添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13692101218  13751165337
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13692101218
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第629页 > CMT02N60GN220FP
CMT02N60
P
OWER
F
屈服
E
ffect
T
RANSISTOR
概述
这种高电压MOSFET采用先进的终止
方案以提供增强的电压阻断能力
在不降低性能随着时间的推移。另外，该
先进的MOSFET被设计成能承受高能量的
雪崩和减刑模式。新能源
高效的设计还提供了一个漏极至源极二极管用
快速恢复时间。专为高电压，高转速
电源供应器，转换器，开关和应用
PWM电机控制，这些设备是特别好
适用于桥式电路中的二极管速度和
换向安全工作区域是至关重要的，并提供
针对突发的额外电压和安全边际
瞬变。
特点
强大的高压端子
较高的雪崩能量
源极到漏极二极管恢复时间等同于
离散快速恢复二极管
二极管电桥电路的特点是使用
I
DSS
和V
DS
（上）指定高温
引脚配置
TO-220/TO-220FP
TO-252
TO-251
符号
N沟道MOSFET
前视图
前视图
前视图
D
来源
门
来源
来源
漏
漏
漏
门
门
G
1
2
3
1
2
3
S
1
2
3
绝对最大额定值
等级
漏电流
－
连续
－
脉冲
栅极 - 源极电压
－
CONTINUE
－
不重复
总功耗
减免上述25 °
工作和存储温度范围
单脉冲漏极至源雪崩能源
－
T
J
= 25℃
(V
DD
= 100V, V
GS
= 10V ，我
L
= 2A ，L = 10MH ，R
G
= 25)
热阻
－
结到外壳
－
结到环境
最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从10秒
θ
JC
θ
JA
T
L
1.0
62.5
260
℃
℃/W
T
J
, T
英镑
E
AS
符号
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
价值
2.0
9.0
±20
±40
50
0.4
-55到150
20
V
V
W
W/℃
℃
mJ
单位
A
2004/12/01
修订版1.2
冠军微电子公司
第1页
CMT02N60
P
OWER
F
屈服
E
ffect
T
RANSISTOR
订购信息
产品型号
CMT02N60N251
CMT02N60N252
CMT02N60N220
CMT02N60N220FP
CMT02N60GN251*
CMT02N60GN252*
CMT02N60GN220*
CMT02N60GN220FP*
*注意：
G：后缀为无铅产品
包
TO-251
TO-252
TO-220
TO- 220封装完整
TO-251
TO-252
TO-220
TO- 220封装完整
电气特性
除非另有规定，T
J
= 25℃.
CMT02N60
特征
漏源击穿电压
(V
GS
= 0 V，I
D
= 250
μA)
漏极 - 源极漏电流
(V
DS
= 600 V, V
GS
= 0 V)
(V
DS
= 480 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125℃)
门源漏电流，正向
(V
GSF
= 20 V, V
DS
= 0 V)
门源漏电流，反向
(V
GSR
= 20 V, V
DS
= 0 V)
栅极阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μA)
静态漏源导通电阻（V
GS
= 10 V，I
D
= 1.0A) *
漏源电压（V
GS
= 10 V)
(I
D
= 2.0 A)
正向跨导（V
DS
≧
50 V，I
D
= 1.0A) *
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
内部排水电感
（从漏测铅0.25“从包到模具的中心）
内部排水电感
（测量从源铅0.25 “从包装到源焊盘）
源极 - 漏极二极管的特性
正向导通电压（ 1）
向前开启时间
反向恢复时间
**忽略不计，占主导地位的电路中电感
(I
S
= 2.0 A，V
GS
= 0 V,
d
IS
/d
t
= 100A / μs）内
V
SD
t
on
t
rr
1.0
**
340
1.6
V
ns
ns
L
S
7.5
nH
(V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0兆赫）
(V
DD
= 300 V，I
D
