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CMT9435G
P
-
C
HANNEL
E
NHANCEMENT
M
ODE
M
OSFET
概述
V
DS
= -30V ,ID = -5.3A
R
DS ( ON)
, V
GS
@ -10V ,我
DS
@ -5.3A =的60mΩ
R
DS ( ON)
, V
GS
@ -4.5V ,我
DS
@ -4.2A = 90mΩ
特点
先进的加工技术
对于超低导通电阻高密度电池设计
充分界定雪崩电压和电流
改进的拍摄 - 通过FOM
应用
在笔记本电脑的电源管理
便携式设备
电池供电系统
DC / DC转换器
负荷开关
DSC
液晶显示器逆变器
引脚配置
8引脚SOP ( S08 )
符号
顶视图
P沟道MOSFET
订购信息
产品型号
CMT9435G
SOP-8
*注意:
G:后缀为无铅产品
2007/02/05 Rev1.0
冠军微电子公司
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CMT9435G
P
-
C
HANNEL
E
NHANCEMENT
M
ODE
M
OSFET
绝对最大额定值
( TA = 25℃除非另有说明)
等级
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
T
A
=25℃
最大功率耗散
T
A
=75℃
工作结温范围
存储温度范围
结至环境热阻(印刷电路板安装)
结到外壳热阻
T
J
T
英镑
R
qJA
R
QJC
-55至150
-55到150
50
30
℃/W
℃/W
P
D
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
价值
-30
±20
-5.3
-20
2.5
W
单位
V
V
A
A
注: 1,重复评级:脉冲宽度有限的最高结temperation
2. 1中
2
2盎司铜PCB板
3.由设计保证;不受生产测试
2007/02/05 Rev1.0
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P
-
C
HANNEL
E
NHANCEMENT
M
ODE
M
OSFET
电气特性
除非另有规定,T
J
= 25 ℃ 。 ℃(除非另有规定)
符号
参数
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
STATIC
BV
DSS
R
DS ( ON)
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
漏源导通电阻
漏源导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
零栅极电压漏极电流
门体漏
V
GS
= 0V时,我
D
=-250uA
V
GS
= -10V ,我
D
=-5.3A
V
GS
= -4.5V ,我
D
=-4.2A
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
DS
= 10V ,我
D
=6A
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
V
GS
=±20V , V
DS
=0V
-30
-
-
-1.0
4
-
-
-
50
75
-1.5
7
-
-
-
60
90
-3.0
-
-1
±100
V
m
m
V
S
uA
nA
动态
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
I
D
=-5.3A
V
DS
=-15V
V
GS
=-10V
V
DD
=-15V
I
D
=-1A
R
G
=6,V
=-10V
R
L
=15
V
GS
=0V
V
DS
=-15V
f=1.0MHz
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
9.52
3.43
1.71
10.8
2.33
23.53
3.87
551.57
90.96
60.79
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
源极 - 漏极二极管
Is
V
SD
马克斯。二极管的正向电流
二极管的正向电压
I
S
=-5.3A,
V
GS
=0
V
,
-
-
-
-
-1.9
-1.3
A
V
注意事项:
1.Pulse测试:脉冲宽度<300us ,占空比<2 % 。
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典型
特征
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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