CNY17-1 ， CNY17-3 ， CNY17-2 ， CNY17-4光敏晶体管光电耦合器
2005年7月
CNY17-1 ， CNY17-3 ， CNY17-2 ， CNY17-4
光电晶体管光耦合器
特点
■
CNY17-1 / 2/3 ，可以在白色包通过可
指定-M SUF科幻×（如： CNY17-2 -M ）
■
UL认证（文件号E90700 ）
■
VDE认可
- 102497白包
- 添加选项V白色包（例如， CNY17-2V -M ）
- 文件＃ 102497
- 添加选项' 300'黑包（如， CNY17-2.300 ）
- 文件＃ 94766
■
在选择组电流传输比
■
高BV
首席执行官
-70V最低
应用
■
电源稳压器
■
数字逻辑输入
■
微处理器的输入
■
家电传感器系统
■
工业控制
描述
该CNY17系列由一个砷化镓红外发光二极管的
再加上一个NPN光电晶体管。
白色包装（ -M SUF网络X）
黑色包装（无-M SUF网络X）
6
6
1
1
6
1
6
1
6
6
1
1
概要
阳极1
6基地
阴极2
5 COL
3
4发射器
2004仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
CNY17-1 ， CNY17-3 ， CNY17-2 ， CNY17-4版本1.0.2
CNY17-1 ， CNY17-3 ， CNY17-2 ， CNY17-4光敏晶体管光电耦合器
参数
设备总
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度
器件总功耗@ 25°C （LED加检测器）
线性降额从25℃
符号
T
英镑
T
OPR
T
SOL
P
D
设备
所有
所有
所有
-M
非-M
-M
非-M
价值
-55到+150
-55到+100
260 ，持续10秒
250
260
2.94
3.50
单位
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
辐射源
连续正向电流
I
F
V
R
I
F
（ PK）
P
D
-M
非-M
反向电压
正向电流 - 峰值（ 1 μs的脉冲， 300 ，PPS）
所有
-M
非-M
LED功耗25 ° C环境
线性降额从25℃
-M
非-M
-M
非-M
探测器
探测器功耗@ 25°C
线性降额从25℃
P
D
-M
非-M
-M
非-M
150
200
1.76
2.67
毫瓦/°C的
mW
60
90
6
1.5
3.0
120
135
1.41
1.8
毫瓦/°C的
mW
V
A
mA
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
单个组件特性
参数
辐射源
输入正向电压
I
F
= 60毫安
I
F
= 10毫安
电容
V
F
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
C
J
I
R
V
F
-M
非-M
非-M
-M
反向漏电流V
R
= 6 V
探测器
击穿电压
集电极到发射极
收藏家基地
发射极到集电极
漏电流
集电极到发射极
收藏家基地
电容
集电极到发射极
收藏家基地
发射器基
I
C
= 1.0毫安，我
F
= 0
I
C
= 10 μA ，我
F
= 0
I
E
= 100 A ，我
F
= 0
V
CE
= 10 V，I
F
= 0
V
CB
= 10 V，I
F
= 0
V
CE
= 0中，f = 1 MHz的
V
CB
= 0中，f = 1 MHz的
V
EB
= 0中，f = 1 MHz的
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
ECO
I
首席执行官
I
CBO
C
CE
C
CB
C
EB
所有
所有
所有
所有
所有
所有
所有
所有
70
70
7
100
120
10
1
50
20
V
V
V
nA
nA
pF
pF
pF
所有
1.35
1.15
50
18
0.001
10
A
1.65
1.50
pF
V
测试条件
符号
设备
民
典型值
最大
单位
8
20
10
2
CNY17-1 ， CNY17-3 ， CNY17-2 ， CNY17-4版本1.0.2
www.fairchildsemi.com
CNY17-1 ， CNY17-3 ， CNY17-2 ， CNY17-4光敏晶体管光电耦合器
隔离特性
特征
输入输出隔离电压
测试条件符号
F = 60赫兹，吨= 1分钟。
V
ISO
R
ISO
C
ISO
设备
黑包
' -M '白包
民
5300
7500
1011
典型**最大
单位
VAC （ RMS） *
VAC （ PK）
绝缘电阻
隔离电容
V
我-O
= 500 VDC
V
我-O
= O，F = 1兆赫
所有
黑包
' -M '白包
0.5
0.2
pF
记