= 2.0 A,
V
GS
= 10 V,
R
G
= 18) *
(V
DS
= 400 V，I
D
= 2.0 A,
V
GS
= 10 V)*
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
L
D
1.0
435
56
9.2
12
21
30
24
13
2.0
6.0
4.5
22
姆欧
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nH
R
DS （ ON）
V
DS （ ON）
3.3
4.4
8.8
V
V
GS （ TH）
2.0
3.1
4.0
V
I
GSSR
100
nA
I
GSSF
I
DSS
0.25
1.0
100
nA
mA
符号
V
（ BR ） DSS
民
600
典型值
最大
单位
V
*脉冲测试：脉冲宽度
≦300s,
占空比
≦2%
2004/12/01
修订版1.2
冠军微电子公司
第2页
CMT02N60
P
OWER
F
屈服
E
ffect
T
RANSISTOR
典型电气特性
2004/12/01
修订版1.2
冠军微电子公司
第3页
CMT02N60
P
OWER
F
屈服
E
ffect
T
RANSISTOR
包装尺寸为
TO-220
B
F
C
S
引脚1 ：门
引脚2 ：排水
引脚3 ：源
Q
A
U
T
A
B
1
Z
H
2
3
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
G
L
V
N
D
R
J
V
Z
TO-220FP
I
R1
C
R
J
D
Q
H
.5
0
R1
.5
0
B
8±
3.1
0
0.1
A
B
A
C
D
E
E
P
K
O
G
H
I
J
K
M
N
O
P
Q
60
1.
R
G
b
R
b
b1
b2
e
b1
e
前视图
b2
R
N
M
SIDE VIEW
后视图
2004/12/01
修订版1.2
冠军微电子公司
第4页
CMT02N60
P
OWER
F
屈服
E
ffect
T
RANSISTOR
包装尺寸为
TO-251
2004/12/01
修订版1.2
冠军微电子公司
第5页
CMT02N60
P
OWER
F
屈服
E
ffect
T
RANSISTOR
概述
这种高电压MOSFET采用先进的终止
方案以提供增强的电压阻断能力
在不降低性能随着时间的推移。另外，该
先进的MOSFET被设计成能承受高能量的
雪崩和减刑模式。新能源
高效的设计还提供了一个漏极至源极二极管用
快速恢复时间。专为高电压，高转速
电源供应器，转换器，开关和应用
PWM电机控制，这些设备是特别好
适用于桥式电路中的二极管速度和
换向安全工作区域是至关重要的，并提供
针对突发的额外电压和安全边际
瞬变。
特点
强大的高压端子
较高的雪崩能量
源极到漏极二极管恢复时间等同于
离散快速恢复二极管
二极管电桥电路的特点是使用
I
DSS
和V
DS
（上）指定高温
引脚配置
TO-220/TO-220FP
TO-252
TO-251
符号
N沟道MOSFET
前视图
前视图
前视图
D
来源
门
来源
来源
漏
漏
漏
门
门
G
1
2
3
1
2
3
S
1
2
3
绝对最大额定值
等级
漏电流
－
连续
－
脉冲
栅极 - 源极电压
－
CONTINUE
－
不重复
总功耗
减免上述25 °
工作和存储温度范围
单脉冲漏极至源雪崩能源
－
T
J
= 25℃
(V
DD
= 100V, V
GS
= 10V ，我
L
= 2A ，L = 10MH ，R
G
= 25)
热阻
－
结到外壳
－
结到环境
最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从10秒
θ
JC
θ
JA
T
L
1.0
62.5
260
℃
℃/W
T
J
, T
英镑
E
AS
符号
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
价值
2.0
9.0
±20
±40
50
0.4
-55到150
20
V
V
W
W/℃
℃
mJ
单位
A
2004/12/01
修订版1.2
冠军微电子公司
第1页
CMT02N60
P
OWER
F
屈服
E
ffect
T
RANSISTOR
订购信息
产品型号
CMT02N60N251
CMT02N60N252
CMT02N60N220
CMT02N60N220FP
CMT02N60GN251*
CMT02N60GN252*
CMT02N60GN220*
CMT02N60GN220FP*
*注意：
G：后缀为无铅产品
包
TO-251
TO-252
TO-220
TO- 220封装完整
TO-251
TO-252
TO-220
TO- 220封装完整
电气特性
除非另有规定，T
J
= 25℃.
