
ECO
P
D
伏
mW
毫瓦/°C的
VAC （ RMS）
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
°C
V
ISO
P
D
T
OPR
T
英镑
T
SOL
5300
260
2.94
-55到+100
-55到+150
260
1，输入输出隔离电压， VISO ，是内部设备绝缘击穿的评价。
2001年仙童半导体公司
DS300266
9/18/01
1 10
www.fairchildsemi.com
6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
（没有基连接）
MOC8101
MOC8105
CNY17F-1
MOC8102
MOC8106
CNY17F-2
MOC8103
MOC8107
CNY17F-3
MOC8104
MOC8108
CNY17F-4
电气特性
特征
输入LED
正向电压（I
F
= 60 mA）的
反向漏电流（V
R
= 5.0 V)
电容
输出晶体管
集电极 - 发射极暗电流
集电极 - 发射极击穿电压
MOC8101/2/3/4/5
MOC8106 / 7/8 ， CNY17F -1/2 /3/4
发射极 - 集电极击穿电压
集电极 - 发射极电容
再加
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
(1)
符号
V
F
I
R
C
民
1.0
—
—
—
—
30
70
V
（ BR ） ECO
C
CE
7.0
—
50
73
108
160
65
（ CTR ）
(2)
50
100
250
40
63
100
160
V
CE （ SAT ）
V
ISO
R
ISO
C
ISO
—
5300
10
11
—
典型**
1.4
0.001
18
1.0
1.0
100
100
10
8
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.5
最大
1.65
10
—
50
—
—
—
—
—
80
117
173
256
133
150
300
600
80
125
200
320
0.4
—
—
—
pF
V
VAC （ RMS）
%
V
pF
单位
V
A
pF
nA
A
V
(V
CE
= 10 V ，T
A
= 25°C)
(V
CE
= 10 V ，T
A
= 100°C)
(I
C
= 1.0 mA）的
(I
C
= 1.0 mA）的
(I
E
= 100 A)
（ F = 1.0兆赫，V
CE
= 0)
MOC8101
MOC8102
MOC8103
MOC8104
MOC8105
MOC8106
MOC8107
MOC8108
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
I
CEO1
I
CEO2
V
（ BR ） CEO
输出集电极电流
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 10 V)
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5 V)
集电极 - 发射极饱和电压
CNY17F-1/2/3/4
MOC8101/2/3/4/5/6/7/8
隔离电压
绝缘电阻
隔离电容
**所有标准结构在T
A
= 25°C
(I
C
= 2.5毫安，我
F
= 10 mA）的
(I
C
= 500 μA ，我
F
= 5.0 mA）的
（ F = 60赫兹，T = 1.0分。 ）
(4)
(V
我-O
= 500 V)
(4)
(V
我-O
= 0中，f = 1.0 MHz）的
(4)
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2 10
9/18/01
DS300266
6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
（没有基连接）
MOC8101
MOC8105
CNY17F-1
MOC8102
MOC8106
CNY17F-2
MOC8103
MOC8107
CNY17F-3
MOC8104
MOC8108
CNY17F-4
传输特性
AC特性
不饱和开关时间
开启时间
打开-O FF时间
开启时间
所有器件
打开-O FF时间
所有器件
上升时间
所有器件
下降时间
所有器件
开启时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
上升时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
打开-O FF时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
下降时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
**所有标准结构在T
A
= 25°C
CNY17F -1/2 /3/4只
CNY17F -1/2 /3/4只
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
测试条件
(R
L
= 100
, I
C
= 2 mA）的
(V
CC
= 10 V)
)
(3)
)
(3)
)
(3)
)
(3)
符号
t
on
t
关闭
t
on
t
关闭
t
r
t
f
民
—
—
—
—
—
—
典型**
2
3
2
3
1
2
最大
10
10
—
s
—
—
s
—
单位
s
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
饱和开关时间
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
t
on
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V)
—
—
8.0
—
—
5.5
s
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
t
r
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V)
—
—
4.0
s
—
—
6.0
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
t
关闭
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V)
—
—
34
s
—
—
39
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
t
f
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V)
—
—
20
s
—
—
24
注意事项：
1.总是设计到特定网络版最小/最大电限（如适用） 。
2.电流传输比（ CTR ） = I
C
/I
F
x 100%.
