CNY17
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威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，带底座的连接
特点
绝缘测试电压： 5000 V
RMS
长期稳定性
行业标准的双列直插式封装
A
C
NC
1
2
3
6
5
4
B
C
E
材料分类：
对于合规的定义，请参见
www.vishay.com/doc?99912
机构认证
美国保险商实验室的文件中没有。 E52744
cUL认证测试， CSA 22.2 5A公告
DIN EN 60747-5-5 （ VDE 0884-5 ）
i179004-14
BSI IEC 60950 ， IEC 60065
FIMKO
CQC
描述
该CNY17是一个光学耦合一对组成的一个
砷化镓红外发光二极管光耦合到
硅NPN phototransitor 。
信号的信息，包括一个DC电平，可以传送
通过该装置，同时保持电高度
输入和输出之间的隔离。
该CNY17可以用来代替继电器和变压器
在许多数字接口的应用程序，以及模拟
应用诸如CRT调制。
订购信息
C
N
Y
1
7
-
#
CTR
箱子
X
0
#
#
T
TAPE
和
REEL
DIP-6
选6
产品型号
封装选项
7.62 mm
选7
10.16 mm
选择9
> 8毫米
8毫米典型。
代理认证/ PACKAGE
UL ， CUL， BSI ， FIMKO
DIP-6
DIP - 6 ， 400万，选择6
SMD - 6 ，选7
SMD - 6 ，选择9
VDE ， UL ， CUL， BSI ， FIMKO
DIP-6
DIP - 6 ， 400万，选择6
SMD - 64 ，选7
SMD - 6 ，选择9
记
(1)
也可在管，不要把T于结束。
40至80
CNY17-1
CNY17-1X006
CNY17-1X007T
(1)
CNY17-1X009T
(1)
40至80
CNY17-1X001
CNY17-1X016
CNY17-1X017
-
63至125
CNY17-2
CNY17-2X006
CTR （ ％ ）
100至200
CNY17-3
CNY17-3X006
CNY17-3X007T
(1)
CNY17-3X009T
(1)
100至200
CNY17-3X001
CNY17-3X016
CNY17-3X017T
(1)
-
160到320
CNY17-4
CNY17-4X006
CNY17-4X007T
(1)
CNY17-4X009T
(1)
160到320
CNY17-4X001
CNY17-4X016
CNY17-4X017T
(1)
-
CNY17-2X007T
(1)
CNY17-2X009T
(1)
63至125
CNY17-2X001
CNY17-2X016
CNY17-2X017T
(1)
CNY17-2X019T
(1)
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文档编号： 83606
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如有技术问题，请联系：
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威世半导体
测试条件
符号
V
R
I
F
t
p
≤
10 μs
在25℃下
I
FSM
P
DISS
BV
首席执行官
BV
EBO
I
C
I
C
P
DISS
V
ISO
价值
6
60
2.5
70
70
7
50
100
150
5000
≥
7
≥
7
≥
0.4
≥
175
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
SLD
P
DISS
≥
10
12
≥
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 110
260
220
Ω
Ω
°C
°C
°C
mW
单位
V
mA
A
mW
V
V
mA
mA
mW
V
RMS
mm
mm
mm
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
输入
反向电压
正向电流
正向浪涌电流
LED功耗
产量
集电极发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
集电极电流
功耗
耦合器
发射器与检测器之间的隔离测试电压
爬电距离
间隙距离
发射器与检测器之间的隔离厚度
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDE 0303 ，第1部分
绝缘电阻
储存温度
工作温度
焊接温度
(1)
总功耗
t
p
/T = 0.5, t
p
≤
10毫秒
t=1s
2毫米的情况下，
≤
10 s
笔记
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不
隐含在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。暴露在绝对
对于长时间处于最大额定值可能产生不利影响的可靠性。
(1)
请参阅回流焊温度曲线的表面贴装器件（ SMD ）焊接条件。请参阅波曲线为通过焊接条件
孔器件（ DIP ） 。
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
输入
正向电压
击穿电压
反向电流
电容
热阻
