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CMZB12~CMZB53
东芝齐纳二极管
硅扩散型
CMZB12~CMZB53
0.65
±
0.2
3.8
±
0.1
4.7
±
0.2
0.16
0 ~ 0.1
0.98
±
0.1
阳极
阴极
通信,控制和
测量设备
恒压调节
瞬态抑制器
平均功耗: P =为1.0W
齐纳电压: V
Z
= 12 53 V
适合于高密度电路板组件,由于使用了小
表面贴装封装, M- FLAT
TM
单位:mm
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
特征
功耗
结温
存储温度范围
符号
P
T
j
T
英镑
等级
1.0 (注1 )
40
150
40
150
单位
W
°C
°C
1.75
±
0.1
+ 0.2
2.4
0.1
注1 :钽
=
40°C
设备安装在玻璃环氧基板
板尺寸为50mm
×
50 mm
焊接尺寸为6mm
×
6 mm
板厚度: 1.6毫米
JEDEC
JEITA
东芝
3-4E1A
重量: 0.023克(典型值)。
注2 :负荷下连续使用(例如应用
高温度/电流/电压和温度等的显著变化)可能会导致此产品
减少在可靠性显著即使操作条件(即工作温度/电流/
电压等)的绝对最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” / “降额的概念和方法” )和个人数据的可靠性(即可靠性试验
报告与估计的故障率,等)。
开始商业生产
2005-09
1
2013-11-01
0.65
±
0.2
CMZB12~CMZB53
电气特性
(大
=
25°C)
齐纳电压
Vz的(V)的
TYPE
CMZB12
CMZB13
CMZB15
CMZB16
CMZB18
CMZB20
CMZB22
CMZB24
CMZB27
CMZB30
CMZB33
CMZB36
CMZB39
CMZB43
CMZB47
CMZB51
CMZB53
10.8
11.7
13.5
14.4
16.2
18.0
19.8
21.6
24.3
27.0
29.7
32.4
35.1
38.7
42.3
45.9
47.7
典型值。
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
53
最大
13.2
14.3
16.5
17.6
19.8
22.0
24.2
26.4
29.7
33.0
36.3
39.6
42.9
47.3
51.7
56.1
58.3
测量
换货
当前
I
Z
(MA )
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
9
8
7
6
6
5
齐纳阻抗
r
d
(Ω)
测量
换货
当前
I
Z
(MA )
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
9
8
7
6
6
5
温度
系数
齐纳二极管
αT
(毫伏/ ° C)
典型值。
8
9
11
12
14
16
18
20
23
25
26
28
30
33
38
43
49
最大
13
14
17
19
23
26
28
32
36
40
41
45
48
53
60
68
77
正向电压
V
F
(V)
测量
换货
当前
I
F
(A)
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
反向电流
I
R
(μA)
测量
换货
电压
V
R
(V)
8
9
10
11
13
14
16
17
19
21
26.4
28.8
31.2
34.4
37.6
40.8
42.4
最大
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
35
40
65
65
85
最大
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
最大
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
2
2013-11-01
CMZB12~CMZB53
记号
缩写代码
B12
B13
B15
B16
B18
B20
B22
B24
B27
产品型号
CMZB12
CMZB13
CMZB15
CMZB16
CMZB18
CMZB20
CMZB22
CMZB24
CMZB27
缩写代码
B30
B33
B36
B39
B43
B47
B51
B53
产品型号
CMZB30
CMZB33
CMZB36
CMZB39
CMZB43
CMZB47
CMZB51
CMZB53
标准焊垫
单位:mm
1.4
3.0
1.4
操作注意事项
1)
一种半导体器件的绝对最大额定值是一组的评分的一个不可超过,甚至
一会儿。不要超过任何这些评级。下面是一般的降额的方法,我们
当你设计一个装置的电路建议。
P:
我们建议,最坏情况下的功率耗散是的不大于50%的
绝对最大功耗额定值。进行充分的散热设计。
我们建议的设备中建议的区域内,在图中使用的,
P
RSM
-Tw 。
为了确保高可靠性使用装置时减免该额定值。
我们建议该设备可在T使用
j
低于120℃。
P
RSM :
T
j
:
2)
结点和环境之间的热阻波动取决于设备的安装条件。
当使用一个设备,设计一电路板以及一焊接焊盘尺寸相匹配的适当的热
电阻值。
请参阅整流器数据手册了解更多信息。
3)
2.1
3
