CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X光敏晶体管光电耦合器
2005年10月
CNY171 ， CNY172 ， CNY173 ， CNY174 ， CNY17F1 ， CNY17F2 ，
CNY17F3 ， CNY17F4 ， MOC8101 ， MOC8102 ， MOC8103 ，
MOC8104 ， MOC8105 ， MOC8106 ， MOC8107 ， MOC8108
光电晶体管光耦合器
特点
■
CNY171 / 2 /3/4和CNY17F1 / 2 /3/4 ，可以在可用的
白色的包通过指定M SUF网络X （如CNY17F2M ）
■
UL认证（文件号E90700 ）
■
VDE认可
- 添加选项V白色包（如， CNY17F2VM ）
- 文件＃ 102497
- 添加选项' 300'黑包（如， CNY17F2300 ）
- 文件＃ 94766
■
在选择组电流传输比
■
高BV
首席执行官
-70V最低（ CNY17X / M ， CNY17FX / M ，
MOC8106/7/8)
■
紧密匹配的电流传输比（ CTR ）最小单位 -
到单元的变化。
■
随着无芯片非常低耦合电容引脚6
最小噪音susceptability基地连接
（ CNY17FX / M ， MOC810X ）
应用
■
电源稳压器
■
数字逻辑输入
■
微处理器的输入
■
家电传感器系统
■
工业控制
描述
该CNY17 ， CNY17F和MOC810X设备包括一个
砷化镓红外发光二极管加上一个NPN光电晶体管
在一个双列直插式封装。
白色包装（ -M SUF网络X）
黑色包装（无-M SUF网络X）
6
6
1
1
6
1
6
1
6
6
1
1
概要
阳极1
6 NC
阳极1
6基地
阴极2
5收藏家
阴极2
5收藏家
NC 3
4发射器
NC 3
4发射器
CNY17F1/2/3/4
CNY17F1M/2M/3M/4M
MOC8101/2/3/4/5/6/7/8
CNY171/2/3/4
CNY17F1M/2M/3M/4M
2004仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X版本1.0.5
CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X光敏晶体管光电耦合器
绝对最大额定值
参数
设备总
储存温度
T
英镑
T
OPR
T
SOL
P
D
M
非M3
工作温度
M
非M3
无铅焊锡温度
器件总功耗@ 25°C （LED加检测器）
线性降额从25℃
所有
M
非M3
M
非M3
辐射源
连续正向电流
I
F
V
R
I
F
（ PK）
P
D
M
非M3
反向电压
正向电流 - 峰值（ 1 μs的脉冲， 300 ，PPS）
所有
M
非M3
LED功耗25 ° C环境
线性降额从25℃
M
非M3
M
非M3
探测器
连续集电极电流
集电极 - 发射极电压
I
C
V
首席执行官
所有
CNY17X / M ， CNY17FX / M ，
MOC8106/7/8
MOC8101/2/3/4/5
发射极集电极电压
探测器功耗@ 25°C
线性降额从25℃
V
ECO
P
D
所有
M
非M3
M
非M3
50
70
30
7
150
150
1.76
2.0
毫瓦/°C的
mA
V
V
V
mW
60
100
6
1.5
1.0
120
150
1.41
1.8
毫瓦/°C的
mW
V
A
mA
-40到+150
-55到+150
-40至+100
-55到+100
260 ，持续10秒
250
250
2.94
3.30
毫瓦/°C的
°C
mW
°C
°C
符号
设备
价值
单位
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
(1)
单个组件特性
参数
辐射源
输入正向电压
I
F
= 60毫安
I
F
= 10毫安
电容
V
F
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
C
J
I
R
反向漏电流V
R
= 6 V
V
F
CNY17FX/M
CNY17X/M
MOC810X
所有
所有
1.0
1.0
1.35
1.15
18
0.001
10
1.65
1.50
pF
A
V
测试条件
符号
设备
民
典型值
最大
单位
2
www.fairchildsemi.com
CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X版本1.0.5
CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X光敏晶体管光电耦合器
单个组件特性（续）
参数
探测器
击穿电压
集电极到发射极
MOC8101/2/3/4/5
I
C
= 1.0毫安，我
F
= 0
BV
首席执行官
MOC8106/7/8
CNY17F1/2/3/4/M
CNY171/2/3/4/M
CNY171/2/3/4/M
所有
所有
CNY171/2/3/4/M
所有
CNY171/2/3/4/M
CNY171/2/3/4/M
8
20
10
30
70
100
100
V
测试条件
符号
设备
民
典型值
最大
单位
收藏家基地
发射极到集电极
漏电流
集电极到发射极
收藏家基地
电容
集电极到发射极
收藏家基地
发射器基
I
C
= 10 μA ，我
F
= 0
I
E
= 100 A ，我
F
= 0
V
CE
= 10 V，I
F
= 0
V
CB
= 10 V，I
F
= 0
V
CE
= 0中，f = 1 MHz的
V
CB
= 0中，f = 1 MHz的
V
EB
= 0中，f = 1 MHz的
BV
CBO
BV
ECO
I
首席执行官
I
CBO
C
CE
C
CB
C
EB
70
7
120
10
1
50
20
nA
nA
pF
pF
pF
隔离特性
特征
输入输出隔离电压
测试条件
F = 60赫兹，吨= 1分钟。 （4）
F = 60赫兹，吨= 1秒。 （4）
符号
V
ISO
R
ISO
C
ISO
设备
黑包
'M'白包
所有
黑包
'M'白包
民
5300
7500
10
11
典型**最大
单位
VAC （ RMS） *
VAC （ PK）
绝缘电阻
隔离电容
V
我-O
= 500 VDC （ 4 ）
V
我-O
= O，F = 1兆赫（4）
0.5
0.2
pF
记
* 5300伏交流（有效值） 1分钟，相当于约9000伏交流（ pk）的1秒
在T **典型值
A
= 25°C
3
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CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X版本1.0.5
CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X光敏晶体管光电耦合器
传输特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
(1)
DC特性
再加
输出集电极
当前
MOC8101
MOC8102
MOC8103
MOC8104
MOC8105
MOC8106
MOC8107
MOC8108
CNY17F1/1M
CNY17F2/2M
CNY17F3/3M
CNY17F4/4M
CNY171/1M
CNY172/2M
CNY173/3M
CNY174/4M
集电极 - 发射极
饱和电压
CNY17XM/FXM
MOC8101/2/3/4/5/
6/7/8
CNY17X/FX
(I
C
= 2.5毫安，我
F
= 10 mA）的
(I
C
= 500 μA ，我
F
= 5.0 mA）的
(I
F
= 10 mA时，我
C
= 2.5 mA）的
—
—
0.3
V
V
CE （ SAT ）
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5 V)
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 10 V)
（ CTR ）
(2)
50
73
108
