CMST3410 NPN
CMST7410 PNP
表面贴装
互补低VCE （ SAT ）
硅晶体管
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述：
中央半导体CMST3410 ，
CMST7410类型是互补硅晶体管
通过外延平面工艺，环氧树脂制
成型的超迷你表面贴装封装，
专为需要电池驱动的手持设备
高电流和低VCE （ SAT）电压。
标记代码： CMST3410 ： C03
CMST7410 ： C07
SOT- 323案例
最大额定值：
(TA=25°C)
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流
功耗
工作和存储结温
热阻
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
PD
TJ ， TSTG
Θ
JA
单位
V
V
V
A
A
mW
°C
° C / W
40
25
6.0
1.0
1.5
275
-65到+150
455
电气特性：
（ TA = 25° C除非另有说明）
CMST3410 CMST7410
符号
测试条件
民
典型值
典型值
ICBO
VCB=40V
IEBO
VEB=6.0V
BVCBO
IC=100A
40
BVCEO
IC=10mA
25
BVEBO
IE=100A
6.0
VCE （ SAT ）
IC = 50mA时IB = 5.0毫安
20
25
VCE （ SAT ）
IC = 100mA时IB = 10毫安
35
40
VCE （ SAT ）
IC =的200mA， IB = 20mA下
75
80
VCE （ SAT ）
IC = 500毫安， IB = 50毫安
130
150
VCE （ SAT ）
IC = 800毫安， IB = 80毫安
200
220
VCE （ SAT ）
IC = 1.0A ， IB =百毫安
250
275
VBE （ SAT ）
IC = 800毫安， IB = 80毫安
VBE （ON）的
VCE = 1.0V ， IC = 10毫安
的hFE
VCE = 1.0V ， IC = 10毫安
100
的hFE
VCE = 1.0V ， IC =百毫安
100
的hFE
VCE = 1.0V ， IC = 500毫安
100
的hFE
VCE = 1.0V ， IC = 1.0A
50
fT
VCE = 10V ， IC = 50mA时F = 100MHz的
100
COB
VCB = 10V ， IE = 0 ， F = 1.0MHz的（ CMST3410 ）
COB
VCB = 10V ， IE = 0 ， F = 1.0MHz的（ CMST7410 ）
最大
100
100
50
75
150
250
400
450
1.1
0.9
300
单位
nA
nA
V
V
V
mV
mV
mV
mV
mV
mV
V
V
10
15
兆赫
pF
pF
R1 （2010年9月）
CMST3410 NPN
CMST7410 PNP
表面贴装
互补低VCE （ SAT ）
硅晶体管
SOT- 323案例 - 机械外形
销刀豆网络gurations
CMST3410 NPN
前导码：
1）基础
2 ）辐射源
3 ）集电极
标识代码： C03
CMST7410 PNP
前导码：
1）基础
2 ）辐射源
3 ）集电极
标识代码： C07
R1 （2010年9月）
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
CMST3410 NPN
CMST7410 PNP
表面贴装
超迷你
TM
其他芯片
低VCE （ SAT ）晶体管
中央
TM
半导体公司
描述：
中央半导体CMST3410 ，
CMST7410类型是互补硅
由外延平面制造的晶体管
过程中，环氧树脂模制在一个超小
TM
表面
贴装封装，专为电池驱动，
需要高电流和低的手持设备
VCE （ SAT ）电压。
标记代码：
CMST3410 ： C03
CMST7410 ： C07
单位
V
V
V
A
A
mW
°C
° C / W
SOT- 323案例
最大额定值：
(TA=25°C)
符号
集电极 - 基极电压
VCBO
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（峰值）
功耗
工作和存储
结温
热阻
TJ ， TSTG
Θ
JA
VCEO
VEBO
IC
ICM
PD
40
25
6.0
1.0
1.5
275
-65到+150
455
电气特性：
（ TA = 25° C除非另有说明）
CMST3410 CMST7410
符号
测试条件
民
典型值
典型值
ICBO
VCB=40V
IEBO
VEB=6.0V
BVCBO
IC=100A
40
BVCEO
IC=10mA
25
BVEBO
IE=100A
6.0
VCE （ SAT ）
IC = 50mA时IB = 5.0毫安
20
25
VCE （ SAT ）
IC = 100mA时IB = 10毫安
35
40
VCE （ SAT ）
IC =的200mA， IB = 20mA下
75
80
VCE （ SAT ）
IC = 500毫安， IB = 50毫安
130
150
VCE （ SAT ）
IC = 800毫安， IB = 80毫安
200
220
VCE （ SAT ）
IC = 1.0A ， IB =百毫安
250
275
VBE （ SAT ）
IC = 800毫安， IB = 80毫安
VBE （ON）的
VCE = 1.0V ， IC = 10毫安
的hFE
VCE = 1.0V ， IC = 10毫安
100
的hFE
VCE = 1.0V ， IC =百毫安
100
的hFE
VCE = 1.0V ， IC = 500毫安
100
的hFE
VCE = 1.0V ， IC = 1.0A
50
fT
VCE = 10V ， IC = 50mA时F = 100MHz的
100
COB
VCB = 10V ， IE = 0 ， F = 1.0MHz的（ CMST3410 ）
COB
VCB = 10V ， IE = 0 ， F = 1.0MHz的（ CMST7410 ）
最大
100
100
50
75
150
250
400
450
1.1
0.9
300
单位
nA
nA
V
V
V
mV
mV
mV
mV
mV
mV
V
V
10
15
兆赫
pF
pF
R0 （ 2005年5月）
QQ：2880707522 复制
