【CMT02N60POWERF屈服EffectTRANSISTOR概述这种高电压MOSFET采用先进的】,IC型号CMT02N60,CMT02N60 PDF资料,CMT02N60经销商,ic,电子元器件-51电子网

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CMT02N60

P

OWER

F

屈服

E

ffect

T

RANSISTOR

概述

这种高电压MOSFET采用先进的终止

方案以提供增强的电压阻断能力

在不降低性能随着时间的推移。另外，该

先进的MOSFET被设计成能承受高能量的

雪崩和减刑模式。新能源

高效的设计还提供了一个漏极至源极二极管用

快速恢复时间。专为高电压，高转速

电源供应器，转换器，开关和应用

PWM电机控制，这些设备是特别好

合适的

为

桥

电路

哪里

二极管

速度

和

换向安全工作区域是至关重要的，并提供

针对突发的额外电压和安全边际

瞬变。

特点

强大的高压端子

较高的雪崩能量

源极到漏极二极管恢复时间等同于

离散快速恢复二极管

二极管电桥电路的特点是使用

I

DSS

和V

DS

（上）指定高温

引脚配置

TO-220/TO-220FP

TO-251

TO-252

符号

N沟道MOSFET

前视图

前视图

前视图

D

来源

来源

漏

门

漏

门

G

1

2

3

S

1

2

3

绝对最大额定值

等级

漏电流

－

连续

－

脉冲

栅极 - 源极电压

－

CONTINUE

－

不重复

总功耗

TO-251

TO-220

TO-220FP

工作和存储温度范围

单脉冲漏极至源雪崩能源

－

T

J

= 25℃

(V

DD

= 100V, V

GS

= 10V ，我

L

= 2A ，L = 10MH ，R

G

= 25)

热阻

－

结到外壳

－

结到环境

最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从10秒

θ

JC

θ

JA

T

L

1.0

62.5

260

℃

℃/W

T

J

, T

英镑

E

AS

符号

I

D

I

DM

V

GS

V

GSM

P

D（最大）

30

83

30

-55到150

20

℃

mJ

W

价值

2.0

4.0

±20

±40

V

V

单位

A

2010/12/21

REV 。 1.5

冠军微电子公司

第1页

CMT02N60

P

OWER

F

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E

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订购信息

产品型号

CMT02N60GN251*

CMT02N60GN252*

CMT02N60GN220*

CMT02N60GN220FP*

CMT02N60XN251*

CMT02N60XN252*

CMT02N60XN220*

包

TO-251

TO-252

TO-220

TO- 220封装完整

TO-251

TO-252

TO-220

CMT02N60XN220FP*

TO- 220封装完整

*注意：

G：后缀为无铅产品

X：后缀为无卤素和无铅产品

电气特性

(

除非另有规定，T

J

= 25℃.)

特征

漏源击穿电压

(V

GS

= 0 V，I

D

= 250

μA)

漏极 - 源极漏电流

(V

DS

= 600 V, V

GS

= 0 V)

(V

DS

= 480 V, V

GS

= 0 V ，T

J

= 125℃)

门源漏电流，正向

(V

GSF

= 30 V, V

DS

= 0 V)

门源漏电流，反向

(V

GSR

= -30 V, V

DS

= 0 V)

栅极阈值电压

(V

DS

= V

GS

, I

D

= 250

μA)

静态漏源导通电阻（V

GS

= 10 V，I

D

= 1.0A) *

漏源电压（V

GS

= 10 V)

(I

D

= 2.0 A)