160
65
50
100
250
40
63
100
160
40
63
100
160
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
80
117
173
256
133
150
300
600
80
125
200
320
80
125
200
320
0.4
V
%
测试条件符号最小值
典型值
最大
单位
AC特性
(3)
不饱和开关时间
开启时间
MOC8101/2/3/4/5
MOC8106/7/8
CNY17X/FX
打开-O FF时间
MOC8101/2/3/4/5
MOC8106/7/8
CNY17X/FX
延迟时间
上升时间
CNY17XM/FXM
所有器件
CNY17XM/FXM
贮存时间
下降时间
CNY17XM/FXM
所有器件
CNY17XM/FXM
测试条件符号最小值
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
)
t
on
—
（典型值） *最大
2
20
—
10
单位
s
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
)
t
关闭
—
3
20
—
10
(I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5 V ，R
L
= 75
)
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
)
(I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5 V ，R
L
= 75
)
(I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5 V ，R
L
= 75
)
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
)
(I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5 V ，R
L
= 75
)
t
d
t
r
—
—
—
—
1
—
—
2
—
5.6
—
4.0
4.1
—
3.5
s
s
t
s
t
f
—
—
—
s
s
4
www.fairchildsemi.com
CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X版本1.0.5
CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X光敏晶体管光电耦合器
传输特性（续）
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
(1)
AC特性
(3)
饱和开关时间
开启时间
CNY171/F1
CNY172/F2
CNY173/F3
CNY174/F4
上升时间
CNY171/F1
CNY172/F1
CNY173/F3
CNY174/F4
CNY171M/F1M
CNY172M/3M/4M
CNY17F2M/F3M/F4M
延迟时间
CNY171M/F1M
CNY172M/3M/4M
CNY17F2M/F3M/F4M
打开-O FF时间
CNY171/F1
CNY172/F2
CNY173/F3
CNY174/F4
下降时间
CNY171/F1
CNY172/F2
CNY173/F3
CNY174/F4
CNY171M/F1M
CNY172M/3M/4M
CNY17F2M/F3M/F4M
贮存时间
CNY171M/F1M
CNY172M/3M/4M
CNY17F2M/F3M/F4M
**所有标准结构在T
A
= 25°C
注意事项：
1.总是设计到特定网络版最小/最大电限（如适用） 。
2.电流传输比（ CTR ） = I
C
/I
F
x 100%.
3.对于测试电路的设置和波形，请参阅图20 。
如图4所示，在本测试中，引脚1和2是常见的，并且引脚4 5是共同的。
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V)
t
on
—
—
—
—
5.5
8.0
s
测试条件符号
民
典型值
最大单位
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V)
t
r
—
—
—
—
4.0
6.0
s
(I
F
能力= 20 mA ，V
CC
= 5 V ，R
L
= 1 K)
(I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5 V ，R
L
= 1 K)
(I
F
能力= 20 mA ，V
CC
= 5 V ，R
L
=1 K)
(I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5 V ，R
L
=1 K)
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V)
t
d
t
关闭
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
4.0
6.0
5.5
8.0
34
39
s
s
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V)
t
f
—
—
—
—
20
24
s
(I
F
能力= 20 mA ，V
CC
= 5V ，R
L
= 1K)
(I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5V ，R
L
= 1K)
(I
F
能力= 20 mA ，V
CC
= 5V ，R
L
= 1K)
(I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5V ，R
L
= 1K)
t
s
—
—
—
—
—
—
—
—
20.0
24.0
34.0
39.0
s
s
5
www.fairchildsemi.com
CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X版本1.0.5
CYN17XM ， CNY17FXM ， MOC810XM - 光电晶体管光耦合器
2008年5月
CNY171M ， CNY172M ， CNY173M ， CNY174M ，
CNY17F1M ， CNY17F2M ， CNY17F3M ， CNY17F4M ，
MOC8106M ， MOC8107M
光电晶体管光耦合器
特点
■
UL认证（文件号E90700 ，第2卷）
■
VDE认可
描述
该CNY17XM ， CNY17FXM和MOC810XM设备
由一个砷化镓红外发光二极管加上一个NPN的
光电晶体管中的双列直插式封装。
■
■
■
■
- 添加选项V（例如， CNY17F2VM ）
- 文件＃ 102497
在选择组电流传输比
高BV
首席执行官
： 70V最低（ CNY17XM ， CNY17FXM ，
MOC810XM)
紧密匹配的电流传输比（ CTR ）
最小化单元到单元的变化。
随着芯片没有到非常低的电容耦合
最小噪音6脚底座的连接
susceptability （ CNY17FXM ， MOC810XM ）
包装纲要
应用
■
电源稳压器
■
数字逻辑输入
■
微处理器的输入
■
家电传感器系统
■
工业控制
示意图
阳极1
6 NC
阳极1
6基地
阴极2
5收藏家
阴极2
5收藏家
NC 3
4发射器
NC 3
4发射器
CNY17F1M/2M/3M/4M
MOC8106M/7M
CNY171M/2M/3M/4M
2006仙童半导体公司
CYN17XM ， CNY17FXM ， MOC810XM版本1.0.7
www.fairchildsemi.com
CYN17XM ， CNY17FXM ， MOC810XM - 光电晶体管光耦合器
绝对最大额定值
应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能不能正常运行或
操作上面推荐的工作条件，并强调部分这些级别是不推荐的。