* 5300伏交流（有效值） 1分钟，相当于约9000伏交流（ pk）的1秒
在T **典型值
A
= 25°C
传输特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
DC特性
电流传输比，
集电极到发射极
测试条件
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5 V
符号
CTR
设备
CNY17-1/-1-M
CNY17-2/-2-M
CNY17-3/-3-M
CNY17-4
最小典型最大单位
40
63
100
160
80
125
200
320
.40
V
%
饱和电压
I
F
= 10 mA时，我
C
= 2.5毫安
V
CE （ SAT ）
所有
AC特性
非饱和开关时间
测试条件
符号
t
on
t
关闭
t
d
t
r
t
s
t
f
t
on
设备
非-M
非-M
-M
-M
-M
-M
最小典型最大单位
10
10
5.6
4.0
4.1
3.5
s
s
s
s
s
s
开启时间（图19和图20 ）R
L
= 100
, I
C
= 2毫安， V
CC
= 10 V
关断时间（图19和图20 ）R
L
= 100
, I
C
= 2毫安， V
CC
= 10 V
延迟时间（图19和图20 ）
上升时间（图19和图20 ）
存储时间（图19和图20 ）
下降时间（图19和图20 ）
饱和开关时间
开启时间（图19和图20 ）I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5 V ，R
L
= 75
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5 V ，R
L
= 75
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5 V ，R
L
= 75
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5 V ，R
L
= 75
CNY17-1
CNY17-2,
CNY17-3,
CNY17-4
5.5
8.0
s
上升时间（图19和图20 ）
I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V
t
r
CNY17-1
CNY17-2,
CNY17-3,
CNY17-4
CNY17-1-M
CNY17-2-M,
CNY17-3-M
4.0
6.0
s
I
F
能力= 20 mA ，V
CC
= 5 V ，R
L
= 1 K
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5 V ，R
L
= 1 K
延迟时间（图19和图20 ）
I
F
能力= 20 mA ，V
CC
= 5 V ，R
L
=1 K
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5 V ，R
L
=1 K
关断时间（图19和图20 ）I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V
t
关闭
t
d
4.0
6.0
5.5
8.0
34.0
39.0
ms
s
CNY17-1-M
CNY17-2,
CNY17-3
CNY17-1
CNY17-2,
CNY17-3,
CNY17-4
3
CNY17-1 ， CNY17-3 ， CNY17-2 ， CNY17-4版本1.0.2
www.fairchildsemi.com
CNY17-1 ， CNY17-3 ， CNY17-2 ， CNY17-4光敏晶体管光电耦合器
传输特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编） （续）
DC特性
下降时间（图19和图20）
测试条件
I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4V
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4V
符号
t
f
设备
CNY17-1
CNY17-2,
CNY17-3,
CNY17-4
CNY17-1-M
CNY17-2-M,
CNY17-3-M,
最小典型最大单位
20.0
24.0
s
I
F
能力= 20 mA ，V
CC
= 5V ，R
L
= 1K
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5V ，R
L
= 1K
储存时间（图19和图
20)
I
F
能力= 20 mA ，V
CC
= 5V ，R
L
= 1K
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5V ，R
