【CMT04N60功率MOSFET概述这种先进的高电压MOSFET的设计在雪崩模式和开关承受高能量有效】,IC型号CMT04N60,CMT04N60 PDF资料,CMT04N60经销商,ic,电子元器件-51电子网

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CMT04N60

功率MOSFET

概述

这种先进的高电压MOSFET的设计

在雪崩模式和开关承受高能量

有效的。这种新的高能器件还提供了一个

漏极 - 源极二极管具有快速恢复时间。设计

高电压，高速开关应用如

电源，转换器，功率电机控制和

电桥电路。

特点

!

!

!

!

!

!

更高的额定电流

低RDS （ ON）

较低的电容

低总栅极电荷

更严格的VSD技术指标

较高的雪崩能量

引脚配置

TO-220/TO-220FP

符号

D

顶视图

摹吃

SOU RCE

漏

G

S

1

2

3

N沟道MOSFET

绝对最大额定值

等级

漏电流

－

连续

－

脉冲

栅极 - 源极电压

－

CONTINUE

－

不重复

总功耗

TO-220

TO-220FP

工作和存储温度范围

单脉冲漏极至源雪崩能源

－

T

J

= 25℃

(V

DD

= 100V, V

GS

= 10V ，我

L

= 4A ，L = 10MH ，R

G

= 25)

热阻

－

结到外壳

－

结到环境

最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从10秒

θ

JC

θ

JA

T

L

1.30

100

260

℃

℃/W

T

J

, T

英镑

E

AS

符号

I

D

I

DM

V

GS

V

GSM

P

D

96

38

-55到150

80

℃

mJ

价值

4.0

14

±20

±40

V

V

W

单位

A

2003/06/25

初步

修订版1.1

冠军微电子公司

第1页

CMT04N60

功率MOSFET

订购信息

产品型号

CMT04N60N220

CMT04N60N220FP

包

TO-220

TO- 220封装完整

电气特性

除非另有规定，T

J

= 25℃.

CMT04N60

特征

漏源击穿电压

(V

GS

= 0 V，I

D

= 250

μA)

漏极 - 源极漏电流

(V

DS

=600 V, V

GS

= 0 V)

门源漏电流，正向

(V

GSF

= 20 V, V

DS

= 0 V)

门源漏电流，反向

(V

GSR

= 20 V, V

DS

= 0 V)

栅极阈值电压

(V

DS

= V

GS

, I

D

= 250

μA)