正向跨导（V

DS

≧

50 V，I

D

= 1.0A) *

输入电容

(V

DS

= 25 V, V

GS

= 0 V,

输出电容

F = 1.0兆赫）

反向传输电容

导通延迟时间

(V

DD

= 300 V，I

D

= 2.0 A,

上升时间

V

GS

= 10 V,

打开-O FF延迟时间

R

G

= 18) *

下降时间

总栅极电荷

(V

DS

= 400 V，I

D

= 2.0 A,

栅极 - 源电荷

V

GS

= 10 V)*

栅极 - 漏极电荷

内部排水电感

（从漏测铅0.25“从包到模具的中心）

内部排水电感

（测量从源铅0.25 “从包装到源债券

垫）

源极 - 漏极二极管的特性

正向导通电压（ 1）

(I

S

= 2.0 A，V

GS

= 0 V,

向前开启时间

d

IS

/d

t

= 100A / μs）内

反向恢复时间

*脉冲测试：脉冲宽度

≦300μs,

占空比

≦2%

**忽略不计，占主导地位的电路中电感

符号

V

（ BR ） DSS

I

DSS

民

600

CMT02N60

典型值

最大

单位

V

I

GSSF

I

GSSR

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

V

DS （ ON）

g

FS

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

L

D

L

S

1.0

435

56

9.2

12

21

30

24

13

2.0

6.0

4.5

7.5

2.0

3.1

3.3

1

3

100

100

4.0

4.4

8.8

uA

nA

nA

V

V

姆欧

pF

pF

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ns

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nC

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nC

nH

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V

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t

on

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rr

1.0

75

340

1.6

V

ns

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2010/12/21

REV 。 1.5

冠军微电子公司

第2页

CMT02N60

P

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F

屈服

E

ffect

T

RANSISTOR

典型电气特性

2010/12/21

REV 。 1.5

冠军微电子公司

第3页

CMT02N60

P

OWER

F

屈服

E

ffect

T

RANSISTOR

包装尺寸为

TO-220

TO-220FP

2010/12/21

REV 。 1.5

冠军微电子公司

第4页

CMT02N60

P

OWER

F

屈服

E

ffect

T

RANSISTOR

包装尺寸为

TO-251

2010/12/21

REV 。 1.5

冠军微电子公司

第5页

CMT02N60

P

OWER

F

屈服

E

ffect

T

RANSISTOR

概述

这种高电压MOSFET采用先进的终止

方案以提供增强的电压阻断能力

在不降低性能随着时间的推移。另外，该

先进的MOSFET被设计成能承受高能量的

雪崩和减刑模式。新能源

高效的设计还提供了一个漏极至源极二极管用

快速恢复时间。专为高电压，高转速

电源供应器，转换器，开关和应用

PWM电机控制，这些设备是特别好

合适的

为

桥

电路

哪里

二极管

速度

和

换向安全工作区域是至关重要的，并提供

针对突发的额外电压和安全边际

瞬变。

特点

强大的高压端子

较高的雪崩能量

源极到漏极二极管恢复时间等同于

离散快速恢复二极管

二极管电桥电路的特点是使用

I

DSS

和V

DS

（上）指定高温

引脚配置

TO-220/TO-220FP

TO-251

符号

N沟道MOSFET

前视图

前视图

D

来源

来源

漏

门

漏

门

G

1

2

3

S

1

2

3

绝对最大额定值

等级

漏电流

－

连续

－

脉冲

栅极 - 源极电压

－

CONTINUE

－

不重复

总功耗

TO-251

TO-220

TO-220FP

工作和存储温度范围

单脉冲漏极至源雪崩能源

－

T

J

= 25℃

(V

DD

= 100V, V

GS

= 10V ，我

L

= 2A ，L = 10MH ，R

G

= 25)

热阻

－

结到外壳

－

结到环境

最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从10秒

θ

JC

θ

JA

T

L

1.0

62.5

260

℃

℃/W

T

J

, T

英镑

E

AS

符号

I

D

I

DM

V

GS

V

GSM

P

D（最大）

30

83

30

-55到150

20

℃

mJ

W

价值

2.0

4.0

±20

±40

V

V

单位

A

2009/08/06

修订版1.4

冠军微电子公司

第1页

CMT02N60

P

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F

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E

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订购信息

产品型号

CMT02N60GN251*

CMT02N60GN220*

CMT02N60GN220FP*

CMT02N60XN251*

CMT02N60XN220*

包

TO-251

TO-220

TO- 220封装完整

TO-251

TO-220

CMT02N60XN220FP*

TO- 220封装完整

*注意：

G：后缀为无铅产品

X：后缀为无卤素和无铅产品

电气特性

除非另有规定，T

J

= 25℃.