此外，过度暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值仅为应力额定值。
符号
设备总
T
英镑
T
OPR
T
SOL
P
D
辐射源
I
F
V
R
I
F
（ PK）
P
D
探测器
I
C
V
首席执行官
V
ECO
P
D
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度
参数
价值
-40到+150
-40至+100
260 ，持续10秒
250
2.94
60
6
1.5
120
1.41
50
70
7
150
1.76
单位
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
mA
V
A
mW
毫瓦/°C的
mA
V
V
mW
毫瓦/°C的
器件总功耗@ 25°C （LED加检测器）
线性降额从25℃
连续正向电流
反向电压
正向电流 - 峰值（ 1μs的脉冲， 300pps ）
LED功耗25 ° C环境
线性降额从25℃
连续集电极电流
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
探测器功耗@ 25°C
线性降额从25℃
2006仙童半导体公司
CYN17XM ， CNY17FXM ， MOC810XM版本1.0.7
www.fairchildsemi.com
2
CYN17XM ， CNY17FXM ， MOC810XM - 光电晶体管光耦合器
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
(1)
单个组件特性
符号
参数
测试条件
辐射源
V
F
输入正向电压
I
F
= 60毫安
I
F
= 10毫安
C
J
I
R
电容
反向漏
当前
击穿电压
集电极到发射极
收藏家基地
发射极到集电极
漏电流
集电极到发射极
收藏家基地
电容
集电极到发射极
收藏家基地
发射器基
V
F
= 0 V ， F = 1.0MHz的
V
R
= 6V
CNY17XM,
CNY17FXM
MOC810XM
所有
所有
1.0
1.0
1.35
1.15
18
0.001
10
1.65
1.50
pF
A
V
设备
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
探测器
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
ECO
I
首席执行官
I
CBO
C
CE
C
CB
C
EB
I
C
= 1.0毫安，我
F
= 0
I
C
= 10μA ，我
F
= 0
I
E
= 100μA ，我
F
= 0
V
CE
= 10 V，I
F
= 0
V
CB
= 10 V，I
F
= 0
V
CE
= 0中，f = 1MHz的
V
CB
= 0中，f = 1MHz的
V
EB
= 0中，f = 1MHz的
所有
CNY171M/2M/3M/4M
所有
所有
CNY171M/2M/3M/4M
所有
CNY171M/2M/3M/4M
CNY171M/2M/3M/4M
8
20
10
70
70
7
100
120
10
1
50
20
nA
nA
pF
pF
pF
V
隔离特性
符号
V
ISO
R
ISO
C
ISO
特征
输入输出隔离电压
绝缘电阻
隔离电容
测试条件
F = 60赫兹，吨= 1秒，
I
我-O
≤
2A
(4)
V
我-O
= 500 VDC
(4)
V
我-O
= O，F = 1MHz的
(4)
分钟。
7500
10
11
TYP 。 *
马克斯。
单位
VAC （ PK）
0.2
pF
传输特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
(3)
符号
再加
（ CTR ）
(2)
输出集电极
当前
MOC8106M
MOC8107M
CNY17F1M
CNY17F2M
CNY17F3M
CNY17F4M
CNY171M
CNY172M
CNY173M
CNY174M
V
CE （ SAT ）
集电极 - 发射极CNY17XM / FXM
饱和电压MOC8106M / 7M
I
C
= 2.5毫安，我
F
= 10毫安
I
C
= 500μA ，我
F
= 5.0毫安
I
F
= 10毫安，V
CE
= 5V
I
F
= 10毫安，V
CE
= 10V
50
150
%
DC特性
测试条件
分钟。 （典型值） *最大。单位
100
40
63
100
160
40
63
100
160
300
80
125
200
320
80
125
200
320
0.4
V
*所有标准结构在T
A
= 25°C
2006仙童半导体公司
CYN17XM ， CNY17FXM ， MOC810XM版本1.0.7
www.fairchildsemi.com
3
CYN17XM ， CNY17FXM ， MOC810XM - 光电晶体管光耦合器
电气特性
符号
t
on
t
关闭
t
d
t
r
t
s
t
f
（续） （T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
(1)
传输特性
（续）
(3)
AC特性
(4)
开启时间
打开-O FF时间
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
所有器件
所有器件
CNY17XM/XFM
所有器件
CNY17XM/FXM
CNY17XM/FXM
所有器件
CNY17XM/FXM
饱和开关时间
t
on
开启时间
CNY171M/F1M
CNY172M/3M/4M
CNY17F2M/F3M/F4M
t
r
上升时间
CNY171M/F1M
CNY172M/3M/4M
CNY17F2M/F3M/F4M
t
d
延迟时间
CNY171M/F1M
CNY172M/3M/4M
CNY17F2M/F3M/F4M
t
关闭
打开-O FF时间
CNY171M/F1M
CNY172M/3M/4M
CNY17F2M/F3M/F4M
t
f
下降时间
CNY171M/F1M
CNY172M/3M/4M
CNY17F2M/F3M/F4M
t
s
贮存时间
CNY171M/F1M
I
F
= 20mA时， V
CC
= 5V ，R
L
= 1k
I
F
= 10毫安，V
CC
= 5V ，R
L
= 1k
I
F
= 20mA时， V
CC
= 5V ，R
L
= 1k
I
F
= 10毫安，V
CC
= 5V ，R
L
= 1k
I
F
= 20mA时， V
CC
= 5V ，R
L
= 1k
I
F
= 10毫安，V
CC
= 5V ，R
L
= 1k
I
F
= 20mA时， V
CE
= 0.4V
I
F
= 10毫安，V
CE
= 0.4V
I
F
= 20mA时， V
CC
= 5V ，R
L
= 1k
I
F
= 10毫安，V
CC
= 5V ，R
L
= 1k
I
F
= 20mA时， V
CC
= 5V ，R
L
= 1k
5.5
8.0
4.0
6.0
5.5
8.0
34
39
20.0
24.0
34.0
s
s
s
s
s
s
测试条件
I
C
= 2.0毫安，V
CC
= 10V ，R
L
= 100
I
C
= 2.0毫安，V
CC
= 10V ，R
L
= 100
I
F
= 10毫安，V
CC
= 5V ，R
L
= 75
I
C
= 2.0毫安，V
CC
= 10V ，R
L
= 100
I
F
= 10毫安，V
CC
= 5V ，R
L
= 75
I
F
= 10毫安，V
CC
= 5V ，R
L
= 75
I
C
= 2.0毫安，V
CC
= 10V ，R
L
= 100
I
F
= 10毫安，V
CC
= 5V ，R
L
= 75
分钟。 （典型值） *最大。单位
2
3
1
4.0
4.1
2
3.5
s
s
10
10
5.6
s
s
s
s
不饱和开关时间
CNY172M/3M/4M
I
F
= 10毫安，V
CC
= 5V ，R
L
= 1k
CNY17F2M/F3M/F4M
*所有标准结构在T
A
= 25°C
注意事项：
39.0
1.
2.
3.
4.
始终以设计规定的最小/最大电限（如适用） 。
电流传输比（ CTR ） = I
C
/I
F
x 100%.