3.对于测试电路的设置和波形，请参阅图7 。
如图4所示，在本测试中，引脚1和2是常见的，并且引脚4 5是共同的。
DS300266
9/18/01
3 10
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6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
（没有基连接）
描述
该CNY17F系列由一个砷化镓红外发光二极管加上一个NPN的
PHOTOTRANSISTOR
CNY17F-1
（CTR = 40 ％-80％）
特点
高绝缘电压5300 VAC RMS - 1分钟， 7500 VAC PEAK 1分
高BV
首席执行官
最低70伏
在指定的最大饱和开关时间
美国保险商实验室（ UL）的认可文件＃ E90700
CNY17F-2
（ CTR = 63 ％ -125 ％ ）
CNY17F-3
（ CTR = 100 ％ -200 ％ ）
应用
电源稳压器
数字逻辑输入
微处理器的输入
家电传感器系统
工业控制
CNY17F-4
（ CTR = 160 ％ -320 ％ ）
绝对最大额定值
等级
辐射源
正向电流 - 连续
正向电流 - 峰值（ PW = 1μs的时间， 300pps ）
反向电压
LED功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
探测器
探测器功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
设备总
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
工作温度范围
存储温度范围
引线焊接温度
（ 1/16“的情况下， 10秒持续时间）
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
符号
I
F
I
F
（ PK）
V
R
P
D
价值
90
3.0
6
135
1.8
200
2.67
P
D
T
A
T
英镑
T
L
260
3.5
-55到+100
-55到+150
260
单位
mA
A
伏
mW
毫瓦/°C的
mW
毫瓦/°C的
1
6
1
6
1
6
1
P
D
概要
NC
6
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
°C
3
NC
4
2
5
PIN 1.阳极
2.阴极
3.未连接
4.发射器
5.集热器
6.无连接
记
1，输入输出隔离电压， VISO ，是内部设备绝缘击穿的评价。
7/17/00
200027B
CNY17F -1， CNY17F -2， CNY17F -3， CNY17F -4-
电气特性
(T
A
= 25°C除非另有规定。 ）
单个组件特性
参数
辐射源
输入正向电压
正向电压温度。 COEF网络cient
反向电压
结电容
反向漏电流
探测器
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 集电极击穿电压
集电极 - 发射极暗电流
电容
(I
R
= 10 A)
(V
F
= 0 V ， F = 1兆赫）
(V
F
= 1 V ， F = 1兆赫）
(V
R
= 3.0 V)
(I
C
= 1.0毫安，我
F
= 0)
(I
E
= 100 A ，我
F
= 0)
(V
CE
= 10 V，I
F
= 0)
(V
CE
= 0 V ， F = 1兆赫）
测试条件
(I
F
= 60 mA）的
符号
V
F
V
F
T
A
V
R
C
J
I
R
BV
首席执行官
BV
ECO
I
首席执行官
C
CE
70
7
6.0
民
典型**
1.35
-1.8
15
50
65
.35
100
10
5
8
50
10
最大
1.65
单位
V
毫伏/°C的
V
pF
A
V
V
nA
pF
传输特性
AC特性
非饱和开关时间
开启时间
打开-O FF时间
饱和开关时间
开启时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
上升时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
打开-O FF时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
下降时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
**所有标准结构在T
A
= 25°C
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V)
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
t
f
14
24
11
20
s
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V)
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
t
关闭
23
39
18
34
s
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V)
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
t
r
3.0
6.0
2.0
4.0
s
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V)
