【CMT14N50POWERF屈服EffectTRANSISTOR概述这种高电压MOSFET采用先进的】,IC型号CMT14N50,CMT14N50 PDF资料,CMT14N50经销商,ic,电子元器件-51电子网

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CMT14N50

P

OWER

F

屈服

E

ffect

T

RANSISTOR

概述

这种高电压MOSFET采用先进的终止

方案以提供增强的电压阻断能力

在不降低性能随着时间的推移。另外，该

先进的MOSFET被设计成能承受高能量的

雪崩和减刑模式。新能源

高效的设计还提供了一个漏极至源极二极管用

快速恢复时间。专为高电压，高转速

电源供应器，转换器，开关和应用

PWM电机控制，这些设备是特别好

适用于桥式电路中的二极管速度和

换向安全工作区域是至关重要的，并提供

针对突发的额外电压和安全边际

瞬变。

!

!

特点

!

!

!

强大的高压端子

较高的雪崩能量

源极到漏极二极管恢复时间等同于

离散快速恢复二极管

二极管电桥电路的特点是使用

I

DSS

和V

DS

（上）指定高温

引脚配置

TO-3P

顶视图

符号

D

摹吃

SO URCE

漏

G

S

1

2

3

N沟道MOSFET

绝对最大额定值

等级

漏电流

－

连续

－

脉冲

栅极 - 源极电压

－

CONTINUE

－

不重复

总功耗

减免上述25 °

工作和存储温度范围

单脉冲漏极至源雪崩能源

－

T

J

= 25℃

(V

DD

= 100V, V

GS

= 10V ，我

L

= 14A ，L = 6mH中，R

G

= 25)

热阻

－

结到外壳

－

结到环境

最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从10秒

θ

JC

θ

JA

T

L

0.65

40

260

℃

℃/W

T

J

, T

英镑

E

AS

符号

I

D

I

DM

V

GS

V

GSM

P

D

价值

14

56

±20

±40

190

1.5

-55到150

588

V

V

W

W/℃

℃

mJ

单位

A

2002/12/18

初步

冠军微电子公司

第1页

CMT14N50

P

OWER

F

屈服

E

ffect

T

RANSISTOR

订购信息

产品型号

CMT14N50N3P

包

TO-3P

电气特性

除非另有规定，T

J

= 25℃.

CMT14N50

特征

漏源击穿电压

(V

GS

= 0 V，I

D

= 250

μA)

漏极 - 源极漏电流

(V

DS

= 500 V, V

GS

= 0 V)

(V

DS

= 400 V, V

GS

= 0 V ，T

J

= 125℃)

门源漏电流，正向

(V

GSF

= 20 V, V

DS

= 0 V)

门源漏电流，反向

(V

GSR

= 20 V, V

DS

= 0 V)

栅极阈值电压

(V

DS

= V

GS

, I

D

= 250

μA)

静态漏源导通电阻（V

GS

= 10 V，I

D

= 8.4A) *

漏源电压（V

GS

= 10 V)

(I

D

= 14 A)

