【PHOTODARLINGTON光耦合器描述该CNX48U ， H11BX ， MOC8080和TIL】,IC型号CNX48U,CNX48U PDF资料,CNX48U经销商,ic,电子元器件-51电子网

PHOTODARLINGTON光耦合器

描述

该CNX48U ， H11BX ， MOC8080和TIL113有

砷化镓红外发射器的光耦合到

硅平面光电复合。

CNX48U

H11B1

MOC8080 TIL113

H11B2

H11B255

H11B3

特点

高灵敏度，低输入驱动电流

符合或超过所有JEDEC规格注册

VDE 0884认证可以作为一个测试选项

-add选项.300 。（例如， H11B1.300 ）

6

1

6

1

阳极1

6基地

概要

应用

低功耗逻辑电路

6

电信设备

便携式电子产品

固态继电器

接口不同的潜能和阻抗耦合系统。

阴极2

5收藏家

1

N / C 3

4发射器

参数

设备总

储存温度

工作温度

无铅焊锡温度

器件总功耗@ T

A

= 25°C

减免上述25℃

辐射源

连续正向电流

反向电压

正向电流 - 峰值（ 300微秒， 2 ％占空比）

LED功耗@ T

A

= 25°C

减免上述25℃

探测器

符号

T

英镑

T

OPR

T

SOL

P

D

I

F

V

R

I

F

（ PK）

P

D

设备

所有

CNX48U ， TIL113

H11B1 ， H11B2

价值

-55到+150

-55到+100

260 ，持续10秒

250

3.3

100

6

3.0

100

1.8

30

25

55

单位

°C

mW

毫瓦/°C的

mA

V

A

mW

毫瓦/°C的

集电极 - 发射极击穿电压

BV

首席执行官

H11B3

H11B255

MOC8080

CNX48U ， H11B1

H11B2 ， H11B3

V

30

V

集电极 - 基极击穿电压

BV

CBO

TIL113

H11B255

MOC8080

55

7

150

2.0

V

mW

毫瓦/°C的

发射极 - 集电极击穿电压

探测器功耗@ T

A

= 25°C

减免上述25℃

BV

ECO

P

D

所有

6/1/00

200042A

PHOTODARLINGTON光耦合器

CNX48U

H11B1

MOC8080 TIL113

电气特性

(T

A

= 25°C除非另有规定。）

H11B2

H11B255

H11B3

单个组件特性

参数

辐射源

(I

F

= 10 mA）的

输入正向电压

V

F

测试条件

符号

设备

H11B1 ， H11B2

H11B255

MOC8080

TIL113

CNX48U

MOC8080

H11B3

I

R

C

所有

CNX48U

BV

首席执行官

TIL113

H11B1 ， H11B2

H11B3

H11B255

MOC8080

CNX48U ， H11B1

集电极 - 基

击穿电压

(I

C

= 100 A ，我

F

= 0)

发射极 - 集电极

击穿电压

集电极 - 发射极

暗电流

记

在T **典型值

A

= 25°C

(I

E

= 100 A ，我

B

= 0)

(V

CE

= 10 V ，基极开路）

BV

ECO

I

首席执行官

(I

C

= 100 A ，我

E

= 0)

BV

CBO

H11B2 ， H11B3

TIL113

H11B255

MOC8080

所有

55

7

100

10

1

100

V

nA

30

100

V

25

55

60

70

V

30

0.9

0.7

1.2

1.3

1.05

1.35

0.001

50

60

1.3

1.7

1.4

1.5

10

A

pF

0.8

1.2

1.5

V

民

典型**

最大

单位

(I

F

= 10 mA）的

(I

F

= 10毫安，T

A

= -55°C)

(I

F

= 10毫安，T

A

= 100°C)

(I

F

= 50 mA）的

反向漏电流

电容

探测器

(V

R

= 6 V)

(V

F

= 0 V ， F = 1.0兆赫）

(I

C

= 1毫安，我

F

= 0)

