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CMT14N50
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OWER
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屈服
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ffect
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RANSISTOR
概述
这种高电压MOSFET采用先进的终止
方案以提供增强的电压阻断能力
在不降低性能随着时间的推移。另外，该
先进的MOSFET被设计成能承受高能量的
雪崩和减刑模式。新能源
高效的设计还提供了一个漏极至源极二极管用
快速恢复时间。专为高电压，高转速
电源供应器，转换器，开关和应用
PWM电机控制，这些设备是特别好
适用于桥式电路中的二极管速度和
换向安全工作区域是至关重要的，并提供
针对突发的额外电压和安全边际
瞬变。
!
!
特点
!
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强大的高压端子
较高的雪崩能量
源极到漏极二极管恢复时间等同于
离散快速恢复二极管
二极管电桥电路的特点是使用
I
DSS
和V
DS
（上）指定高温
引脚配置
TO-3P
顶视图
符号
D
摹吃
SO URCE
漏
G
S
1
2
3
N沟道MOSFET
绝对最大额定值
等级
漏电流
－
连续
－
脉冲
栅极 - 源极电压
－
CONTINUE
－
不重复
总功耗
减免上述25 °
工作和存储温度范围
单脉冲漏极至源雪崩能源
－
T
J
= 25℃
(V
DD
= 100V, V
GS
= 10V ，我
L
= 14A ，L = 6mH中，R
G
= 25)
热阻
－
结到外壳
－
结到环境
最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从10秒
θ
JC
θ
JA
T
L
0.65
40
260
℃
℃/W
T
J
, T
英镑
E
AS
符号
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
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价值
14
56
±20
±40
190
1.5
-55到150
588
V
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W/℃
℃
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单位
A
2002/12/18
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冠军微电子公司
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CMT14N50
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订购信息
产品型号
CMT14N50N3P
包
TO-3P
电气特性
除非另有规定，T
J
= 25℃.
CMT14N50
特征
漏源击穿电压
(V
GS
= 0 V，I
D
= 250
μA)
漏极 - 源极漏电流
(V
DS
= 500 V, V
GS
= 0 V)
(V
DS
= 400 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125℃)
门源漏电流，正向
(V
GSF
= 20 V, V
DS
= 0 V)
门源漏电流，反向
(V
GSR
= 20 V, V
DS
= 0 V)
栅极阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μA)
静态漏源导通电阻（V
GS
= 10 V，I
D
= 8.4A) *
漏源电压（V
GS
= 10 V)
(I
D
= 14 A)
正向跨导（V
DS
= 50 V，I
D
= 8.4A) *
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
(V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0兆赫）
(V
DD
= 250 V，I
D
= 14 A,
R
D
= 17,
R
G
= 6.2) *
(V
DS
= 400 V，I
D
= 14 A,
V
GS
= 10 V)*
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
25
250
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
V
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
L
D
L
S
5.0
13
9.3
2038
307
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64
16
26
2.0
100
100
4.0
0.4
7.5
nA
nA
V
V
姆欧
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nH
nH
民
500
典型值
最大
单位
V
A
内部排水电感
（从漏测铅0.25“从包到模具的中心）
内部排水电感
（测量从源铅0.25 “从包装到源焊盘）
源极 - 漏极二极管的特性
正向导通电压（ 1）
向前开启时间
反向恢复时间
(I
S
= 14 A，V
GS
= 0 V,
d
IS
/d
t
= 100A / μs）内
V
SD
t
on
t
rr
**
487
1.5
731
V
ns
ns
*脉冲测试：脉冲宽度
≦300s,
占空比
≦2%
**忽略不计，占主导地位的电路中电感
2002/12/18
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典型电气特性
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概述
这种高电压MOSFET采用先进的终止
方案以提供增强的电压阻断能力
在不降低性能随着时间的推移。另外，该
先进的MOSFET被设计成能承受高能量的
雪崩和减刑模式。新能源
高效的设计还提供了一个漏极至源极二极管用
快速恢复时间。专为高电压，高转速
电源供应器，转换器，开关和应用
PWM电机控制，这些设备是特别好
适用于桥式电路中的二极管速度和
换向安全工作区域是至关重要的，并提供
针对突发的额外电压和安全边际
瞬变。
特点
强大的高压端子
较高的雪崩能量
源极到漏极二极管恢复时间等同于
离散快速恢复二极管
二极管电桥电路的特点是使用
I
DSS
和V
DS
（上）指定高温
引脚配置
TO-3P
顶视图
符号
D
门
来源
漏
G
S
1
2
3
N沟道MOSFET
绝对最大额定值
等级
漏电流
－
连续
－
脉冲
栅极 - 源极电压
－
CONTINUE
－
不重复
总功耗
减免上述25 °
工作和存储温度范围
单脉冲漏极至源雪崩能源
－
T
J
= 25℃
(V
DD
= 100V, V
GS
= 10V ，我
L
= 14A ，L = 6mH中，R
G
= 25)
热阻
－
结到外壳
－
结到环境
最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从10秒
θ
JC
θ
JA
T
L
0.65
40
260
℃
℃/W
T
J
, T
英镑
E
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符号
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
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价值
14
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产品型号
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包
TO-3P
电气特性
除非另有规定，T
J
= 25℃.
CMT14N50
特征
漏源击穿电压
(V
GS
= 0 V，I
D
= 250
μA)
漏极 - 源极漏电流
(V
DS
= 500 V, V
GS
= 0 V)
(V
DS
= 400 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125℃)
门源漏电流，正向
(V
GSF
= 20 V, V
DS
= 0 V)
门源漏电流，反向
(V
GSR
= 20 V, V
DS
= 0 V)
栅极阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μA)
静态漏源导通电阻（V
GS
= 10 V，I
D
= 8.4A) *
漏源电压（V
GS
= 10 V)
(I
D
= 14 A)
正向跨导（V
DS
= 50 V，I
D
= 8.4A) *
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
内部排水电感
（从漏测铅0.25“从包到模具的中心）
内部排水电感
（测量从源铅0.25 “从包装到源焊盘）
源极 - 漏极二极管的特性
正向导通电压（ 1）
向前开启时间
反向恢复时间
(I
S
= 14 A，V
GS
= 0 V,
d
IS
/d
t
= 100A / μs）内
V
SD
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(V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0兆赫）
(V
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= 250 V，I
D
= 14 A,
R
D
= 17,
R
G
= 6.2) *
(V
DS
= 400 V，I
D
= 14 A,
V
GS
= 10 V)*
g
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国际空间站
C
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D（上）
t
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D（关闭）
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DS （ ON）
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DS （ ON）
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GS （ TH）
2.0
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I
GSSR
100
nA
I
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I
DSS
25
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符号
V
（ BR ） DSS
民
500
典型值
最大
单位
V
*脉冲测试：脉冲宽度
≦300s,
占空比
≦2%
**忽略不计，占主导地位的电路中电感
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CT11029.5F160C01
CA3183AM96
CAT28C64BGA-90T
CTMC1210F-R033M
COP8SGE040L6
CYBUS3384SOC
CX1210MKNP00BB1
CS5397
C0603C103D4UAC
C0603C103P4VAC
CYIA2SC0300AA-BQE
CTCDRH73-100M
供货商
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厂家
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联系人：何小姐
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