光隔离器（光电）
CNZ3731 ， CNC7C501 ， CNZ3734
CNC2S501 ， CNC7C502 ， CNC7H501
光隔离器
概观
该CNZ3731系列光隔离器的组成红外砷化镓
LED光学耦合与硅NPN达林顿
光电晶体管，并容纳在一个小DIL封装。该系列产品
提供高I / O隔离电压和高集电极/发射器隔离
电压，以及高电流传输比（CTR ） 。这种光电
隔离器系列还包括双声道CNC7C501和四
通道CNZ3734 ，和A型，这些车型增加的
集电极到发射极击穿电压（V
首席执行官
> 350V ） 。
CNZ3731/CNC2S501
LED标志
4.58±0.3
1
2
7.62±0.3
6.2±0.5
3.85±0.3
2.0
5.2最大。
0.5分钟。
4
3
4-0.5±0.1
4-1.2±0.15
2.54±0.25
5
1
单位：mm
2.54分钟。
0.25
–0
+0.15
0
5
1
0
1 ：阳极
2 ：阴极
3 ：发射器
4 ：收藏家
CNC7C501/CNC7C502
LED标志
1
2
3
4
7.62±0.3
6.2±0.5
3.85±0.3
2.0
9.66±0.3
5.2最大。
0.5分钟。
8
7
6
5
0.25
–0
+0.15
单位：mm
2.54分钟。
特点
高集电极到发射极击穿电压： V
首席执行官
> 300 V ，
A型： V
首席执行官
> 350 V
与达林顿晶体管输出大电流传输比：
CTR = 4000 ％ （典型值）。
高I / O隔离电压： V
ISO
≥
5000 V
RMS
小DIL封装为节省安装空间
UL认证（UL文件号E79920 ）
A型机型有0.4毫米的保证内部绝缘距离
0
15
0
15
1,3： Anodee
2,4 ：阴极
5,7 ：发射器
6,8 ：收藏家
CNZ3734/CNC7H501
LED标志
1
2
3
4
5
6
7
8
7.62±0.3
6.2±0.5
3.85±0.3
2.0
5.2最大。
0.5分钟。
16
15
14
13
12
11
10
9
0.25
–0
+0.15
应用
总机
传真
可编程控制器
用不同的潜能和阻抗电路之间的信号传输
19.82±0.5
引脚连接
CNZ3731
CNC2S501
1
4
CNZ3734
CNC7H501
1
16
0
15
1，3 ，5，7 ：阳极
2，4， 6，8 ：阴极
15
9,11,13,15 ：发射器
0
10,12,14,16 ：收藏家
2
3
顶视图
2
3
15
14
CNC7C501
CNC7C502
1
8
4
5
13
12
2
3
7
6
6
7
11
10
4
5
顶视图
8
9
顶视图
16-0.5±0.1
16-1.2±0.15
2.54±0.25
电话
8-0.5±0.1
8-1.2±0.15
2.54±0.25
单位：mm
2.54分钟。
1
CNZ3731 ， CNC7C501 ， CNZ3734 ， CNC2S501 ， CNC7C502 ， CNC7H501
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
参数
反向电压（DC）的
正向工作电流（DC）的
输入（淡
发光二极管）脉冲正向电流
功耗
集电极电流
输出（照片集电极到发射极电压
晶体管）
发射极到集电极的电压
集电极耗散功率
总功耗
隔离电压，输入到输出
工作环境温度
储存温度
*1
*2
*3
光隔离器（光电）
符号
V
R
I
F
I
FP*1
P
D*2
I
C
V
首席执行官
V
ECO
P
C*3
P
T
V
ISO*4
T
OPR
T
英镑
评级
CNZ3731
6
50
1
75
150
300
0.3
300
320
5000
-30到+100
-55到+125
150
200
300
320
5000
-30到+100
-55到+125
CNC7C501
CNZ3734
CNC2S501
6
50
1
75
150
350
0.3
CNC7C502
CNC7H501
单位
V
mA
A
mW
mA
V
V
150
200
mW
mW
V
RMS
C
C
*4
脉冲宽度
≤
100
s,
重复100 PPS
输入功率降额比为0.75毫瓦/ C在Ta
≥
25C.