测试电路的设置和波形，请参阅图10和11 。
对于本试验中，引脚1和2是常见的，并且引脚4 5是共同的。
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CYN17XM ， CNY17FXM ， MOC810XM版本1.0.7
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4
CYN17XM ， CNY17FXM ， MOC810XM - 光电晶体管光耦合器
典型性能特性
图。 2归CTR与环境温度
图。 1归CTR与正向电流
1.6
V
CE
= 5.0V
T
A
= 25C
归一
I
F
= 10毫安
1.2
I
F
= 5毫安
1.2
1.0
1.0
1.4
1.4
归一化CTR
归一化CTR
I
F
= 10毫安
0.8
0.8
0.6
0.6
I
F
= 20mA下
0.4
0.4
标准化为：
I
F
= 10毫安
T
A
= 25C
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0.2
-60
-40
-20
0
0.2
0.0
20
40
60
80
100
I
F
- 正向电流（mA ）
T
A
=环境温度（℃）
图。 3 CTR与RBE （不饱和）
归一化的点击率（ CTR
RBE
/ CTR
RBE （ OPEN ）
)
归一化的点击率（ CTR
RBE
/ CTR
RBE （ OPEN ）
)
1.0
0.9
I
F
= 20mA下
0.8
I
F
= 10毫安
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
V
CE
= 5.0V
0.1
0.0
10
100
1000
I
F
= 5毫安
1.0
0.9
0.8
图。 4 CTR与RBE （饱和）
V
CE
= 0.3V
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
10
100
1000
I
F
= 5毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20mA下
R
BE
- 基极电阻值（kΩ ）
R
BE
- 基极电阻值（kΩ ）
图。 5切换速度与负载电阻
1000
I
F
= 10毫安
V
CC
= 10V
T
A
= 25C
图。 6归一吨
on
与
BE
5.0
归一吨
on
– (t
在（R
BE
)
/ t
（开）
)
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
10
100
V
CC =
10V
I
C
= 2毫安
R
L
= 100
开关速度（微秒）
T
f
T
关闭
10
T
on
1
T
r
100
1000
10000
100000
0.1
0.1
1
10
100
R
BE
- 基极电阻值（kΩ ）
的R - 负载电阻值（kΩ ）
2006仙童半导体公司
CYN17XM ， CNY17FXM ， MOC810XM版本1.0.7
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CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X光敏晶体管光电耦合器
2006年9月
CNY171 ， CNY172 ， CNY173 ， CNY174 ， CNY17F1 ， CNY17F2 ，
CNY17F3 ， CNY17F4 ， MOC8101 ， MOC8102 ， MOC8103 ，
MOC8104 ， MOC8105 ， MOC8106 ， MOC8107 ， MOC8108
光电晶体管光耦合器
特点
■
UL认证（文件号E90700 ）
■
VDE认可
- 添加选项V白色包（如， CNY17F2VM ）
- 文件＃ 102497
- 添加选项' 300'黑包（如， CNY17F2300 ）
- 文件＃ 94766
■
在选择组电流传输比
■
高BV
首席执行官
-70V最低（ CNY17X / M ， CNY17FX / M ，
MOC8106/7/8)
■
紧密匹配的电流传输比（ CTR ）最小化
单元到单元的变化。
■
随着无芯片非常低耦合电容引脚6
最小噪音susceptability基地连接
（ CNY17FX / M ， MOC810X ）
应用
■
电源稳压器
■
数字逻辑输入
■
微处理器的输入
■
家电传感器系统
■
工业控制
描述
该CNY17 ， CNY17F和MOC810X设备包括一个
砷化镓红外发光二极管加上一个NPN光电晶体管
在一个双列直插式封装。
白色包装（ -M SUF网络X）
黑色包装（无-M SUF网络X）
6
6
1
1
6
1
6
1
6
6
1
1
概要
阳极1
6 NC
阳极1
6基地
阴极2
5收藏家
阴极2
5收藏家
NC 3
4发射器
NC 3
4发射器
CNY17F1/2/3/4
CNY17F1M/2M/3M/4M
MOC8101/2/3/4/5/6/7/8
CNY171/2/3/4
CNY171M/2M/3M/4M
2006仙童半导体公司
1
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CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X版本1.0.6
CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X光敏晶体管光电耦合器
绝对最大额定值
符号
设备总
T
英镑
T
OPR
T
SOL
P
D
储存温度
M
非M3
工作温度
M
非M3
无铅焊锡温度
器件总功耗@ 25°C （LED加检测器）
线性降额从25℃
所有
M
非M3
M
非M3
辐射源
I
F
V
R
I
F
（ PK）
P
D
连续正向电流
M
非M3
反向电压
正向电流 - 峰值（ 1 μs的脉冲， 300 ，PPS）
所有
M
非M3
LED功耗25 ° C环境
线性降额从25℃
M
非M3
M
非M3
探测器
I
C
V
首席执行官
连续集电极电流
集电极 - 发射极电压
所有
CNY17X / M ， CNY17FX / M ，
MOC8106/7/8
MOC8101/2/3/4/5
V
ECO
P
D
发射极集电极电压
探测器功耗@ 25°C
线性降额从25℃
所有
M
非M3
M
非M3
50
70
30
7
150
150
1.76
2.0
毫瓦/°C的
mA
V
V
V
mW
60
100
6
1.5
1.0
120
150
1.41
1.8
毫瓦/°C的
mW
V
A
mA
-40到+150
-55到+150
-40至+100
-55到+100
260 ，持续10秒
250
250
2.94
3.30
毫瓦/°C的
°C
mW
°C
°C
参数
设备
价值
单位
2
CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X版本1.0.6
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CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X光敏晶体管光电耦合器
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
(1)
单个组件特性
符号
辐射源
V
F
输入正向电压
I
F
= 60毫安
I
F
= 10毫安
C
J
I
R
电容
V
F
= 0 V ， F = 1.0MHz的
反向漏电流V
R
= 6 V
探测器
BV
首席执行官
击穿电压
集电极到发射极
I
C
= 1.0毫安，我
F
= 0
CNY17FX/M
CNY17X/M
MOC810X
所有
所有
1.0
1.0
1.35
1.15
18
0.001
10
1.65
1.50
