【CMT2N7002SMALLSIGNALMOSFET概述这种N沟道增强型场效应晶体管生产采用高密度，】,IC型号CMT2N7002X,CMT2N7002X PDF资料,CMT2N7002X经销商,ic,电子元器件-51电子网

CMT2N7002

MALL

IGNAL

MOSFET

概述

这种N沟道增强型场效应晶体管

生产采用高密度， DMOS技术。这些

产品的目的是为了最大限度地减少通态电阻

同时提供坚固，可靠和快速的开关性能。

它可在需要高达115毫安直流大多数应用中使用

并且可以提供脉冲电流高达800mA 。本产品是

特别适用于低电压，低电流的应用，例如

小伺服电机控制，功率MOSFET栅极驱动器，以及

其他开关应用。

特点

高密度电池设计低R

DS （ ON）

电压控制的小信号开关

坚固可靠

高饱和电流能力

引脚配置

SOT -23 ， SOT- 323

SOT-363

符号

顶视图

漏

来源

门

N沟道MOSFET

订购信息

产品型号

CMT2N7002

CMT2N7002G*

CMT2N7002WG*

CMT2N7002DWG*

CMT2N7002X*

CMT2N7002WX*

CMT2N7002DWX*

包

SOT-23

SOT-323

SOT-363

SOT-23

SOT-323

SOT-363

W：后缀封装SOT- 323

X：后缀为无卤产品

*注意：

G：后缀为无铅产品

绝对最大额定值

等级

漏源电压

漏，栅极电压（R

= 1.0M)

漏电流

－

连续

－

脉冲

栅极 - 源极电压

－

CONTINUE

－

不重复

总功耗

减免上述25 °

单脉冲漏极至源雪崩能源

－

= 25℃

= 50V, V

= 10V ，我

= 0.8A ， L = 30mH ，R

= 25)

工作和存储温度范围

热阻

－

结到环境

最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从10秒

, T

英镑

-55到150

417

300

℃

℃/W

℃

符号

DSS

DGR

GSM

价值

115

800

±20

±40

225

1.8

9.6

毫瓦/ °

单位

2010/03/23

修订版1.9

冠军微电子公司

第1页

CMT2N7002

MALL

IGNAL

MOSFET

电气特性

除非另有规定，T

= 25℃.

CMT2N7002

特征

漏源击穿电压

= 0 V，I

= 10

μA)

漏极 - 源极漏电流

= 60 V, V

= 0 V)

= 60 V, V

= 0 V ，T

= 125℃)

门源漏电流，正向（V

GSF

= 20 V)

门源漏电流，反向（V

GSF

= -20 V)

栅极阈值电压*

= V

, I

= 250

μA)

通态漏电流（V

≧

2.0 V

DS （ ON）

, V

= 10V)

静态漏源导通电阻*

= 10 V，I

= 0.5A)

= 10 V，I

= 0.5A ，T

= 125℃)

= 5.0 V，I

= 50毫安）

= 5.0 V，I

= 50毫安，T

= 125℃)

漏源电压*

= 10 V，I

= 0.5A)