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
t
on
4.2
8.0
3.0
5.5
s
(R
L
= 100
, I
C
= 2毫安， V
CC
= 10V ）（图7）中
测试条件
符号
t
on
t
关闭
民
典型**
6.0
5.5
最大
10
10
单位
s
s
7/17/00
200027B
CNY17F -1， CNY17F -2， CNY17F -3， CNY17F -4-
传输特性
DC特性
电流传输比，集电极 - 发射极
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
饱和电压
(I
F
= 10 mA时，我
C
= 2.5 mA）的
V
CE （ SAT ）
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5 V)
CTR
40
63
100
160
0.15
80
125
200
320
0.40
V
%
测试条件
符号
民
典型**
最大
单位
隔离特性
特征
输入输出隔离电压
绝缘电阻
隔离电容
**所有标准结构在T
A
= 25°C
典型特征
2
VF ，正向电压（伏）
PULSE ONLY
脉冲或DC
IC ，输出集电极电流（归）
测试条件
(I
我-O
1微安， 1分钟）
符号
V
ISO
R
ISO
C
ISO
民
5300
7500
10
11
典型**
最大
单位
VAC （ RMS）
VAC （ PK）
(V
我-O
= 500 VDC）
中（f = 1 MHz）的
0.5
pf
1.8
标准化为：
IF = 10毫安
1
1.6
1.4
TA = -55
C
1.2
25
C
100
C
1
10
100
1000
IF ， LED正向电流（mA ）
0.1
1
0.01
0.5
1
2
5
10
20
50
IF ， LED输入电流（mA）
图1. LED正向电压与正向电流
图2.输出电流与输入电流
7/17/00
200027B
CNY17F -1， CNY17F -2， CNY17F -3， CNY17F -4-
I
C
- 输出集电极电流（归）
图3.输出电流
- 环境温度
I
C
- 集电极电流（毫安）
10
7
5
标准化为TA = 25
C
2
1
0.7
0.5
10
图。 4集电极电流
与集电极 - 发射极饱和电压
I
F
= 2.5毫安
1
I
F
= 5毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 10毫安
0.1
0.2
0.1
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
I
B
= 0, T
A
= 25C
0.01
0.01
0.1
1
T
A
- 环境温度（ ° C）
V
CE （SAT）
- 集电极 - 发射极饱和电压（ V）
I
首席执行官
- 集电极 - 发射极暗电流
（归一化）
图5.暗电流
- 环境温度
20
18
100
标准化为：
VCE = 10 V
TA = 25
C
图6.电容与电压
CLED
F = 1 MHz的
- 电容（pF ）
16
14
12
10
8
6
4
2
CCE
10
VCE = 30 V
1
10V
0.1
0
20
40
60
80
100
0
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
T
A
- 环境温度（ ° C）
V - 电压（伏）
测试电路
V
CC
= 10V
波形
输入脉冲
I
F
输入
I
C
R
L
= 100
10%
90%
t
r
t
on
t
f
t
关闭
输出脉冲
产量
我调整
F
制作我
C
= 2毫安
图7.开关时间测试电路和波形
7/17/00
200027B
CNY17F -1， CNY17F -2， CNY17F -3， CNY17F -4-
包装尺寸（通孔）
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
包装尺寸（表面贴装）
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
0.270 (6.86)
0.240 (6.10)
0.270 (6.86)
0.240 (6.10)
0.070 (1.78)
0.045 (1.14)
0.300 (7.62)
典型值
0.070 (1.78)
0.045 (1.14)
0.300 (7.62)
典型值
0.016 (0.40)
0.008 (0.20)
0.200 (5.08)
0.115 (2.92)
0.154 (3.90)
0.100 (2.54)
15 °最大
0.016 (0.40)
0.008 (0.20)
0.200 (5.08)
0.115 (2.92)
0.020 (0.51)
民
0.022 (0.56)
0.016 (0.41)
0.020 (0.51)
民
0.022 (0.56)
0.016 (0.41)
0.100 (2.54)
典型值
0.016 (0.40)
民
0.405 (10.30)
最大
0.100 (2.54)
典型值
L
dC
l
它0 004 （ 0 10 ）
封装尺寸（ 0.4“引线间距）
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
0.270 (6.86)
0.240 (6.10)
0.070 (1.78)
0.045 (1.14)
0.200 (5.08)
0.115 (2.92)
0.154 (3.90)
0.100 (2.54)