输出功率降额的比例为3.0毫瓦/ C在Ta
≥
25°C （ CNZ3731 ， CNC2S501 ） 。
输出功率降额比为0.75毫瓦/ C在Ta
≥
25°C （ CNC7C501 ， CNC2S502 ， CNZ3734 ， CNC7H501 ） 。
AC 1分， RH < 60 ％
电气特性
（ TA = 25°C ）
参数
反向电流（ DC ）
输入
正向电压（ DC）的
特征
引脚之间的电容
收藏家Cuto FF电流
产量
特征集电极到发射极电容
直流电流传输比
隔离电容，输入到输出
隔离电阻，输入到输出
转让
特性上升时间
下降时间
*1
DC
符号
I
R
V
F
C
t
I
首席执行官
C
C
C
ISO
R
ISO
t
r
*2
条件
V
R
= 3V
I
F
= 50毫安
V
R
= 0V ， F = 1MHz的
V
CE
= 200V
V
CE
= 10V ， F = 1MHz的
民
典型值
1.35
30
最大
10
1.5
200
单位
A
V
pF
nA
pF
%
pF
s
s
10
1000
10
11
40
15
1.0
4000
0.7
CTR
*1
V
CE
= 2V ，我
F
= 1毫安
F = 1MHz的
V
ISO
= 500V
V
CC
= 10V ，我
C
= 10毫安，
R
t
= 100
t
f*3
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
I
F
= 1mA时，我
C
= 2毫安
电流传输比（CTR ）是对DC输入电流的输出电流的比值。
I
C
×
100 (%)
I
F
V
CTR =
*2
*3
t
r
：所需的集电极电流所需时间从10％提高到90％其最终值的
t
f
：所需的集电极电流所需时间减少从90％到其初始值的10％
2
光隔离器（光电）
CNZ3731 ， CNC7C501 ， CNZ3734 ， CNC2S501 ， CNC7C502 ， CNC7H501
P
D
- TA
200
400
P
C
- TA
10
5
I
FP
— D
R
I
FP
（MA ）
脉冲宽度
≤
100s
TA = 25°C
P
D
（ mW）的
P
C
（ mW）的
150
300
10
4
CNZ3731
CNC2S501
200
允许脉冲正向电流
集电极耗散功率
LED功耗
100
10
3
50
CNC7C501/
CNC7C502
100
CNZ3734/
CNC7H501
10
2
0
– 30
0
25
50
75
100
125
0
– 30
0
25
50
75
100
125
10
10
–3
10
–2
10
–1
1
周围温度Ta （ ℃）
周围温度Ta （ ℃）
占空比D
R
I
F
— V
F
60
TA = 25°C
50
160
PC（ MAX 。 ）
I
C
— V
CE
10
3
I
F
= 5毫安
TA = 25°C
I
C
— V
CE （ SAT ）
TA = 25°C
I
F
= 5毫安
I
C
（MA ）
I
F
（MA ）
I
C
（MA ）
120
3mA
2mA
10
2
2mA
1mA
40
集电极电流
集电极电流
正向电流
30
80
1.5mA
10
0.5mA
20
1mA
40
1
10
0.5mA
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
0
0
2
4
6
8
10
–1
0
0.4
0.8
1.2
正向电压V
F
(V)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
I
C
— I
F
10
3
V
CE
= 2V
TA = 25°C
10
6
CTR - 我
F
120
相对CTR - TA
相对于直流电流传输比CTR （ ％ ）
V
CE
= 2V
TA = 25°C
I
F
= 1毫安
V
CE
= 2V
10
2
直流电流传输比CTR （ ％ ）
I
C
（MA ）
10
5
100
集电极电流
10
10
4
80
1
10
3
60
10
–1
10
–1
1
10
10
2
10
2
10
–1
1
10
10
2
40
– 40 – 20
0
20
40
60
80
100
正向电流I
F
（MA ）
正向电流I
F
（MA ）
周围温度Ta （ ℃）
3
CNZ3731 ， CNC7C501 ， CNZ3734 ， CNC2S501 ， CNC7C502 ， CNC7H501
光隔离器（光电）
V
CE （ SAT ）
- TA
1.6
10
I
F
= 1毫安
I
C
= 2毫安
1.4
10
–6
–5
I
首席执行官
- TA
V
CE
= 200V
I
首席执行官
— V
CE
TA = 25°C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
I
首席执行官
(A)
1.2
10
–7
暗电流
暗电流
1.0
10
–8
I
首席执行官
(A)
10
–8
0.8
10
–9
10
–9
0.6
10
–10
0.4
– 40 – 20
0
20
40
60
80
100
10
–11
– 40 – 20
0
20
40
60
80
100
10
–10
10
10
–2
10
–3
周围温度Ta （ ℃）
周围温度Ta （ ℃）
集电极到发射极电压V
CE
(V)
响应时间 -
外部负载电阻特性
10
3
V
CC
= 10V
I
C
= 10毫安
TA = 25°C
t
r
响应时间测量电路
10
2
Sig.IN
t
f
t
d
t
s
V
CC
V
1
5ms
响应时间
(s)
10
V
1
50
V
2
t
d
t
r
t
s
t
f
90%
10%
1
10
–1
10
–2
10
–1
1
10
外部负载电阻R
L
(k)
频率特性
10
V
CE
= 4V
TA = 25°C
I
C
= 10毫安
,,,
,
,,,
,
R
L
=
10
R
L
测量电路
频率特性
V
CC
A
V
（ dB）的
0
+10V
50k
16V
100F
–
电压增益
,,
,,,
+
– 10
100
1k
Sig.IN
Sig.OUT
R
L
I
C
= 10毫安
具体位置 - P
– 20
50
5k
50
– 30
10
–1
1
10
10
2
10
3
频率f（ kHz）的
4
,,
,,
QQ：2880707522 复制
