CMUSH2-4
CMUSH2-4A
CMUSH2-4C
CMUSH2-4S
表面贴装
硅肖特基二极管
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述：
中央半导体CMUSH2-4系列
类型硅肖特基二极管，环氧树脂成型
一个超小型 SOT- 523表面贴装封装，
设计用于要求低的快速开关应用
正向电压降。
SOT- 523案例
CMUSH2-4 ：
CMUSH2-4A ：
CMUSH2-4C ：
CMUSH2-4S ：
单身
双通道，共阳极
双通道，共阴极
双串联
记号
记号
记号
记号
符号
VRRM
IF
IFRM
IFSM
PD
TJ ， TSTG
Θ
JA
40
200
300
600
250
-65到+150
500
代码：
代码：
代码：
代码：
C42
C4A
C4C
C4S
单位
V
mA
mA
mA
mW
°C
° C / W
单位
nA
μA
V
260
310
330
600
750
10
5.0
mV
mV
mV
mV
mV
pF
ns
最大额定值：
(TA=25°C)
反向重复峰值电压
连续正向电流
重复峰值正向电流
峰值正向浪涌电流， TP = 10ms的
功耗
工作和存储结温
热阻
每二极管电气特性：
（ TA = 25° C除非另有说明）
符号
测试条件
民
典型值
最大
IR
IR
BVR
VF
VF
VF
VF
VF
CT
TRR
VR=35V
VR = 35V ， TA = 100℃
IR=100μA
IF=100μA
IF=500μA
IF=1.0mA
IF=50mA
IF=100mA
VR = 1.0V ， F = 1.0MHz的
IF = IR = 10毫安， IRR = 1.0毫安， RL = 100Ω
40
170
25
55
240
285
305
535
670
500
100
R1 （2010年9月）
CMUSH2-4
CMUSH2-4A
CMUSH2-4C
CMUSH2-4S
表面贴装
硅肖特基二极管
SOT - 523案例 - 机械外形
（底视图）
销刀豆网络gurations
CMUSH2-4
前导码：
1 ）阳极
2 ）无连接
3 ）阴极
标识代码： C42
CMUSH2-4A
前导码：
1 ）阴极D1
2 ）阴极D2
3 ）阳极D1，D2
标识代码： C4A
CMUSH2-4C
前导码：
1 ）阳极D1
2 ）阳极D2
3 ）阴极D1，D2
标识代码： C4C
CMUSH2-4S
前导码：
1 ）阳极D1
2 ）阴极D2
3 ）阳极D2 ， D1阴极
标识代码： C4S
R1 （2010年9月）
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
CMUSH2-4
CMUSH2-4A
CMUSH2-4C
CMUSH2-4S
表面贴装
超小型
硅肖特基二极管
中央
TM
半导体公司
描述：
中央半导体CMUSH2-4
系列类型硅肖特基二极管，环氧
成型的超小型 SOT- 523表面
贴装封装，设计用于快速切换
应用需要低正向电压降。
SOT- 523案例
CMUSH2-4 ：
CMUSH2-4A ：
CMUSH2-4C ：
CMUSH2-4S ：
单身
双通道，共阳极
双通道，共阴极
双串联
记号
记号
记号
记号
符号
VRRM
IF
IFRM
IFSM
PD
TJ ， TSTG
Θ
JA
代码：
代码：
代码：
代码：
C42
C4A
C4C
C4S
单位
V
mA
mA
mA
mW
°C
° C / W
最大额定值：
(TA=25°C)
反向重复峰值电压
连续正向电流
重复峰值正向电流
正向浪涌电流， TP = 10ms的
功耗
工作和存储
结温
热阻
40
200
300
600
250
-65到+150
500
每二极管电气特性：
符号
IR
IR
BVR
VF
VF
VF
VF
VF
CT
TRR
测试条件
VR=35V
VR = 35V ， TA = 100℃
IR=100A
IF=100A
IF=500A
IF=1.0mA
IF=50mA
IF=100mA
VR = 1.0V ， F = 1兆赫
IF = IR = 10毫安， IRR = 1.0毫安， RL = 100Ω
（ TA = 25° C除非另有说明）
民
典型值
最大
170
40
25
55
240
285
305
535
670
500
100
260
310
330
600
750
10
5.0
单位
nA
A
V
mV
mV
mV
mV
mV
pF
ns
R0 （ 2005年31月）
QQ：2880707522 复制