产量
集电极 - 发射极电容
集电极电容基地
发射基地电容
热阻
耦合器
集电极 - 发射极，饱和电压
耦合电容
测试条件
I
F
= 60毫安
I
R
= 10 μA
V
R
= 6 V
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
部分
符号
V
F
V
BR
I
R
C
O
R
th
C
CE
C
CB
C
EB
R
th
V
CESAT
C
C
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
分钟。
典型值。
1.39
6
0.01
25
750
5.2
6.5
7.5
500
0.25
0.6
2
2
5
5
0.4
50
50
100
100
10
马克斯。
1.65
单位
V
V
μA
pF
K / W
pF
pF
pF
K / W
V
pF
nA
nA
nA
nA
V
CE
= 5 V ， F = 1兆赫
V
CE
= 5 V ， F = 1兆赫
V
CE
= 5 V ， F = 1兆赫
V
F
= 10 mA时，我
C
= 2.5毫安
CNY17-1
CNY17-2
CNY17-3
CNY17-4
集电极 - 发射极漏电流
V
CE
= 10 V
记
最小和最大值进行了测试requierements 。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评估。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
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威世半导体
部分
CNY17-1
CNY17-2
CNY17-3
CNY17-4
CNY17-1
CNY17-2
CNY17-3
CNY17-4
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
分钟。
40
63
100
160
13
22
34
56
典型值。
马克斯。
80
125
200
320
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
电流传输比
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
测试条件
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安
I
C
/I
F
V
CE
= 5 V，I
F
= 1毫安
30
45
70
90
开关特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
测试条件
线性操作
（不饱和）
开启时间
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5 V ，R
L
= 75
Ω
上升时间
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5 V ，R
L
= 75
Ω
打开-O FF时间
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5 V ，R
L
= 75
Ω
下降时间
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5 V ，R
L
= 75
Ω
截止频率
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 5 V ，R
L
= 75
Ω
切换操作
（与饱和度）
I
F
= 20毫安
开启时间
I
F
= 10毫安
I
F
= 5毫安
I
F
= 20毫安
上升时间
I
F
= 10毫安
I
F
= 5毫安
I
F
= 20毫安
打开-O FF时间
I
F
= 10毫安
I
F
= 5毫安
I
F
= 20毫安
下降时间
I
F
= 10毫安
I
F
= 5毫安
I
F
0
I
F
+5V
部分
符号
t
on
t
r
t
关闭
t
f
f
CO
分钟。
典型值。
3
2
2.3
2
110
3
4.2
4.2
6
2
3
3
4.6
18
23
23
25
11
14
14
15
马克斯。
单位
μs
μs
μs
μs
千赫
μs
μs
μs
μs
μs
μs
μs
μs
μs
μs
μs
μs
μs
μs
μs
μs
CNY17-1
CNY17-2
CNY17-3
CNY17-4
CNY17-1
CNY17-2
CNY17-3
CNY17-4
CNY17-1
CNY17-2
CNY17-3
CNY17-4
CNY17-1
CNY17-2
CNY17-3
CNY17-4
t
on
t
on
t
on
t
on
t
r
t
r
t
r
t
r
t
关闭
t
关闭
t
关闭
t
关闭
t
f
t
f
t
f
t
f
I
F
0
I
C
t
p
t
R
G
= 50
Ω
t
p
= 0.01
T
t
p
= 50 s
通道I
道II
50
Ω
95 10804-3
100 %
90 %
示波器
R
L
= 1 MΩ
C
L
= 20 pF的
10 %
0
t
r
t
d
t
on
t
p
t
d
t
r
t
on
(= t
d
+ t
r
)
脉冲持续时间
延迟时间
上升时间
开启时间
t
s
t
f
t
关闭
t
R
L
图。 1 - 测试电路，非饱和运算
I
F
0
I
F
= 10毫安
+5V
I
C
t
s
t
f
t
关闭
(= t
s
+ t
f
)
贮存时间
下降时间