CMT02N60

典型值

特征

漏源击穿电压

(V

GS

= 0 V，I

D

= 250

μA)

漏极 - 源极漏电流

(V

DS

= 600 V, V

GS

= 0 V)

(V

DS

= 480 V, V

GS

= 0 V ，T

J

= 125℃)

门源漏电流，正向

(V

GSF

= 30 V, V

DS

= 0 V)

门源漏电流，反向

(V

GSR

= -30 V, V

DS

= 0 V)

栅极阈值电压

(V

DS

= V

GS

, I

D

= 250

μA)

静态漏源导通电阻（V

GS

= 10 V，I

D

= 1.0A) *

漏源电压（V

GS

= 10 V)

(I

D

= 2.0 A)

正向跨导（V

DS

≧

50 V，I

D

= 1.0A) *

输入电容

(V

DS

= 25 V, V

GS

= 0 V,

输出电容

F = 1.0兆赫）

反向传输电容

导通延迟时间

(V

DD

= 300 V，I

D

= 2.0 A,

上升时间

V

GS

= 10 V,

打开-O FF延迟时间

R

G

= 18) *

下降时间

总栅极电荷

(V

DS

= 400 V，I

D

= 2.0 A,

栅极 - 源电荷

V

GS

= 10 V)*

栅极 - 漏极电荷

内部排水电感

（从漏测铅0.25“从包到模具的中心）

内部排水电感

（测量从源铅0.25 “从包装到源债券

垫）

源极 - 漏极二极管的特性

正向导通电压（ 1）

(I

S

= 2.0 A，V

GS

= 0 V,

向前开启时间

d

IS

/d

t

= 100A / μs）内

反向恢复时间

*脉冲测试：脉冲宽度

≦300μs,

占空比

≦2%

**忽略不计，占主导地位的电路中电感

符号

V

（ BR ） DSS

I

DSS

民

600

最大

单位

V

I

GSSF

I

GSSR

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

V

DS （ ON）

g

FS

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

L

D

L

S

1.0

435

56

9.2

12

21

30

24

13

2.0

6.0

4.5

7.5

2.0

3.1

3.3

1

3

100

100

4.0

4.4

8.8

uA

nA

nA

V

V

姆欧

pF

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ns

ns

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nC

nC

nC

nH

nH

V

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t

on

t

rr

1.0

75

340

1.6

V

ns

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2009/08/06

修订版1.4

冠军微电子公司

第2页

CMT02N60

P

OWER

F

屈服

E

ffect

T

RANSISTOR

典型电气特性

2009/08/06

修订版1.4

冠军微电子公司

第3页

CMT02N60

P

OWER

F

屈服

E

ffect

T

RANSISTOR

包装尺寸为

TO-220

TO-220FP

2009/08/06

修订版1.4

冠军微电子公司

第4页

CMT02N60

P

OWER

F

屈服

E

ffect

T

RANSISTOR

包装尺寸为

TO-251

2009/08/06

修订版1.4

冠军微电子公司

第5页

CMT02N60

P

OWER

F

屈服

E

ffect

T

RANSISTOR

概述

这种高电压MOSFET采用先进的终止

方案以提供增强的电压阻断能力

在不降低性能随着时间的推移。另外，该

先进的MOSFET被设计成能承受高能量的

雪崩和减刑模式。新能源

高效的设计还提供了一个漏极至源极二极管用

快速恢复时间。专为高电压，高转速

电源供应器，转换器，开关和应用

PWM电机控制，这些设备是特别好

适用于桥式电路中的二极管速度和

换向安全工作区域是至关重要的，并提供

针对突发的额外电压和安全边际

瞬变。

特点

强大的高压端子

较高的雪崩能量

源极到漏极二极管恢复时间等同于

离散快速恢复二极管

二极管电桥电路的特点是使用

I

DSS

和V

DS

（上）指定高温

引脚配置

TO-220/TO-220FP

TO-252

TO-251

符号

N沟道MOSFET

前视图

前视图

前视图

D

来源

门

来源

来源

漏

漏

漏

门

门

G

1

2

3

1

2

3

S

1

2

3

绝对最大额定值

等级

漏电流

－

连续

－

脉冲

栅极 - 源极电压

－

CONTINUE

－

不重复

总功耗

减免上述25 °

工作和存储温度范围

单脉冲漏极至源雪崩能源

－

T

J

= 25℃

(V

DD

= 100V, V

GS

= 10V ，我

L

= 2A ，L = 10MH ，R

G

= 25)

