CMT2N7002K
S
MALL
S
IGNAL
MOSFET
概述
这种N沟道增强型场效应晶体管
生产采用高密度， DMOS技术。这些
产品的目的是为了最大限度地减少通态电阻
同时提供了坚固，可靠，快速切换和ESD
增强的性能。它可以在大多数的应用中使用
需要高达115毫安DC ，并且可以提供脉冲电流高达
800mA的。本产品是特别适合于低电压，低
当前的应用程序，如小的伺服电机控制，功率
MOSFET栅极驱动器，以及其它开关应用。
特点
高密度电池设计低R
DS （ ON）
电压控制的小信号开关
坚固可靠
高饱和电流能力
ESD保护2KV HBM
引脚配置
SOT-23
符号
顶视图
3
漏
来源
门
1
2
N沟道MOSFET
订购信息
产品型号
CMT2N7002K
CMT2N7002KX*
包
SOT-23
SOT-23
*注意：
X：后缀为无卤产品
绝对最大额定值
等级
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
= 1.0M)
漏电流
－
连续
－
脉冲
栅极 - 源极电压
－
CONTINUE
－
不重复
总功耗
减免上述25 °
工作和存储温度范围
热阻
－
结到环境
最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从10秒
T
J
, T
英镑
θ
JA
T
L
符号
V
DSS
V
DGR
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
价值
60
60
115
800
±15
±15
225
1.8
-55到150
417
300
V
V
mW
毫瓦/ °
℃
℃/W
℃
单位
V
V
mA
2010/03/23
修订版1.2
冠军微电子公司
第1页
CMT2N7002K
S
MALL
S
IGNAL
MOSFET
电气特性
除非另有规定，T
J
= 25℃.
特征
符号
民
CMT2N7002K
典型值
60
最大
单位
V
漏源击穿电压
(V
GS
= 0 V，I
D
= 10
μA)
漏极 - 源极漏电流
(V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V)
(V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125℃)
门源漏电流，正向（V
GSF
= 15 V)
门源漏电流，反向（V
GSF
= -15 V)
栅极阈值电压*
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μA)
通态漏电流（V
DS
≧
2.0 V
DS （ ON）
, V
GS
= 10V)
静态漏源导通电阻*
(V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5A)
(V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5A ，T
J
= 125℃)
(V
GS
= 5.0 V，I
D
= 50毫安）
(V
GS
= 5.0 V，I
D
= 50毫安，T
J
= 125℃)
漏源电压*
(V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5A)
(V
GS
= 5.0 V，I
D
= 50毫安）
正向跨导（V
DS
≧
2.0 V
DS （ ON）
, I
D
= 200毫安） *
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
(V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0兆赫）
(V
DD
= 25 V，I
D
= 500毫安，
V
根
= 10 V ，R
G
= 25, R
L
= 50) *
V
（ BR ） DSS
I
DSS
1.0
0.5
I
GSSF
I
GSSF
V
GS （ TH）
1.0
1.0
-1.0
2.5
μA
mA
μA
μA
V
I
D（上）
R
DS （ ON）
500
mA
7.5
13.5
7.5
13.5
V
DS （ ON）
3.75
0.375
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
D（关闭）
V
SD
I
S
I
SM
80
50
25
5.0
20
40
-1.5
-115
-800
V
毫姆欧
pF
pF
pF
ns
ns
V
mA
mA
二极管正向通态电压（ IS = 115 mA时， VGS = 0V）
源电流连续（体二极管）
源电流脉冲
*脉冲测试：脉冲宽度
≦300μs,
占空比
≦2%
2010/03/23
修订版1.2
冠军微电子公司
第2页
CMT2N7002K
S
MALL
S
IGNAL
MOSFET
重要通知
冠军微电子公司（ CMC）保留随时更改其产品或终止任何权
集成电路产品的通知或不通知的服务，并建议其客户获得相关信息的最新版本
验证，在下订单之前，该信息被依靠的电流。
使用集成电路产品的一些应用程序可能涉及死亡，人身伤害，或严重的财产或潜在风险
环境破坏。 CMC集成电路产品不是设计，设计，授权或担保能适用于
生命支持应用程序，设备或系统或其他关键应用程序使用。在这类应用中使用CMC产品是
应理解为完全在客户的风险。为了最小化与用户的应用程序相关联的风险，所述
客户应提供充分的设计与操作安全措施。
新竹总部
5楼， 11号，公园大道II ，
科学工业园区，
新竹市，台湾
T E L： + 886-3-567 9979
F A X： + 886-3-567 9909
销售&市场
21F 。 ，第96号，二段。 1 ，新泰5路，汐止市，
台北县22102 ，
台湾，中华民国
T E L： + 886-2-2696 3558
F A X： + 886-2-2696 3559
2010/03/23
修订版1.2
冠军微电子公司
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MOSFET
概述
这种N沟道增强型场效应晶体管
