CMT2N7002
S
MALL
S
IGNAL
MOSFET
电气特性
除非另有规定，T
J
= 25℃.
特征
符号
民
CMT2N7002
典型值
最大
单位
V
漏源击穿电压
(V
GS
= 0 V，I
D
= 10
μA)
漏极 - 源极漏电流
(V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V)
(V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125℃)
门源漏电流，正向（V
GSF
= 20 V)
门源漏电流，反向（V
GSF
= -20 V)
栅极阈值电压*
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μA)
通态漏电流（V
DS
≧
2.0 V
DS （ ON）
, V
GS
= 10V)
静态漏源导通电阻*
(V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5A)
(V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5A ，T
J
= 125℃)
(V
GS
= 5.0 V，I
D
= 50毫安）
(V
GS
= 5.0 V，I
D
= 50毫安，T
J
= 125℃)
漏源电压*
(V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5A)
(V
GS
= 5.0 V，I
D
= 50毫安）
正向跨导（V
DS
≧
2.0 V
DS （ ON）
, I
D
= 200毫安） *
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
(V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0兆赫）
(V
DD
= 25 V，I
D
= 500毫安，
V
根
= 10 V ，R
G
= 25, R
L
= 50) *
V
（ BR ） DSS
60
I
DSS
1.0
0.5
I
GSSF
I
GSSF
V
GS （ TH）
1.0
100
-100
2.5
μA
mA
nA
nA
V
I
D（上）
R
DS （ ON）
500
mA
7.5
13.5
7.5
13.5
V
DS （ ON）
3.75
0.375
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
D（关闭）
V
SD
I
S
I
SM
80
50
25
5.0
20
40
-1.5
-115
-800
V
毫姆欧
pF
pF
pF
ns
ns
V
mA
mA
二极管正向通态电压（ IS = 115 mA时， VGS = 0V）
源电流连续（体二极管）
源电流脉冲
*脉冲测试：脉冲宽度
≦300μs,
占空比
≦2%
2009/07/17
修订版1.8
冠军微电子公司
第2页
台塑MS
电气特性
除非另有规定，T
J
= 25℃.
特征
漏源击穿电压
(V
GS
= 0 V，I
D
= 10
μA)
漏极 - 源极漏电流
(V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V)
(V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125℃)
门源漏电流，正向
门源漏电流，反向
栅极阈值电压*
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μA)
通态漏电流（V
DS
≧
2.0 V
DS （ ON）
, V
GS
= 10V)
静态漏源导通电阻*
(V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5A)
(V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5A ，T
C
= 125℃)
(V
GS
= 5.0 V，I
D
= 50毫安）
(V
GS
= 5.0 V，I
D
= 50毫安，T
C
= 125℃)
漏源电压*
(V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5A)
(V
GS
= 5.0 V，I
D
= 50毫安）
正向跨导（V
DS
≧
2.0 V
DS （ ON）
, I
D
= 200毫安） *
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
源电流连续（体二极管）
源电流脉冲
*脉冲测试：脉冲宽度
≦300s,
占空比
≦2%
(V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0兆赫）
(V
DD
= 25 V，I
D
= 500毫安，
V
根
= 10 V ，R
G
= 25, R
L
= 50) *
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
D（关闭）
V
SD
I
S
I
SM
V
DS （ ON）
I
D（上）
R
DS （ ON）
(V
GSF
= 20 V)
(V
GSF
= -20 V)
I
GSSF
I
GSSF
V
GS （ TH）
I
DSS
符号
V
（ BR ） DSS
CMT2N7002
S
MALL
S
IGNAL
MOSFET
CMT2N7002
民
60
典型值
最大
单位
V
1.0
0.5
100
-100
1.0
500
7.5
13.5
7.5
13.5
2.5
μA
mA
nA
nA
V
mA
V
3.75
0.375
80
50
25
5.0
20
40
-1.5
-115
-800
毫姆欧
pF
pF
pF
ns
ns
V
mA
mA
二极管正向通态电压（ IS = 115 mA时， VGS = 0V）
CMT2N7002
S
MALL
S
IGNAL
MOSFET
电气特性
除非另有规定，T
J
= 25℃.