L
= 1K
t
s
20.0
24.0
34.0
39.0
s
CNY17-1-M
CNY17-2-M,
CNY17-3-M,
4
CNY17-1 ， CNY17-3 ， CNY17-2 ， CNY17-4版本1.0.2
www.fairchildsemi.com
CNY17-1 ， CNY17-3 ， CNY17-2 ， CNY17-4光敏晶体管光电耦合器
图1归CTR与正向电流
（黑色包装）
1.4
V
CE
= 5.0V
T
A
= 25C
1.2
归一
I
F
= 10毫安
1.6
图2归CTR与正向电流
（白包）
V
CE
= 5.0V
T
A
= 25C
归一
I
F
= 10毫安
1.4
1.2
1.0
归一化CTR
1.0
0.8
归一化CTR
0
5
10
15
20
0.8
0.6
0.6
0.4
0.4
0.2
0.2
0.0
0.0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
I
F
- 正向电流（mA ）
I
F
- 正向电流（mA ）
图。 3归CTR与环境温度
（黑色包装）
1.6
图。 4归CTR与环境温度
（白包）
1.4
1.4
I
F
= 5毫安
1.2
I
F
= 5毫安
1.2
1.0
归一化CTR
I
F
= 10毫安
1.0
归一化CTR
I
F
= 10毫安
0.8
I
F
= 20毫安
0.6
0.8
0.6
归一
I
F
= 10毫安
T
A
= 25C
-50
-25
0.4
I
F
= 20毫安
归一
I
F
= 10毫安
T
A
= 25C
-40
-20
0
0.4
-75
0
25
50
75
100
125
0.2
-60
20
40
60
80
100
T
A
- 环境温度（ ° C）
T
A
- 环境温度（ ° C）
图。 5 CTR与RBE （不饱和）
（黑色包装）
归一化的点击率（ CTR
RBE
/ CTR
RBE （ OPEN ）
)
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
10
100
1000
I
F
= 5毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 10毫安
V
CE
= 5.0 V
图。 6 CTR与RBE （不饱和）
（白包）
归一化的点击率（ CTR
RBE
/ CTR
RBE （ OPEN ）
)
1.0
0.9
0.8
I
F
= 10毫安
0.7
I
F
= 5毫安
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
V
CE
= 5.0 V
0.1
0.0
10
100
1000
I
F
= 20毫安
1.0
R
BE
- 基极电阻值（kΩ ）
R
BE
- 基极电阻值（kΩ ）
5
CNY17-1 ， CNY17-3 ， CNY17-2 ， CNY17-4版本1.0.2
www.fairchildsemi.com
CNY17-1 ， CNY17-3 ， CNY17-2 ， CNY17-4光敏晶体管光电耦合器
2005年7月
CNY17-1 ， CNY17-3 ， CNY17-2 ， CNY17-4
光电晶体管光耦合器
特点
■
CNY17-1 / 2/3 ，可以在白色包通过可
指定-M SUF科幻×（如： CNY17-2 -M ）
■
UL认证（文件号E90700 ）
■
VDE认可
- 102497白包
- 添加选项V白色包（例如， CNY17-2V -M ）
- 文件＃ 102497
- 添加选项' 300'黑包（如， CNY17-2.300 ）
- 文件＃ 94766
■
在选择组电流传输比
■
高BV
首席执行官
-70V最低
应用
■
电源稳压器
■
数字逻辑输入
■
微处理器的输入
■
家电传感器系统
■
工业控制
描述
该CNY17系列由一个砷化镓红外发光二极管的
再加上一个NPN光电晶体管。
白色包装（ -M SUF网络X）
黑色包装（无-M SUF网络X）
6
6
1
1
6
1
6
1
6
6
1
1
概要
阳极1
6基地
阴极2
5 COL
3
4发射器
2004仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
CNY17-1 ， CNY17-3 ， CNY17-2 ， CNY17-4版本1.0.2
CNY17-1 ， CNY17-3 ， CNY17-2 ， CNY17-4光敏晶体管光电耦合器
参数
设备总
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度
器件总功耗@ 25°C （LED加检测器）
线性降额从25℃
符号
T
英镑
T
OPR
T
SOL
P
D
设备
所有
所有
所有
-M
非-M
-M
非-M
价值
-55到+150
-55到+100
260 ，持续10秒
