CNY117F
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，无灯头连接，
110 °C测量
特点
工作温度 - 55 ℃ + 110℃
为改进的COM没有相应的终端连接
共模接口抗扰度
长期稳定性
行业标准的双列直插式封装
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
18216
A
C
NC
1
2
3
6 NC
5 C
4 E
e3
Pb
无铅
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码H或按J ，
双重保护
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
订购信息
部分
CNY117F-1
CNY117F-2
CNY117F-3
CNY117F-4
备注
点击率40 ％ - 80％ ， DIP - 6
CTR 63 - 125 ％ ， DIP - 6
CTR 100 - 200 ％ ， DIP - 6
CTR 160 - 320 ％ ， DIP - 6
应用
AC适配器
SMPS
PLC
工厂自动化
游戏机
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
描述
该CNY117F是110℃的光耦器consist-
ING一个砷化镓红外发光二极管opti-
美云耦合到一个硅平面光电晶体管
检测器中的塑料插件的DIP -6封装。
所述联接装置适合于信号传输
在两个电分离电路。该
要被连接的电路之间的电势差
不允许超过最大允许
参考电压。
与此相反的CNY117系列，所述基极端子
的F型没有连接，导致substan-
tially提高共模干扰的免疫力。
文档编号83598
修订版1.4 ， 10月26日04
www.vishay.com
1
CNY117F
威世半导体
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
功耗
从25° C减免线性
t
≤
10
s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
6.0
60
2.5
100
1.0
单位
V
mA
A
mW
毫瓦/°C的
产量
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
集电极电流
t
≤
1.0毫秒
总功耗
从25° C减免线性
测试条件
符号
BV
首席执行官
I
C
I
C
P
DISS
价值
70
50
100
150
1.5
单位
V
mA
mA
mW
毫瓦/°C的
耦合器
参数
隔离测试电压（间
发射器和检测器被称为
气候标准DIN 23/50
50014)
爬电距离
净空
间隔离厚度
发射器和检测器
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDE 0303 ，第1部分
绝缘电阻
存储温度范围
环境温度范围
焊接温度
最大。 10秒，浸焊：
距离飞机座位
≥
1.5 mm
V
IO
= 500 V
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
SLD
测试条件
符号
V
ISO
价值
5300
单位
V
RMS
≥
7.0
≥
7.0
≥
0.4
175
≥
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 110
260
mm
mm
mm
°C
°C
°C
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文档编号83598
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CNY117F
威世半导体
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
击穿电压
目前储备
电容
测试条件
I
F
= 60毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 6.0 V
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
V
F
V
BR
I
R
C
O
6.0
0.01
25
10
民
典型值。
1.25
最大
1.65
单位
V
V
A
pF
产量
参数
集电极 - 发射极电容
基地 - 集电极电容
发射极 - 基极电容
测试条件
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
C
CE
C
BC
C
EB
民
典型值。
5.2
6.5
7.5
最大
单位
pF
pF
pF
耦合器
参数
饱和电压，集电极 -
辐射源
耦合电容
集电极 - 射极漏泄
当前
V
CE
= 10 V
CNY117F-1
CNY117F-2
CNY117F-3
CNY117F-4
测试条件
I
F
= 10 mA时，我
C
= 2.5毫安
部分
符号
V
CESAT
C
C
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
民
典型值。
0.25
0.6
2.0
2.0
5.0
5.0
50
50
100
100
最大
0.4
单位
V
pF
nA
nA
nA
nA
电流传输比
电流传输比我
C
/I
F
在V
CE
= 5.0 V ， 25 ° C和集电极 - 发射极漏电流短线数字
参数
电流传输比
测试条件
I
F
= 10毫安
部分
CNY117F-1
CNY117F-2
CNY117F-3
CNY117F-4
I
F
= 1.0毫安
CNY117F-1
CNY117F-2
CNY117F-3
CNY117F-4
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
民
40