2013-11-01
CMZB12~CMZB53
钽最大 - P
160
设备安装在玻璃环氧基板:
板尺寸为50mm
×
50 mm
焊接土地: 6.0毫米
×
6.0 mm
板厚度: 1.6毫米
1000
P
RSM
– t
W
(参考值)
PRSM
最高允许温度
最大的Ta ( ° C)
120
非重复性峰值反向
功耗PRSM (W )
tW
Ta
=
25°C
矩形脉冲
100
推荐
80
40
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
10
0.1
1
10
功耗P
(W)
脉冲宽度
t
W
(女士)
α
T –
V
Z
25
CMZB12到CMZB27
(典型值)。
50
CMZB30到CMZB53
α
T –
V
Z
(典型值)。
温度COEF网络cient
齐纳电压
α
T(毫伏/ ° C)
15
20
25
30
温度COEF网络cient
齐纳电压
α
T(毫伏/ ° C)
45
20
40
15
35
10
30
5
10
25
26
30
34
38
42
46
50
54
58
齐纳电压
V
Z
(V)
齐纳电压
V
Z
(V)
r
号(j -a)的
– t
1000
设备安装在玻璃环氧基板:
板尺寸为50mm
×
50 mm
焊接土地: 2.1毫米
×
1.4 mm
板厚度: 1.6毫米
瞬态热阻抗
RTH (J -A ) ( ° C / W)
100
10
设备安装在玻璃环氧基板:
板尺寸为50mm
×
50 mm
焊接土地: 6.0毫米
×
6.0 mm
板厚度: 1.6毫米
设备安装在陶瓷板上:
板尺寸为50mm
×
50 mm
焊接土地: 2.0毫米
×
2.0 mm
板厚: 0.64毫米
0.01
0.1
1
10
100
1000
1
0.1
0.001
时间t (S )
4
2013-11-01
CMZB12~CMZB53
限制产品使用
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在本文档中,以及相关的硬件,软件和系统(统称"Product" )而不通知。
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产品,或纳入产品到他们自己的应用程序,用户还必须参考,并符合第(一)的最新版本
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与该产品将被用于或应用程序的说明。客户全权负责各方面的
自己的产品设计和应用,包括但不限于: ( a)确定在这样的使用本产品的适当性
设计或应用程序; (二)评估和确定的任何信息本文件所载的适用性,或图表,
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参数对这样的设计和应用。
东芝半导体公司没有责任为客户的产品设计或
应用程序。
产品没有INTENDED NOR许可用于设备或者需要系统
质量和/或可靠性,和/或发生故障或失败的非常高的水平
可能会造成人的生命,身体伤害,严重的财产损害和/或严重的公众影响损失
( "UNINTENDED USE" ) 。
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的限制,设备在核设施中使用,在航空航天工业中使用的设备,医疗设备,用于设备
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安全装置,电梯和自动扶梯,涉及到电力设备,装备财务相关领域。
如果你使用
产品用于非预期的使用,东芝公司没有责任提供产品。
有关详细信息,请联系您
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请遵守该规范的受控物质列入或使用的所有适用法律和法规使用的产品,
包括但不限于欧盟的RoHS指令。
东芝不承担任何责任损害或损失
如发生不遵守适用的法律和法规的结果。
5
2013-11-01
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    联系人:杨小姐
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    CMZB20
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:13528893675/15710790696/0755-36335768
联系人:张
地址:广东省深圳市福田区华强北振兴路广东省深圳市福田区振兴路曼哈大厦4楼B801室。
CMZB20
TOSHIBA/东芝
22+
6920
M-FLATSMA-20V
公司现货,原装正品
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CMZB20
TOSHIBA
2346+
95218
M-FLAT
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联系人:刘经理
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CMZB20
TOSHIBA/东芝
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
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