250
260
2.94
3.50
单位
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
辐射源
连续正向电流
I
F
V
R
I
F
（ PK）
P
D
-M
非-M
反向电压
正向电流 - 峰值（ 1 μs的脉冲， 300 ，PPS）
所有
-M
非-M
LED功耗25 ° C环境
线性降额从25℃
-M
非-M
-M
非-M
探测器
探测器功耗@ 25°C
线性降额从25℃
P
D
-M
非-M
-M
非-M
150
200
1.76
2.67
毫瓦/°C的
mW
60
90
6
1.5
3.0
120
135
1.41
1.8
毫瓦/°C的
mW
V
A
mA
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
单个组件特性
参数
辐射源
输入正向电压
I
F
= 60毫安
I
F
= 10毫安
电容
V
F
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
C
J
I
R
V
F
-M
非-M
非-M
-M
反向漏电流V
R
= 6 V
探测器
击穿电压
集电极到发射极
收藏家基地
发射极到集电极
漏电流
集电极到发射极
收藏家基地
电容
集电极到发射极
收藏家基地
发射器基
I
C
= 1.0毫安，我
F
= 0
I
C
= 10 μA ，我
F
= 0
I
E
= 100 A ，我
F
= 0
V
CE
= 10 V，I
F
= 0
V
CB
= 10 V，I
F
= 0
V
CE
= 0中，f = 1 MHz的
V
CB
= 0中，f = 1 MHz的
V
EB
= 0中，f = 1 MHz的
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
ECO
I
首席执行官
I
CBO
C
CE
C
CB
C
EB
所有
所有
所有
所有
所有
所有
所有
所有
70
70
7
100
120
10
1
50
20
V
V
V
nA
nA
pF
pF
pF
所有
1.35
1.15
50
18
0.001
10
A
1.65
1.50
pF
V
测试条件
符号
设备
民
典型值
最大
单位
8
20
10
2
CNY17-1 ， CNY17-3 ， CNY17-2 ， CNY17-4版本1.0.2
www.fairchildsemi.com
CNY17-1 ， CNY17-3 ， CNY17-2 ， CNY17-4光敏晶体管光电耦合器
隔离特性
特征
输入输出隔离电压
测试条件符号
F = 60赫兹，吨= 1分钟。
V
ISO
R
ISO
C
ISO
设备
黑包
' -M '白包
民
5300
7500
1011
典型**最大
单位
VAC （ RMS） *
VAC （ PK）
绝缘电阻
隔离电容
V
我-O
= 500 VDC
V
我-O
= O，F = 1兆赫
所有
黑包
' -M '白包
0.5
0.2
pF
记
* 5300伏交流（有效值） 1分钟，相当于约9000伏交流（ pk）的1秒
在T **典型值
A
= 25°C
传输特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
DC特性
电流传输比，
集电极到发射极
测试条件
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5 V
符号
CTR
设备
CNY17-1/-1-M
CNY17-2/-2-M
CNY17-3/-3-M
CNY17-4
最小典型最大单位
40
63
100
160
80
125
200
320
.40
V
%
饱和电压
I
F
= 10 mA时，我
C
= 2.5毫安
V
CE （ SAT ）
所有
AC特性
非饱和开关时间
测试条件
符号
t
on
t
关闭
t
d
t
r
t
s
t
f
t
on
设备
非-M
非-M
-M
-M
-M
-M
最小典型最大单位
10
10
5.6
4.0
4.1
3.5
s
s
s
s
s
s
开启时间（图19和图20 ）R
L
= 100
, I
C
= 2毫安， V
CC
= 10 V
关断时间（图19和图20 ）R
L
= 100
, I
C
= 2毫安， V
CC
= 10 V
延迟时间（图19和图20 ）
上升时间（图19和图20 ）
存储时间（图19和图20 ）
下降时间（图19和图20 ）
饱和开关时间
开启时间（图19和图20 ）I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5 V ，R
L
= 75
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5 V ，R
L
= 75
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5 V ，R