热阻

－

结到外壳

－

结到环境

最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从10秒

θ

JC

θ

JA

T

L

1.0

62.5

260

℃

℃/W

T

J

, T

英镑

E

AS

符号

I

D

I

DM

V

GS

V

GSM

P

D

价值

2.0

9.0

±20

±40

50

0.4

-55到150

20

V

V

W

W/℃

℃

mJ

单位

A

2004/12/01

修订版1.2

冠军微电子公司

第1页

CMT02N60

P

OWER

F

屈服

E

ffect

T

RANSISTOR

订购信息

产品型号

CMT02N60N251

CMT02N60N252

CMT02N60N220

CMT02N60N220FP

CMT02N60GN251*

CMT02N60GN252*

CMT02N60GN220*

CMT02N60GN220FP*

*注意：

G：后缀为无铅产品

包

TO-251

TO-252

TO-220

TO- 220封装完整

TO-251

TO-252

TO-220

TO- 220封装完整

电气特性

除非另有规定，T

J

= 25℃.

CMT02N60

特征

漏源击穿电压

(V

GS

= 0 V，I

D

= 250

μA)

漏极 - 源极漏电流

(V

DS

= 600 V, V

GS

= 0 V)

(V

DS

= 480 V, V

GS

= 0 V ，T

J

= 125℃)

门源漏电流，正向

(V

GSF

= 20 V, V

DS

= 0 V)

门源漏电流，反向

(V

GSR

= 20 V, V

DS

= 0 V)

栅极阈值电压

(V

DS

= V

GS

, I

D

= 250

μA)

静态漏源导通电阻（V

GS

= 10 V，I

D

= 1.0A) *

漏源电压（V

GS

= 10 V)

(I

D

= 2.0 A)

正向跨导（V

DS

≧

50 V，I

D

= 1.0A) *

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

内部排水电感

（从漏测铅0.25“从包到模具的中心）

内部排水电感

（测量从源铅0.25 “从包装到源焊盘）

源极 - 漏极二极管的特性

正向导通电压（ 1）

向前开启时间

反向恢复时间

**忽略不计，占主导地位的电路中电感

(I

S

= 2.0 A，V

GS

= 0 V,

d

IS

/d

t

= 100A / μs）内

V

SD

t

on

t

rr

1.0

**

340

1.6

V

ns

ns

L

S

7.5

nH

(V

DS

= 25 V, V

GS

= 0 V,

F = 1.0兆赫）

(V

DD

= 300 V，I

D

= 2.0 A,

V

GS

= 10 V,

R

G

= 18) *

(V

DS

= 400 V，I

D

= 2.0 A,

V

GS

= 10 V)*

g

FS

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

L

D

1.0

435

56

9.2

12

21

30

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2.0

6.0

4.5

22

姆欧

pF

pF

pF

ns

ns

ns

ns

nC

nC

nC

nH

R

DS （ ON）

V

DS （ ON）

3.3

4.4

8.8

V

V

GS （ TH）

2.0

3.1

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V

I

GSSR

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nA

I

GSSF

I

DSS

0.25

1.0

100

nA

mA

符号

V

（ BR ） DSS

民

600

典型值

最大

单位

V

*脉冲测试：脉冲宽度

≦300s,

占空比

≦2%

2004/12/01

修订版1.2

冠军微电子公司

第2页

CMT02N60

P

OWER

F

屈服

E

ffect

T

RANSISTOR

典型电气特性

2004/12/01

修订版1.2

冠军微电子公司

第3页

CMT02N60

P

OWER

F

屈服

E

ffect

T

RANSISTOR

包装尺寸为

TO-220

B

F

C

S

引脚1 ：门

引脚2 ：排水

引脚3 ：源

Q

A

U

T

A

B

1

Z

H

2

3

C

D

F

G

H

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S

T

U

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L

V

N

D

R

J

V

Z

TO-220FP

I

R1

C

R

J

D

Q

H

.5

0

R1

.5

0

B

8±

3.1

0

0.1

A

B

A

C

D

E

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G

H

I

J

K

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O

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1.