= 5.0 V，I

= 50毫安）

正向跨导（V

≧

2.0 V

DS （ ON）

, I

= 200毫安） *

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

打开-O FF延迟时间

= 25 V，I

= 500毫安，

根

= 10 V ，R

= 25, R

= 50) *

= 25 V, V

= 0 V,

F = 1.0兆赫）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

5.0

-1.5

-115

-800

DS （ ON）

3.75

0.375

毫姆欧

DS （ ON）

7.5

13.5

7.5

13.5

GS （ TH）

D（上）

1.0

500

2.5

GSSF

DSS

1.0

0.5

100

-100

μA

符号

民

（ BR ） DSS

典型值

最大

单位

二极管正向通态电压（ IS = 115 mA时， VGS = 0V）

源电流连续（体二极管）

源电流脉冲

*脉冲测试：脉冲宽度

≦300μs,

占空比

≦2%

2010/03/23

修订版1.9

冠军微电子公司

第2页

CMT2N7002

MALL

IGNAL

MOSFET

典型电气特性

图5.电容

2010/03/23

修订版1.9

冠军微电子公司

第3页

CMT2N7002

MALL

IGNAL

MOSFET

包装尺寸为

SOT-23

SOT-323

2010/03/23

修订版1.9

冠军微电子公司

第4页

CMT2N7002

MALL

IGNAL

MOSFET

SOT-363

2010/03/23

修订版1.9

冠军微电子公司

第5页

CMT2N7002

MALL

IGNAL

MOSFET

概述

这种N沟道增强型场效应晶体管

生产采用高密度， DMOS技术。这些

产品的目的是为了最大限度地减少通态电阻

同时提供坚固，可靠和快速的开关性能。

它可在需要高达115毫安直流大多数应用中使用

并且可以提供脉冲电流高达800mA 。本产品是

特别适用于低电压，低电流的应用，例如

小伺服电机控制，功率MOSFET栅极驱动器，以及

其他开关应用。

特点

高密度电池设计低R

DS （ ON）

电压控制的小信号开关

坚固可靠

高饱和电流能力

引脚配置

SOT -23 ， SOT- 323

SOT-363

符号

顶视图

漏

来源

门

N沟道MOSFET

订购信息

产品型号

CMT2N7002

CMT2N7002G*

CMT2N7002WG*

CMT2N7002DWG*

CMT2N7002X*

CMT2N7002WX*

CMT2N7002DWX*

包

SOT-23

SOT-323

SOT-363

SOT-23

SOT-323

SOT-363

W：后缀封装SOT- 323

X：后缀为无卤产品

*注意：

G：后缀为无铅产品

绝对最大额定值

等级

漏源电压

漏，栅极电压（R

= 1.0M)

漏电流

－

连续

－

脉冲

栅极 - 源极电压

－

CONTINUE

－

不重复

总功耗

减免上述25 °

单脉冲漏极至源雪崩能源

－

= 25℃

= 50V, V

= 10V ，我

= 0.8A ， L = 30mH ，R

= 25)

工作和存储温度范围

热阻

－

结到环境

最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从10秒

, T

英镑

-55到150

417

300

℃

℃/W

℃

符号

DSS

DGR

GSM

价值

115

800

±20

±40

225

1.8

9.6

毫瓦/ °

单位

2009/07/17

修订版1.8

冠军微电子公司

第1页

CMT2N7002

MALL

IGNAL

MOSFET

电气特性

除非另有规定，T

= 25℃.

特征

符号

民

CMT2N7002

典型值

最大

单位

漏源击穿电压

= 0 V，I

= 10

μA)

漏极 - 源极漏电流

= 60 V, V

= 0 V)

= 60 V, V

= 0 V ，T

= 125℃)

门源漏电流，正向（V

GSF

= 20 V)

门源漏电流，反向（V

GSF

= -20 V)

栅极阈值电压*

= V

, I

= 250

μA)

通态漏电流（V

≧

2.0 V

DS （ ON）

, V

= 10V)

静态漏源导通电阻*

= 10 V，I

= 0.5A)

= 10 V，I

= 0.5A ，T

= 125℃)

= 5.0 V，I

= 50毫安）

= 5.0 V，I

= 50毫安，T

= 125℃)

漏源电压*

= 10 V，I

= 0.5A)

= 5.0 V，I

= 50毫安）

正向跨导（V

≧

2.0 V

DS （ ON）

, I

= 200毫安） *

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

打开-O FF延迟时间

= 25 V, V

= 0 V,

F = 1.0兆赫）

= 25 V，I

= 500毫安，

根

= 10 V ，R

= 25, R

= 50) *

（ BR ） DSS

DSS

1.0

0.5

GSSF

GS （ TH）

1.0

100

-100

2.5

μA

D（上）

DS （ ON）

500

7.5

13.5

7.5

13.5

DS （ ON）

3.75

0.375

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

5.0

-1.5

-115

-800

毫姆欧

二极管正向通态电压（ IS = 115 mA时， VGS = 0V）

源电流连续（体二极管）

源电流脉冲

*脉冲测试：脉冲宽度

≦300μs,

占空比

≦2%

2009/07/17

修订版1.8

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IGNAL

MOSFET

典型电气特性

图5.电容

2009/07/17

修订版1.8

冠军微电子公司

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IGNAL

MOSFET

包装尺寸为

SOT-23

SOT-323

与电镀

贱金属

部分

B-B

SEE

部分

B-B

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MOSFET

SOT-363

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