L
= 75
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5 V ，R
L
= 75
CNY17-1
CNY17-2,
CNY17-3,
CNY17-4
5.5
8.0
s
上升时间（图19和图20 ）
I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V
t
r
CNY17-1
CNY17-2,
CNY17-3,
CNY17-4
CNY17-1-M
CNY17-2-M,
CNY17-3-M
4.0
6.0
s
I
F
能力= 20 mA ，V
CC
= 5 V ，R
L
= 1 K
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5 V ，R
L
= 1 K
延迟时间（图19和图20 ）
I
F
能力= 20 mA ，V
CC
= 5 V ，R
L
=1 K
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5 V ，R
L
=1 K
关断时间（图19和图20 ）I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V
t
关闭
t
d
4.0
6.0
5.5
8.0
34.0
39.0
ms
s
CNY17-1-M
CNY17-2,
CNY17-3
CNY17-1
CNY17-2,
CNY17-3,
CNY17-4
3
CNY17-1 ， CNY17-3 ， CNY17-2 ， CNY17-4版本1.0.2
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CNY17-1 ， CNY17-3 ， CNY17-2 ， CNY17-4光敏晶体管光电耦合器
传输特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编） （续）
DC特性
下降时间（图19和图20）
测试条件
I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4V
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4V
符号
t
f
设备
CNY17-1
CNY17-2,
CNY17-3,
CNY17-4
CNY17-1-M
CNY17-2-M,
CNY17-3-M,
最小典型最大单位
20.0
24.0
s
I
F
能力= 20 mA ，V
CC
= 5V ，R
L
= 1K
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5V ，R
L
= 1K
储存时间（图19和图
20)
I
F
能力= 20 mA ，V
CC
= 5V ，R
L
= 1K
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5V ，R
L
= 1K
t
s
20.0
24.0
34.0
39.0
s
CNY17-1-M
CNY17-2-M,
CNY17-3-M,
4
CNY17-1 ， CNY17-3 ， CNY17-2 ， CNY17-4版本1.0.2
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CNY17-1 ， CNY17-3 ， CNY17-2 ， CNY17-4光敏晶体管光电耦合器
图1归CTR与正向电流
（黑色包装）
1.4
V
CE
= 5.0V
T
A
= 25C
1.2
归一
I
F
= 10毫安
1.6
图2归CTR与正向电流
（白包）
V
CE
= 5.0V
T
A
= 25C
归一
I
F
= 10毫安
1.4
1.2
1.0
归一化CTR
1.0
0.8
归一化CTR
0
5
10
15
20
0.8
0.6
0.6
0.4
0.4
0.2
0.2
0.0
0.0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
I
F
- 正向电流（mA ）
I
F
- 正向电流（mA ）
图。 3归CTR与环境温度
（黑色包装）
1.6
图。 4归CTR与环境温度
（白包）
1.4
1.4
I
F
= 5毫安
1.2
I
F
= 5毫安
1.2
1.0
归一化CTR
I
F
= 10毫安
1.0
归一化CTR
I
F
= 10毫安
0.8
I
F
= 20毫安
0.6
0.8
0.6
归一
I
F
= 10毫安
T
A
= 25C
-50
-25
0.4
I
F
= 20毫安
归一
I
F
= 10毫安
T
A
= 25C
-40
-20
0
0.4
-75
0
25
50
75
100
125
0.2
-60
20
40
60
80
100
T