CMT02N60
特征
漏源击穿电压
(V
GS
= 0 V，I
D
= 250
μA)
漏极 - 源极漏电流
(V
DS
= 600 V, V
GS
= 0 V)
(V
DS
= 480 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125℃)
门源漏电流，正向
(V
GSF
= 20 V, V
DS
= 0 V)
门源漏电流，反向
(V
GSR
= 20 V, V
DS
= 0 V)
栅极阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μA)
静态漏源导通电阻（V
GS
= 10 V，I
D
= 1.0A) *
漏源电压（V
GS
= 10 V)
(I
D
= 2.0 A)
正向跨导（V
DS
≧
50 V，I
D
= 1.0A) *
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
内部排水电感
（从漏测铅0.25“从包到模具的中心）
内部排水电感
（测量从源铅0.25 “从包装到源焊盘）
源极 - 漏极二极管的特性
正向导通电压（ 1）
向前开启时间
反向恢复时间
**忽略不计，占主导地位的电路中电感
(I
S
= 2.0 A，V
GS
= 0 V,
d
IS
/d
t
= 100A / μs）内
V
SD
t
on
t
rr
1.0
**
340
1.6
V
ns
ns
L
S
7.5
nH
(V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0兆赫）
(V
DD
= 300 V，I
D
= 2.0 A,
V
GS
= 10 V,
R
G
= 18) *
(V
DS
= 400 V，I
D
= 2.0 A,
V
GS
= 10 V)*
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
L
D
1.0
435
56
9.2
12
21
30
24
13
2.0
6.0
4.5
22
姆欧
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nH
R
DS （ ON）
V
DS （ ON）
3.3
4.4
8.8
V
V
GS （ TH）
2.0
3.1
4.0
V
I
GSSR
100
nA
I
GSSF
I
DSS
0.25
1.0
100
nA
mA
符号
V
（ BR ） DSS
民
600
典型值
最大
单位
V
*脉冲测试：脉冲宽度
≦300s,
占空比
≦2%
2004/12/01
修订版1.2
冠军微电子公司
第2页
CMT02N60
P
OWER
F
屈服
E
ffect
T
RANSISTOR
典型电气特性
2004/12/01
修订版1.2
冠军微电子公司
第3页
CMT02N60
P
OWER
F
屈服
E
ffect
T
RANSISTOR
包装尺寸为
TO-220
B
F
C
S
引脚1 ：门
引脚2 ：排水
引脚3 ：源
Q
A
U
T
A
B
1
Z
H
2
3
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
G
L
V
N
D
R
J
V
Z
TO-220FP
I
R1
C
R
J
D
Q
H
.5
0
R1
.5
0
B
8±
3.1
0
0.1
A
B
A
C
D
E
E
P
K
O
G
H
I
J
K
M
N
O
P
Q
60
1.