15 °最大
0.100 (2.54)
典型值
0.400 (10.16)
典型值。
0.016 (0.40)
0.008 (0.20)
0.004 (0.10)
民
0.022 (0.56)
0.016 (0.41)
记
所有尺寸为英寸（毫米）
叫QT光电子了解更多信息或离您最近的经销商的电话号码。
美国800-533-6786 法国33 [ 0 ] 1.45.18.78.78 德国49 [ 0 ] 89 / 96.30.51 英国44 [ 0 ] 1296 394499 亚洲/太平洋地区603-7352417
www.qtopto.com
7/17/00
200027B
CNY17F
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，无连接基地
特点
击穿电压， 5300 V
RMS
为改进的COM没有相应的终端连接
共模接口抗扰度
长期稳定性
行业标准的双列直插式封装
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
18216
A
C
NC
1
2
3
6 NC
5 C
4 E
e3
Pb
无铅
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码H或按J ，
双重保护
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
BSI IEC60950 IEC60065
FIMKO
订购信息
部分
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
CNY17F-1X006
CNY17F-1X007
CNY17F-1X009
CNY17F-2X006
CNY17F-2X007
CNY17F-2X009
CNY17F-3X006
CNY17F-3X007
CNY17F-3X009
CNY17F-4X006
CNY17F-4X007
CNY17F-4X009
备注
点击率40 ％ - 80％ ， DIP - 6
CTR 63 - 125 ％ ， DIP - 6
CTR 100 - 200 ％ ， DIP - 6
CTR 160 - 320 ％ ， DIP - 6
点击率40 ％ - 80％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
点击率40 ％ - 80％ ， SMD - 6 （选项7 ）
点击率40 ％ - 80％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR 63 - 125 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR 63 - 125 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR 63 - 125 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR 100 - 200 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR 100 - 200 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR 100 - 200 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR 160 - 320 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR 160 - 320 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR 160 - 320 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
描述
该CNY17F是光电耦合器由房颤GAL-
lium砷化镓红外发光二极管的光学cou-
PLED到一个硅平面光电晶体管检测器在一个
塑料插件DIP -6封装。
所述联接装置适合于信号传输
在两个电分离电路。该
要被连接的电路之间的电势差
不允许超过最大允许
参考电压。
与此相反的CNY17系列的基极端
该F型不conected ，产生了基本上
改进的共模干扰免疫。
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
文档编号83607
修订版1.5 ， 10月26日04
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1
CNY17F
威世半导体
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
功耗
t
≤
10
s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
6.0
60
2.5
100
单位
V
mA
A
mW
产量
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
集电极电流
t
≤
1.0毫秒
总功耗
测试条件
符号
BV
首席执行官
I
C
I
C
P
DISS
价值
70
50
100
150
单位
V
mA
mA
mW
耦合器
参数
隔离测试电压（间
发射器和检测器被称为
气候标准DIN 23/50
50014)
爬电距离
净空
间隔离厚度
发射器和检测器