A
- 环境温度（ ° C）
T
A
- 环境温度（ ° C）
图。 5 CTR与RBE （不饱和）
（黑色包装）
归一化的点击率（ CTR
RBE
/ CTR
RBE （ OPEN ）
)
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
10
100
1000
I
F
= 5毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 10毫安
V
CE
= 5.0 V
图。 6 CTR与RBE （不饱和）
（白包）
归一化的点击率（ CTR
RBE
/ CTR
RBE （ OPEN ）
)
1.0
0.9
0.8
I
F
= 10毫安
0.7
I
F
= 5毫安
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
V
CE
= 5.0 V
0.1
0.0
10
100
1000
I
F
= 20毫安
1.0
R
BE
- 基极电阻值（kΩ ）
R
BE
- 基极电阻值（kΩ ）
5
CNY17-1 ， CNY17-3 ， CNY17-2 ， CNY17-4版本1.0.2
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CYN17XM ， CNY17FXM ， MOC810XM - 光电晶体管光耦合器
2008年5月
CNY171M ， CNY172M ， CNY173M ， CNY174M ，
CNY17F1M ， CNY17F2M ， CNY17F3M ， CNY17F4M ，
MOC8106M ， MOC8107M
光电晶体管光耦合器
特点
■
UL认证（文件号E90700 ，第2卷）
■
VDE认可
描述
该CNY17XM ， CNY17FXM和MOC810XM设备
由一个砷化镓红外发光二极管加上一个NPN的
光电晶体管中的双列直插式封装。
■
■
■
■
- 添加选项V（例如， CNY17F2VM ）
- 文件＃ 102497
在选择组电流传输比
高BV
首席执行官
： 70V最低（ CNY17XM ， CNY17FXM ，
MOC810XM)
紧密匹配的电流传输比（ CTR ）
最小化单元到单元的变化。
随着芯片没有到非常低的电容耦合
最小噪音6脚底座的连接
susceptability （ CNY17FXM ， MOC810XM ）
包装纲要
应用
■
电源稳压器
■
数字逻辑输入
■
微处理器的输入
■
家电传感器系统
■
工业控制
示意图
阳极1
6 NC
阳极1
6基地
阴极2
5收藏家
阴极2
5收藏家
NC 3
4发射器
NC 3
4发射器
CNY17F1M/2M/3M/4M
MOC8106M/7M
CNY171M/2M/3M/4M
2006仙童半导体公司
CYN17XM ， CNY17FXM ， MOC810XM版本1.0.7
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CYN17XM ， CNY17FXM ， MOC810XM - 光电晶体管光耦合器
绝对最大额定值
应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能不能正常运行或
操作上面推荐的工作条件，并强调部分这些级别是不推荐的。
此外，过度暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值仅为应力额定值。
符号
设备总
T
英镑
T
OPR
T
SOL
P
D
辐射源
I
F
V
R
I
F
（ PK）
P
D
探测器
I
C
V
首席执行官
V
ECO
P
D
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度
参数
价值
-40到+150
-40至+100
260 ，持续10秒
250
2.94
60
6
1.5
120
1.41
50
70
7
150
1.76
单位
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
mA
V
A
mW
毫瓦/°C的
mA
V
V
mW
毫瓦/°C的
器件总功耗@ 25°C （LED加检测器）
线性降额从25℃
连续正向电流
反向电压
正向电流 - 峰值（ 1μs的脉冲， 300pps ）
LED功耗25 ° C环境
线性降额从25℃
连续集电极电流
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
探测器功耗@ 25°C
线性降额从25℃
2006仙童半导体公司
CYN17XM ， CNY17FXM ， MOC810XM版本1.0.7
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2