打开-O FF时间
96 11698
图。 3 - 开关时间
R
G
= 50
Ω
t
p
= 0.01
T
t
p
= 50 s
通道I
道II
50
Ω
95 10843
示波器
R
L
≥
1 MΩ
C
L
≤
20 pF的
1 kΩ
图。 2 - 测试电路，饱和运算
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典型特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
威世半导体
1.8
1.7
T
AMB
= 0 °C
1.6
T
AMB
= - 25 °C
1.5
1.4
T
AMB
= - 40 °C
1.3
T = - 55°C
AMB
1.2
1.1
T
AMB
= 25 °C
1.0
T
AMB
= 50 °C
0.9
T
AMB
= 75 °C
0.8
0.7
T
AMB
= 100 °C
0.6
0.1
1
10
100
I
F
- 正向电流（mA ）
10 000
I
F
= 0毫安
I
CE0
- 漏电流（ nA的）
1000
V
CE
= 40 V
V
F
- 正向电压（ V）
100
10
1
0.1
0.01
0.001
- 60 - 40 - 20
V
CE
= 24 V
V
CE
= 12 V
0
20
40
60
80 100
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 4 - 正向电压与正向电流
图。 7 - 漏电流与环境温度
60
I
C
- 集电极电流（毫安）
50
40
I
F
= 20毫安
I
F
= 30毫安
1.2
CTR
规范
- 归CTR （ NS ）
I
F
= 10毫安
V
CE
= 5 V
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
- 60 - 40 - 20
I
F
= 1毫安
I
F
= 5毫安
30
I
F
= 15毫安
20
10
0
0
1
2
3
4
5
I
F
= 10毫安
I
F
= 5毫安
6
7
8
0
20
40
60
80 100
V
CE
- 集电极发射极电压（ NS ） （V ）
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 5 - 集电极电流与集电极发射极电压（ NS ）
图。 8 - 归CTR （ NS ）与环境温度
25
CTR
规范
- 归CTR （SAT）
I
F
= 25毫安
1.2
I
F
= 10毫安
V
CE
= 0.4 V
I
C
- 集电极电流（毫安）
20
15
I
F
= 10毫安
1.0
0.8
0.6
I
F
= 1毫安
I
F
= 5毫安
10
I
F
= 5毫安
0.4
0.2
0
- 60 - 40 - 20
5
I
F
= 1毫安
I
F
= 2毫安
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
V
CE
- 集电极发射极电压（SAT） （V ）
0
20
40
60
80 100
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 6 - 集电极电流与集电极发射极电压（SAT）
图。 9 - 归CTR （SAT）与环境温度
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1.2
CTR
规范
- 归CTR （ NS ）
V
CE
= 5 V
1000
V
CC
= 5 V
T
AMB
= 25 °C
T
AMB
= 0 °C
T
AMB
= - 40 °C
T
AMB
= - 55 °C
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
f
CTR
- CTR频率（kHz ）
100
T
AMB
= 50 °C
T
AMB
= 75 °C
T
AMB
= 100 °C
10
0
0.1
1
10
100
1
0.1
1
10
100
I
F
- 正向电流（mA ）
I
C
- 集电极电流（毫安）
图。 10 - 归CTR （ NS ）与正向电流
图。 13 - 点击率频率与集电极电流
1.2
CTR
规范
- 归CTR （SAT）
V
CE
= 0.4 V
1000
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安
T
AMB
= 25 °C
T
AMB
= 0 °C
T
AMB
= - 40 °C
T
AMB
= - 55 °C
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.1
t
on
, t
关闭
-
开关
时间（μs ）
t
关闭
100
10
t
on
T
AMB
= 50 °C
T
AMB
= 75 °C
T
AMB
= 100 °C
1
1
10
100
0.1
0.1
1
10
100
I
F
- 正向电流（mA ）
R
L
- 负载电阻值（kΩ ）
图。 11 - 归CTR （SAT）与正向电流
图。 14 - 开关时间与负载电阻
0
V
CE
= 5 V
- 20
- 40
相位（度）
- 60
- 80
- 100
- 120
- 140
- 160
1
10
100
1000
的F - 频率（KHz ）
图。 12 - 点击率频率与相位角
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