CMUD6263E
CMUD6263AE
CMUD6263CE
CMUD6263SE
增强规范
表面安装超小型
硅肖特基二极管
中央
描述:
TM
半导体公司
中央半导体CMUD6263E
系列类型是增强型高压硅
肖特基二极管,环氧树脂模制在一个超小型
SOT- 523表面贴装封装,专为低
电流需要低快速开关应用
正向电压降。
增强产品规格:
IF = 70毫安(从15毫安)
SOT- 523案例
标识代码:
CMUD6263E
单身
C63
CMUD6263AE
双通道,共阳极
C6A
CMUD6263CE
双通道,共阴极
C6C
CMUD6263SE
双串联
C6S
IFSM = 100毫安(在50mA )
最大额定值:
(TA=25
o
C)
反向重复峰值电压
连续正向电流
正向浪涌电流, TP = 1.0秒
功耗
工作和存储
结温
热阻
符号
VRRM
IF
IFSM
PD
TJ , TSTG
Θ
JA
70
70
100
250
-65到+150
500
单位
V
mA
mA
mW
o
o
C
C / W
每二极管电气特性:
(TA=25
o
C)
符号
IR
测试条件
VR=50V
IR=10μA
μ
IF=100μA
μ
IF=500μA
IF=1.0mA
IF=10mA
IF=15mA
VR = 0V , F = 1.0MHz的
IR = IF = 10毫安, IRR = 1mA时, RL = 100Ω
民
70
290
345
380
700
830
320
380
400
750
900
2.0
5.0
典型值
10
最大
100
单位
nA
V
mV
mV
mV
mV
mV
pF
ns
BVR
VF
VF
VF
VF
VF
CT
TRR
加强规范。
额外的增强规范。
R1 ( 2006年22月)
CMUD6263E
CMUD6263AE
CMUD6263CE
CMUD6263SE
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
增强规范
表面贴装
硅肖特基二极管
描述:
中央半导体CMUD6263E
系列类型是增强型高压硅
肖特基二极管,环氧树脂模制在一个超小型
SOT- 523表面贴装封装,专为低
电流需要低快速开关应用
正向电压降。
增强产品规格:
IF = 70毫安(从15毫安)
IFSM = 100毫安(在50mA )
SOT- 523案例
下面的配置:
CMUD6263E
CMUD6263AE
CMUD6263CE
CMUD6263SE
单身
双通道,共阳极
双通道,共阴极
双串联
记号
记号
记号
记号
符号
VRRM
IF
IFSM
PD
TJ , TSTG
Θ
JA
代码:
代码:
代码:
代码:
C63
C6A
C6C
C6S
单位
70
70
100
V
mA
mA
mW
°C
° C / W
最大额定值:
(TA=25°C)
反向重复峰值电压
连续正向电流
峰值正向浪涌电流, TP = 1.0秒
功耗
工作和存储结温
热阻
250
-65到+150
500
每二极管电气特性:
(TA=25°C)
符号
测试条件
民
典型值
10
最大
100
320
380
400
750
900
2.0
5.0
单位
nA
V
mV
mV
mV
mV
mV
pF
ns
IR
BVR
VF
VF
VF
VF
VF
VR=50V
IR=10μA
IF=100A
IF=500A
IF=1.0mA
IF=10mA
IF=15mA
VR = 0 , F = 1.0MHz的
IR = IF = 10毫安, IRR = 1.0毫安, RL = 100Ω
70
290
345
380
700
830
CT
TRR
增强规范
额外的增强规范
R2 (2010年9月)
CMUD6263E
CMUD6263AE
CMUD6263CE
CMUD6263SE
增强规范
表面贴装
硅肖特基二极管
SOT - 523案例 - 机械外形
(底视图)
销刀豆网络gurations
CMUD6263E
前导码:
1 )阳极
2 )无连接
3 )阴极
标识代码: C63
CMUD6263EA
前导码:
1 )阴极D1
2 )阴极D2
3 )阳极D1,D2
标识代码: C6A
CMUD6263EC
前导码:
1 )阳极D1
2 )阳极D2
3 )阴极D1,D2
标识代码: C6C
CMUD6263ES
前导码:
1 )阳极D1
2 )阴极D2
3 )阳极D2 , D1阴极
标识代码: 6CS
R2 (2010年9月)
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米