静态漏源导通电阻（V

GS

= 10 V，I

D

= 2.0A) *

正向跨导（V

DS

= 50 V，I

D

= 2.0 A) *

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

(V

DS

= 25 V, V

GS

= 0 V,

F = 1.0兆赫）

(V

DD

= 300 V，I

D

= 4.0 A,

V

GS

= 10 V,

R

G

= 9.1) *

(V

DS

= 480 V，I

D

= 4.0 A,

V

GS

= 10 V)*

符号

V

（ BR ） DSS

I

DSS

0.1

I

GSSF

I

GSSR

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

g

FS

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

L

D

L

S

2.5

540

125

8.0

12

7.0

19

10

5.0

2.7

2.0

4.5

7.5

760

180

20

20

10

40

20

10

2.0

100

100

4.0

2.4

nA

nA

V

姆欧

pF

pF

pF

ns

ns

ns

ns

nC

nC

nC

nH

nH

民

600

典型值

最大

单位

V

mA

内部排水电感

（从漏测铅0.25“从包到模具的中心）

内部排水电感

（测量从源铅0.25 “从包装到源焊盘）

源极 - 漏极二极管的特性

正向导通电压（ 1）

向前开启时间

反向恢复时间

(I

S

= 4.0 A,

d

IS

/d

t

= 100A / μs）内

V

SD

t

on

t

rr

**

655

1.5

V

ns

ns

*脉冲测试：脉冲宽度

≦300s,

占空比

≦2%

**忽略不计，占主导地位的电路中电感

2003/06/25

初步

修订版1.1

冠军微电子公司

第2页

CMT04N60

功率MOSFET

典型特征

2003/06/25

初步

修订版1.1

冠军微电子公司

第3页

CMT04N60

功率MOSFET

2003/06/25

初步

修订版1.1

冠军微电子公司

第4页

CMT04N60

功率MOSFET

TO-220

TO-220FP

2003/06/25

初步

修订版1.1

冠军微电子公司

第5页

CMT04N60

功率MOSFET

概述

这种先进的高电压MOSFET的设计

在雪崩模式和开关承受高能量

有效的。这种新的高能器件还提供了一个

漏极 - 源极二极管具有快速恢复时间。设计

高电压，高速开关应用如

电源，转换器，功率电机控制和

电桥电路。

特点

更高的额定电流

低RDS （ ON）

较低的电容

低总栅极电荷

更严格的VSD技术指标

较高的雪崩能量

引脚配置

TO-220/TO-220FP

符号

D

顶视图

门

来源

漏

G

S

1

2

3

N沟道MOSFET

绝对最大额定值

等级

漏电流

－

连续

－

脉冲

栅极 - 源极电压

－

CONTINUE

－

不重复

总功耗

TO-220

TO-220FP

工作和存储温度范围

单脉冲漏极至源雪崩能源

－

T

J

= 25℃

(V

DD

= 100V, V

GS

= 10V ，我

L

= 4A ，L = 10MH ，R

G

= 25)

热阻

－

结到外壳

－

结到环境

最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从10秒

θ

JC

θ

JA

T

L

1.30

100

260

℃

℃/W

T

J

, T

英镑

E

AS

符号

I

D

I

DM

V

GS

V

GSM

P

D

83

30

-55到150

80

℃

mJ

价值

4.0

14

±30

±40

V

V

W

单位

A

2009/07/20

修订版1.4

冠军微电子公司

第1页

CMT04N60

功率MOSFET

订购信息

产品型号

CMT04N60GN220*

CMT04N60XN220*

CMT04N60GN220FP*

包

TO-220

TO-220

TO- 220封装完整

CMT04N60XN220FP*

TO- 220封装完整

*注意：

G：后缀为无铅产品

X：后缀为卤素和无铅产品

电气特性

除非另有规定，T

J

= 25℃.

CMT04N60

特征

漏源击穿电压

(V

GS

= 0 V，I

D

= 250

μA)

漏极 - 源极漏电流

(V

DS

=600 V, V

GS

= 0 V)

门源漏电流，正向

(V

GSF

= 30 V, V

DS

= 0 V)

门源漏电流，反向

(V

GSR

= - 30 V, V

DS

= 0 V)

栅极阈值电压

(V

DS

= V

GS

, I

D

= 250

μA)