正向跨导（V

DS

= 50 V，I

D

= 8.4A) *

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

(V

DS

= 25 V, V

GS

= 0 V,

F = 1.0兆赫）

(V

DD

= 250 V，I

D

= 14 A,

R

D

= 17,

R

G

= 6.2) *

(V

DS

= 400 V，I

D

= 14 A,

V

GS

= 10 V)*

符号

V

（ BR ） DSS

I

DSS

25

250

I

GSSF

I

GSSR

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

V

DS （ ON）

g

FS

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

L

D

L

S

5.0

13

9.3

2038

307

10

15

36

35

29

64

16

26

2.0

100

100

4.0

0.4

7.5

nA

nA

V

V

姆欧

pF

pF

pF

ns

ns

ns

ns

nC

nC

nC

nH

nH

民

500

典型值

最大

单位

V

A

内部排水电感

（从漏测铅0.25“从包到模具的中心）

内部排水电感

（测量从源铅0.25 “从包装到源焊盘）

源极 - 漏极二极管的特性

正向导通电压（ 1）

向前开启时间

反向恢复时间

(I

S

= 14 A，V

GS

= 0 V,

d

IS

/d

t

= 100A / μs）内

V

SD

t

on

t

rr

**

487

1.5

731

V

ns

ns

*脉冲测试：脉冲宽度

≦300s,

占空比

≦2%

**忽略不计，占主导地位的电路中电感

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E

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典型电气特性

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概述

这种高电压MOSFET采用先进的终止

方案以提供增强的电压阻断能力

在不降低性能随着时间的推移。另外，该

先进的MOSFET被设计成能承受高能量的

雪崩和减刑模式。新能源

高效的设计还提供了一个漏极至源极二极管用

快速恢复时间。专为高电压，高转速

电源供应器，转换器，开关和应用

PWM电机控制，这些设备是特别好

适用于桥式电路中的二极管速度和

换向安全工作区域是至关重要的，并提供

针对突发的额外电压和安全边际

瞬变。

特点

强大的高压端子

较高的雪崩能量

源极到漏极二极管恢复时间等同于

离散快速恢复二极管

二极管电桥电路的特点是使用

I

DSS

和V

DS

（上）指定高温

引脚配置

TO-3P

顶视图

符号

D

门

来源

漏

G

S

1

2

3

N沟道MOSFET

绝对最大额定值

等级

漏电流

－

连续

－

脉冲

栅极 - 源极电压

－

CONTINUE

－

不重复

总功耗

减免上述25 °

工作和存储温度范围

单脉冲漏极至源雪崩能源

－

T

J

= 25℃

(V

DD

= 100V, V

GS

= 10V ，我

L

= 14A ，L = 6mH中，R

G

= 25)

热阻

－

结到外壳

－

结到环境

最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从10秒

θ

JC

θ

JA

T

L

0.65

40

260

℃

℃/W

T

J

, T

英镑

E

AS

符号

I

D

I

DM

V

GS

V

GSM

P

D

价值

14

56

±20

±40

190

1.5

-55到150

588

V

V

W

W/℃

℃

mJ

单位

A

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订购信息

产品型号

CMT14N50N3P

包

TO-3P

电气特性

除非另有规定，T

J

= 25℃.

CMT14N50

特征

漏源击穿电压

(V

GS

= 0 V，I

D

= 250

μA)

漏极 - 源极漏电流

(V

DS

= 500 V, V

GS

= 0 V)

(V

DS

= 400 V, V

GS

= 0 V ，T

J

= 125℃)

门源漏电流，正向

(V

GSF

= 20 V, V

DS

= 0 V)

门源漏电流，反向

(V

GSR

= 20 V, V

DS

= 0 V)

栅极阈值电压

(V

DS

= V

GS

, I

D

= 250

μA)

静态漏源导通电阻（V

GS

= 10 V，I

D

= 8.4A) *

漏源电压（V

GS

= 10 V)

(I

D

= 14 A)