(I

C

= 100 A ，我

F

= 0)

(I

C

= 10 mA时，我

F

= 0)

(I

C

= 100 A ，我

F

= 0)

(I

C

= 1毫安，我

F

= 0)

集电极 - 发射极

击穿电压

6/1/00

200042A

PHOTODARLINGTON光耦合器

CNX48U

H11B1

MOC8080 TIL113

传输特性

DC特性

(T

A

= 25°C除非另有规定。）

符号

设备

MOC8080

H11B255

CNX48U

TIL113

I

C

（ CTR ）

(I

F

= 1毫安， V

CE

= 5 V)

(I

F

= 1毫安， V

CE

= 1 V)

(I

F

= 0.5毫安， V

CE

= 1 V)

(I

F

= 1毫安，我

C

= 1 mA）的

饱和电压

(I

F

= 5毫安，我

C

= 10 mA）的

(I

F

= 50 mA时，我

C

= 50 mA）的

(I

F

= 8毫安，我

C

= 2 mA）的

AC特性

(I

C

= 10 mA时， V

CE

= 10 V)

(R

L

= 100

）（图7）

t

on

t

关闭

t

on

t

关闭

t

on

t

关闭

t

on

t

关闭

t

on

TIL113

t

关闭

)

MOC8080

CNX48U

V

CE （ SAT ）

H11B1

H11B2

H11B3

CNX48U

H11B1 ， H11B2

H11B3 ， MOC8080

CNX48U

H11B255

TIL113

H11B1

H11B2

H11B255

H11B3

H11B2

H11B255

H11B3

测试条件

(I

F

= 10 mA时， V

CE

= 5 V)

(I

F

= 10 mA时， V

CE

= 1 V)

民

50 (500)

10 (100)

60 (600)

30 (300)

5 (500)

2 (200)

1 (100)

5 (500)

1.75 (350)

典型**

最大

单位

集电极输出

当前

(1)

MA（％）

1.0

1.25

25

18

3.5

36

s

70

190

3.5

25

0.35

55

5

100

V

(I

F

= 10 mA时， V

CC

= 5 V)

(R

E

= 100 ), (R

BE

= 1M )

开关时间

（图8）的

(I

F

= 1毫安， V

CC

= 5 V)

(R

E

=每千），（R

BE

= 10M )

（图8）的

(I

F

= 5毫安， V

CC

= 10 V)

(R

L

= 100

）（图7）

(I

F

= 200毫安，我

C

= 50 mA）的

(V

CC

= 10 V ）（R

L

= 100

(Fig.7)

隔离特性

特征

输入输出隔离电压

(2)

绝缘电阻

(2)

隔离电容

(2)