pF
A
V
参数
测试条件
设备
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
MOC8101/2/3/4/5
MOC8106/7/8
CNY17F1/2/3/4/M
CNY171/2/3/4/M
CNY171/2/3/4/M
所有
所有
CNY171/2/3/4/M
所有
CNY171/2/3/4/M
CNY171/2/3/4/M
30
70
100
100
V
BV
CBO
BV
ECO
I
首席执行官
I
CBO
C
CE
C
CB
C
EB
收藏家基地
发射极到集电极
漏电流
集电极到发射极
收藏家基地
电容
集电极到发射极
收藏家基地
发射器基
I
C
= 10μA ，我
F
= 0
I
E
= 100μA ，我
F
= 0
V
CE
= 10 V，I
F
= 0
V
CB
= 10 V，I
F
= 0
V
CE
= 0中，f = 1MHz的
V
CB
= 0中，f = 1MHz的
V
EB
= 0中，f = 1MHz的
70
7
120
10
1
50
20
8
20
10
nA
nA
pF
pF
pF
隔离特性
符号
V
ISO
特征
输入输出隔离电压
测试条件
F = 60赫兹，吨= 1分钟，
I
我-O
≤
2A
(4)
F = 60赫兹，吨= 1秒，
I
我-O
≤
2A
(4)
设备
黑包
'M'白包
所有
黑包
'M'白包
分钟。
5300
7500
10
11
TYP。 **最大。
单位
VAC （ RMS） *
VAC （ PK）
R
ISO
C
ISO
绝缘电阻
隔离电容
V
我-O
= 500 VDC
(4)
V
我-O
= O，F = 1MHz的
(4)
0.5
0.2
pF
注意：
* 5300伏交流（有效值） 1分钟，相当于约9000伏交流（ pk）的1秒
在T **典型值
A
= 25°C
3
CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X版本1.0.6
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CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X光敏晶体管光电耦合器
传输特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
(1)
符号
再加
（ CTR ）
(2)
输出集电极
当前
MOC8101
MOC8102
MOC8103
MOC8104
MOC8105
MOC8106
MOC8107
MOC8108
CNY17F1/1M
CNY17F2/2M
CNY17F3/3M
CNY17F4/4M
CNY171/1M
CNY172/2M
CNY173/3M
CNY174/4M
V
CE （ SAT ）
集电极 - 发射极
饱和电压
CNY17XM/FXM
I
C
= 2.5毫安，我
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安，我
C
= 2.5毫安
I
F
= 10毫安，V
CE
= 5V
I
F
= 10毫安，V
CE
= 10V
50
73
108
160
65
50
100
250
40
63
100
160
40
63
100
160
80
117
173
256
133
150
300
600
80
125
200
320
80
125
200
320
0.4
V
%
DC特性
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
MOC8101 / 2 /3/4 /5/6 /7/ 8 I
C
= 500μA ，我
F
= 5.0毫安
CNY17X/FX
0.3
V
符号
t
on
AC特性
(3)
开启时间
MOC8101/2/3/4/5
MOC8106/7/8
CNY17X/FX
测试条件
I
C
= 2.0毫安，V
CC
= 10V ，R
L
= 100
分钟。 （典型值） *最大。
2
20
单位
s
不饱和开关时间
10
I
C
= 2.0毫安，V
CC
= 10V ，R
L
= 100
3
20
t
关闭
打开-O FF时间
MOC8101/2/3/4/5
MOC8106/7/8
CNY17X/FX
10
I
F
= 10毫安，V
CC
= 5V ，R
L
= 75
I
C
= 2.0毫安，V
CC
= 10V ，R
L
= 100
I
F
= 10毫安，V
CC
= 5V ，R
L
= 75
I
F
= 10毫安，V
CC
= 5V ，R
L
= 75
I
C
= 2.0毫安，V
CC
= 10V ，R
L
= 100
I
F
= 10毫安，V
CC
= 5V ，R
L
= 75
2
3.5
1
4.0
4.1
s
s
5.6
s
s
t
d
t
r
延迟时间
上升时间
CNY17XM/FXM
所有器件
CNY17XM/FXM
t
s
t
f
贮存时间
下降时间
CNY17XM/FXM
所有器件
CNY17XM/FXM
4
CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X版本1.0.6
www.fairchildsemi.com
CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X光敏晶体管光电耦合器
传输特性
（续）
符号
t
on
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
(1)
AC特性
(3)
开启时间
CNY171/F1
CNY172/F2
CNY173/F3
CNY174/F4
测试条件
I
F
= 20mA时， V
CE
= 0.4V
I
F
= 10毫安，V
CE
= 0.4V
分钟。
典型值。
MAX 。单位
5.5
8.0
s
饱和开关时间
t
r
上升时间
CNY171/F1
CNY172/F1
CNY173/F3
CNY174/F4
CNY171M/F1M
CNY172M/3M/4M
CNY17F2M/F3M/F4M
I
F
= 20mA时， V
CE
= 0.4V
I
F
= 10毫安，V
CE
= 0.4V
4.0
6.0
s
I
F
= 20mA时， V
CC
= 5V ，R
L
= 1k
I
F
= 10毫安，V
CC
= 5V ，R
L
= 1k
I
F
= 20mA时， V
CC
= 5V ，R
L
= 1k
I
F
= 10毫安，V
CC
= 5V ，R
L
= 1k
I
F
= 20mA时， V
CE
= 0.4V
I
F
= 10毫安，V
CE
= 0.4V
4.0
6.0
5.5
8.0
34
39
s
s
延迟时间
t
d
t
关闭
打开-O FF时间
CNY171M/F1M
CNY172M/3M/4M
CNY17F2M/F3M/F4M
CNY171/F1
CNY172/F2
CNY173/F3
CNY174/F4
t
f
下降时间
CNY171/F1
CNY172/F2
CNY173/F3
CNY174/F4
CNY171M/F1M
CNY172M/3M/4M
CNY17F2M/F3M/F4M
I
F
= 20mA时， V
CE
= 0.4V
I
F
= 10毫安，V
CE
= 0.4V
20
24
s
I
F
= 20mA时， V
CC
= 5V ，R
L
= 1k
I
F
= 10毫安，V
CC
= 5V ，R
L
= 1k
I
F
= 20mA时， V
CC
= 5V ，R
L
= 1k
I
F
= 10毫安，V
CC
= 5V ，R
L
= 1k
20.0
24.0
34.0
39.0
s
s
t
s
贮存时间
CNY171M/F1M
CNY172M/3M/4M
CNY17F2M/F3M/F4M
**所有标准结构在T
A
= 25°C
注意事项：
1.总是设计到特定网络版最小/最大电限（如适用） 。
2.电流传输比（ CTR ） = I
C
/I
F
x 100%.
