【CMT2N7000SMALLSIGNALMOSFET概述这种N沟道增强型场效应晶体管生产采用高密度，】,IC型号CMT2N7000,CMT2N7000 PDF资料,CMT2N7000经销商,ic,电子元器件-51电子网

CMT2N7000

MALL

IGNAL

MOSFET

概述

这种N沟道增强型场效应晶体管

生产采用高密度， DMOS技术。这些

产品的目的是为了最大限度地减少通态

性，同时提供了坚固，可靠，快速切换

性能。它能够用于需要大多数应用中使用

高达200mA的DC ，并且可以提供脉冲电流高达

500mA的电流。此产品特别适用于低电压，

低电流的应用，如小的伺服电机控制，

功率MOSFET栅极驱动器，以及其它开关

应用程序。

特点

高密度电池设计低R

DS （ ON）

电压控制的小信号开关

坚固可靠

高饱和电流能力

引脚配置

TO-92

符号

顶视图

来源

漏

门

N沟道MOSFET

订购信息

产品型号

CMT2N7000

包

TO-92

绝对最大额定值

等级

漏源电压

漏，栅极电压（R

= 1.0M)

漏电流

－

连续

－

脉冲

栅极 - 源极电压

－

CONTINUE

－

不重复

总功耗

减免上述25 °

工作和存储温度范围

热阻

－

结到环境

最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从10秒

, T

英镑

符号

DSS

DGR

GSM

价值

200

500

±20

±40

350

2.8

-55到150

357

300

毫瓦/ °

℃

℃/W

℃

单位

2002/10/07

初步

1.0版

冠军微电子公司

第1页

CMT2N7000

MALL

IGNAL

MOSFET

电气特性

除非另有规定，T

= 25℃.

CMT2N7000

特征

漏源击穿电压

= 0 V，I

= 10

μA)

漏极 - 源极漏电流

= 48 V, V

= 0 V)

= 48 V, V

= 0 V ，T

= 125℃)

门源漏电流，正向

GSF

= 15 V, V

= 0 V)

栅极阈值电压*

= V

, I

= 1.0 mA）的

静态漏源导通电阻*

= 10 V，I

= 0.5A)

漏源电压*

= 10 V，I

= 0.5A)

通态漏电流*

= 5 V, V

= 10 V)