记

在T **典型值

A

= 25°C

(I

我-O

测试条件

1 μA ， Vrms的， T = 1分。）

(V

我-O

= 500 VDC）

(V

我-O

=

， F = 1兆赫）

R

ISO

C

ISO

符号

民

5300

10

11

0.8

pf

典型**

最大

单位

VAC （ RMS）

6/1/00

200042A

PHOTODARLINGTON光耦合器

CNX48U

H11B1

MOC8080 TIL113

图。 1输出电流与输入电流

CTR - 电流传输比（归）

H11B2

H11B255

H11B3

图。 2电流传输比与环境温度

CTR - 电流传输比（归）

10

T

A

= 0C, 25C

T

A

= 70C

T

A

= 100C

T

A

= -55C

1

标准化为：

CTR @我

F

= 10毫安

T

A

= 25C

V

CE

= 5 V

0.1

1

10

100

标准化为：

CTR @我

F

= 10毫安

T

A

= 25C

V

CE

= 10 V

0.1

-80

-60

-40

-20

0

20

40

60

80

100

120

I

F

- LED输入电流（mA）

T

A

- 环境温度（ ° C）

图。 3集电极电流与集电极 - 发射极电压

标准化为：

I

F

= 1毫安

V

CE

= 5 V

图。 4暗电流与环境温度

I

首席执行官

- 集电极 - 发射极暗电流（ NA）

10000

V

CE

= 10 V

1000

16

I

C

- 集电极电流（归）

14

12

I

F

= 10毫安

10

I

F

= 5毫安

100

8

10

6

1

4

I

F

= 2毫安

2

0.1

I

F

= 1毫安

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

0.01

0

20

40

60

80

100

V

CE

- 集电极发射极电压（ V）

T

A

- 环境温度（ ° C）

图。 5开启时间与输入电流

1000

R

L

= 1 k

VCC = 10 V

100

R

L

= 100

1000

图。 6关闭时间与输入电流

T

ON

- 时间（ μs）内

10

R

L

= 10

T

关闭

- 时间（ μs）内

100

R

L

= 1 k

R

L

= 100

10

R

L

= 10

1

VCC = 10 V

1

0.1

1

10

100

0.1

1

10

100

I

F

- LED输入电流（mA）

I

F

- LED输入电流（mA）

6/1/00

200042A

PHOTODARLINGTON光耦合器

CNX48U

H11B1

MOC8080 TIL113

典型的电光特性曲线

（25 ℃下自由空气温度，除非另有说明）（续）

H11B2

H11B255

H11B3

V

CC

输入

R

L

R

IN

输入

脉冲

产量

10%

1.5 V

90%

5V

t

on

I

F

t

关闭

测试电路（除了CNX48U设备）

开关波形（除CNX48U所有设备）

图。 7开关时间测试电路和波形（除CNX48U所有设备）

V

CC

输入

R

BE

50

产量

R

E

t

on

90%

10%

t

关闭

测试电路（ CNX48U只）

开关波形（ CNX48U只）

图。 8开关时间测试电路和波形（ CNX48U只）

笔记

1.电流传输比（I

C

/I

F

）是检测器的集电极电流给LED的输入电流与V中的比率

CE

@ 10 V.

