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首字符C的型号第785页
> CMT60N06
CMT60N06
N-C
HANNEL
逻辑电平功秏
OSFET
应用
直流电机控制
UPS
D类放大器
V
DSS
60V
R
DS ( ON)
典型值。
15.8m
I
D
60A
特点
低导通电阻
低栅电荷
峰值电流与脉冲宽度曲线
电感式开关曲线
引脚配置
TO-220
符号
D
前视图
门
来源
漏
G
S
1
2
3
N沟道MOSFET
绝对最大额定值
等级
漏源极电压(注1 )
漏电流
-
连续TC = 25 ℃ ,V
GS
@10V
-
连续锝= 100 ℃ ,V
GS
@10V
-
脉冲TC = 25 ℃ ,V
GS
@ 10V (注2)
栅极 - 源极电压
-
CONTINUE
总功耗
减额在25℃以上因素
峰值二极管恢复的dv / dt (注3 )
工作结存储温度范围
单脉冲雪崩能量L = 144
H,I
D
= 40安培
最大的铅焊接温度的目的
最大包主体,持续10秒
脉冲雪崩额定值
dv / dt的
T
J
, T
英镑
E
AS
T
L
T
PKG
I
AS
符号
V
DSS
I
D
I
D
I
DM
V
GS
P
D
价值
60
60
43
241
±20
150
1.0
4.5
-55至175
500
300
260
60
V
W
W/℃
V / ns的
℃
mJ
℃
℃
A
单位
V
A
热阻
符号
R
θJC
R
θJA
参数
结到外壳
结到环境
民
典型值
最大
1.0
62
单位
℃/W
℃/W
测试条件
水冷散热器,P
D
调整后的峰值结
为+ 175 ℃的温度
1立方英尺室,自由的空气
2004/05/28
初步
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冠军微电子公司
第1页
CMT60N06
N-C
HANNEL
逻辑电平功秏
OSFET
订购信息
产品型号
CMT60N06
包
TO-220
电气特性
除非另有规定,T
J
= 25℃.
CMT60N06
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压
(V
GS
= 0 V,I
D
= 250 A)
击穿电压温度系数
(参考25
℃,
I
D
= 250 A)
漏极至源极漏电流
(V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V ,T
J
= 25℃)
(V
DS
= 48 V, V
GS
= 0 V ,T
J
= 150℃)
栅 - 源正向漏
(V
GS
= 20 V)
栅 - 源反向漏
(V
GS
= -20 V)
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A)
静态漏 - 源极导通电阻
(V
GS
= 10 V,I
D
= 60A)
正向跨导(V
DS
= 15 V,I
D
= 60A)
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷(V
GS
= 10 V)
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极(米勒?? ??)充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
连续源电流
(体二极管)
脉冲源电流(体二极管)
二极管正向导通电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
(I
S
= 60 A,V
GS
= 0 V)
(I
F
= 60A ,V
GS
= 0 V,
d
i
/d
t
= 100A / μs)内
积分pn结二极管的MOSFET
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
55
110
241
1.5
A
V
ns
nC
(注4 )
动态特性
(V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0兆赫)
(V
DS
= 30 V,I
D
= 60 A,
V
GS
= 10V )(注5)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
电阻开关特性
(V
DD
= 30 V,I
D
= 60 A,
V
GS
= 10 V,
R
G
= 9.1Ω )(注5)
t
D(上)
t
上升
t
D(关闭)
t
秋天
I
S
12.1
64
69
39
60
ns
ns
ns
ns
A
1430
420
88
37.7
8.4
9.8
pF
pF
pF
nC
nC
nC
g
FS
(注4 )
R
DS ( ON)
15.8
36
18
S
m
V
GS ( TH)
1.0
2.0
3.0
V
I
GSS
-100
nA
I
GSS
I
DSS
25
250
100
nA
A
ΔV
DSS
/T
J
0.069
毫伏/
℃
V
DSS
60
V
符号
民
典型值
最大
单位
源极 - 漏极二极管的特性
2004/05/28
初步
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第2页
CMT60N06
N-C