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDE 0303 ，第1部分
绝缘电阻
存储温度范围
环境温度范围
结温
焊接温度
最大。 10秒，浸焊：
距离飞机座位
≥
1.5 mm
V
IO
= 500 V
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
测试条件
符号
V
ISO
价值
5300
单位
V
RMS
≥
7.0
≥
7.0
≥
0.4
175
≥
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
100
260
mm
mm
mm
°C
°C
°C
°C
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2
文档编号83607
修订版1.5 ， 10月26日04
CNY17F
威世半导体
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
击穿电压
目前储备
电容
热阻
测试条件
I
F
= 60毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 6.0 V
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
V
F
V
BR
I
R
C
O
R
th
6.0
0.01
25
750
10
民
典型值。
1.25
最大
1.65
单位
V
V
A
pF
K / W
产量
参数
集电极 - 发射极电容
基地 - 集电极电容
发射极 - 基极电容
热阻
测试条件
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
C
CE
C
BC
C
EB
R
th
民
典型值。
5.2
6.5
7.5
500
最大
单位
pF
pF
pF
K / W
耦合器
参数
饱和电压，集电极 -
辐射源
耦合电容
集电极 - 射极漏泄
当前
V
CE
= 10 V
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
测试条件
I
F
= 10 mA时，我
C
= 2.5毫安
部分
符号
V
CESAT
C
C
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
民
典型值。
0.25
0.6
2.0
2.0
5.0
5.0
50
50
100
100
最大
0.4
单位
V
pF
nA
nA
nA
nA
电流传输比
电流传输比我
C
/I
F
在V
CE
= 5.0 V ， 25 ° C和集电极 - 发射极漏电流短线数字
参数
电流传输比
测试条件
I
F
= 10毫安
部分
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
I
F
= 1.0毫安
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
民
40
63
100
160
13
22
34
56
30
45
70
90
典型值。
最大
80
125
200
320
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
文档编号83607
修订版1.5 ， 10月26日04
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3
CNY17F
威世半导体
（ TA = -25°C ， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ IF）的
（ TA = 50℃ ， VCE = 5.0 V）
1
2
3
4
1
2
3
4
icny17f_03
icny17f_06
A
图3.电流传输比主场迎战二极管电流
图6.电流传输比主场迎战二极管电流
（ TA = 0 ° C， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ IF）的
（ TA = 75℃ ， VCE = 5.0 V）
1
2
3
4
1
2
3
4
icny17f_04
icny17f_07
图4.电流传输比主场迎战二极管电流
图7.电流传输比主场迎战二极管电流
（ TA = 25℃ ， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ IF）的
（ IF = 10 mA时， VCE = 5.0 V）
IC / IF = F（ T）的
4
3
1
2
3
4
2
1
icny17f_05
icny17f_08
A
图5.电流传输比主场迎战二极管电流
图8.电流传输比（ CTR ）与温度的关系
文档编号83607
修订版1.5 ， 10月26日04
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5
6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
（没有基连接）
MOC8101
MOC8105
CNY17F-1
MOC8102
MOC8106
CNY17F-2
包
1
MOC8103
MOC8107
CNY17F-3
MOC8104
MOC8108
CNY17F-4
概要
NC
6
2
5
6
1
6
3
NC
4
1
PIN 1.阳极
2.阴极
3.未连接
4.发射器
5.集热器
6.无连接
6
1
特点
该MOC810X和CNY17F -X设备包括一个砷化镓发光二极管光耦合到一个硅光电晶体管在双IN-的
