CMST5086
CMST5087
表面贴装
PNP硅晶体管
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述：
中央半导体CMST5086 ，
CMST5087类型PNP硅晶体管
通过外延平面工艺，环氧树脂制
成型的超迷你表面贴装封装，
专为需要高增益和低应用
噪声。
标记代码： CMST5086 ： 2PC
CMST5087 ： 2QC
SOT- 323案例
最大额定值：
(TA=25°C)
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
功耗
工作和存储结温
热阻
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ ， TSTG
Θ
JA
50
50
3.0
50
275
-65到+150
455
单位
V
V
V
mA
mW
°C
° C / W
电气特性：
（ TA = 25° C除非另有说明）
CMST5086
符号
测试条件
最小最大
ICBO
VCB=10V
-
10
ICBO
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
的hFE
的hFE
的hFE
fT
COB
的hFE
NF
NF
VCB=35V
IC=100μA
IC=1.0mA
IE=100μA
IC = 10毫安， IB = 1.0毫安
IC = 10毫安， IB = 1.0毫安
VCE = 5.0V ， IC = 0.1毫安
VCE=5.0V,
VCE=5.0V,
VCE=5.0V,
IC=1.0mA
IC=10mA
IC = 500μA ， F = 20MHz的
VCB = 5.0V ， IE = 0 ， F = 1.0MHz的
VCE = 5.0V ， IC = 1.0毫安， F = 1.0kHz
VCE = 5.0V ， IC = 20mA时， RS = 10kΩ的
F = 10Hz到15.7kHz
VCE = 5.0V ， IC = 100μA ， RS = 3.0kΩ
f=1.0kHz
-
50
50
3.0
-
-
150
150
150
40
-
150
-
-
50
-
-
-
0.30
0.85
500
-
-
-
4.0
600
3.0
3.0
CMST5087
最小最大
-
10
-
50
50
3.0
-
-
250
250
250
40
-
250
-
-
50
-
-
-
0.30
0.85
800
-
-
-
4.0
900
2.0
2.0
单位
nA
nA
V
V
V
V
V
兆赫
pF
dB
dB
R3 （2010年9月）
CMST5086
CMST5087
表面贴装
PNP硅晶体管
SOT- 323案例 - 机械外形
引脚配置
前导码：
1）基础
2 ）辐射源
3 ）集电极
标记代码：
CMST5086 ： 2PC
CMST5087 ： 2QC
R3 （2010年9月）
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
CMST5086
CMST5087
表面贴装
超迷你
TM
PNP硅晶体管
中央
TM
半导体公司
描述：
中央半导体CMST5086 ，
CMST5087类型PNP硅晶体管
通过外延平面工艺制造的
环氧模制在一个超小
TM
表面贴装
包，专为需要的应用
高增益和低噪声。
标记代码： CMST5086 ： 2PC
CMST5087 ： 2QC
SOT- 323案例
最大额定值：
(TA=25°C)
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
功耗
工作和存储
结温
热阻
TJ ， TSTG
Θ
JA
-65到+150
455
°C
° C / W
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
50
50
3.0
50
275
单位
V
V
V
mA
mW
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
CMST5086
符号
测试条件
最小最大
ICBO
VCB=10V
10
ICBO
VCB=35V
50
BVCBO
IC=100A
50
BVCEO
IC=1.0mA
50
BVEBO
IE=100A
3.0
VCE （ SAT ）
IC = 10毫安， IB = 1.0毫安
0.30
VBE （ SAT ）
IC = 10毫安， IB = 1.0毫安
0.85
的hFE
VCE = 5.0V ， IC = 0.1毫安
150
500
的hFE
VCE = 5.0V ， IC = 1.0毫安
150
的hFE
VCE = 5.0V ， IC = 10毫安
150
fT
VCE = 5.0V ， IC = 500μA ， F = 20MHz的
40
COB
VCB = 5.0V ， IE = 0 ， F = 1.0MHz的
4.0
的hFE
VCE = 5.0V ， IC = 1.0毫安， F = 1.0kHz
150
600
NF
VCE = 5.0V ， IC = 20mA时， RS = 10kΩ的
F = 10Hz到15.7kHz
3.0
NF
VCE = 5.0V ， IC = 100μA ， RS = 3.0kΩ
f=1.0kHz
3.0
CMST5087
最小最大
10
50
50
50
3.0
0.30
0.85
250 800
250
250
40
4.0
250 900
2.0
2.0
单位
nA
nA
V
V
V
V
V
兆赫
pF
dB
dB
R2 （ 2004年4月）
CMST5086
CMST5087
超迷你
TM
表面贴装
PNP硅晶体管
中央
TM
半导体公司
描述：
中央半导体CMST5086 ，
CMST5087类型PNP硅晶体管
通过外延平面工艺制造的
环氧模制在一个超小
TM
表面贴装
包，专为需要的应用
高增益和低噪声。
标记代码是2PC ， 2QC分别。
SOT- 323案例
最大额定值：
(TA=25°C)
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
功耗
工作和存储
结温
热阻
TJ ， TSTG
Θ
JA
-65到+150
500
°C
° C / W
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
50
50
3.0
50
250
单位
V
V
V
mA
mW
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
CMST5086
符号
测试条件
最小最大
ICBO
VCB=10V
10
ICBO
VCB=35V
50
BVCBO
IC=100A
50
BVCEO
IC=1.0mA
50
BVEBO
IE=100A
3.0
VCE （ SAT ）
IC = 10毫安， IB = 1.0毫安
0.30
VBE （ SAT ）
IC = 10毫安， IB = 1.0毫安
0.85
的hFE
VCE = 5.0V ， IC = 0.1毫安
150 500
的hFE
VCE = 5.0V ， IC = 1.0毫安
150
的hFE
VCE = 5.0V ， IC = 10毫安
150
fT
VCE = 5.0V ， IC = 500μA ， F = 20MHz的
40
COB
VCB = 5.0V ， IE = 0 ， F = 1.0MHz的
4.0
的hFE
VCE = 5.0V ， IC = 1.0毫安， F = 1.0kHz
150 600
NF
VCE = 5.0V ， IC = 20mA时， RS = 10kΩ的
F = 10Hz到15.7kHz
3.0
NF
VCE = 5.0V ， IC = 100μA ， RS = 3.0kΩ
f=1.0kHz
3.0
CMST5087
最小最大
10
50
50
50
3.0
0.30
0.85
250 800
250
250
40
4.0
250 900
2.0
2.0
单位
nA
nA
V
V
V
V
V
兆赫
pF
dB
dB
R0 （2002年11月）
QQ：2881677436 复制