3.对于测试电路的设置和波形，请参阅图20 。
如图4所示，在本测试中，引脚1和2是常见的，并且引脚4 5是共同的。
5
CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X版本1.0.6
www.fairchildsemi.com
CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X光敏晶体管光电耦合器
2005年10月
CNY171 ， CNY172 ， CNY173 ， CNY174 ， CNY17F1 ， CNY17F2 ，
CNY17F3 ， CNY17F4 ， MOC8101 ， MOC8102 ， MOC8103 ，
MOC8104 ， MOC8105 ， MOC8106 ， MOC8107 ， MOC8108
光电晶体管光耦合器
特点
■
CNY171 / 2 /3/4和CNY17F1 / 2 /3/4 ，可以在可用的
白色的包通过指定M SUF网络X （如CNY17F2M ）
■
UL认证（文件号E90700 ）
■
VDE认可
- 添加选项V白色包（如， CNY17F2VM ）
- 文件＃ 102497
- 添加选项' 300'黑包（如， CNY17F2300 ）
- 文件＃ 94766
■
在选择组电流传输比
■
高BV
首席执行官
-70V最低（ CNY17X / M ， CNY17FX / M ，
MOC8106/7/8)
■
紧密匹配的电流传输比（ CTR ）最小单位 -
到单元的变化。
■
随着无芯片非常低耦合电容引脚6
最小噪音susceptability基地连接
（ CNY17FX / M ， MOC810X ）
应用
■
电源稳压器
■
数字逻辑输入
■
微处理器的输入
■
家电传感器系统
■
工业控制
描述
该CNY17 ， CNY17F和MOC810X设备包括一个
砷化镓红外发光二极管加上一个NPN光电晶体管
在一个双列直插式封装。
白色包装（ -M SUF网络X）
黑色包装（无-M SUF网络X）
6
6
1
1
6
1
6
1
6
6
1
1
概要
阳极1
6 NC
阳极1
6基地
阴极2
5收藏家
阴极2
5收藏家
NC 3
4发射器
NC 3
4发射器
CNY17F1/2/3/4
CNY17F1M/2M/3M/4M
MOC8101/2/3/4/5/6/7/8
CNY171/2/3/4
CNY17F1M/2M/3M/4M
2004仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X版本1.0.5
CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X光敏晶体管光电耦合器
绝对最大额定值
参数
设备总
储存温度
T
英镑
T
OPR
T
SOL
P
D
M
非M3
工作温度
M
非M3
无铅焊锡温度
器件总功耗@ 25°C （LED加检测器）
线性降额从25℃
所有
M
非M3
M
非M3
辐射源
连续正向电流
I
F
V
R
I
F
（ PK）
P
D
M
非M3
反向电压
正向电流 - 峰值（ 1 μs的脉冲， 300 ，PPS）
所有
M
非M3
LED功耗25 ° C环境
线性降额从25℃
M
非M3
M
非M3
探测器
连续集电极电流
集电极 - 发射极电压
I
C
V
首席执行官
所有
CNY17X / M ， CNY17FX / M ，
MOC8106/7/8
MOC8101/2/3/4/5
发射极集电极电压
探测器功耗@ 25°C
线性降额从25℃
V
ECO
P
D
所有
M
非M3
M
非M3
50
70
30
7
150
150
1.76
2.0
毫瓦/°C的
mA
V
V
V
mW
60
100
6
1.5
1.0
120
150
1.41
1.8
毫瓦/°C的
mW
V
A
mA
-40到+150
-55到+150
-40至+100
-55到+100
260 ，持续10秒
250
250
2.94
3.30
毫瓦/°C的
°C
mW
°C
°C
符号
设备
价值
单位
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
(1)
单个组件特性
参数
辐射源
输入正向电压
I
F
= 60毫安
I
F
= 10毫安
电容
V
F
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
C
J
I
R
反向漏电流V
R
= 6 V
V
F
CNY17FX/M
CNY17X/M
MOC810X
所有
所有
1.0
1.0
1.35
1.15
18
0.001
10
1.65
1.50
pF
A
V
测试条件
符号
设备
民
典型值
最大
单位
2
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CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X版本1.0.5
CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X光敏晶体管光电耦合器
单个组件特性（续）
参数
探测器
击穿电压
集电极到发射极
MOC8101/2/3/4/5
I
C
= 1.0毫安，我
F
= 0
BV
首席执行官
MOC8106/7/8
CNY17F1/2/3/4/M
CNY171/2/3/4/M
CNY171/2/3/4/M
所有
所有
CNY171/2/3/4/M
所有
CNY171/2/3/4/M
CNY171/2/3/4/M
8
20
10
30
70
100
100
V
测试条件
符号
设备
民
典型值
最大
单位
收藏家基地
发射极到集电极
漏电流
集电极到发射极
收藏家基地
电容
集电极到发射极
收藏家基地
发射器基
I
C
= 10 μA ，我
F
= 0
I
E
= 100 A ，我
F
= 0
V
CE
= 10 V，I
F
= 0
V
CB
= 10 V，I
F
= 0
V
CE
= 0中，f = 1 MHz的
V
CB
= 0中，f = 1 MHz的
V
EB
= 0中，f = 1 MHz的
BV
CBO
BV
ECO
I
首席执行官
I
CBO
C
CE
C
CB
C
EB
70
7
120
10
1
50
20
nA
nA
pF
pF
pF
隔离特性
特征
输入输出隔离电压
测试条件
F = 60赫兹，吨= 1分钟。 （4）
F = 60赫兹，吨= 1秒。 （4）
符号
V
ISO
R
ISO
C
ISO
设备
黑包
'M'白包
所有
黑包
'M'白包
民
5300
7500
10
11
典型**最大
单位
VAC （ RMS） *
VAC （ PK）
绝缘电阻
隔离电容
V
我-O
= 500 VDC （ 4 ）
V
我-O
= O，F = 1兆赫（4）
0.5
0.2
pF
记
* 5300伏交流（有效值） 1分钟，相当于约9000伏交流（ pk）的1秒
在T **典型值
A
= 25°C
3
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CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X版本1.0.5
CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X光敏晶体管光电耦合器
传输特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
(1)
DC特性
再加
输出集电极
当前
MOC8101
MOC8102
MOC8103
MOC8104
MOC8105
MOC8106
MOC8107
MOC8108
CNY17F1/1M
CNY17F2/2M
CNY17F3/3M
CNY17F4/4M
CNY171/1M
CNY172/2M
CNY173/3M
CNY174/4M
集电极 - 发射极
饱和电压
CNY17XM/FXM
MOC8101/2/3/4/5/
6/7/8
CNY17X/FX
(I
C
= 2.5毫安，我
F
= 10 mA）的
(I
C
= 500 μA ，我
F
= 5.0 mA）的
(I
F
= 10 mA时，我
C
= 2.5 mA）的
—
—
0.3
V
V
CE （ SAT ）
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5 V)
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 10 V)
（ CTR ）
(2)
50
73
108
160
65
50
100
250
40
63
100
160
40
63
100
160
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
80
117
173
256
133
150
300
600
80
125
200
320
80
125
200
320
0.4
V
%
测试条件符号最小值
典型值
最大
单位
AC特性
(3)
不饱和开关时间
开启时间
MOC8101/2/3/4/5
MOC8106/7/8
CNY17X/FX
打开-O FF时间
MOC8101/2/3/4/5
MOC8106/7/8
CNY17X/FX
延迟时间
上升时间
CNY17XM/FXM
所有器件
CNY17XM/FXM
贮存时间
下降时间
CNY17XM/FXM
所有器件
CNY17XM/FXM
测试条件符号最小值
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
)
t
on
—
（典型值） *最大
2
20
—
10
单位
s
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
)
t
关闭
—
3
20
—
10
(I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5 V ，R
L
= 75
)
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
)
(I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5 V ，R
L
= 75
)
(I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5 V ，R
L
= 75
)
(I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
)
(I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5 V ，R
L
= 75
)
t
d
t
r
—
—
—
—
1
—
—
2
—
5.6
—
4.0
4.1
—
3.5
s
s
t
s
t
f
—
—
—
s
s
4
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CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X版本1.0.5
CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X光敏晶体管光电耦合器
传输特性（续）
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
(1)
AC特性
(3)
饱和开关时间
开启时间
CNY171/F1
CNY172/F2
CNY173/F3
CNY174/F4
上升时间
CNY171/F1
CNY172/F1
CNY173/F3
CNY174/F4
CNY171M/F1M
CNY172M/3M/4M
CNY17F2M/F3M/F4M
延迟时间
CNY171M/F1M
CNY172M/3M/4M
CNY17F2M/F3M/F4M
打开-O FF时间
CNY171/F1
CNY172/F2
CNY173/F3
CNY174/F4
下降时间
CNY171/F1
CNY172/F2
CNY173/F3
CNY174/F4
CNY171M/F1M
CNY172M/3M/4M
CNY17F2M/F3M/F4M
贮存时间
CNY171M/F1M
CNY172M/3M/4M
CNY17F2M/F3M/F4M
**所有标准结构在T
A
= 25°C
注意事项：
1.总是设计到特定网络版最小/最大电限（如适用） 。
2.电流传输比（ CTR ） = I
C
/I
F
x 100%.