行包。
紧密匹配的电流传输比（ CTR ）最小化单位到单位变化
窄（ CTR）窗口转换到一个狭窄的，可预期的开环增益窗口
随着无芯片超低电容耦合到引脚6基地连接的最小噪声敏感性
下令进行测试和每VDE 0884标要求的设备，该频谱使用费科幻X“ .300 ”必须包含在末尾
的部件号。例如MOC8101.300 VDE 0884是一个测试选项。
应用
开关式电源（反馈控制）
AC线/数字逻辑隔离
接口和不同的潜能和阻抗耦合系统
2004仙童半导体公司
第12页1
1/21/04
6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
（没有基连接）
MOC8101
MOC8105
CNY17F-1
MOC8102
MOC8106
CNY17F-2
MOC8103
MOC8107
CNY17F-3
MOC8104
MOC8108
CNY17F-4
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
输入LED
正向电流 - 连续
正向电流 - 峰值（ PW = 1μs的时间， 300pps ）
反向电压
LED功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
输出晶体管
集电极 - 发射极电压
MOC8106 / 7/8 ， CNY17F -1/2 /3/4
MOC8101/2/3/4/5
发射极 - 集电极电压
探测器功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
设备总
输入输出隔离电压
中（f = 60Hz时， t为1分钟）。
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
工作温度范围
存储温度范围
引线焊接温度
（ 1/16“的情况下， 10秒持续时间）
V
ISO
P
D
T
OPR
T
英镑
T
SOL
5300
250
3.3
-55到+100
-55到+150
260
VAC （ RMS）
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
°C
V
首席执行官
V
ECO
P
D
70
30
7
150
2.0
伏
伏
mW
毫瓦/°C的
I
F
I
F
（ PK）
V
R
P
D
100
1
6
150
2.0
mA
A
伏
mW
毫瓦/°C的
符号
价值
单位
2004仙童半导体公司
第12页2
1/21/04
6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
（没有基连接）
MOC8101
MOC8105
CNY17F-1
MOC8102
MOC8106
CNY17F-2
MOC8103
MOC8107
CNY17F-3
MOC8104
MOC8108
CNY17F-4
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
(1)
特征
输入LED
正向电压
(I
F
= 60 mA）的
(I
F
= 10 mA）的
反向漏电流（V
R
= 5.0 V)
电容
输出晶体管
集电极 - 发射极暗电流
集电极 - 发射极击穿电压
MOC8101/2/3/4/5
MOC8106 / 7/8 ， CNY17F -1/2 /3/4
发射极 - 集电极击穿电压
集电极 - 发射极电容
再加
MOC8101
MOC8102
MOC8103
输出集电极电流
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 10 V)
MOC8104
MOC8105
MOC8106
MOC8107
MOC8108
CNY17F-1
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5 V)
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
集电极 - 发射极饱和电压
CNY17F-1/2/3/4
MOC8101/2/3/4/5/6/7/8
隔离电压
绝缘电阻
隔离电容
**所有标准结构在T
A
= 25°C
(I
C
= 2.5毫安，我
F
= 10 mA）的
(I
C
= 500 μA ，我
F
= 5.0 mA）的
（ F = 60赫兹，T = 1.0分。 ）
(4)
(V
我-O
= 500 V)
(4)
(V
我-O
= 0中，f = 1.0 MHz）的
(4)
V
CE （ SAT ）
V
ISO
R
ISO
C
ISO
—
5300
10
11
—
—
—
—
0.5
0.4
—
—
—
V
VAC （ RMS）
pF
（ CTR ）
(2)
50
73
108
160
65
50
100
250
40
63
100
160
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
80
117
173
256
133
150
300
600
80
125
200
320
%
(I
C
= 1.0 mA）的
(I
C
= 1.0 mA）的
(I
E
= 100 A)
（ F = 1.0兆赫，V
CE
= 0)
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） ECO
C
CE
30
70
7.0
—
100
100
10
8
—
—
—
—
V
V
pF
(V
CE
= 10 V ，T
A
= 25°C)
(V
CE
= 10 V ，T