CYN17XM ， CNY17FXM ， MOC810XM - 光电晶体管光耦合器
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
(1)
单个组件特性
符号
参数
测试条件
辐射源
V
F
输入正向电压
I
F
= 60毫安
I
F
= 10毫安
C
J
I
R
电容
反向漏
当前
击穿电压
集电极到发射极
收藏家基地
发射极到集电极
漏电流
集电极到发射极
收藏家基地
电容
集电极到发射极
收藏家基地
发射器基
V
F
= 0 V ， F = 1.0MHz的
V
R
= 6V
CNY17XM,
CNY17FXM
MOC810XM
所有
所有
1.0
1.0
1.35
1.15
18
0.001
10
1.65
1.50
pF
A
V
设备
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
探测器
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
ECO
I
首席执行官
I
CBO
C
CE
C
CB
C
EB
I
C
= 1.0毫安，我
F
= 0
I
C
= 10μA ，我
F
= 0
I
E
= 100μA ，我
F
= 0
V
CE
= 10 V，I
F
= 0
V
CB
= 10 V，I
F
= 0
V
CE
= 0中，f = 1MHz的
V
CB
= 0中，f = 1MHz的
V
EB
= 0中，f = 1MHz的
所有
CNY171M/2M/3M/4M
所有
所有
CNY171M/2M/3M/4M
所有
CNY171M/2M/3M/4M
CNY171M/2M/3M/4M
8
20
10
70
70
7
100
120
10
1
50
20
nA
nA
pF
pF
pF
V
隔离特性
符号
V
ISO
R
ISO
C
ISO
特征
输入输出隔离电压
绝缘电阻
隔离电容
测试条件
F = 60赫兹，吨= 1秒，
I
我-O
≤
2A
(4)
V
我-O
= 500 VDC
(4)
V
我-O
= O，F = 1MHz的
(4)
分钟。
7500
10
11
TYP 。 *
马克斯。
单位
VAC （ PK）
0.2
pF
传输特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
(3)
符号
再加
（ CTR ）
(2)
输出集电极
当前
MOC8106M
MOC8107M
CNY17F1M
CNY17F2M
CNY17F3M
CNY17F4M
CNY171M
CNY172M
CNY173M
CNY174M
V
CE （ SAT ）
集电极 - 发射极CNY17XM / FXM
饱和电压MOC8106M / 7M
I
C
= 2.5毫安，我
F
= 10毫安
I
C
= 500μA ，我
F
= 5.0毫安
I
F
= 10毫安，V
CE
= 5V
I
F
= 10毫安，V
CE
= 10V
50
150
%
DC特性
测试条件
分钟。 （典型值） *最大。单位
100
40
63
100
160
40
63
100
160
300
80
125
200
320
80
125
200
320
0.4
V
*所有标准结构在T
A
= 25°C
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CYN17XM ， CNY17FXM ， MOC810XM版本1.0.7
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3
CYN17XM ， CNY17FXM ， MOC810XM - 光电晶体管光耦合器
电气特性
符号
t
on
t
关闭
t
d
t
r
t
s
t
f
（续） （T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
(1)
传输特性
（续）
(3)
AC特性
(4)
开启时间
打开-O FF时间
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
所有器件
所有器件
CNY17XM/XFM
所有器件
CNY17XM/FXM
CNY17XM/FXM
所有器件
CNY17XM/FXM
饱和开关时间
t
on
开启时间
CNY171M/F1M
CNY172M/3M/4M
CNY17F2M/F3M/F4M
t
r
上升时间
CNY171M/F1M
CNY172M/3M/4M
CNY17F2M/F3M/F4M
t
d
延迟时间
CNY171M/F1M
CNY172M/3M/4M
CNY17F2M/F3M/F4M
t
关闭
打开-O FF时间
CNY171M/F1M
CNY172M/3M/4M
CNY17F2M/F3M/F4M
t
f
下降时间
CNY171M/F1M
CNY172M/3M/4M
CNY17F2M/F3M/F4M
