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CMT2301
P-C
HANNEL
E
NHANCEMENT
M
ODE
M
OSFET
概述
在CMT2301是P沟道逻辑增强模式
功率场效应晶体管都采用高细胞产生
密度， DMOS沟道技术。
这种高密度的工艺特别是针对减少
通态电阻。
这些装置特别适用于低电压
应用诸如蜂窝电话和笔记本电脑
功率管理和其它电池供电的电路，并且
都需要在一个非常小外形低线的功率损耗
表面贴装封装。
特点
-20V / -2.3A ，R
DS （ ON）
= 130 mΩ@VGS=-4.5V
-20V / -1.9A ，R
DS （ ON）
= 190 mΩ@VGS=-2.5V
超高密度电池设计极低R
DS （ ON）
呈导通电阻和最大直流电流
能力
SOT- 23-3封装设计
应用
在笔记本电脑的电源管理
便携式设备
电池供电系统
DC / DC转换器
负荷开关
DSC
液晶显示器逆变器
引脚配置
SOT-23-3
符号
D
顶视图
3
G
漏
来源
门
S
1
2
P沟道MOSFET
订购信息
产品型号
CMT2301M233
CMT2301GM233*
*注意：
G：后缀为无铅产品
包
SOT-23-3
SOT-23-3
2005/01/05
冠军微电子公司
第1页
CMT2301
P-C
HANNEL
E
NHANCEMENT
M
ODE
M
OSFET
绝对最大额定值
等级
漏极到源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流（T
J
=150℃)
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
功耗
工作结温
存储温度范围
热阻，结到环境
T
A
=25℃
T
A
=70℃
T
A
=25℃
T
A
=70℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
T
英镑
R
θJA
价值
-20
±8
-2.5
-1.5
-10
-1.6
1.25
0.8
150
-55/150
120
单位
V
V
A
A
A
W
℃
℃
℃/W
电气特性
除非另有规定，T
J
= 25℃.
CMT2301
特征
STATIC
漏源击穿电压
(V
GS
= 0 V，I
D
= -250μA)
栅极阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
= -250μA)
栅极漏电流
(V
DS
=0 V, V
GS
=
±
8 V)
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= -20 V, V
GS
= 0 V)
(V
DS
= -20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55℃)
通态漏电流
(V
DS
≤
-5 V, V
GS
= -4.5V)
(V
DS
≤
-5 V, V
GS
= -2.5V)
I
D（上）
-6
-3
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
tr
t
D（关闭）
tf
Q
g
Q
gs
Q
gd
0.105
0.145
6.5
-0.8
415
223
87
13
36
42
34
5.8
0.85
1.7
25
60
70
60
10
nC
ns
pF
-1.2
0.13
0.19
I
DSS
-1
-10
A
μA
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
-20
-0.45
-1.5
V
V
nA
符号
民
典型值
最大
单位
±
100
漏源导通电阻
(V
GS
= -4.5 V，I
D
= -2.8A)
(V
GS
= -2.5 V，I
D
= -2.0A)
正向跨导（V
DS
= -5 V，I
D
= -2.8V)
二极管的正向电压（I
S
=-1.6A,V
GS
=0V)
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
(V
DS
= -6 V, V
GS
=-0V,
F = 1.0兆赫）
(V
DD
= -6 V ，R
L
=6
I
D
= -1.0 A，V
根
= -4.5 V,
R
G
= 6)
(V
DS
= -6 V，I
D
= -2.8 A,
V
GS
=-4.5V)
S
V
2005/01/05
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特征
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特征
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ODE
M
OSFET
概述
在CMT2301是P沟道逻辑增强模式
功率场效应晶体管都采用高细胞产生
密度， DMOS沟道技术。
这种高密度的工艺特别是针对减少
通态电阻。
这些装置特别适用于低电压
应用诸如蜂窝电话和笔记本电脑
功率管理和其它电池供电的电路，并且
都需要在一个非常小外形低线的功率损耗
表面贴装封装。
特点
-20V / -2.3A ，R
DS （ ON）
= 130 mΩ@VGS=-4.5V
-20V / -1.9A ，R
DS （ ON）
= 190 mΩ@VGS=-2.5V
超高密度电池设计极低R
DS （ ON）
呈导通电阻和最大直流电流
能力
SOT- 23-3封装设计
应用
在笔记本电脑的电源管理
便携式设备
电池供电系统
DC / DC转换器
负荷开关
DSC
液晶显示器逆变器
引脚配置
SOT-23-3
符号
D
顶视图
3
G
漏
来源
门
S
1
2
P沟道MOSFET
订购信息
产品型号
CMT2301M233
CMT2301GM233*
*注意：
G：后缀为无铅产品
包
SOT-23-3
SOT-23-3
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冠军微电子公司
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P-C
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NHANCEMENT
M
ODE
M
OSFET
绝对最大额定值
等级
漏极到源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流（T
J
=150℃)
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
功耗
工作结温
存储温度范围
热阻，结到环境
T
A
=25℃
T
A
=70℃
T
A
=25℃
T
A
=70℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
T
英镑
R
θJA
价值
-20
±8
-2.5
-1.5
-10
-1.6
1.25
0.8
150
-55/150
120
单位
V
V
A
A
A
W
℃
℃
℃/W
电气特性
除非另有规定，T
J
= 25℃.