A
= 100°C)
I
CEO1
I
CEO2
—
—
1.0
1.0
50
—
nA
A
CNY17F-X
MOC810X
I
R
C
V
F
—
1.0
—
—
1.40
1.18
0.001
18
1.65
1.5
10
—
A
pF
V
符号
民
典型**
最大
单位
2004仙童半导体公司
第12页3
1/21/04
6引脚DIP光电耦合器
电源的应用
（没有基连接）
MOC8101
MOC8105
CNY17F-1
MOC8102
MOC8106
CNY17F-2
MOC8103
MOC8107
CNY17F-3
MOC8104
MOC8108
CNY17F-4
传输特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
AC特性
不饱和开关时间
开启时间CNY17F -1/2 /3/4只
关断时间CNY17F -1/2 /3/4只
开启时间
打开-O FF时间
上升时间
所有器件
下降时间
所有器件
饱和开关时间
开启时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
上升时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
打开-O FF时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
下降时间
CNY17F-1
CNY17F-2
CNY17F-3
CNY17F-4
**所有标准结构在T
A
= 25°C
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
t
on
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V)
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
t
r
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
t
关闭
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V)
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
t
f
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V)
—
—
24
—
—
39
—
—
34
s
—
—
8.0
—
—
5.5
s
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
)
(3)
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
)
(3)
MOC8101-5
MOC8106-8
MOC8101-5
MOC8106-8
(R
L
= 100
, I
C
= 2 mA）的
(V
CC
= 10 V)
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
)
(3)
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
)
(3)
t
on
t
关闭
t
on
t
关闭
t
r
t
f
—
—
—
—
—
—
2
3
2
3
1
2
10
10
20
—
20
—
—
s
—
s
s
测试条件符号
民
典型**
最大
单位
—
—
4.0
s
—
—
20
s
注意事项：
1.总是设计到特定网络版最小/最大电限（如适用） 。
2.电流传输比（ CTR ） = I
C
/I
F
x 100%.
3.对于测试电路的设置和波形，参见图11 。
如图4所示，在本测试中，引脚1和2是常见的，并且引脚4 5是共同的。
2004仙童半导体公司
第12页4
1/21/04
6引脚DIP PHOTOTRANSISTOR
光电耦合器
特点
在选择范围较窄组的电流传输比
CNY17-1 ， CNY17F -1： 40-80％
CNY17-2 ， CNY17F - 2 ： 63-125 ％
CNY17-3 ， CNY17F -3 ：100-200 ％
CNY17-4 ， CNY17F -4： 160-320 ％
输入和输出之间的高隔离电压
（维索= 5000 V有效值）
爬电距离> 7.6毫米
工作温度可达+ 110℃
该CNY17F -X系列提供了无需外接底座的连接
最小噪音的敏感性
紧凑型双列直插式封装
无铅并符合RoHS标准。
UL认证（ E214129号）
VDE认证（ 132249号）
SEMKO批准
NEMKO认可
DEMKO批准
FIMKO批准
CSA认证
CNY17 -X系列
CNY17F -X系列
概要
描述
该CNY17 - X和CNY17F -X系列中各器件
由一个红外发光二极管的光耦合到的
光电晶体管。
Ipackaged采用6引脚DIP封装，可
宽引线间距和SMD选项。
CNY17-X
1.阳极
2.阴极
3.未连接
4.发射器
5.集热器
6.基地
应用
电源稳压器
数字逻辑输入
微处理器的输入
CNY17F-X
1.阳极
2.阴极
3.未连接
4.发射器
5.集热器
6.无连接
EVERLIGHT ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。
文件编号： DPC- 0000038
1
Rev.5
HTTP ： \\\\ www.everlight.com
2009年12月28日
6引脚DIP PHOTOTRANSISTOR