正向跨导（V

DS

= 50 V，I

D

= 8.4A) *

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

内部排水电感

（从漏测铅0.25“从包到模具的中心）

内部排水电感

（测量从源铅0.25 “从包装到源焊盘）

源极 - 漏极二极管的特性

正向导通电压（ 1）

向前开启时间

反向恢复时间

(I

S

= 14 A，V

GS

= 0 V,

d

IS

/d

t

= 100A / μs）内

V

SD

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**

487

731

1.5

V

ns

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L

S

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nH

(V

DS

= 25 V, V

GS

= 0 V,

F = 1.0兆赫）

(V

DD

= 250 V，I

D

= 14 A,

R

D

= 17,

R

G

= 6.2) *

(V

DS

= 400 V，I

D

= 14 A,

V

GS

= 10 V)*

g

FS

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

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D（关闭）

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g

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L

D

5.0

9.3

2038

307

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15

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29

64

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姆欧

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ns

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nC

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R

DS （ ON）

V

DS （ ON）

0.4

7.5

V

V

GS （ TH）

2.0

4.0

V

I

GSSR

100

nA

I

GSSF

I

DSS

25

250

100

nA

A

符号

V

（ BR ） DSS

民

500

典型值

最大

单位

V

*脉冲测试：脉冲宽度

≦300s,

占空比

≦2%

**忽略不计，占主导地位的电路中电感

2002/12/18

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E

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典型电气特性

2002/12/18

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屈服

E

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2002/12/18

冠军微电子公司

第4页

CMT14N50

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E

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2002/12/18

冠军微电子公司

第5页

CMT14N50

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F

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T

RANSISTOR

概述

这种高电压MOSFET采用先进的终止

方案以提供增强的电压阻断能力

在不降低性能随着时间的推移。另外，该

先进的MOSFET被设计成能承受高能量的

雪崩和减刑模式。新能源

高效的设计还提供了一个漏极至源极二极管用

快速恢复时间。专为高电压，高转速

电源供应器，转换器，开关和应用

PWM电机控制，这些设备是特别好

合适的

为

桥

电路

哪里

二极管

速度

和

换向安全工作区域是至关重要的，并提供

针对突发的额外电压和安全边际

瞬变。

特点

强大的高压端子

较高的雪崩能量

源极到漏极二极管恢复时间等同于

离散快速恢复二极管

二极管电桥电路的特点是使用

I

DSS

和V

DS

（上）指定高温

引脚配置

TO-220FP

顶视图

符号

D

来源

门

漏

G

S

N沟道MOSFET

1

2

3

绝对最大额定值

等级

漏电流

－

连续

－

脉冲

栅极 - 源极电压

－

CONTINUE

－

不重复

总功耗

减免上述25 °

工作和存储温度范围

单脉冲漏极至源雪崩能源

－

T

J

= 25℃

(V

DD

= 100V, V

GS

= 10V ，我

L

= 14A ，L = 6mH中，R

G

= 25)

热阻

－

结到外壳

－

结到环境

最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从10秒

θ

JC

θ

JA

T

L

3.6

62.5

260

℃

℃/W

T

J

, T

英镑

E

AS

符号

I

D

I

DM

V

GS

V

GSM

P

D

价值

14

56

±30

±40

35

0.28

-55到150

588

V

V

W

W/℃

℃

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单位

A

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订购信息

产品型号

CMT14N50GN220FP*

包

TO- 220封装完整

*注意：

G：后缀为无铅产品

电气特性

除非另有规定，T

J

= 25℃.

CMT14N50

典型值

特征

漏源击穿电压

(V

GS

= 0 V，I

D

= 250

μA)

漏极 - 源极漏电流

(V

DS

= 500 V, V

GS

= 0 V)

(V

DS

= 400 V, V

GS

= 0 V ，T

J

= 125℃)

门源漏电流，正向

(V

GSF

= 30 V, V

DS

= 0 V)

门源漏电流，反向

(V

GSR

= -30 V, V

DS

= 0 V)

栅极阈值电压

(V

DS

= V

GS

, I

D

= 250

μA)

静态漏源导通电阻（V

GS

= 10 V，I

D

= 7A) *

漏源电压（V

GS

= 10 V)

(I

D

= 7 A)

