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CMT07N60
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OWER
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屈服
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ffect
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RANSISTOR
概述
这种高电压MOSFET采用先进的终止
方案以提供增强的电压阻断能力
在不降低性能随着时间的推移。另外，该
先进的MOSFET被设计成能承受高能量的
雪崩和减刑模式。新能源
高效的设计还提供了一个漏极至源极二极管用
快速恢复时间。专为高电压，高转速
电源供应器，转换器，开关和应用
PWM电机控制，这些设备是特别好
适用于桥式电路中的二极管速度和
换向安全工作区域是至关重要的，并提供
针对突发的额外电压和安全边际
瞬变。
!
!
特点
!
!
!
强大的高压端子
较高的雪崩能量
源极到漏极二极管恢复时间等同于
离散快速恢复二极管
二极管电桥电路的特点是使用
I
DSS
指定高温
引脚配置
TO-220/TO-220FP
符号
D
前视图
摹吃
SO URCE
漏
G
1
2
3
S
N沟道MOSFET
绝对最大额定值
等级
漏电流
－
连续
－
脉冲
栅极 - 源极电压
－
CONTINUE
－
不重复
总功耗
TO-220
TO-220FP
工作和存储温度范围
单脉冲漏极至源雪崩能源
－
T
J
= 25℃
(V
DD
= 100V, V
GS
= 10V ，我
L
= 7A ，L = 10MH ，R
G
= 25)
热阻
－
结到外壳
－
结到环境
最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从10秒
（ 1 ） VDD = 50V ， ID = 10A
（2）脉冲宽度和频率由TJ （ max）和热响应不限
θ
JC
θ
JA
T
L
1.0
62.5
260
℃
℃/W
T
J
, T
英镑
E
AS
符号
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
147
50
-55到150
245
℃
mJ
价值
7.0
20
±20
±40
V
V
W
单位
A
2003/06/19
初步
1.0版
冠军微电子公司
第1页
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产品型号
CMT07N60
CMT07N60FP
包
TO-220
TO- 220全白
电气特性
除非另有规定，T
J
= 25℃.
CMT07N60
特征
漏源击穿电压
(V
GS
= 0 V，I
D
= 250
μA)
漏极 - 源极漏电流
(V
DS
= 600 V, V
GS
= 0 V)
(V
DS
= 480 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125℃)
门源漏电流，正向
(V
GSF
= 20 V, V
DS
= 0 V)
门源漏电流，反向
(V
GSR
= 20 V, V
DS
= 0 V)
栅极阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μA)
静态漏源导通电阻（V
GS
= 10 V，I
D
= 3.5A) *
正向跨导（V
DS
= 40 V，I
D
= 3.5A) *
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
(V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0兆赫）
(V
DD
= 300 V，I
D
= 7.0 A,
V
GS
= 10 V,
R
G
= 9.1) *
(V
DS
= 480 V，I
D
= 7.0 A,
V
GS
= 10 V)*
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
100
100
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
L
D
L
S
4.0
1380
115
23
30
80
125
85
38
6.4
15
4.5
7.5
1800
150
30
70
170
260
180
50
2.0
100
100
4.0
1.2
nA
nA
V
姆欧
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nH
nH
民
600
典型值
最大
单位
V
μA
内部排水电感
（从漏测铅0.25“从包到模具的中心）
内部排水电感
（测量从源铅0.25 “从包装到源焊盘）
源极 - 漏极二极管的特性
正向导通电压（ 1）
向前开启时间
反向恢复时间
(I
S
=7.0 A,
d
IS
/d
t
= 100A / μs）内
V
SD
t
on
t
rr
**
415
1.4
V
ns
ns
*脉冲测试：脉冲宽度
≦300s,
占空比
≦2%
**忽略不计，占主导地位的电路中电感
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冠军微电子公司
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CMT07N60
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典型电气特性
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概述
这种高电压MOSFET采用先进的终止
方案以提供增强的电压阻断能力
在不降低性能随着时间的推移。另外，该
先进的MOSFET被设计成能承受高能量的
雪崩和减刑模式。新能源
高效的设计还提供了一个漏极至源极二极管用
快速恢复时间。专为高电压，高转速
电源供应器，转换器，开关和应用
PWM电机控制，这些设备是特别好
适用于桥式电路中的二极管速度和
换向安全工作区域是至关重要的，并提供
针对突发的额外电压和安全边际
瞬变。
!
!
特点
!
!
!
强大的高压端子
较高的雪崩能量
源极到漏极二极管恢复时间等同于
离散快速恢复二极管
二极管电桥电路的特点是使用
I
DSS
指定高温
引脚配置
TO-220/TO-220FP
符号
D
前视图
摹吃
SO URCE
漏
G
1
2
3
S
N沟道MOSFET
绝对最大额定值
等级
漏电流
－
连续
－
脉冲
栅极 - 源极电压
－
CONTINUE
－
不重复
总功耗
TO-220
TO-220FP
工作和存储温度范围
单脉冲漏极至源雪崩能源
－
T
J
= 25℃
(V
DD
= 100V, V
GS
= 10V ，我
L
= 7A ，L = 10MH ，R
G
= 25)
热阻
－
结到外壳
－
结到环境
最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从10秒
（ 1 ） VDD = 50V ， ID = 10A
（2）脉冲宽度和频率由TJ （ max）和热响应不限
θ
JC
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JA
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62.5
260
℃
℃/W
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符号
I
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DM
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-55到150
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±20
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V
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包
TO-220
TO- 220全白
电气特性
除非另有规定，T
J
= 25℃.
CMT07N60
特征
漏源击穿电压
(V
GS
= 0 V，I
D
= 250
μA)
漏极 - 源极漏电流
(V
DS
= 600 V, V
GS
= 0 V)
(V
DS
= 480 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125℃)
门源漏电流，正向
(V
GSF
= 20 V, V
DS
= 0 V)
门源漏电流，反向
(V
GSR
= 20 V, V
DS
= 0 V)
栅极阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μA)
静态漏源导通电阻（V
GS
= 10 V，I
D
= 3.5A) *
正向跨导（V
DS
= 40 V，I
D
= 3.5A) *
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
(V
DS
= 25 V, V
GS
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F = 1.0兆赫）
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= 300 V，I
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R
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符号
V
（ BR ） DSS
I
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100
100
I
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I
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C
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民
600
典型值
最大
单位
V
μA
内部排水电感
（从漏测铅0.25“从包到模具的中心）
内部排水电感
（测量从源铅0.25 “从包装到源焊盘）
源极 - 漏极二极管的特性
正向导通电压（ 1）
向前开启时间
反向恢复时间
(I
S
=7.0 A,
d
IS
/d
t
= 100A / μs）内
V
SD
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**
415
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V
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*脉冲测试：脉冲宽度
≦300s,
占空比
≦2%
**忽略不计，占主导地位的电路中电感
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    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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