R
G
b
R
b
b1
b2
e
b1
e
前视图
b2
R
N
M
SIDE VIEW
后视图
2004/12/01
修订版1.2
冠军微电子公司
第4页
CMT02N60
P
OWER
F
屈服
E
ffect
T
RANSISTOR
包装尺寸为
TO-251
2004/12/01
修订版1.2
冠军微电子公司
第5页
CMT02N60
P
OWER
F
屈服
E
ffect
T
RANSISTOR
概述
这种高电压MOSFET采用先进的终止
方案以提供增强的电压阻断能力
在不降低性能随着时间的推移。另外，该
先进的MOSFET被设计成能承受高能量的
雪崩和减刑模式。新能源
高效的设计还提供了一个漏极至源极二极管用
快速恢复时间。专为高电压，高转速
电源供应器，转换器，开关和应用
PWM电机控制，这些设备是特别好
合适的
为
桥
电路
哪里
二极管
速度
和
换向安全工作区域是至关重要的，并提供
针对突发的额外电压和安全边际
瞬变。
特点
强大的高压端子
较高的雪崩能量
源极到漏极二极管恢复时间等同于
离散快速恢复二极管
二极管电桥电路的特点是使用
I
DSS
和V
DS
（上）指定高温
引脚配置
TO-220/TO-220FP
TO-251
TO-252
符号
N沟道MOSFET
前视图
前视图
前视图
D
来源
来源
漏
门
漏
门
G
1
2
3
S
1
2
3
绝对最大额定值
等级
漏电流
－
连续
－
脉冲
栅极 - 源极电压
－
CONTINUE
－
不重复
总功耗
TO-251
TO-220
TO-220FP
工作和存储温度范围
单脉冲漏极至源雪崩能源
－
T
J
= 25℃
(V
DD
= 100V, V
GS
= 10V ，我
L
= 2A ，L = 10MH ，R
G
= 25)
热阻
－
结到外壳
－
结到环境
最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从10秒
θ
JC
θ
JA
T
L
1.0
62.5
260
℃
℃/W
T
J
, T
英镑
E
AS
符号
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D（最大）
30
83
30
-55到150
20
℃
mJ
W
价值
2.0
4.0
±20
±40
V
V
单位
A
2010/12/21
REV 。 1.5
冠军微电子公司
第1页
CMT02N60
P
OWER
F
屈服
E
ffect
T
RANSISTOR
订购信息
产品型号
CMT02N60GN251*
CMT02N60GN252*
CMT02N60GN220*
CMT02N60GN220FP*
CMT02N60XN251*
CMT02N60XN252*
CMT02N60XN220*
包
TO-251
TO-252
TO-220
TO- 220封装完整
TO-251
TO-252
TO-220
CMT02N60XN220FP*
TO- 220封装完整
*注意：
G：后缀为无铅产品
X：后缀为无卤素和无铅产品
电气特性
(
除非另有规定，T
J
= 25℃.)
特征
漏源击穿电压
(V
GS
= 0 V，I
D
= 250
μA)
漏极 - 源极漏电流
(V
DS
= 600 V, V
GS
= 0 V)
(V
DS
= 480 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125℃)
门源漏电流，正向
(V
GSF
= 30 V, V
DS
= 0 V)
门源漏电流，反向
(V
GSR
= -30 V, V
DS
= 0 V)
栅极阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μA)
静态漏源导通电阻（V
GS
= 10 V，I
D
= 1.0A) *
漏源电压（V
GS
= 10 V)
(I
D
= 2.0 A)
正向跨导（V
DS
≧
50 V，I
D
= 1.0A) *
输入电容
(V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
输出电容
F = 1.0兆赫）
反向传输电容
导通延迟时间
(V
DD
= 300 V，I
D
= 2.0 A,
上升时间
V
GS
= 10 V,
打开-O FF延迟时间
R
G
= 18) *
下降时间
总栅极电荷
(V
DS
= 400 V，I
D
= 2.0 A,
栅极 - 源电荷
V
GS
= 10 V)*
栅极 - 漏极电荷
内部排水电感
（从漏测铅0.25“从包到模具的中心）
