CMUT5401
PNP硅晶体管
中央
TM
半导体公司
描述：
中央半导体CMUT5401
类型是PNP硅晶体管制造
外延平面工艺，环氧树脂模制在一个
表面贴装封装，专为高
电压放大器的应用。
标识代码： 54C
SOT- 523案例
最大额定值：
(TA=25°C)
符号
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
功耗
工作和存储
结温
热阻
TJ ， TSTG
Θ
JA
-65到+150
500
°C
° C / W
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
160
150
5.0
500
250
单位
V
V
V
mA
mW
电气特性：
（ TA = 25° C除非另有说明）
符号
测试条件
民
ICBO
ICBO
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE （ SAT ）
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
的hFE
的hFE
的hFE
fT
COB
的hFE
NF
VCB=100V
VCB = 100V ， TA = 150℃
IC=100A
IC=1.0mA
IE=10A
IC=10mA,
IC=50mA,
IC=10mA,
IC=50mA,
IB=1.0mA
IB=5.0mA
IB=1.0mA
IB=5.0mA
50
60
50
100
40
160
150
5.0
最大
50
50
单位
nA
A
V
V
V
0.2
0.5
1.0
1.0
240
300
6.0
200
8.0
V
V
V
V
VCE = 5.0V ， IC = 1.0毫安
VCE = 5.0V ， IC = 10毫安
VCE = 5.0V ， IC = 50毫安
VCE = 10V ， IC = 10毫安中，f = 100MHz的
VCB = 10V ， IE = 0 ， F = 1.0MHz的
VCE = 10V ， IC = 1.0毫安， F = 1.0kHz
VCE = 5.0V ， IC = 200μA ， RS = 10Ω
F = 10Hz到15.7kHz
兆赫
pF
dB
R0 （ 2004年28月）
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