正向跨导（V

DS

= 50 V，I

D

= 8.4A) *

输入电容

(V

DS

= 25 V, V

GS

= 0 V,

输出电容

F = 1.0兆赫）

反向传输电容

导通延迟时间

(V

DD

= 250 V，I

D

= 7 A,

上升时间

R

D

= 17,

打开-O FF延迟时间

R

G

= 6.2) *

下降时间

总栅极电荷

(V

DS

= 400 V，I

D

= 7 A,

栅极 - 源电荷

V

GS

= 10 V)*

栅极 - 漏极电荷

内部排水电感

（从漏测铅0.25“从包到模具的中心）

内部排水电感

（测量从源铅0.25 “从包装到源债券

垫）

源极 - 漏极二极管的特性

正向导通电压（ 1）

(I

S

= 7 A，V

GS

= 0 V,

向前开启时间

d

IS

/d

t

= 100A / μs）内

反向恢复时间

*

脉冲测试：脉冲宽度

≦300μs,

占空比

≦2%

符号

V

（ BR ） DSS

I

DSS

民

500

最大

单位

V

μA

I

GSSF

I

GSSR

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

V

DS （ ON）

g

FS

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

L

D

L

S

9.3

2038

307

10

15

36

35

29

2.0

1

3

100

100

4.0

0.34

7.5

nA

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V

V

姆欧

pF

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ns

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64

16

26

5.0

13

nC

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nH

nH

V

SD

t

on

t

rr

1.5

**

487

731

V

ns

ns

**忽略不计，占主导地位的电路中电感

2009年7月17日Rev1.2

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P

OWER

F

屈服

E

ffect

T

RANSISTOR

典型电气特性

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F

屈服

E

ffect

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CMT14N50

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F

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E

ffect

T

RANSISTOR

概述

这种高电压MOSFET采用先进的终止

方案以提供增强的电压阻断能力

在不降低性能随着时间的推移。另外，该

先进的MOSFET被设计成能承受高能量的

雪崩和减刑模式。新能源

高效的设计还提供了一个漏极至源极二极管用

快速恢复时间。专为高电压，高转速

电源供应器，转换器，开关和应用

PWM电机控制，这些设备是特别好

合适的

为

桥

电路

哪里

二极管

速度

和

换向安全工作区域是至关重要的，并提供

针对突发的额外电压和安全边际

瞬变。

特点

强大的高压端子

较高的雪崩能量

源极到漏极二极管恢复时间等同于

离散快速恢复二极管

二极管电桥电路的特点是使用

I

DSS

和V

DS

（上）指定高温

引脚配置

TO-220F

顶视图

符号

D

来源

门

漏

G

S

N沟道MOSFET

1

2

3

绝对最大额定值

等级

漏电流

－

连续

－

脉冲

栅极 - 源极电压

－

CONTINUE

－

不重复

总功耗

减免上述25 °

工作和存储温度范围

单脉冲漏极至源雪崩能源

－

T

J

= 25℃

(V

DD

= 100V, V

GS

= 10V ，我

L

= 14A ，L = 6mH中，R

G

= 25)

热阻

－

结到外壳

－

结到环境

最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从10秒

θ

JC

θ

JA

T

L

3.6

62.5

260

℃

℃/W

T

J

, T

英镑

E

AS

符号

I

D

I

DM

V

GS

V

GSM

P

D

价值

14

56

±30

±40

35

0.28

-55到150

588

V

V

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W/℃

℃

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单位

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订购信息

产品型号

CMT14N50GN220F*

*注意：

G：后缀为无铅产品

包

TO-220F

电气特性

除非另有规定，T

J

= 25℃.

CMT14N50

典型值

特征

漏源击穿电压

(V

GS

= 0 V，I

D

= 250

μA)

漏极 - 源极漏电流

(V

DS

= 500 V, V

GS

= 0 V)

(V

DS

= 400 V, V

GS

= 0 V ，T

J

= 125℃)

门源漏电流，正向

(V

GSF

= 30 V, V

DS

= 0 V)

门源漏电流，反向

(V

GSR

= -30 V, V

DS

= 0 V)

栅极阈值电压

(V

DS

= V

GS

, I

D

= 250

μA)

静态漏源导通电阻（V

GS

= 10 V，I

D

= 7A) *

漏源电压（V

GS

= 10 V)

(I

D

= 7 A)

正向跨导（V

DS

= 50 V，I

D

= 8.4A) *

输入电容

(V

DS

= 25 V, V

GS

= 0 V,

输出电容

F = 1.0兆赫）

反向传输电容

导通延迟时间

(V

DD

= 250 V，I

D

= 7 A,

上升时间

R

D

= 17,

打开-O FF延迟时间

R

G

= 6.2) *

下降时间

总栅极电荷

(V

DS

= 400 V，I

D

= 7 A,

栅极 - 源电荷

V

GS

= 10 V)*

栅极 - 漏极电荷

内部排水电感

（从漏测铅0.25“从包到模具的中心）

内部排水电感

（测量从源铅0.25 “从包装到源债券

垫）

源极 - 漏极二极管的特性

正向导通电压（ 1）

(I

S

= 7 A，V

GS

= 0 V,

向前开启时间

d

IS

/d

t

= 100A / μs）内

反向恢复时间

*

脉冲测试：脉冲宽度

≦300μs,

占空比

≦2%

符号

V

（ BR ） DSS

I

DSS

民

500

最大

单位

V

μA

I

GSSF

I

GSSR

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

V

DS （ ON）

g

FS

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

L

D

L

S

9.3

2038

307

10

15

36

35

29

2.0

1

3

100

100

4.0

0.34

7.5

nA

nA

V

V

姆欧

pF

pF

pF

ns

ns

ns

ns

64

16

26

5.0

13

nC

nC

nC

nH

nH

V

SD

t

on

t

rr

1.5

**

487

731

V

ns

ns

**忽略不计，占主导地位的电路中电感

2009年7月17日Rev1.2

冠军微电子公司

第2页

CMT14N50

P

OWER

F

屈服

E

ffect

T

RANSISTOR

典型电气特性

2009年7月17日Rev1.2

冠军微电子公司

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CMT14N50

P

OWER

F

屈服

E

ffect

T

RANSISTOR

2009年7月17日Rev1.2

冠军微电子公司

第4页

CMT14N50

P

OWER

F

屈服

E

ffect

T

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冠军微电子公司

第5页

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SOP/DIP

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联系人：朱先生／公司可以开13％的税

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12400

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一级代理原装现货热卖!

上海金庆电子科技京城市场部

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