内部排水电感
（测量从源铅0.25 “从包装到源债券
垫）
源极 - 漏极二极管的特性
正向导通电压（ 1）
(I
S
= 2.0 A，V
GS
= 0 V,
向前开启时间
d
IS
/d
t
= 100A / μs）内
反向恢复时间
*脉冲测试：脉冲宽度
≦300μs,
占空比
≦2%
**忽略不计，占主导地位的电路中电感
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
民
600
CMT02N60
典型值
最大
单位
V
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
V
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
L
D
L
S
1.0
435
56
9.2
12
21
30
24
13
2.0
6.0
4.5
7.5
2.0
3.1
3.3
1
3
100
100
4.0
4.4
8.8
uA
nA
nA
V
V
姆欧
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nH
nH
V
SD
t
on
t
rr
1.0
75
340
1.6
V
ns
ns
2010/12/21
REV 。 1.5
冠军微电子公司
第2页
CMT02N60
P
OWER
F
屈服
E
ffect
T
RANSISTOR
典型电气特性
2010/12/21
REV 。 1.5
冠军微电子公司
第3页
CMT02N60
P
OWER
F
屈服
E
ffect
T
RANSISTOR
包装尺寸为
TO-220
TO-220FP
2010/12/21
REV 。 1.5
冠军微电子公司
第4页
CMT02N60
P
OWER
F
屈服
E
ffect
T
RANSISTOR
包装尺寸为
TO-251
2010/12/21
REV 。 1.5
冠军微电子公司
第5页
CMT02N60
P
OWER
F
屈服
E
ffect
T
RANSISTOR
概述
这种高电压MOSFET采用先进的终止
方案以提供增强的电压阻断能力
在不降低性能随着时间的推移。另外，该
先进的MOSFET被设计成能承受高能量的
雪崩和减刑模式。新能源
高效的设计还提供了一个漏极至源极二极管用
快速恢复时间。专为高电压，高转速
电源供应器，转换器，开关和应用
PWM电机控制，这些设备是特别好
合适的
为
桥
电路
哪里
二极管
速度
和
换向安全工作区域是至关重要的，并提供
针对突发的额外电压和安全边际
瞬变。
特点
强大的高压端子
较高的雪崩能量
源极到漏极二极管恢复时间等同于
离散快速恢复二极管
二极管电桥电路的特点是使用
I
DSS
和V
DS
（上）指定高温
引脚配置
TO-220/TO-220FP
TO-251
符号
N沟道MOSFET
前视图
前视图
D
来源
来源
漏
门
漏
门
G
1
2
3
S
1
2
3
绝对最大额定值
等级
漏电流
－
连续
－
脉冲
栅极 - 源极电压
－
CONTINUE
－
不重复
总功耗
TO-251
TO-220
TO-220FP
工作和存储温度范围
单脉冲漏极至源雪崩能源
－
T
J
= 25℃
(V
DD
= 100V, V
GS
= 10V ，我
L
= 2A ，L = 10MH ，R
G
= 25)
热阻
－
结到外壳
－
结到环境
最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从10秒
θ
JC
θ
JA
T
L
1.0
62.5
260
℃
℃/W
T
J
, T
英镑
E
AS
符号
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D（最大）
30
83
30
-55到150
20
℃
mJ
W
价值
2.0
4.0
±20
±40
V
V
单位
A
2009/08/06
修订版1.4
冠军微电子公司
第1页
CMT02N60
P
OWER
F
屈服
E
ffect
T
RANSISTOR
订购信息
产品型号
CMT02N60GN251*
CMT02N60GN220*
CMT02N60GN220FP*
CMT02N60XN251*
CMT02N60XN220*
包
TO-251
TO-220
TO- 220封装完整
TO-251
TO-220
CMT02N60XN220FP*
TO- 220封装完整
*注意：
G：后缀为无铅产品
X：后缀为无卤素和无铅产品
电气特性
除非另有规定，T
J
= 25℃.