生产采用高密度， DMOS技术。这些
产品的目的是为了最大限度地减少通态电阻
同时提供了坚固，可靠，快速切换和ESD
增强的性能。它可以在大多数的应用中使用
需要高达115毫安DC ，并且可以提供脉冲电流高达
800mA的。本产品是特别适合于低电压，低
当前的应用程序，如小的伺服电机控制，功率
MOSFET栅极驱动器，以及其它开关应用。
特点
高密度电池设计低R
DS （ ON）
电压控制的小信号开关
坚固可靠
高饱和电流能力
ESD保护2KV HBM
引脚配置
SOT-23
符号
顶视图
3
漏
来源
门
1
2
N沟道MOSFET
订购信息
产品型号
CMT2N7002K
CMT2N7002KX*
包
SOT-23
SOT-23
*注意：
X：后缀为无卤产品
绝对最大额定值
等级
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
= 1.0M)
漏电流
－
连续
－
脉冲
栅极 - 源极电压
－
CONTINUE
－
不重复
总功耗
减免上述25 °
工作和存储温度范围
热阻
－
结到环境
最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从10秒
T
J
, T
英镑
θ
JA
T
L
符号
V
DSS
V
DGR
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
价值
60
60
115
800
±15
±15
225
1.8
-55到150
417
300
V
V
mW
毫瓦/ °
℃
℃/W
℃
单位
V
V
mA
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电气特性
除非另有规定，T
J
= 25℃.
特征
符号
民
CMT2N7002K
典型值
60
最大
单位
V
漏源击穿电压
(V
GS
= 0 V，I
D
= 10
μA)
漏极 - 源极漏电流
(V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V)
(V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125℃)
门源漏电流，正向（V
GSF
= 15 V)
门源漏电流，反向（V
GSF
= -15 V)
栅极阈值电压*
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μA)
通态漏电流（V
DS
≧
2.0 V
DS （ ON）
, V
GS
= 10V)
静态漏源导通电阻*
(V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5A)
(V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5A ，T
J
= 125℃)
(V
GS
= 5.0 V，I
D
= 50毫安）
(V
GS
= 5.0 V，I
D
= 50毫安，T
J
= 125℃)
漏源电压*
(V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5A)
(V
GS
= 5.0 V，I
D
= 50毫安）
正向跨导（V
DS
≧
2.0 V
DS （ ON）
, I
D
= 200毫安） *
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
(V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0兆赫）
(V
DD
= 25 V，I
D
= 500毫安，
V
根
= 10 V ，R
G
= 25, R
L
= 50) *
V
（ BR ） DSS
I
DSS
1.0
0.5
I
GSSF
I
GSSF
V
GS （ TH）
1.0
1.0
-1.0
2.5
μA
mA
μA
μA
V
I
D（上）
R
DS （ ON）
500
mA
7.5
13.5
7.5
13.5
V
DS （ ON）
3.75
0.375
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
D（关闭）
V
SD
I
S
I
SM
80
50
25
5.0
20
40
-1.5
-115
-800
V
毫姆欧
pF
pF
pF
ns
ns
V
mA
mA
二极管正向通态电压（ IS = 115 mA时， VGS = 0V）
源电流连续（体二极管）
源电流脉冲
*脉冲测试：脉冲宽度
≦300μs,
占空比
≦2%
2009/07/17
修订版1.1
冠军微电子公司
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CMT2N7002K
S
MALL
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IGNAL
MOSFET
重要通知
冠军微电子公司（ CMC）保留随时更改其产品或终止任何权
集成电路产品的通知或不通知的服务，并建议其客户获得相关信息的最新版本
验证，在下订单之前，该信息被依靠的电流。
使用集成电路产品的一些应用程序可能涉及死亡，人身伤害，或严重的财产或潜在风险
环境破坏。 CMC集成电路产品不是设计，设计，授权或担保能适用于
生命支持应用程序，设备或系统或其他关键应用程序使用。在这类应用中使用CMC产品是
应理解为完全在客户的风险。为了最小化与用户的应用程序相关联的风险，所述
客户应提供充分的设计与操作安全措施。
新竹总部
5楼， 11号，公园大道II ，
科学工业园区，
新竹市，台湾
T E L： + 886-3-567 9979
F A X： + 886-3-567 9909
销售&市场
21F 。 ，第96号，二段。 1 ，新泰5路，汐止市，
台北县22102 ，
台湾，中华民国
T E L： + 886-2-2696 3558
F A X： + 886-2-2696 3559
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