CMUDM7005
表面贴装
N沟道
增强型
硅MOSFET
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述：
中央半导体CMUDM7005
是增强型N沟道MOSFET ，
由N沟道DMOS工艺制造的
设计用于高速脉冲放大器和驱动器
应用程序。这种MOSFET具有低RDS（ON）和
低theshold电压。
标识代码： 5-7
SOT- 523案例
应用范围：
负载/功率开关
电源转换器电路
电池供电的便携式设备
最大额定值：
(TA=25°C)
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（稳态 - 注1 ）
连续源电流（体二极管）
最大漏电流脉冲
功率耗散（注1 ）
工作和存储结温
产品特点：
ESD保护高达2kV的
300mW的功耗
非常低的RDS（ON）
低阈值电压
兼容逻辑电平
小型SOT- 523表面贴装封装
单位
V
V
mA
mA
A
mW
°C
符号
VDS
VGS
ID
IS
IDM
PD
TJ ， TSTG
20
8.0
650
280
1.3
300
-65到+150
电气特性：
（ TA = 25° C除非另有说明）
符号
测试条件
民
典型值
IGSSF ， IGSSR VGS = 4.5V ， VDS = 0
IDSS
BVDSS
VGS （ TH）
VSD
RDS （ ON）
RDS （ ON）
RDS （ ON）
RDS （ ON）
QG （ TOT ）
QGS
QGD
VDS = 16V ， VGS = 0
VGS = 0时， n = 250μA
VDS = VGS ，ID = 250μA
VGS = 0时， IS = 200毫安
VGS=4.5V,
VGS=2.5V,
VGS=1.8V,
VGS=1.5V,
ID=600mA
ID=500mA
ID=350mA
ID=40mA
1.58
0.17
0.24
20
0.5
最大
1.0
100
单位
μA
nA
V
1.1
1.1
0.23
0.275
0.7
9.5
V
V
Ω
Ω
Ω
Ω
nC
nC
nC
VDS = 10V ，V GS = 4.5V ，ID = 500毫安
VDS = 10V ，V GS = 4.5V ，ID = 500毫安
VDS = 10V ，V GS = 4.5V ，ID = 500毫安
注：（1 ）安装在2英寸的正方形的FR-4印刷电路板用1.13in的铜安装焊盘面积
2
R2 （ 2011年3月）
CMUDM7005
表面贴装
N沟道
增强型
硅MOSFET
电气特性：
（ TA = 25° C除非另有说明）
符号
测试条件
民
政府飞行服务队
VDS = 10V ，ID = 400毫安
1.0
CRSS
西塞
科斯
吨
花花公子
VDS = 16V ， VGS = 0 ， F = 1.0MHz的
VDS = 16V ， VGS = 0 ， F = 1.0MHz的
VDS = 16V ， VGS = 0 ， F = 1.0MHz的
VDD = 10V ， VGS = 4.5V ， ID =的200mA， RG = 10Ω
VDD = 10V ， VGS = 4.5V ， ID =的200mA， RG = 10Ω
典型值
18
100
16
10
25
单位
S
pF
pF
pF
ns
ns
SOT - 523案例 - 机械外形
引脚配置
（底视图）
前导码：
1 ） GATE
2 ）资料来源
3 ）排水
标识代码： 5-7
R2 （ 2011年3月）
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
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