63
100
160
13
22
34
56
30
45
70
90
典型值。
最大
80
125
200
320
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
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威世半导体
CTR规范 - 归一化输出电流
50
45
I
C
- 集电极电流（mA ）
1.2
I
F
= 10毫安
1.0
5毫安
0.8
0.6
0.4
0.2
归一
I
F
= 10毫安，T
AMB
= 25_C,
V
CE
= 0.4伏，饱和
1毫安
40
35
30
25
20
15
10
5
0
IF = 30毫安
IF = 20毫安
IF = 15毫安
IF = 10毫安
IF = 5毫安
I F = 1毫安
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
18733
V
CE
- 集电极发射极电压（V ）
17578
0.0
–55 –35 –15 5 25 45 65 85 105 125
T
AMB
- 环境温度（ ℃）
图3.集电极电流和集电极发射极电压
图6.归一化电流传输比与环境
温度
CTR规范 - 归一化输出电流
10000
1000
100
24 V
10
1
0.10
–75
18734
1.2
I
F
= 10毫安
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
归一
I
F
= 10毫安，T
AMB
= 25_C,
V
CE
= 5V ，不饱和
25 45 65 85 105 125
5毫安
40 V
I
CE0
（ nA的）
12 V
1毫安
–25
25
75
125
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
0.0
–55 –35 –15 5
17579
T
AMB
- 环境温度（ ℃）
图4.集电极到发射极暗电流与环境
温度
图7.归一化电流传输比与环境
温度
CTR规范 - 归一化输出电流
30
1.2
–2 –1
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0.10
归一
I
F
= 10毫安，T
AMB
= 25_C,
V
CE
= 5V ，不饱和
1.00
10.00
100.00
–3
–4
20
I C （毫安）
25毫安
10毫安
10
5毫安
2毫安
0
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
1毫安
0.5
0.6
18735
VCE - 集电极到发射极电压（ V）
17580
I
F
- 正向电流（mA ）
图5.标准化的电流与集电极发射极饱和
电压
图8.归CTR与正向电流
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威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，无灯头连接，
110 °C测量
特点
工作温度 - 55 ℃ + 110℃
为改进的COM没有相应的终端连接
共模接口抗扰度
长期稳定性
行业标准的双列直插式封装
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
18216
A
C
NC
1
2
3
6 NC
5 C
4 E
e3
Pb
无铅
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码H或按J ，
双重保护
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
订购信息
部分
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CNY117F-2
CNY117F-3
CNY117F-4
备注
点击率40 ％ - 80％ ， DIP - 6
CTR 63 - 125 ％ ， DIP - 6
CTR 100 - 200 ％ ， DIP - 6
CTR 160 - 320 ％ ， DIP - 6
应用
AC适配器
SMPS
PLC
工厂自动化
游戏机
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
描述
该CNY117F是110℃的光耦器consist-
ING一个砷化镓红外发光二极管opti-
美云耦合到一个硅平面光电晶体管
检测器中的塑料插件的DIP -6封装。
所述联接装置适合于信号传输
在两个电分离电路。该
要被连接的电路之间的电势差
不允许超过最大允许
参考电压。
与此相反的CNY117系列，所述基极端子
的F型没有连接，导致substan-
tially提高共模干扰的免疫力。
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威世半导体
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
功耗
从25° C减免线性
t
≤
10
s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
6.0
60
2.5
100
1.0
单位
V
mA
A
mW
毫瓦/°C的
产量
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
集电极电流
t
≤
1.0毫秒
总功耗
从25° C减免线性
测试条件
符号
BV
首席执行官
I
C
I
C
P
DISS
价值
70
50
100
150
1.5
单位
V
mA
mA
mW
毫瓦/°C的
耦合器
参数
隔离测试电压（间
发射器和检测器被称为
气候标准DIN 23/50
50014)
爬电距离
净空
间隔离厚度
发射器和检测器