静态漏源导通电阻（V

GS

= 10 V，I

D

= 2.0A) *

正向跨导（V

DS

= 50 V，I

D

= 2.0 A) *

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

内部排水电感

（从漏测铅0.25“从包到模具的中心）

内部排水电感

（测量从源铅0.25 “从包装到源债券

垫）

源极 - 漏极二极管的特性

正向导通电压（ 1）

向前开启时间

反向恢复时间

(I

S

= 4.0 A,

d

IS

/d

t

= 100A / μs）内

V

SD

t

on

t

rr

**

655

1.5

V

ns

ns

L

S

7.5

nH

(V

DS

= 25 V, V

GS

= 0 V,

F = 1.0兆赫）

(V

DD

= 300 V，I

D

= 4.0 A,

V

GS

= 10 V,

R

G

= 9.1) *

(V

DS

= 480 V，I

D

= 4.0 A,

V

GS

= 10 V)*

R

DS （ ON）

g

FS

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

L

D

2.5

540

125

8.0

12

7.0

19

10

5.0

2.7

2.0

4.5

760

180

20

20

10

40

20

10

2.2

姆欧

pF

pF

pF

ns

ns

ns

ns

nC

nC

nC

nH

V

GS （ TH）

2.0

4.0

V

I

GSSR

100

nA

I

GSSF

I

DSS

1

100

nA

uA

符号

V

（ BR ） DSS

民

600

典型值

最大

单位

V

*脉冲测试：脉冲宽度

≦300μs,

占空比

≦2%

**忽略不计，占主导地位的电路中电感

2009/07/20

修订版1.4

冠军微电子公司

第2页

CMT04N60

功率MOSFET

典型特征

2009/07/20

修订版1.4

冠军微电子公司

第3页

CMT04N60

功率MOSFET

2009/07/20

修订版1.4

冠军微电子公司

第4页

CMT04N60

功率MOSFET

TO-220

2009/07/20

修订版1.4

冠军微电子公司

第5页

CMT04N60

功率MOSFET

概述

这种先进的高电压MOSFET的设计

在雪崩模式和开关承受高能量

有效的。这种新的高能器件还提供了一个

漏极 - 源极二极管具有快速恢复时间。设计

高电压，高速开关应用如

电源，转换器，功率电机控制和

电桥电路。

特点

更高的额定电流

低RDS （ ON）

较低的电容

低总栅极电荷

更严格的VSD技术指标

较高的雪崩能量

引脚配置

TO-220/TO-220FP

TO-252

符号

D

前视图

前视图

门

来源

漏

G

S

1

2

3

N沟道MOSFET

绝对最大额定值

等级

漏电流

－

连续

－

脉冲

栅极 - 源极电压

－

CONTINUE

－

不重复

总功耗

TO-220

TO-220FP

工作和存储温度范围

单脉冲漏极至源雪崩能源

－

T

J

= 25℃

(V

DD

= 100V, V

GS

= 10V ，我

L

= 4A ，L = 10MH ，R

G

= 25)

热阻

－

结到外壳

－

结到环境

最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从10秒

θ

JC

θ

JA

T

L

1.30

100

260

℃

℃/W

T

J

, T

英镑

E

AS

符号

I

D

I

DM

V

GS

V

GSM

P

D

83

30

-55到150

80

℃

mJ

价值

4.0

14

±30

±40

V

V

W

单位

A

2011/03/23

REV 。 1.5

冠军微电子公司

第1页

CMT04N60

功率MOSFET

订购信息

产品型号

CMT04N60GN220*

CMT04N60XN220*

CMT04N60GN220FP*

CMT04N60XN220FP*

CMT04N60GN252*

包

TO-220

TO-220

TO- 220封装完整

TO- 220封装完整

TO-252

CMT04N60XN252*

TO-252

*注意：

G：后缀为无铅产品

X：后缀为卤素和无铅产品

电气特性

特征

漏源击穿电压

(V

GS

= 0 V，I

D

= 250

μA)

漏极 - 源极漏电流

(V

DS

=600 V, V

GS

= 0 V)

门源漏电流，正向

(V

GSF

= 30 V, V

DS

= 0 V)

门源漏电流，反向

(V

GSR

= - 30 V, V

DS

= 0 V)

栅极阈值电压

(V

DS

= V

GS

, I

D

= 250

μA)

（除非另有规定，T

J

= 25℃.)