3.对于测试电路的设置和波形，请参阅图20 。
如图4所示，在本测试中，引脚1和2是常见的，并且引脚4 5是共同的。
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V)
t
on
—
—
—
—
5.5
8.0
s
测试条件符号
民
典型值
最大单位
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V)
t
r
—
—
—
—
4.0
6.0
s
(I
F
能力= 20 mA ，V
CC
= 5 V ，R
L
= 1 K)
(I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5 V ，R
L
= 1 K)
(I
F
能力= 20 mA ，V
CC
= 5 V ，R
L
=1 K)
(I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5 V ，R
L
=1 K)
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V)
t
d
t
关闭
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
4.0
6.0
5.5
8.0
34
39
s
s
(I
F
能力= 20 mA ，V
CE
= 0.4 V)
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V)
t
f
—
—
—
—
20
24
s
(I
F
能力= 20 mA ，V
CC
= 5V ，R
L
= 1K)
(I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5V ，R
L
= 1K)
(I
F
能力= 20 mA ，V
CC
= 5V ，R
L
= 1K)
(I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5V ，R
L
= 1K)
t
s
—
—
—
—
—
—
—
—
20.0
24.0
34.0
39.0
s
s
5
www.fairchildsemi.com
CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X版本1.0.5
CNY17XM ， CNY17FXM ， MOC810XM - 光电晶体管光耦合器
2009年11月
CNY171M ， CNY172M ， CNY173M ， CNY174M ，
CNY17F1M ， CNY17F2M ， CNY17F3M ， CNY17F4M ，
MOC8106M ， MOC8107M
光电晶体管光耦合器
特点
■
UL认证（文件号E90700 ，第2卷）
■
VDE认可
描述
该CNY17XM ， CNY17FXM和MOC810XM设备
由一个砷化镓红外发光二极管加上一个NPN的
光电晶体管中的双列直插式封装。
■
■
■
■
- 添加选项V（例如， CNY17F2VM ）
- 文件＃ 102497
在选择组电流传输比
高BV
首席执行官
： 70V最低（ CNY17XM ， CNY17FXM ，
MOC810XM)
紧密匹配的电流传输比（ CTR ）
最小化单元到单元的变化。
随着芯片没有到非常低的电容耦合
最小噪音6脚底座的连接
susceptability （ CNY17FXM ， MOC810XM ）
包装纲要
应用
■
电源稳压器
■
数字逻辑输入
■
微处理器的输入
■
家电传感器系统
■
工业控制
示意图
阳极1
6 NC
阳极1
6基地
阴极2
5收藏家
阴极2
5收藏家
NC 3
4发射器
NC 3
4发射器
CNY17F1M/2M/3M/4M
MOC8106M/7M
CNY171M/2M/3M/4M
2006仙童半导体公司
CNY17XM ， CNY17FXM ， MOC810XM版本1.1.1
www.fairchildsemi.com
CNY17XM ， CNY17FXM ， MOC810XM - 光电晶体管光耦合器
绝对最大额定值
应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能不能正常运行或
操作上面推荐的工作条件，并强调部分这些级别是不推荐的。
此外，过度暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值仅为应力额定值。
符号
设备总
T
英镑
T
OPR
T
J
T
SOL
P
D
辐射源
I
F
V
R
I
F
（ PK）
P
D
探测器
I
C
V
首席执行官
V
ECO
P
D
储存温度
工作温度
结温
无铅焊锡温度
参数
价值
-40到+150
-40至+100
-40到+125
260 ，持续10秒
250
2.94
60
6
1.5
120
1.41
50
70
7
150
1.76
单位
°C
°C
C
°C
mW
毫瓦/°C的
mA
V
A
mW
毫瓦/°C的
mA
V
V
mW
毫瓦/°C的
器件总功耗@ 25°C （LED加检测器）
线性降额从25℃
连续正向电流
反向电压
正向电流 - 峰值（ 1μs的脉冲， 300pps ）
LED功耗25 ° C环境
线性降额从25℃
连续集电极电流
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
探测器功耗@ 25°C
线性降额从25℃
2006仙童半导体公司
CNY17XM ， CNY17FXM ， MOC810XM版本1.1.1
www.fairchildsemi.com
2
CNY17XM ， CNY17FXM ， MOC810XM - 光电晶体管光耦合器
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
(1)
单个组件特性
符号
参数
测试条件
辐射源
V
F
输入正向电压
I
F
= 60毫安
I
F
= 10毫安
C
J
I
R
电容
反向漏
当前
击穿电压
集电极到发射极
收藏家基地
发射极到集电极
漏电流
集电极到发射极
收藏家基地
电容
集电极到发射极
收藏家基地
发射器基
V
F
= 0 V ， F = 1.0MHz的
V
R
= 6V
CNY17XM,
CNY17FXM
MOC810XM
所有
所有
1.0
1.0
1.35
1.15
18
0.001
10
1.65
1.50
pF
A
V
设备
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
探测器
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
ECO
I
首席执行官
I
CBO
C
CE
C
CB
C
EB
I
C
= 1.0毫安，我
F
= 0
I
C
= 10μA ，我
F
= 0
I
E
= 100μA ，我
F
= 0
V
CE
= 10 V，I
F
= 0
V
CB
= 10 V，I
F
= 0
V
CE
= 0中，f = 1MHz的
V
CB
= 0中，f = 1MHz的
V
EB
= 0中，f = 1MHz的
所有
CNY171M/2M/3M/4M