t
s
贮存时间
CNY171M/F1M
I
F
= 20mA时， V
CC
= 5V ，R
L
= 1k
I
F
= 10毫安，V
CC
= 5V ，R
L
= 1k
I
F
= 20mA时， V
CC
= 5V ，R
L
= 1k
I
F
= 10毫安，V
CC
= 5V ，R
L
= 1k
I
F
= 20mA时， V
CC
= 5V ，R
L
= 1k
I
F
= 10毫安，V
CC
= 5V ，R
L
= 1k
I
F
= 20mA时， V
CE
= 0.4V
I
F
= 10毫安，V
CE
= 0.4V
I
F
= 20mA时， V
CC
= 5V ，R
L
= 1k
I
F
= 10毫安，V
CC
= 5V ，R
L
= 1k
I
F
= 20mA时， V
CC
= 5V ，R
L
= 1k
5.5
8.0
4.0
6.0
5.5
8.0
34
39
20.0
24.0
34.0
s
s
s
s
s
s
测试条件
I
C
= 2.0毫安，V
CC
= 10V ，R
L
= 100
I
C
= 2.0毫安，V
CC
= 10V ，R
L
= 100
I
F
= 10毫安，V
CC
= 5V ，R
L
= 75
I
C
= 2.0毫安，V
CC
= 10V ，R
L
= 100
I
F
= 10毫安，V
CC
= 5V ，R
L
= 75
I
F
= 10毫安，V
CC
= 5V ，R
L
= 75
I
C
= 2.0毫安，V
CC
= 10V ，R
L
= 100
I
F
= 10毫安，V
CC
= 5V ，R
L
= 75
分钟。 （典型值） *最大。单位
2
3
1
4.0
4.1
2
3.5
s
s
10
10
5.6
s
s
s
s
不饱和开关时间
CNY172M/3M/4M
I
F
= 10毫安，V
CC
= 5V ，R
L
= 1k
CNY17F2M/F3M/F4M
*所有标准结构在T
A
= 25°C
注意事项：
39.0
1.
2.
3.
4.
始终以设计规定的最小/最大电限（如适用） 。
电流传输比（ CTR ） = I
C
/I
F
x 100%.
测试电路的设置和波形，请参阅图10和11 。
对于本试验中，引脚1和2是常见的，并且引脚4 5是共同的。
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典型性能特性
图。 2归CTR与环境温度
图。 1归CTR与正向电流
1.6
V
CE
= 5.0V
T
A
= 25C
归一
I
F
= 10毫安
1.2
I
F
= 5毫安
1.2
1.0
1.0
1.4
1.4
归一化CTR
归一化CTR
I
F
= 10毫安
0.8
0.8
0.6
0.6
I
F
= 20mA下
0.4
0.4
标准化为：
I
F
= 10毫安
T
A
= 25C
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0.2
-60
-40
-20
0
0.2
0.0
20
40
60
80
100
I
F
- 正向电流（mA ）
T
A
=环境温度（℃）
图。 3 CTR与RBE （不饱和）
归一化的点击率（ CTR
RBE
/ CTR
RBE （ OPEN ）
)
归一化的点击率（ CTR
RBE
/ CTR
RBE （ OPEN ）
)
1.0
0.9
I
F
= 20mA下
0.8
I
F
= 10毫安
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
V
CE
= 5.0V
0.1
0.0
10
100
1000
I
F
= 5毫安
1.0
0.9
0.8
图。 4 CTR与RBE （饱和）
V
CE
= 0.3V
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
10
100
1000
I
F
= 5毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20mA下
R
BE
- 基极电阻值（kΩ ）
R
BE
- 基极电阻值（kΩ ）
图。 5切换速度与负载电阻
1000
I
F
= 10毫安
V
CC
= 10V
T
A
= 25C
图。 6归一吨
on
与
BE
5.0
归一吨
on
– (t
在（R
BE
)
/ t
（开）
)
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
10
100
V
CC =
10V
I
C
= 2毫安
R
L
= 100
开关速度（微秒）
T
f
T
关闭
10
T
on
1
T
r
100
1000
10000
100000
0.1
0.1
1
10
100
R
BE
- 基极电阻值（kΩ ）
的R - 负载电阻值（kΩ ）
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