光电耦合器
绝对最大额定值（T
a
=25°C)
参数
正向电流
峰值正向电流（ T = 10微秒）
输入
反向电压
功率耗散（T
A
= 25°C)
降额因子（高于100 ℃）
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压*
1
产量
集电极电流
发射极 - 集电极电压
功率耗散（T
A
= 25°C)
降额因子（高于100 ℃）
总功耗
隔离电压
*2
工作温度
储存温度
焊接温度
*3
符号
I
F
I
FM
V
R
P
D
V
首席执行官
V
CBO
I
C
V
ECO
P
C
P
合计
V
ISO
T
OPR
T
英镑
T
SOL
CNY17 -X系列
CNY17F -X系列
等级
60
1
6
100
3.8
80
80
50
7
150
9.0
200
5000
-55~+110
-55~+125
260
单位
mA
A
V
mW
毫瓦/°C的
V
V
mA
V
mW
毫瓦/°C的
mW
VRMS
°C
°C
°C
笔记
* 1仅适用于CNY17 - X系列。
* 2交流电源，1分钟; RH = 40 60％RH下在该测试中，引脚1,2 & 3短接在一起，并且引脚4,5 & 6
被短接在一起。
* 3 10秒。
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文件编号： DPC- 0000038
2
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2009年12月28日
6引脚DIP PHOTOTRANSISTOR
光电耦合器
CNY17 -X系列
CNY17F -X系列
电气特性（T
a
= 25C除非另有规定）
输入
参数
正向电压
反向电流
输入电容
符号
V
F
I
R
C
in
分钟。
-
-
-
TYP 。 *
-
-
18
马克斯。
1.65
10
-
单位
V
A
pF
条件
I
F
= 60毫安
V
R
= 6V
V = 0 ， F = 1MHz的
产量
参数
集电极 - 基
暗电流
CNY17-X
只
符号
I
CBO
I
首席执行官
BV
首席执行官
CNY17-X
只
BV
CBO
BV
ECO
C
CE
分钟。
-
-
80
80
7
-
TYP 。 *
-
-
-
-
-
8
马克斯。
20
50
-
-
-
-
单位
nA
nA
V
V
V
pF
条件
V
CB
= 10V ，我
F
= 0毫安
V
CE
= 10V ，我
F
= 0毫安
I
C
= 1mA时，我
F
= 0毫安
I
C
= 0.1毫安，我
F
= 0毫安
I
E
= 0.1毫安，我
F
= 0毫安
VCE = 0V ， F = 1MHz的
集电极 - 发射极暗电流
集电极 - 发射极
击穿电压
集电极 - 基
击穿电压
发射极 - 集电极
击穿电压
集电极 - 发射极电容
*在T典型值
a
= 25°C
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3
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6引脚DIP PHOTOTRANSISTOR
光电耦合器
传输特性（T
a
= 25C除非另有规定）
参数
CNY17-1
CNY17F-1
当前
转让
比
CNY17-2
CNY17F-2
CNY17-3
CNY17F-3
CNY17-4
CNY17F-4
CNY17-1
CNY17F-1
电流传输
比
CNY17-2
CNY17F-2
CNY17-3
CNY17F-3
CNY17-4
CNY17F-4
集电极 - 发射极
饱和电压
绝缘电阻
输入输出电容
开启时间
打开-O FF时间
上升时间
下降时间
上升时间
下降时间
*在T典型值
a
= 25°C
V
CE （ SAT ）
R
IO
C
IO
T
on
T
关闭
T
r
T
f
T
r
T
f
CTR
符号
分钟。
40
63
CTR
100
160
13
22
34
56
-
10
11
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
10
9
6
8
2
3
200
320
-
-
-
-
0.3
-
-
12
12
10
10
10
10
TYP 。 *
-
-
马克斯。
80
125
CNY17 -X系列
CNY17F -X系列
单位
条件
%
I
F
= 10毫安，V
CE
= 5V
%
I
F
= 1mA时， V
CE
= 5V
V
Ω
pF
I
F
= 10毫安，我
C
= 2.5毫安
V
IO
= 500V直流
V
IO
= 0中，f = 1MHz的
V
CC
= 10V,
I
C
= 2毫安，R
L
= 100Ω
参见图。 11
V
CC
= 5V ，我
F
= 10毫安，
R
L
= 75Ω ，见图。 11
s
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文件编号： DPC- 0000038
4
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6引脚DIP PHOTOTRANSISTOR
光电耦合器
典型性能曲线
CNY17 -X系列
CNY17F -X系列
EVERLIGHT ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。
文件编号： DPC- 0000038
5
Rev.5
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