2.在本试验中， LED的引脚1和2是常用的和光电晶体管管脚4,5和6中是常见的。

6/1/00

200042A

PHOTODARLINGTON光耦合器

描述

该CNX48U ， H11BX ， MOC8080和TIL113有

砷化镓红外发射器的光耦合到

硅平面光电复合。

CNX48U

H11B1

MOC8080 TIL113

H11B2

H11B255

H11B3

特点

高灵敏度，低输入驱动电流

符合或超过所有JEDEC规格注册

VDE 0884认证可以作为一个测试选项

-add选项.300 。（例如， H11B1.300 ）

6

1

6

1

阳极1

6基地

概要

应用

低功耗逻辑电路

6

电信设备

便携式电子产品

固态继电器

接口不同的潜能和阻抗耦合系统。

阴极2

5收藏家

1

N / C 3

4发射器

参数

设备总

储存温度

工作温度

无铅焊锡温度

器件总功耗@ T

A

= 25°C

减免上述25℃

辐射源

连续正向电流

反向电压

正向电流 - 峰值（ 300微秒， 2 ％占空比）

LED功耗@ T

A

= 25°C

减免上述25℃

探测器

符号

T

英镑

T

OPR

T

SOL

P

D

I

F

V

R

I

F

（ PK）

P

D

设备

所有

CNX48U ， TIL113

H11B1 ， H11B2

价值

-55到+150

-55到+100

260 ，持续10秒

250

3.3

100

6

3.0

100

1.8

30

25

55

单位

°C

mW

毫瓦/°C的

mA

V

A

mW

毫瓦/°C的

集电极 - 发射极击穿电压

BV

首席执行官

H11B3

H11B255

MOC8080

CNX48U ， H11B1

H11B2 ， H11B3

V

30

V

集电极 - 基极击穿电压

BV

CBO

TIL113

H11B255

MOC8080

55

7

150

2.0

V

mW

毫瓦/°C的

发射极 - 集电极击穿电压

探测器功耗@ T

A

= 25°C

减免上述25℃

BV

ECO

P

D

所有

6/1/00

200042A

PHOTODARLINGTON光耦合器

CNX48U

H11B1

MOC8080 TIL113

电气特性

(T

A

= 25°C除非另有规定。）

H11B2

H11B255

H11B3

单个组件特性

参数

辐射源

(I

F

= 10 mA）的

输入正向电压

V

F

测试条件

符号

设备

H11B1 ， H11B2

H11B255

MOC8080

TIL113

CNX48U

MOC8080

H11B3

I

R

C

所有

CNX48U

BV

首席执行官

TIL113

H11B1 ， H11B2

H11B3

H11B255

MOC8080

CNX48U ， H11B1

集电极 - 基

击穿电压

(I

C

= 100 A ，我

F

= 0)

发射极 - 集电极

击穿电压

集电极 - 发射极

暗电流

记

在T **典型值

A

= 25°C

(I

E

= 100 A ，我

B

= 0)

(V

CE

= 10 V ，基极开路）

BV

ECO

I

首席执行官

(I

C

= 100 A ，我

E

= 0)

BV

CBO

H11B2 ， H11B3

TIL113

H11B255

MOC8080

所有

55

7

100

10

1

100

V

nA

30

100

V

25

55

60

70

V

30

0.9

0.7

1.2

1.3

1.05

1.35

0.001

50

60

1.3

1.7

1.4

1.5

10

A

pF

0.8

1.2

1.5

V

民

典型**

最大

单位

(I

F

= 10 mA）的

(I

F

= 10毫安，T

A

= -55°C)

(I

F

= 10毫安，T

A

= 100°C)

(I

F

= 50 mA）的

反向漏电流

电容

探测器

(V

R

= 6 V)

(V

F

= 0 V ， F = 1.0兆赫）

(I

C

= 1毫安，我

F

= 0)

(I

C

= 100 A ，我

F

= 0)

(I

C

= 10 mA时，我

F

= 0)

(I

C

= 100 A ，我

F

= 0)

(I

C

= 1毫安，我

F

= 0)

集电极 - 发射极

击穿电压

6/1/00

200042A

PHOTODARLINGTON光耦合器

CNX48U

H11B1

MOC8080 TIL113

传输特性

DC特性

(T

A

= 25°C除非另有规定。）

符号

设备

MOC8080

H11B255

CNX48U

TIL113

I

C

（ CTR ）

(I

F

= 1毫安， V

CE

= 5 V)

(I

F

= 1毫安， V

CE

= 1 V)

(I

F

= 0.5毫安， V

CE

= 1 V)

(I

F

= 1毫安，我

C

= 1 mA）的

饱和电压

(I

F

= 5毫安，我

C

= 10 mA）的

(I

F

= 50 mA时，我

C

= 50 mA）的

(I

F

= 8毫安，我

C

= 2 mA）的

AC特性

(I

C

= 10 mA时， V

CE

= 10 V)

(R

L

= 100

）（图7）

t

on

t

关闭

t

on

t

关闭

t

on

t

关闭

t

on

t

关闭

t

on

TIL113

t

关闭

)

MOC8080

CNX48U

V

CE （ SAT ）

H11B1

H11B2

H11B3

CNX48U

H11B1 ， H11B2

H11B3 ， MOC8080

CNX48U

H11B255

TIL113

H11B1

H11B2

H11B255

H11B3

H11B2

H11B255

H11B3

测试条件

(I

F

= 10 mA时， V

CE

= 5 V)

(I

F

= 10 mA时， V

CE

= 1 V)

民

50 (500)

10 (100)

60 (600)

30 (300)

5 (500)

2 (200)

1 (100)

5 (500)

1.75 (350)

典型**

最大

单位

集电极输出

当前

(1)

MA（％）

1.0

1.25

25

18

3.5

36

s

70

190

3.5

25

0.35

55

5

100

V

(I

F

= 10 mA时， V

CC

= 5 V)