正向跨导（V

= 10 V，I

= 200毫安） *

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

打开-O FF延迟时间

= 25 V, V

= 0 V,

F = 1.0兆赫）

= 15 V，I

= 500毫安，

根

= 10 V ，R

= 25, R

= 30) *

符号

（ BR ） DSS

DSS

1.0

GSSF

GS （ TH）

DS （ ON）

5.0

DS （ ON）

2.5

D（上）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

100

5.0

毫姆欧

0.8

-10

3.0

μA

民

典型值

最大

单位

*脉冲测试：脉冲宽度

≦300s,

占空比

≦2%

2002/10/07

初步

1.0版

冠军微电子公司

第2页

CMT2N7000

MALL

IGNAL

MOSFET

典型电气特性

2002/10/07

初步

1.0版

冠军微电子公司

第3页

CMT2N7000

MALL

IGNAL

MOSFET

包装尺寸为

TO-92

θ1

2002/10/07

初步

1.0版

冠军微电子公司

θ1

第4页

CMT2N7000

MALL

IGNAL

MOSFET

重要通知

冠军微电子公司（ CMC）保留随时更改其产品或终止任何权

集成电路产品的通知或不通知的服务，并建议其客户获得相关信息的最新版本

验证，在下订单之前，该信息被依靠的电流。

使用集成电路产品的一些应用程序可能涉及死亡，人身伤害，或严重的财产或潜在风险

环境破坏。

CMC集成电路产品不是设计，设计，授权或担保能适用于

在这类应用中使用CMC产品是

为了最小化与用户的应用程序相关联的风险，所述

生命支持应用程序，设备或系统或其他关键应用程序使用。

应理解为完全在客户的风险。

客户应提供充分的设计与操作安全措施。

新竹总部

5楼， 11号，公园大道II ，

科学工业园区，

新竹市，台湾

T E L： + 886-3-567 9979

F A X： + 886-3-567 9909

销售&市场

11F ， 306-3号，美国证券交易委员会。 1 ，大同路，

汐止，台北县221 ，台湾

T E L： + 886-2-8692 1591

F A X： + 886-2-8692 1596

2002/10/07

初步

1.0版

冠军微电子公司

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概述

这种N沟道增强型场效应晶体管

生产采用高密度， DMOS技术。这些

产品的目的是为了最大限度地减少通态

性，同时提供了坚固，可靠，快速切换

性能。它能够用于需要大多数应用中使用

高达200mA的DC ，并且可以提供脉冲电流高达

500mA的电流。此产品特别适用于低电压，

低电流的应用，如小的伺服电机控制，

功率MOSFET栅极驱动器，以及其它开关

应用程序。

特点

高密度电池设计低R

DS （ ON）

电压控制的小信号开关

坚固可靠

高饱和电流能力

引脚配置

TO-92

符号

顶视图

来源

漏

门

N沟道MOSFET

订购信息

产品型号

CMT2N7000

包

TO-92

绝对最大额定值

等级

漏源电压

漏，栅极电压（R

= 1.0M)

漏电流

－

连续

－

脉冲

栅极 - 源极电压

－

CONTINUE

－

不重复

总功耗

减免上述25 °

工作和存储温度范围

热阻

－

结到环境

最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从10秒

, T

英镑

符号

DSS

DGR

GSM

价值

200

500

±20

±40

350

2.8

-55到150

357

300

毫瓦/ °

℃

℃/W

℃

单位

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电气特性

除非另有规定，T

= 25℃.

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特征

漏源击穿电压

= 0 V，I

= 10

μA)

漏极 - 源极漏电流

= 48 V, V

= 0 V)

= 48 V, V

= 0 V ，T

= 125℃)

门源漏电流，正向

GSF

= 15 V, V

= 0 V)

栅极阈值电压*

= V

, I

= 1.0 mA）的

静态漏源导通电阻*

= 10 V，I

= 0.5A)

漏源电压*

= 10 V，I

= 0.5A)

通态漏电流*

= 5 V, V

= 10 V)

正向跨导（V

= 10 V，I

= 200毫安） *

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

打开-O FF延迟时间

= 25 V, V

= 0 V,

F = 1.0兆赫）

= 15 V，I

= 500毫安，

根

= 10 V ，R

= 25, R

= 30) *

符号

（ BR ） DSS

DSS

1.0

GSSF

GS （ TH）

DS （ ON）

5.0

DS （ ON）

2.5

D（上）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

100

5.0

毫姆欧

0.8

-10

3.0

μA

民

典型值

最大

单位

*脉冲测试：脉冲宽度

≦300s,

占空比

≦2%

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初步

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冠军微电子公司

第2页

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MOSFET

典型电气特性

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初步

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包装尺寸为

TO-92

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冠军微电子公司

θ1

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MOSFET

重要通知

冠军微电子公司（ CMC）保留随时更改其产品或终止任何权

集成电路产品的通知或不通知的服务，并建议其客户获得相关信息的最新版本

验证，在下订单之前，该信息被依靠的电流。

使用集成电路产品的一些应用程序可能涉及死亡，人身伤害，或严重的财产或潜在风险

环境破坏。

CMC集成电路产品不是设计，设计，授权或担保能适用于

在这类应用中使用CMC产品是

为了最小化与用户的应用程序相关联的风险，所述

生命支持应用程序，设备或系统或其他关键应用程序使用。

应理解为完全在客户的风险。

客户应提供充分的设计与操作安全措施。

新竹总部

5楼， 11号，公园大道II ，

科学工业园区，

新竹市，台湾

T E L： + 886-3-567 9979

F A X： + 886-3-567 9909

销售&市场

11F ， 306-3号，美国证券交易委员会。 1 ，大同路，

汐止，台北县221 ，台湾

T E L： + 886-2-8692 1591

F A X： + 886-2-8692 1596

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初步

1.0版

冠军微电子公司

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