HANNEL
逻辑电平功秏
OSFET
注1:T
J
= + 25 ℃至+ 175 ℃
注2 :重复评价;脉冲宽度有限的最高结温。
注3 :我
SD
= 60A , di / dt的<100A /微秒,V
DD
< BV
DSS
, T
J
= +175℃
注4 :脉冲宽度< 250μs的;值班cycle<2 %
注5 :基本上是独立运行temerpature的。
2004/05/28
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CMT60N06
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逻辑电平功秏
OSFET
占空比
图1.最大有效热阻,结至外壳
1.000
50%
20%
10%
Z
θJC
,
热阻抗
0.100
5%
2%
1%
P
DM
t
1
t
2
注意事项:
DUTY因子: D = T1 / T2
PEAK牛逼
J
=P
DM
X Z
θJC
个R
θJC
+T
C
0.010
单脉冲
0.001
1E-05
1E-04
1E-03
1E-02
1E-01
1E+00
1E+01
t
p
,矩形脉冲持续时间( S)
图2.最大功率耗散
VS外壳温度
图3.最大连续漏极电流
VS外壳温度
70
60
50
40
30
20
10
0
25
50
75
100
125
150
175
25
50
75
100
125
150
175
P
D
,功耗( W)
140
100
80
60
40
20
0
T
C
,外壳温度(
o
C)
I
D
,漏电流( A)
120
T
C
,外壳温度(
o
C)
图4.典型的输出特性
220
200
180
脉冲宽度= 250微秒
占空比= 0.5 % MAX
T
C
= 25
o
C
图5.典型漏极 - 源极导通电阻
VS栅极电压和漏极电流
50
45
V
GS
= 15V
I
D
,漏电流( A)
140
120
100
80
60
40
20
0
0
5
V
GS
= 8V
ON电阻(mΩ )
160
V
GS
= 10V
R
DS ( ON)
,漏 - 源
40
35
30
25
20
15
I
D
= 14A
I
D
= 28A
I
D
= 55 A
V
GS
= 6V
V
GS
= 5V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 4V
V
GS
= 3.5V
V
GS
= 3V
脉冲宽度= 250微秒
占空比= 0.5 % MAX
o
T
C
= 25 C
10
3
4
5
6
7
8
9
10
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
2004/05/28
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4
CMT60N06
N-C
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逻辑电平功秏
OSFET
图6.最大峰值电流能力
10000
跨
可能限制电流
这个区域
对于温度
o
上述25 C减免PEAK
当前,如下所示:
I
=
I
25
150 –
T C
----------------------
125
I
DM
峰值电流( A)
1000
100
10
1
V
GS
= 10V
1E-6
10E-6
100E-6
1E-3
10E-3
100E-3
1E+0
10E+0
t
p
,脉冲宽度(S )
图7.典型的传输特性
图8.非钳位感应开关能力
1000
I
D
,漏极 - 源极电流(A )
40
35
30
25
20
15
10
5
0
I
AS
,雪崩电流( A)
脉冲宽度= 250微秒
占空比= 0.5 % MAX
V
DS
= 10 V
如果R≠ 0 :吨
AV
= ( L / R) LN [(我
AS
×R)/(1.3BV
DSS
-V
DD
)+1]
如果R≠ 0 :吨
AV
= (L ×I
AS
)/(1.3BV
DSS
-V
DD
)
R等于漏极电路的总串联电阻
100
起始物为
J
= 25
o
C
+175
o
C
+25
o
C
-55
o
C
10
起始物为
J
= 150 C
o
1
1E-6
10E-6
100E-6
1E-3
10E-3
100E-3
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
t
AV
,时间在雪崩(多个)
图9.典型的漏极 - 源极导通电阻
VS漏电流
图10.典型的漏极 - 源极导通电阻
VS结温
2.5
R
DS ( ON)
,
漏极 - 源极导通电阻( MΩ)
50
R
DS ( ON)
,漏 - 源
电阻(标准化)
40
脉宽= 10微秒
占空比= 0.5 % MAX
T
C
=25°C
2.0
30
1.5
20
V
GS
=10V
1.0.
10
0
50
100
150
0.5
-75 -50 -25
0
25
脉冲宽度= 250微秒
占空比= 0.5 % MAX
V
GS
= 10V ,我
D
= 15A
200
250
50
75 100 125 150 175
I
D
,漏电流( A)
T
J
,结温(
o
C)
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