CMT2301
特征
STATIC
漏源击穿电压
(V
GS
= 0 V，I
D
= -250μA)
栅极阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
= -250μA)
栅极漏电流
(V
DS
=0 V, V
GS
=
±
8 V)
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= -20 V, V
GS
= 0 V)
(V
DS
= -20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55℃)
通态漏电流
(V
DS
≤
-5 V, V
GS
= -4.5V)
I
D（上）
-6
-3
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
tr
t
D（关闭）
tf
Q
g
Q
gs
Q
gd
0.105
0.145
6.5
-0.8
415
223
87
13
36
42
34
5.8
0.85
1.7
25
60
70
60
10
nC
ns
pF
-1.2
0.13
0.19
I
DSS
-1
-10
A
μA
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
-20
-0.45
-1.5
V
V
nA
符号
民
典型值
最大
单位
±
100
(V
DS
≤
-5 V, V
GS
= -2.5V)
漏源导通电阻
(V
GS
= -4.5 V，I
D
= -2.8A)
(V
GS
= -2.5 V，I
D
= -2.0A)
正向跨导（V
DS
= -5 V，I
D
= -2.8V)
二极管的正向电压（I
S
=-1.6A,V
GS
=0V)
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
(V
DS
= -6 V, V
GS
=-0V,
F = 1.0兆赫）
(V
DD
= -6 V ，R
L
=6
I
D
= -1.0 A，V
根
= -4.5 V,
R
G
= 6)
(V
DS
= -6 V，I
D
= -2.8 A,
V
GS
=-4.5V)
S
V
2006/10/11 Rev1.2
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特征
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概述
在CMT2301是P沟道逻辑增强模式
功率场效应晶体管都采用高细胞产生
密度， DMOS沟道技术。
这种高密度的工艺特别是针对减少
通态电阻。
这些装置特别适用于低电压
应用诸如蜂窝电话和笔记本电脑
功率管理和其它电池供电的电路，并且
都需要在一个非常小外形低线的功率损耗
表面贴装封装。
特点
-20V / -2.3A ，R
DS （ ON）
= 130 mΩ@VGS=-4.5V
-20V / -1.9A ，R
DS （ ON）
= 190 mΩ@VGS=-2.5V
超高密度电池设计极低R
DS （ ON）
呈导通电阻和最大直流电流
能力
SOT- 23-3封装设计
应用
在笔记本电脑的电源管理
便携式设备
电池供电系统
DC / DC转换器
负荷开关
DSC
液晶显示器逆变器
引脚配置
SOT-23-3
符号
D
顶视图
3
G
漏
来源
门
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1
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P沟道MOSFET
订购信息
产品型号
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G：后缀为无铅产品
包
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绝对最大额定值
等级
漏极到源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流（T
J
=150℃)
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
功耗
工作结温
存储温度范围
热阻，结到环境
T
A
=25℃
T
A
=70℃
T
A
=25℃
T
A
=70℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
S
P
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T
J
T
英镑
R
θJA
价值
-20
±8
-2.5
-1.5
-10
-1.6
1.25
0.8
150
-55/150
120
单位
V
V
A
A
A
W
℃
℃
℃/W
电气特性
除非另有规定，T
J
= 25℃.
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特征
STATIC
漏源击穿电压
(V
GS
= 0 V，I
D
= -250μA)
栅极阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
= -250μA)
栅极漏电流
(V
DS
=0 V, V
GS
=
±
8 V)
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= -20 V, V
GS
= 0 V)
(V
DS
= -20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55℃)
通态漏电流
(V
DS
≤
-5 V, V
GS
= -4.5V)
(V
DS
≤
-5 V, V
GS
= -2.5V)
I
D（上）
-6
-3
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
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D（上）
tr
t
D（关闭）
tf
Q
g
Q
gs
Q
gd
0.105
0.145
6.5
-0.8
415
223
87
13
36
42
34
5.8
0.85
1.7
25
60
70
60
10
nC
ns
pF
-1.2
0.13
0.19
I
DSS
-1
-10
A
μA
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
-20
-0.45
-1.5
V
V
nA
符号
民
典型值
最大
单位
±
100
漏源导通电阻
(V
GS
= -4.5 V，I
D
= -2.8A)
(V
GS
= -2.5 V，I
D
= -2.0A)
正向跨导（V
DS
= -5 V，I
D
= -2.8V)
二极管的正向电压（I
S
=-1.6A,V
GS
=0V)
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
(V
DS
= -6 V, V
GS
=-0V,
F = 1.0兆赫）
(V
DD
= -6 V ，R
L
=6
I
D
= -1.0 A，V
根
= -4.5 V,
R
G
= 6)
(V
DS
= -6 V，I
D
= -2.8 A,
V
GS
=-4.5V)
S
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CTA91AS24VDC10A
CB2ZLU4315533290653
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CDBU0230-HF
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CTGS73-470K
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CAT24C022PA-42TE13
C124G102D1CX5CM
CAT28C64ANI-20
CAT25C64P
CT1102V6.35F100C02
C-311G
COP8SGR8VEJ6
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