砷化镓组件
CMY 200
V
DD
= + 5 V
CMY 200
在RF
50
罗在
50
5
4
V
d。如果
L
3
C
3
IF OUT
50
L
1
C
1
6
1
3
V
LO
L
2
C
2
2
EHT08966
图1
测试电路
L
1
nH
6
1)
1)
2)
L
2
nH
12
2)
L
3
H
22
C
1
pF
22
C
2
pF
47
C
3
nF
1
用于RF频率1224 MHz的近似值(该值可以被调整为最小
F
SSB
在射频频率)。
对于LO频率1185 MHz的近似值(该值调整为最大增益的LO放大器在LO-
频率;指标是如最小直流电流消耗为3口在非常低的LO功率( < - 10 dBm的)
入端口1或最大可用
G
混
在非常低的LO功率( < - 10 dBm的)到端口1 ) 。
数据表
3
2001-01-01