CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X光敏晶体管光电耦合器
2006年9月
CNY171 ， CNY172 ， CNY173 ， CNY174 ， CNY17F1 ， CNY17F2 ，
CNY17F3 ， CNY17F4 ， MOC8101 ， MOC8102 ， MOC8103 ，
MOC8104 ， MOC8105 ， MOC8106 ， MOC8107 ， MOC8108
光电晶体管光耦合器
特点
■
UL认证（文件号E90700 ）
■
VDE认可
- 添加选项V白色包（如， CNY17F2VM ）
- 文件＃ 102497
- 添加选项' 300'黑包（如， CNY17F2300 ）
- 文件＃ 94766
■
在选择组电流传输比
■
高BV
首席执行官
-70V最低（ CNY17X / M ， CNY17FX / M ，
MOC8106/7/8)
■
紧密匹配的电流传输比（ CTR ）最小化
单元到单元的变化。
■
随着无芯片非常低耦合电容引脚6
最小噪音susceptability基地连接
（ CNY17FX / M ， MOC810X ）
应用
■
电源稳压器
■
数字逻辑输入
■
微处理器的输入
■
家电传感器系统
■
工业控制
描述
该CNY17 ， CNY17F和MOC810X设备包括一个
砷化镓红外发光二极管加上一个NPN光电晶体管
在一个双列直插式封装。
白色包装（ -M SUF网络X）
黑色包装（无-M SUF网络X）
6
6
1
1
6
1
6
1
6
6
1
1
概要
阳极1
6 NC
阳极1
6基地
阴极2
5收藏家
阴极2
5收藏家
NC 3
4发射器
NC 3
4发射器
CNY17F1/2/3/4
CNY17F1M/2M/3M/4M
MOC8101/2/3/4/5/6/7/8
CNY171/2/3/4
CNY171M/2M/3M/4M
2006仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X版本1.0.6
CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X光敏晶体管光电耦合器
绝对最大额定值
符号
设备总
T
英镑
T
OPR
T
SOL
P
D
储存温度
M
非M3
工作温度
M
非M3
无铅焊锡温度
器件总功耗@ 25°C （LED加检测器）
线性降额从25℃
所有
M
非M3
M
非M3
辐射源
I
F
V
R
I
F
（ PK）
P
D
连续正向电流
M
非M3
反向电压
正向电流 - 峰值（ 1 μs的脉冲， 300 ，PPS）
所有
M
非M3
LED功耗25 ° C环境
线性降额从25℃
M
非M3
M
非M3
探测器
I
C
V
首席执行官
连续集电极电流
集电极 - 发射极电压
所有
CNY17X / M ， CNY17FX / M ，
MOC8106/7/8
MOC8101/2/3/4/5
V
ECO
P
D
发射极集电极电压
探测器功耗@ 25°C
线性降额从25℃
所有
M
非M3
M
非M3
50
70
30
7
150
150
1.76
2.0
毫瓦/°C的
mA
V
V
V
mW
60
100
6
1.5
1.0
120
150
1.41
1.8
毫瓦/°C的
mW
V
A
mA
-40到+150
-55到+150
-40至+100
-55到+100
260 ，持续10秒
250
250
2.94
3.30
毫瓦/°C的
°C
mW
°C
°C
参数
设备
价值
单位
2
CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X版本1.0.6
www.fairchildsemi.com
CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X光敏晶体管光电耦合器
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
(1)
单个组件特性
符号
辐射源
V
F
输入正向电压
I
F
= 60毫安
I
F
= 10毫安
C
J
I
R
电容
V
F
= 0 V ， F = 1.0MHz的
反向漏电流V
R
= 6 V
探测器
BV
首席执行官
击穿电压
集电极到发射极
I
C
= 1.0毫安，我
F
= 0
CNY17FX/M
CNY17X/M
MOC810X
所有
所有
1.0
1.0
1.35
1.15
18
0.001
10
1.65
1.50
pF
A
V
参数
测试条件
设备
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
MOC8101/2/3/4/5
MOC8106/7/8
CNY17F1/2/3/4/M
CNY171/2/3/4/M
CNY171/2/3/4/M
所有
所有
CNY171/2/3/4/M
所有
CNY171/2/3/4/M
CNY171/2/3/4/M
30
70
100
100
V
BV
CBO
BV
ECO
I
首席执行官
I
CBO
C
CE
C
CB
C
EB
收藏家基地
发射极到集电极
漏电流
集电极到发射极
收藏家基地
电容
集电极到发射极
收藏家基地
发射器基
I
C
= 10μA ，我
F
= 0
I
E
= 100μA ，我
F
= 0
V
CE
= 10 V，I
F
= 0
V
CB
= 10 V，I
F
= 0
V
CE
= 0中，f = 1MHz的
V
CB
= 0中，f = 1MHz的
V
EB
= 0中，f = 1MHz的
70
7
120
10
1
50
20
8
20
10
nA
nA
pF
pF
pF
隔离特性
符号
V
ISO
特征
输入输出隔离电压
测试条件
F = 60赫兹，吨= 1分钟，
I
我-O
≤
2A
(4)
F = 60赫兹，吨= 1秒，
I
我-O
≤
2A
(4)
设备
黑包
'M'白包
所有
黑包
'M'白包
分钟。
5300
7500
10
11
TYP。 **最大。
单位
VAC （ RMS） *
VAC （ PK）
R
ISO
C
ISO
绝缘电阻
隔离电容
V
我-O
= 500 VDC
(4)
V
我-O
= O，F = 1MHz的
(4)
0.5
0.2
pF
注意：
* 5300伏交流（有效值） 1分钟，相当于约9000伏交流（ pk）的1秒
在T **典型值
A
= 25°C
3
CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X版本1.0.6
www.fairchildsemi.com
CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X光敏晶体管光电耦合器
传输特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
(1)
符号
再加
（ CTR ）
(2)
输出集电极
当前
MOC8101
MOC8102
MOC8103
MOC8104
MOC8105
MOC8106
MOC8107
MOC8108
CNY17F1/1M
CNY17F2/2M
CNY17F3/3M
CNY17F4/4M
CNY171/1M
CNY172/2M
CNY173/3M
CNY174/4M
V
CE （ SAT ）
集电极 - 发射极
饱和电压
CNY17XM/FXM
I
C
= 2.5毫安，我
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安，我
C
= 2.5毫安
I
F
= 10毫安，V
CE
= 5V
I
F
= 10毫安，V
CE
= 10V
50
73
108
160
65
50
100
250
40
63
100
160
40
63
100
160
80
117
173
256
133
150
300
600
80
125
200
320
80
125
200
320
0.4
V
%
DC特性
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
MOC8101 / 2 /3/4 /5/6 /7/ 8 I
C
= 500μA ，我
F
= 5.0毫安
CNY17X/FX
0.3
V
符号
t
on
AC特性
(3)
开启时间
MOC8101/2/3/4/5
MOC8106/7/8
CNY17X/FX
测试条件
I
C
= 2.0毫安，V
CC
= 10V ，R
L
= 100
分钟。 （典型值） *最大。
2
20
单位
s
不饱和开关时间
10
I
C
= 2.0毫安，V
CC
= 10V ，R
L
= 100
3
20
t
关闭
打开-O FF时间
MOC8101/2/3/4/5
MOC8106/7/8
CNY17X/FX
10
I
F
= 10毫安，V
CC
= 5V ，R
L
= 75
I
C
= 2.0毫安，V
CC
= 10V ，R
L
= 100
I
F
= 10毫安，V
CC
= 5V ，R
L
= 75
I
F
= 10毫安，V
CC
= 5V ，R
L
= 75
I
C
= 2.0毫安，V
CC
= 10V ，R
L
= 100
I
F
= 10毫安，V
CC
= 5V ，R
L
= 75
2
3.5
1
4.0
4.1
s
s
5.6
s
s
t
d
t
r
延迟时间
上升时间
CNY17XM/FXM
所有器件
CNY17XM/FXM
t
s
t
f
贮存时间
下降时间
CNY17XM/FXM
所有器件
CNY17XM/FXM
4
CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X版本1.0.6
www.fairchildsemi.com
CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X光敏晶体管光电耦合器
传输特性
（续）
符号
t
on
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
(1)
AC特性
(3)
开启时间
CNY171/F1
CNY172/F2
CNY173/F3
CNY174/F4
测试条件
I
F
= 20mA时， V
CE
= 0.4V
I
F
= 10毫安，V
CE
= 0.4V
分钟。
典型值。
MAX 。单位
5.5
8.0
s
饱和开关时间
t
r
上升时间
CNY171/F1
CNY172/F1
CNY173/F3
CNY174/F4
CNY171M/F1M
CNY172M/3M/4M
CNY17F2M/F3M/F4M
I
F
= 20mA时， V
CE
= 0.4V
I
F
= 10毫安，V
CE
= 0.4V
4.0
6.0
s
I
F
= 20mA时， V
CC
= 5V ，R
L
= 1k
I
F
= 10毫安，V
CC
= 5V ，R
L
= 1k
I
F
= 20mA时， V
CC
= 5V ，R
L
= 1k
I
F
= 10毫安，V
CC
= 5V ，R
L
= 1k
I
F
= 20mA时， V
CE
= 0.4V
I
F
= 10毫安，V
CE
= 0.4V
4.0
6.0
5.5
8.0
34
39
s
s
延迟时间
t
d
t
关闭
打开-O FF时间
CNY171M/F1M
CNY172M/3M/4M
CNY17F2M/F3M/F4M
CNY171/F1
CNY172/F2
CNY173/F3
CNY174/F4
t
f
下降时间
CNY171/F1
CNY172/F2
CNY173/F3
CNY174/F4
CNY171M/F1M
CNY172M/3M/4M
CNY17F2M/F3M/F4M
I
F
= 20mA时， V
CE
= 0.4V
I
F
= 10毫安，V
CE
= 0.4V
20
24
s
I
F
= 20mA时， V
CC
= 5V ，R
L
= 1k
I
F
= 10毫安，V
CC
= 5V ，R
L
= 1k
I
F
= 20mA时， V
CC
= 5V ，R
L
= 1k
I
F
= 10毫安，V
CC
= 5V ，R
L
= 1k
20.0
24.0
34.0
39.0
s
s
t
s
贮存时间
CNY171M/F1M
CNY172M/3M/4M
CNY17F2M/F3M/F4M
**所有标准结构在T
A
= 25°C
注意事项：
1.总是设计到特定网络版最小/最大电限（如适用） 。
2.电流传输比（ CTR ） = I
C
/I
F
x 100%.
3.对于测试电路的设置和波形，请参阅图20 。
如图4所示，在本测试中，引脚1和2是常见的，并且引脚4 5是共同的。
5
CNY17X ， CNY17FX ， MOC810X版本1.0.6
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QQ：2880707522 复制