所有
所有
CNY171M/2M/3M/4M
所有
CNY171M/2M/3M/4M
CNY171M/2M/3M/4M
8
20
10
70
70
7
100
120
10
1
50
20
nA
nA
pF
pF
pF
V
隔离特性
符号
V
ISO
R
ISO
C
ISO
特征
输入输出隔离电压
绝缘电阻
隔离电容
测试条件
F = 60赫兹，吨= 1秒，
I
我-O
≤
2A
(4)
V
我-O
= 500 VDC
(4)
V
我-O
= O，F = 1MHz的
(4)
分钟。
7500
10
11
TYP 。 *
马克斯。
单位
VAC （ PK）
0.2
pF
传输特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
(3)
符号
再加
（ CTR ）
(2)
输出集电极
当前
MOC8106M
MOC8107M
CNY17F1M
CNY17F2M
CNY17F3M
CNY17F4M
CNY171M
CNY172M
CNY173M
CNY174M
V
CE （ SAT ）
集电极 - 发射极CNY17XM / FXM
饱和电压MOC8106M / 7M
I
C
= 2.5毫安，我
F
= 10毫安
I
C
= 500μA ，我
F
= 5.0毫安
I
F
= 10毫安，V
CE
= 5V
I
F
= 10毫安，V
CE
= 10V
50
150
%
DC特性
测试条件
分钟。 （典型值） *最大。单位
100
40
63
100
160
40
63
100
160
300
80
125
200
320
80
125
200
320
0.4
V
*所有标准结构在T
A
= 25°C
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CNY17XM ， CNY17FXM ， MOC810XM版本1.1.1
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3
CNY17XM ， CNY17FXM ， MOC810XM - 光电晶体管光耦合器
电气特性
符号
t
on
t
关闭
t
d
t
r
t
s
t
f
（续） （T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
(1)
传输特性
（续）
(3)
AC特性
(4)
开启时间
打开-O FF时间
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
所有器件
所有器件
CNY17XM/XFM
所有器件
CNY17XM/FXM
CNY17XM/FXM
所有器件
CNY17XM/FXM
饱和开关时间
t
on
开启时间
CNY171M/F1M
CNY172M/3M/4M
CNY17F2M/F3M/F4M
t
r
上升时间
CNY171M/F1M
CNY172M/3M/4M
CNY17F2M/F3M/F4M
t
d
延迟时间
CNY171M/F1M
CNY172M/3M/4M
CNY17F2M/F3M/F4M
t
关闭
打开-O FF时间
CNY171M/F1M
CNY172M/3M/4M
CNY17F2M/F3M/F4M
t
f
下降时间
CNY171M/F1M
CNY172M/3M/4M
CNY17F2M/F3M/F4M
t
s
贮存时间
CNY171M/F1M
I
F
= 20mA时， V
CC
= 5V ，R
L
= 1k
I
F
= 10毫安，V
CC
= 5V ，R
L
= 1k
I
F
= 20mA时， V
CC
= 5V ，R
L
= 1k
I
F
= 10毫安，V
CC
= 5V ，R
L
= 1k
I
F
= 20mA时， V
CC
= 5V ，R
L
= 1k
I
F
= 10毫安，V
CC
= 5V ，R
L
= 1k
I
F
= 20mA时， V
CE
= 0.4V
I
F
= 10毫安，V
CE
= 0.4V
I
F
= 20mA时， V
CC
= 5V ，R
L
= 1k
I
F
= 10毫安，V
CC
= 5V ，R
L
= 1k
I
F
= 20mA时， V
CC
= 5V ，R
L
= 1k
5.5
8.0
4.0
6.0
5.5
8.0
34
39
20.0
24.0
34.0
s
s
s
s
s
s
测试条件
I
C
= 2.0毫安，V
CC
= 10V ，R
L
= 100
I
C
= 2.0毫安，V
CC
= 10V ，R
L
= 100
I
F
= 10毫安，V
CC
= 5V ，R
L
= 75
I
C
= 2.0毫安，V
CC
= 10V ，R
L
= 100
I
F
= 10毫安，V
CC
= 5V ，R
L
= 75
I
F
= 10毫安，V
CC
= 5V ，R
L
= 75
I
C
= 2.0毫安，V
CC
= 10V ，R
L
= 100
I
F
= 10毫安，V
CC
= 5V ，R
L
= 75
分钟。 （典型值） *最大。单位
2
3
1
4.0
4.1
2
3.5
s
s
10
10
5.6
s
s
s
s
不饱和开关时间
CNY172M/3M/4M
I
F
= 10毫安，V
CC
= 5V ，R
L
= 1k
CNY17F2M/F3M/F4M
*所有标准结构在T
A
= 25°C
注意事项：
39.0
1.
2.
3.
4.
始终以设计规定的最小/最大电限（如适用） 。
电流传输比（ CTR ） = I
C
/I
F
x 100%.
测试电路的设置和波形，请参阅图10和11 。
对于本试验中，引脚1和2是常见的，并且引脚4 5是共同的。
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4
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安全性和绝缘等级
按照IEC 60747-5-2 ，这是光电耦合器适用于仅在安全限制数据“安全的电气绝缘” 。
符合安全等级，由保护电路装置来保证。
符号
参数
根据DIN VDE 0110安装分类网络阳离子/ 1.89
表1
额定主电压< 150Vrms
额定电压主要< 300Vrms
气候分类科幻阳离子
污染度（ DIN VDE 0110 / 1.89 ）
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
Ⅰ-Ⅳ
Ⅰ-Ⅳ
55/100/21
2
175
1594
V
PEAK
CTI
V
PR
漏电起痕指数
输入到输出的测试电压，方法B ，
V
IORM
X 1.875 = V
PR
， 100 ％生产测试
用TM = 1秒，局部放电< 5PC
输入到输出的测试电压，方法a ，
V
IORM
×1.5 = V
PR
，类型和样品测试
用TM = 60秒，局部放电< 5PC
1275
V
PEAK
V
IORM
V
IOTM
马克斯。工作绝缘电压V峰值
最高允许过电压V峰值
外部爬电距离
外部间隙
绝缘厚度
850
6000
7
7
0.5
10
9
V
PEAK
V
PEAK
mm
mm
mm
RIO
在TS ，V绝缘电阻
IO
= 500V
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