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDE 0303 ，第1部分
绝缘电阻
存储温度范围
环境温度范围
焊接温度
最大。 10秒，浸焊：
距离飞机座位
≥
1.5 mm
V
IO
= 500 V
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
SLD
测试条件
符号
V
ISO
价值
5300
单位
V
RMS
≥
7.0
≥
7.0
≥
0.4
175
≥
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 110
260
mm
mm
mm
°C
°C
°C
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威世半导体
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
击穿电压
目前储备
电容
测试条件
I
F
= 60毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 6.0 V
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
V
F
V
BR
I
R
C
O
6.0
0.01
25
10
民
典型值。
1.25
最大
1.65
单位
V
V
A
pF
产量
参数
集电极 - 发射极电容
基地 - 集电极电容
发射极 - 基极电容
测试条件
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
C
CE
C
BC
C
EB
民
典型值。
5.2
6.5
7.5
最大
单位
pF
pF
pF
耦合器
参数
饱和电压，集电极 -
辐射源
耦合电容
集电极 - 射极漏泄
当前
V
CE
= 10 V
CNY117F-1
CNY117F-2
CNY117F-3
CNY117F-4
测试条件
I
F
= 10 mA时，我
C
= 2.5毫安
部分
符号
V
CESAT
C
C
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
民
典型值。
0.25
0.6
2.0
2.0
5.0
5.0
50
50
100
100
最大
0.4
单位
V
pF
nA
nA
nA
nA
电流传输比
电流传输比我
C
/I
F
在V
CE
= 5.0 V ， 25 ° C和集电极 - 发射极漏电流短线数字
参数
电流传输比
测试条件
I
F
= 10毫安
部分
CNY117F-1
CNY117F-2
CNY117F-3
CNY117F-4
I
F
= 1.0毫安
CNY117F-1
CNY117F-2
CNY117F-3
CNY117F-4
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
民
40
63
100
160
13
22
34
56
30
45
70
90
典型值。
最大
80
125
200
320
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
文档编号83598
修订版1.4 ， 10月26日04
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威世半导体
CTR规范 - 归一化输出电流
50
45
I
C
- 集电极电流（mA ）
1.2
I
F
= 10毫安
1.0
5毫安
0.8
0.6
0.4
0.2
归一
I
F
= 10毫安，T
AMB
= 25_C,
V
CE
= 0.4伏，饱和
1毫安
40
35
30
25
20
15
10
5
0
IF = 30毫安
IF = 20毫安
IF = 15毫安
IF = 10毫安
IF = 5毫安
I F = 1毫安
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
18733
V
CE
- 集电极发射极电压（V ）
17578
0.0
–55 –35 –15 5 25 45 65 85 105 125
T
AMB
- 环境温度（ ℃）
图3.集电极电流和集电极发射极电压
图6.归一化电流传输比与环境
温度
CTR规范 - 归一化输出电流
10000
1000
100
24 V
10
1
0.10
–75
18734
1.2
I
F
= 10毫安
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
归一
I
F
= 10毫安，T
AMB
= 25_C,
V
CE
= 5V ，不饱和
25 45 65 85 105 125
5毫安
40 V
I
CE0
（ nA的）
12 V
1毫安
–25
25
75
125
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
0.0
–55 –35 –15 5
17579
T
AMB
- 环境温度（ ℃）
图4.集电极到发射极暗电流与环境
温度
图7.归一化电流传输比与环境
温度
CTR规范 - 归一化输出电流
30
1.2
–2 –1
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0.10
归一
I
F
= 10毫安，T
AMB
= 25_C,
V
CE
= 5V ，不饱和
1.00
10.00
100.00
–3
–4
20
I C （毫安）
25毫安
10毫安
10
5毫安
2毫安
0
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
1毫安
0.5
0.6
18735
VCE - 集电极到发射极电压（ V）
17580
I
F
- 正向电流（mA ）
图5.标准化的电流与集电极发射极饱和
电压
图8.归CTR与正向电流
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