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CMUDM8001
表面贴装
P沟道
增强型
硅MOSFET
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述：
中央半导体CMUDM8001
为增强模式P沟道场效应
晶体管，以P沟道DMOS制
工艺，专为高速脉冲放大器和
驱动器应用。这种MOSFET提供了低RDS（ON ）
低Theshold电压。
标识代码： C8A
SOT- 523案例
应用范围：
负载/功率开关
电源转换器电路
电池供电的便携式设备
最大额定值：
(TA=25°C)
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（稳态）
连续漏电流
功耗
工作和存储结温
产品特点：
功耗为250mW
低RDS （ON ）
低阈值电压
兼容逻辑电平
小型SOT- 523表面贴装封装
互补器件： CMUDM7001
单位
V
V
mA
mA
mW
°C
符号
VDS
VGS
ID
ID
PD
TJ ， TSTG
20
10
100
200
250
-65到+150
电气特性：
（ TA = 25° C除非另有说明）
符号
测试条件
民
典型值
IGSSF ， IGSSR
IDSS
BVDSS
VGS （ TH）
RDS （ ON）
RDS （ ON）
RDS （ ON）
政府飞行服务队
CRSS
西塞
科斯
吨
花花公子
VGS = 10V ， VDS = 0
VDS = 20V ， VGS = 0
VGS = 0时， n = 100μA
VDS = VGS ，ID = 250μA
VGS=4.0V,
VGS=2.5V,
ID=10mA
ID=10mA
100
15
45
15
35
80
20
0.6
最大
1.0
1.0
1.1
8.0
12
45
单位
μA
μA
V
V
Ω
Ω
Ω
mS
pF
pF
pF
ns
ns
VGS = 1.5V ，ID = 1.0毫安
VDS = 10V ，ID =百毫安
VDS = 3.0V ， VGS = 0 ， F = 1.0MHz的
VDS = 3.0V ， VGS = 0 ， F = 1.0MHz的
VDS = 3.0V ， VGS = 0 ， F = 1.0MHz的
VDD = 3.0V ， VGS = 2.5V ， ID = 10毫安
VDD = 3.0V ， VGS = 2.5V ， ID = 10毫安
R1 （2010年9月）
CMUDM8001
表面贴装
P沟道
增强型
硅MOSFET
SOT - 523案例 - 机械外形
（底视图）
前导码：
1 ） GATE
2 ）资料来源
3 ）排水
标识代码： C8A
R1 （2010年9月）
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
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CPLL66-4240-4240
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    CMUDM8001
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2024
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CMUDM8001
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