R

G

b

R

b

b1

b2

e

b1

e

前视图

b2

R

N

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SIDE VIEW

后视图

2004/12/01

修订版1.2

冠军微电子公司

第4页

CMT02N60

P

OWER

F

屈服

E

ffect

T

RANSISTOR

包装尺寸为

TO-251

2004/12/01

修订版1.2

冠军微电子公司

第5页

CMT02N60

P

OWER

F

屈服

E

ffect

T

RANSISTOR

概述

这种高电压MOSFET采用先进的终止

方案以提供增强的电压阻断能力

在不降低性能随着时间的推移。另外，该

先进的MOSFET被设计成能承受高能量的

雪崩和减刑模式。新能源

高效的设计还提供了一个漏极至源极二极管用

快速恢复时间。专为高电压，高转速

电源供应器，转换器，开关和应用

PWM电机控制，这些设备是特别好

适用于桥式电路中的二极管速度和

换向安全工作区域是至关重要的，并提供

针对突发的额外电压和安全边际

瞬变。

特点

强大的高压端子

较高的雪崩能量

源极到漏极二极管恢复时间等同于

离散快速恢复二极管

二极管电桥电路的特点是使用

I

DSS

和V

DS

（上）指定高温

引脚配置

TO-220/TO-220FP

TO-252

TO-251

符号

N沟道MOSFET

前视图

前视图

前视图

D

来源

门

来源

来源

漏

漏

漏

门

门

G

1

2

3

1

2

3

S

1

2

3

绝对最大额定值

等级

漏电流

－

连续

－

脉冲

栅极 - 源极电压

－

CONTINUE

－

不重复

总功耗

减免上述25 °

工作和存储温度范围

单脉冲漏极至源雪崩能源

－

T

J

= 25℃

(V

DD

= 100V, V

GS

= 10V ，我

L

= 2A ，L = 10MH ，R

G

= 25)

热阻

－

结到外壳

－

结到环境

最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从10秒

θ

JC

θ

JA

T

L

1.0

62.5

260

℃

℃/W

T

J

, T

英镑

E

AS

符号

I

D

I

DM

V

GS

V

GSM

P

D

价值

2.0

9.0

±20

±40

50

0.4

-55到150

20

V

V

W

W/℃

℃

mJ

单位

A

2004/12/01

修订版1.2

冠军微电子公司

第1页

CMT02N60

P

OWER

F

屈服

E

ffect

T

RANSISTOR

订购信息

产品型号

CMT02N60N251

CMT02N60N252

CMT02N60N220

CMT02N60N220FP

CMT02N60GN251*

CMT02N60GN252*

CMT02N60GN220*

CMT02N60GN220FP*

*注意：

G：后缀为无铅产品

包

TO-251

TO-252

TO-220

TO- 220封装完整

TO-251

TO-252

TO-220

TO- 220封装完整

电气特性

除非另有规定，T

J

= 25℃.

CMT02N60

特征

漏源击穿电压

(V

GS

= 0 V，I

D

= 250

μA)

漏极 - 源极漏电流

(V

DS

= 600 V, V

GS

= 0 V)

(V

DS

= 480 V, V

GS

= 0 V ，T

J

= 125℃)

门源漏电流，正向

(V

GSF

= 20 V, V

DS

= 0 V)

门源漏电流，反向

(V

GSR

= 20 V, V

DS

= 0 V)

栅极阈值电压

(V

DS

= V

GS

, I

D

= 250

μA)

静态漏源导通电阻（V

GS

= 10 V，I

D

= 1.0A) *

漏源电压（V

GS

= 10 V)

(I

D

= 2.0 A)