CMT04N60

符号

V

（ BR ） DSS

I

DSS

1

I

GSSF

I

GSSR

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

g

FS

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

L

D

L

S

2.5

540

125

8.0

12

7.0

19

10

5.0

2.7

2.0

4.5

7.5

760

180

20

20

10

40

20

10

2.0

100

100

4.0

2.2

nA

nA

V

姆欧

pF

pF

pF

ns

ns

ns

ns

nC

nC

nC

nH

nH

民

600

典型值

最大

单位

V

uA

静态漏源导通电阻（V

GS

= 10 V，I

D

= 2.0A) *

正向跨导（V

DS

= 50 V，I

D

= 2.0 A) *

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

内部排水电感

（从漏测铅0.25“从包到模具的中心）

内部排水电感（从源测量导致0.25 “，从

包源焊盘）

源极 - 漏极二极管的特性

正向导通电压（ 1）

向前开启时间

反向恢复时间

(I

S

= 4.0 A,

d

IS

/d

t

= 100A / μs）内

(V

DS

= 25 V, V

GS

= 0 V,

F = 1.0兆赫）

(V

DD

= 300 V，I

D

= 4.0 A,

V

GS

= 10 V,

R

G

= 9.1) *

(V

DS

= 480 V，I

D

= 4.0 A,

V

GS

= 10 V)*

V

SD

t

on

t

rr

**

655

1.5

V

ns

ns

*脉冲测试：脉冲宽度

≦300μs,

占空比

≦2%

**忽略不计，占主导地位的电路中电感

2011/03/23

REV 。 1.5

冠军微电子公司

第2页

CMT04N60

功率MOSFET

典型特征

2011/03/23

REV 。 1.5

冠军微电子公司

第3页

CMT04N60

功率MOSFET

2011/03/23

REV 。 1.5

冠军微电子公司

第4页

CMT04N60

功率MOSFET

TO-220

2011/03/23

REV 。 1.5

冠军微电子公司

第5页

CMT04N60

功率MOSFET

概述

这种先进的高电压MOSFET的设计

在雪崩模式和开关承受高能量

有效的。这种新的高能器件还提供了一个

漏极 - 源极二极管具有快速恢复时间。设计

高电压，高速开关应用如

电源，转换器，功率电机控制和

电桥电路。

特点

!

!

!

!

!

!

更高的额定电流

低RDS （ ON）

较低的电容

低总栅极电荷

更严格的VSD技术指标

较高的雪崩能量

引脚配置

TO-220/TO-220FP

符号

D

顶视图

摹吃

SOU RCE

漏

G

S

1

2

3

N沟道MOSFET

绝对最大额定值

等级

漏电流

－

连续

－

脉冲

栅极 - 源极电压

－

CONTINUE

－

不重复

总功耗

TO-220

TO-220FP

工作和存储温度范围

单脉冲漏极至源雪崩能源

－

T

J

= 25℃

(V

DD

= 100V, V

GS

= 10V ，我

L

= 4A ，L = 10MH ，R

G

= 25)

热阻

－

结到外壳

－

结到环境

最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从10秒

θ

JC

θ

JA

T

L

1.30

100

260

℃

℃/W

T

J

, T

英镑

E

AS

符号

I

D

I

DM

V

GS

V

GSM

P

D

96

38

-55到150

80

℃

mJ

价值

4.0

14

±20

±40

V

V

W

单位

A

2003/06/25

初步

修订版1.1

冠军微电子公司

第1页

CMT04N60

功率MOSFET

订购信息

产品型号

CMT04N60N220

CMT04N60N220FP

包

TO-220

TO- 220封装完整

电气特性

除非另有规定，T

J

= 25℃.

CMT04N60

特征

漏源击穿电压

(V

GS

= 0 V，I

D

= 250

μA)

漏极 - 源极漏电流

(V

DS

=600 V, V

GS

= 0 V)

门源漏电流，正向

(V

GSF

= 20 V, V

DS

= 0 V)

门源漏电流，反向

(V

GSR

= 20 V, V

DS

= 0 V)

栅极阈值电压

(V

DS

= V

GS

, I

D

= 250

μA)