CMT2N7002
特征
漏源击穿电压
(V
GS
= 0 V，I
D
= 10
μA)
漏极 - 源极漏电流
(V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V)
(V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125℃)
门源漏电流，正向（V
GSF
= 20 V)
门源漏电流，反向（V
GSF
= -20 V)
栅极阈值电压*
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μA)
通态漏电流（V
DS
≧
2.0 V
DS （ ON）
, V
GS
= 10V)
静态漏源导通电阻*
(V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5A)
(V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5A ，T
J
= 125℃)
(V
GS
= 5.0 V，I
D
= 50毫安）
(V
GS
= 5.0 V，I
D
= 50毫安，T
J
= 125℃)
漏源电压*
(V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5A)
(V
GS
= 5.0 V，I
D
= 50毫安）
正向跨导（V
DS
≧
2.0 V
DS （ ON）
, I
D
= 200毫安） *
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
(V
DD
= 25 V，I
D
= 500毫安，
V
根
= 10 V ，R
G
= 25, R
L
= 50) *
(V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0兆赫）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
D（关闭）
V
SD
I
S
I
SM
80
50
25
5.0
20
40
-1.5
-115
-800
V
DS （ ON）
3.75
0.375
毫姆欧
pF
pF
pF
ns
ns
V
mA
mA
V
R
DS （ ON）
7.5
13.5
7.5
13.5
V
GS （ TH）
I
D（上）
1.0
500
2.5
V
mA
I
GSSF
I
GSSF
I
DSS
1.0
0.5
100
-100
μA
mA
nA
nA
符号
民
V
（ BR ） DSS
60
典型值
最大
单位
V
二极管正向通态电压（ IS = 115 mA时， VGS = 0V）
源电流连续（体二极管）
源电流脉冲
*脉冲测试：脉冲宽度
≦300μs,
占空比
≦2%
2010/03/23
修订版1.9
冠军微电子公司
第2页
CMT2N7002
S
MALL
S
IGNAL
MOSFET
电气特性
除非另有规定，T
J
= 25℃.
CMT2N7002
特征
漏源击穿电压
(V
GS
= 0 V，I
D
= 10
μA)
漏极 - 源极漏电流
(V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V)
(V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125℃)
门源漏电流，正向（V
GSF
= 20 V)
门源漏电流，反向（V
GSF
= -20 V)
栅极阈值电压*
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μA)
通态漏电流（V
DS
≧
2.0 V
DS （ ON）
, V
GS
= 10V)
静态漏源导通电阻*
(V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5A)
(V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5A ，T
J
= 125℃)
(V
GS
= 5.0 V，I
D
= 50毫安）
(V
GS
= 5.0 V，I
D
= 50毫安，T
J
= 125℃)
漏源电压*
(V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5A)
(V
GS
= 5.0 V，I
D
= 50毫安）
正向跨导（V
DS
≧
2.0 V
DS （ ON）
, I
D
= 200毫安） *
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
(V
DD
= 25 V，I
D
= 500毫安，
V
根
= 10 V ，R
G
= 25, R
L
= 50) *
(V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0兆赫）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
D（关闭）
V
SD
I
S
I
SM
80
50
25
5.0
20
40
-1.5
-115
-800
V
DS （ ON）
3.75
0.375
毫姆欧
pF
pF
pF
ns
ns
V
mA
mA
V
R
DS （ ON）
7.5
13.5
7.5
13.5
V
GS （ TH）
I
D（上）
1.0
500
2.5
V
mA
I
GSSF
I
GSSF
I
DSS
1.0
0.5
100
-100
μA
mA
nA
nA
符号
民
V
（ BR ） DSS
60
典型值
最大
单位
V
二极管正向通态电压（ IS = 115 mA时， VGS = 0V）
源电流连续（体二极管）
源电流脉冲
*脉冲测试：脉冲宽度
≦300μs,
占空比
≦2%
2010/03/23
修订版1.9
冠军微电子公司
第2页
QQ：2881677436 复制