CMT02N60
典型值
特征
漏源击穿电压
(V
GS
= 0 V，I
D
= 250
μA)
漏极 - 源极漏电流
(V
DS
= 600 V, V
GS
= 0 V)
(V
DS
= 480 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125℃)
门源漏电流，正向
(V
GSF
= 30 V, V
DS
= 0 V)
门源漏电流，反向
(V
GSR
= -30 V, V
DS
= 0 V)
栅极阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μA)
静态漏源导通电阻（V
GS
= 10 V，I
D
= 1.0A) *
漏源电压（V
GS
= 10 V)
(I
D
= 2.0 A)
正向跨导（V
DS
≧
50 V，I
D
= 1.0A) *
输入电容
(V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
输出电容
F = 1.0兆赫）
反向传输电容
导通延迟时间
(V
DD
= 300 V，I
D
= 2.0 A,
上升时间
V
GS
= 10 V,
打开-O FF延迟时间
R
G
= 18) *
下降时间
总栅极电荷
(V
DS
= 400 V，I
D
= 2.0 A,
栅极 - 源电荷
V
GS
= 10 V)*
栅极 - 漏极电荷
内部排水电感
（从漏测铅0.25“从包到模具的中心）
内部排水电感
（测量从源铅0.25 “从包装到源债券
垫）
源极 - 漏极二极管的特性
正向导通电压（ 1）
(I
S
= 2.0 A，V
GS
= 0 V,
向前开启时间
d
IS
/d
t
= 100A / μs）内
反向恢复时间
*脉冲测试：脉冲宽度
≦300μs,
占空比
≦2%
**忽略不计，占主导地位的电路中电感
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
民
600
最大
单位
V
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
V
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
L
D
L
S
1.0
435
56
9.2
12
21
30
24
13
2.0
6.0
4.5
7.5
2.0
3.1
3.3
1
3
100
100
4.0
4.4
8.8
uA
nA
nA
V
V
姆欧
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nH
nH
V
SD
t
on
t
rr
1.0
75
340
1.6
V
ns
ns
2009/08/06
修订版1.4
冠军微电子公司
第2页
CMT02N60
P
OWER
F
屈服
E
ffect
T
RANSISTOR
典型电气特性
2009/08/06
修订版1.4
冠军微电子公司
第3页
CMT02N60
P
OWER
F
屈服
E
ffect
T
RANSISTOR
包装尺寸为
TO-220
TO-220FP
2009/08/06
修订版1.4
冠军微电子公司
第4页
CMT02N60
P
OWER
F
屈服
E
ffect
T
RANSISTOR
包装尺寸为
TO-251
2009/08/06
修订版1.4
冠军微电子公司
第5页
查看更多CMT02N60GN220FPPDF信息
推荐型号
CS5112EDWFR24
CMD44C11A-20.000
CD4001
CCL225DC2-ACF1
C5750X7R2E105K
C1232
CY7C1527AV18-278BZXI
C066G102B1CX5CP
CAT24C64PI
COP8SGR628N6
CAT24AC128XE-1.8TE13
CTFCS6-20
COP8SGA544V9
CD74HC4049M96G4
CB1CSA5415533290653
CSS313D
CSS-313D
CD3021B
C1608NP02A2R2C080AA
C512G102D5CK5CP
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    CMT02N60GN220FP
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
北京元坤国际科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
CMT02N60GN220FP
E
21+
15360
TO-220F
全新原装正品/质量有保证
北京人上科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
CMT02N60GN220FP
√ 欧美㊣品
▲10/11+
9655
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
北京显周科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
CMT02N60GN220FP
√ 欧美㊣品
▲10/11+
8156
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
深圳市华斯顿电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ：515102657 复制
电话：0755-83777708/83777607/82799993
联系人：朱咸华
地址：美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
CMT02N60GN220FP
VB
25+23+
35500
TO-220F
绝对原装进口现货！渠道优势供应!
深圳市创芯联盈电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
CMT02N60GN220FP
VBSEMI
2443+
23000
TO-220F
一级代理专营，原装现货，价格优势
北京首天伟业科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
CMT02N60GN220FP
VBSEMI/台湾微碧
21+
12720
TO-220F
全新原装正品/质量有保证
查询更多CMT02N60GN220FP供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！