静态漏源导通电阻（V

GS

= 10 V，I

D

= 2.0A) *

正向跨导（V

DS

= 50 V，I

D

= 2.0 A) *

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

(V

DS

= 25 V, V

GS

= 0 V,

F = 1.0兆赫）

(V

DD

= 300 V，I

D

= 4.0 A,

V

GS

= 10 V,

R

G

= 9.1) *

(V

DS

= 480 V，I

D

= 4.0 A,

V

GS

= 10 V)*

符号

V

（ BR ） DSS

I

DSS

0.1

I

GSSF

I

GSSR

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

g

FS

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

L

D

L

S

2.5

540

125

8.0

12

7.0

19

10

5.0

2.7

2.0

4.5

7.5

760

180

20

20

10

40

20

10

2.0

100

100

4.0

2.4

nA

nA

V

姆欧

pF

pF

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ns

ns

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ns

nC

nC

nC

nH

nH

民

600

典型值

最大

单位

V

mA

内部排水电感

（从漏测铅0.25“从包到模具的中心）

内部排水电感

（测量从源铅0.25 “从包装到源焊盘）

源极 - 漏极二极管的特性

正向导通电压（ 1）

向前开启时间

反向恢复时间

(I

S

= 4.0 A,

d

IS

/d

t

= 100A / μs）内

V

SD

t

on

t

rr

**

655

1.5

V

ns

ns

*脉冲测试：脉冲宽度

≦300s,

占空比

≦2%

**忽略不计，占主导地位的电路中电感

2003/06/25

初步

修订版1.1

冠军微电子公司

第2页

CMT04N60

功率MOSFET

典型特征

2003/06/25

初步

修订版1.1

冠军微电子公司

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CMT04N60

功率MOSFET

2003/06/25

初步

修订版1.1

冠军微电子公司

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CMT04N60

功率MOSFET

TO-220

TO-220FP

2003/06/25

初步

修订版1.1

冠军微电子公司

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联系人：杨小姐

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CMT04N60

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终端采购配单精选

柒号芯城电子商务（深圳）有限公司

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地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

CMT04N60

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终端采购配单精选

更多配单专家

深圳市春涛电子有限公司

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电话：0755-82563615 82563213

联系人：王云

地址：深圳市华强北上步204栋五楼520室

CMT04N60

CHAMPION

2425+

11280

TO220

进口原装!优势现货!

深圳市创芯联盈电子有限公司

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电话：0755-88291559

联系人：陈泽强

地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318

CMT04N60

CET

2443+

23000

T0-3P

一级代理专营，原装现货，价格优势

深圳勤思达科技有限公司

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电话：0755-83268779

联系人：吴

地址：深圳市福田区华强北赛格科技园4栋西6楼A座611（本公司为一般纳税人，可以开17%增值税）

CMT04N60

CHAMPION

13+

25800

全新原装正品，大量现货库存，可以出样品，欢迎咨询洽谈

深圳市华斯顿科技有限公司

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电话：0755-83777607/83777708/82799993

联系人：销售部1部

地址：美驻深办公室:广东省深圳市福田区上步工业区201栋4楼A18室/分公司:深圳市福田区华强北深纺大厦C座西7楼,展销柜:深圳市福田区华强北新亚洲电子城3B047柜,分展销柜:湖南省桂阳和平杉林下展销柜

CMT04N60

CMT

25+23+

15008

TO-220F

绝对原装正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒

深圳市恒达亿科技有限公司

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电话：0755-82723761/82772189

联系人：夏先生朱小姐

地址：深圳市福田区华强北街道赛格科技园3栋东座10楼A2（本公司为一般纳税人，可开增票）

CMT04N60

虹冠台湾/绝

25+

9330

SOD123

全新原装现货特价销售！

上海熠富电子科技有限公司

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电话：15026993318 // 13764057178 // 15821228847

联系人：销售部

地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房

CMT04N60

TW

2024

26000

TO-220

上海原装现货库存，欢迎咨询合作

深圳市芯满林科技有限公司

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联系人：夏小姐/朱先生

地址：深圳市福田区华强北街道福强社区振华路89号恒邦时代大厦1栋1514

CMT04N60

CET

24+

32000

T0-3P

百分百原装现货，价格优势，欢迎查询！

上海熠富电子科技有限公司

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电话：15821228847 // 13764057178 // 15026993318

联系人：销售部

地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房

CMT04N60

TW

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26000

TO-220

原装现货上海库存，欢迎咨询

北京元坤国际科技有限公司

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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791

联系人：何小姐

地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

CMT04N60

MOSFET

21+

350

TO220

全新原装正品/质量有保证

绿盛电子(香港)有限公司

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联系人：曾先生/刘小姐

地址：深圳福田区中航路华乐大厦625室

CMT04N60

CHAMPION

24+

19889

DIP/SMD

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