正向跨导（V

DS

≧

50 V，I

D

= 1.0A) *

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

内部排水电感

（从漏测铅0.25“从包到模具的中心）

内部排水电感

（测量从源铅0.25 “从包装到源焊盘）

源极 - 漏极二极管的特性

正向导通电压（ 1）

向前开启时间

反向恢复时间

**忽略不计，占主导地位的电路中电感

(I

S

= 2.0 A，V

GS

= 0 V,

d

IS

/d

t

= 100A / μs）内

V

SD

t

on

t

rr

1.0

**

340

1.6

V

ns

ns

L

S

7.5

nH

(V

DS

= 25 V, V

GS

= 0 V,

F = 1.0兆赫）

(V

DD

= 300 V，I

D

= 2.0 A,

V

GS

= 10 V,

R

G

= 18) *

(V

DS

= 400 V，I

D

= 2.0 A,

V

GS

= 10 V)*

g

FS

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

L

D

1.0

435

56

9.2

12

21

30

24

13

2.0

6.0

4.5

22

姆欧

pF

pF

pF

ns

ns

ns

ns

nC

nC

nC

nH

R

DS （ ON）

V

DS （ ON）

3.3

4.4

8.8

V

V

GS （ TH）

2.0

3.1

4.0

V

I

GSSR

100

nA

I

GSSF

I

DSS

0.25

1.0

100

nA

mA

符号

V

（ BR ） DSS

民

600

典型值

最大

单位

V

*脉冲测试：脉冲宽度

≦300s,

占空比

≦2%

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P

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F

屈服

E

ffect

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典型电气特性

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P

OWER

F

屈服

E

ffect

T

RANSISTOR

包装尺寸为

TO-220

B

F

C

S

引脚1 ：门

引脚2 ：排水

引脚3 ：源

Q

A

U

T

A

B

1

Z

H

2

3

C

D

F

G

H

J

K

L

N

Q

R

S

T

U

G

L

V

N

D

R

J

V

Z

TO-220FP

I

R1

C

R

J

D

Q

H

.5

0

R1

.5

0

B

8±

3.1

0

0.1

A

B

A

C

D

E

E

P

K

O

G

H

I

J

K

M

N

O

P

Q

60

1.

R

G

b

R

b

b1

b2

e

b1

e

前视图

b2

R

N

M

SIDE VIEW

后视图

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P

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F

屈服

E

ffect

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包装尺寸为

TO-251

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联系人：杨小姐

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柒号芯城电子商务（深圳）有限公司

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联系人：连

地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

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终端采购配单精选

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联系人：谌小姐

地址：深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E

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16000

TO-220

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联系人：陈泽强

地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318

CMT02N60

NIF

2443+

23000

TO-220

一级代理专营，原装现货，价格优势

深圳市华斯顿电子科技有限公司

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联系人：朱咸华

地址：美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜

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CET

25+23+

21500

TO-220F

绝对全新原装现货！原装原标原包渠道优势！

深圳市科恒伟业电子有限公司

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电话：0755-82569753-32922817-36561078-801

联系人：李小姐

地址：深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室本公司可以开13%增值税发票以及3%普通发票！！

CMT02N60

富鼎

1922+

9825

TO-220

只做原装正品假一赔十为客户做到零风险！！

深圳市恒达亿科技有限公司

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电话：0755-82723761/82772189

联系人：夏先生朱小姐

地址：深圳市福田区华强北街道赛格科技园3栋东座10楼A2（本公司为一般纳税人，可开增票）

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虹冠台湾/绝

25+

9330

CSP-10

全新原装现货特价销售！

深圳市金亿泰电子有限公司

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电话：755-83252273

联系人：郑

地址：中航路新亚洲二期N3D039

CMT02N60

APEC

24+

90000

TO-220

绝对全新原装/自己库存现货

深圳市芯满林科技有限公司

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电话：18926544209/18025435189

联系人：夏小姐/朱先生

地址：深圳市福田区华强北街道福强社区振华路89号恒邦时代大厦1栋1514

CMT02N60

CET

24+

32000

百分百原装现货，价格优势，欢迎查询！

上海熠富电子科技有限公司

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电话：15821228847 // 13764057178 // 15026993318

联系人：销售部

地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房

CMT02N60

2024

30475

220

原装现货上海库存，欢迎查询

北京元坤国际科技有限公司

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联系人：何小姐

地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

CMT02N60

NIF

22+

32570

TO-220

全新原装正品/质量有保证

绿盛电子(香港)有限公司

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电话：18922887426/0755-25165869

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19889

DIP/SMD

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