(R

E

= 100 ), (R

BE

= 1M )

开关时间

（图8）的

(I

F

= 1毫安， V

CC

= 5 V)

(R

E

=每千），（R

BE

= 10M )

（图8）的

(I

F

= 5毫安， V

CC

= 10 V)

(R

L

= 100

）（图7）

(I

F

= 200毫安，我

C

= 50 mA）的

(V

CC

= 10 V ）（R

L

= 100

(Fig.7)

隔离特性

特征

输入输出隔离电压

(2)

绝缘电阻

(2)

隔离电容

(2)

记

在T **典型值

A

= 25°C

(I

我-O

测试条件

1 μA ， Vrms的， T = 1分。）

(V

我-O

= 500 VDC）

(V

我-O

=

， F = 1兆赫）

R

ISO

C

ISO

符号

民

5300

10

11

0.8

pf

典型**

最大

单位

VAC （ RMS）

6/1/00

200042A

PHOTODARLINGTON光耦合器

CNX48U

H11B1

MOC8080 TIL113

图。 1输出电流与输入电流

CTR - 电流传输比（归）

H11B2

H11B255

H11B3

图。 2电流传输比与环境温度

CTR - 电流传输比（归）

10

T

A

= 0C, 25C

T

A

= 70C

T

A

= 100C

T

A

= -55C

1

标准化为：

CTR @我

F

= 10毫安

T

A

= 25C

V

CE

= 5 V

0.1

1

10

100

标准化为：

CTR @我

F

= 10毫安

T

A

= 25C

V

CE

= 10 V

0.1

-80

-60

-40

-20

0

20

40

60

80

100

120

I

F

- LED输入电流（mA）

T

A

- 环境温度（ ° C）

图。 3集电极电流与集电极 - 发射极电压

标准化为：

I

F

= 1毫安

V

CE

= 5 V

图。 4暗电流与环境温度

I

首席执行官

- 集电极 - 发射极暗电流（ NA）

10000

V

CE

= 10 V

1000

16

I

C

- 集电极电流（归）

14

12

I

F

= 10毫安

10

I

F

= 5毫安

100

8

10

6

1

4

I

F

= 2毫安

2

0.1

I

F

= 1毫安

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

0.01

0

20

40

60

80

100

V

CE

- 集电极发射极电压（ V）

T

A

- 环境温度（ ° C）

图。 5开启时间与输入电流

1000

R

L

= 1 k

VCC = 10 V

100

R

L

= 100

1000

图。 6关闭时间与输入电流

T

ON

- 时间（ μs）内

10

R

L

= 10

T

关闭

- 时间（ μs）内

100

R

L

= 1 k

R

L

= 100

10

R

L

= 10

1

VCC = 10 V

1

0.1

1

10

100

0.1

1

10

100

I

F

- LED输入电流（mA）

I

F

- LED输入电流（mA）

6/1/00

200042A

PHOTODARLINGTON光耦合器

CNX48U

H11B1

MOC8080 TIL113

典型的电光特性曲线

（25 ℃下自由空气温度，除非另有说明）（续）

H11B2

H11B255

H11B3

V

CC

输入

R

L

R

IN

输入

脉冲

产量

10%

1.5 V

90%

5V

t

on

I

F

t

关闭

测试电路（除了CNX48U设备）

开关波形（除CNX48U所有设备）

图。 7开关时间测试电路和波形（除CNX48U所有设备）

V

CC

输入

R

BE

50

产量

R

E

t

on

90%

10%

t

关闭

测试电路（ CNX48U只）

开关波形（ CNX48U只）

图。 8开关时间测试电路和波形（ CNX48U只）

笔记

1.电流传输比（I

C

/I

F

）是检测器的集电极电流给LED的输入电流与V中的比率

CE

@ 10 V.

2.在本试验中， LED的引脚1和2是常用的和光电晶体管管脚4,5和6中是常见的。

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